JPH01211840A - イオン注入方法およびイオン注入装置 - Google Patents
イオン注入方法およびイオン注入装置Info
- Publication number
- JPH01211840A JPH01211840A JP63035096A JP3509688A JPH01211840A JP H01211840 A JPH01211840 A JP H01211840A JP 63035096 A JP63035096 A JP 63035096A JP 3509688 A JP3509688 A JP 3509688A JP H01211840 A JPH01211840 A JP H01211840A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- emitter
- ion implantation
- ion
- implanted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims description 5
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 claims 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 10
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- -1 B 2 Chemical class 0.000 description 1
- 241000772415 Neovison vison Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000002164 ion-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分ＩＰ）
この発明は、半導体素子製造におけろマイクロビームに
よるイオン注入方法およびイオン注入装置に関するもの
である。
よるイオン注入方法およびイオン注入装置に関するもの
である。
（従来の技術）
半導体素子の高集積化に伴い、パターン幅がサブミクロ
ンに狭まる傾向にある。マイクロイオンビーム技術はサ
ブミクロンドライプロセス、例えばイオンビームリソグ
ラフィ、マスクレスイオン打込み、イオンビーム微細加
工に応用される技術であり、現在その開発研究が盛んに
行われている。
ンに狭まる傾向にある。マイクロイオンビーム技術はサ
ブミクロンドライプロセス、例えばイオンビームリソグ
ラフィ、マスクレスイオン打込み、イオンビーム微細加
工に応用される技術であり、現在その開発研究が盛んに
行われている。
マイクロイオンビームを得るためには、所望のイオン種
を放出する高輝度のイオン源が必要とされろ。そのため
に、シリコン新デバイスに関する調査研究報告書１［（
５９−Ｍ−２２２）昭和５９年３月社団法人日本電子工
業振興協会Ｐ１３４〜１４１に開示される液体金属イオ
ン源や電界電離イオンが開発されている。
を放出する高輝度のイオン源が必要とされろ。そのため
に、シリコン新デバイスに関する調査研究報告書１［（
５９−Ｍ−２２２）昭和５９年３月社団法人日本電子工
業振興協会Ｐ１３４〜１４１に開示される液体金属イオ
ン源や電界電離イオンが開発されている。
上記のイオン源は集束イオンビーム（ＦｏｃｕｓｅｄＪ
ｏｎ、 Ｂｅａｍ；以下ＦＩＢという）装置に搭載し、
ＦＩＢ装置内のコンデンサレンズ、ウィーンフィルター
型質量分析語、対物しンス、ビーム走査系等を経て、目
的とされるイオン種を集束させて注入することができる
。
ｏｎ、 Ｂｅａｍ；以下ＦＩＢという）装置に搭載し、
ＦＩＢ装置内のコンデンサレンズ、ウィーンフィルター
型質量分析語、対物しンス、ビーム走査系等を経て、目
的とされるイオン種を集束させて注入することができる
。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記構成のＦＩＢ装置を用いても、放出
したイオンの空間電荷効果によりそのエネルギー幅が数
ｅＶ程度に広がり、それ故静電レンズを用いてもビーム
径を０．１μｍφ以下にすることが困難であった。
したイオンの空間電荷効果によりそのエネルギー幅が数
ｅＶ程度に広がり、それ故静電レンズを用いてもビーム
径を０．１μｍφ以下にすることが困難であった。
また、上記のＦＩＢ装置構成では、イオンの集束化のた
めイオンの加速電圧を数＋ｋｅＶ以上にする必要があり
、それ故、このように加速されたイオンが基板に照射す
ることで基板にダメージが発生することが問題となって
いた。
めイオンの加速電圧を数＋ｋｅＶ以上にする必要があり
、それ故、このように加速されたイオンが基板に照射す
ることで基板にダメージが発生することが問題となって
いた。
この発明は以上述べたイオンビーム径の広がりを除去し
、かつイオン照射による基板の損傷を低減化することを
目的とする。
、かつイオン照射による基板の損傷を低減化することを
目的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明は、走査トンネル類’ｄａ ｉｌｌ （Ｓ ｃ
ａ ｎ ｎ ｉ ｎ ｇＴｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍｉｃ
ｒｏｓｃｏｐｙ；以下ＳＴＭという）構成を用い、かつ
３７Ｍ用のエミッタ部分に、イオンを発生させるための
ガスを導入するようにしたものである。
ａ ｎ ｎ ｉ ｎ ｇＴｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍｉｃ
ｒｏｓｃｏｐｙ；以下ＳＴＭという）構成を用い、かつ
３７Ｍ用のエミッタ部分に、イオンを発生させるための
ガスを導入するようにしたものである。
（作 用）
上記のようなこの発明においては、通常のＳＴＭ構成で
トンネル電流により被イオン注入基板のイオン注入位置
を確認する。その後、ＳＴＭのエミッタ部分に、注入イ
オンを発生させるためのガスを導入し、電界Ｔ１ｍ過程
によりイオン化し、所望のイオンを放出させ、前記基板
にイオンを注入する。
トンネル電流により被イオン注入基板のイオン注入位置
を確認する。その後、ＳＴＭのエミッタ部分に、注入イ
オンを発生させるためのガスを導入し、電界Ｔ１ｍ過程
によりイオン化し、所望のイオンを放出させ、前記基板
にイオンを注入する。
（実 施 例）
以下この発明の一実施例を図面を参照して説明する。第
１図および第２図はこの発明の一実施例を説明するため
の図で、第１図はイオン注入装置全体の概略構成図、第
２図はエミッタ部分の拡大図である。
１図および第２図はこの発明の一実施例を説明するため
の図で、第１図はイオン注入装置全体の概略構成図、第
２図はエミッタ部分の拡大図である。
第１図において、１は試料台、２はその上の被イオン注
入基板としてのＳｉ基板である。３はＳＴＭおよびイオ
ン源用のエミッタで、その上下方向の動きを検出するた
めの圧電素子（アクチュエータ）４とともに３７Ｍ走査
のための支持台５に保持される。
入基板としてのＳｉ基板である。３はＳＴＭおよびイオ
ン源用のエミッタで、その上下方向の動きを検出するた
めの圧電素子（アクチュエータ）４とともに３７Ｍ走査
のための支持台５に保持される。
６はトンネル電流発生のためのＤＣ電源、７はイオンの
電界電離および加速のためのＤＣ電源で、この２つのＤ
Ｃ電源６，７は切り替えスイッチ８で切換えられて前記
試料台１（その上の基板２）とエミッタ３ｒＲに接続さ
れる。９ば前記ＤＣＭ源６゜７と試料台１間に接続され
た抵抗、１０はトンネル電流の制御および微小電圧を増
幅するための増幅器で、この増幅器１０は一方の入力を
基準電圧Ｖｒｅｆとして前記抵抗９の試料台１側の一端
と圧電素子４間に接続される。また、１１はドーパント
ガス導入管で、先端が第２図に示すようにエミッタ３の
先端の位置にあり、このエミッタ３の先端まで所望のド
ーパントガスを導入できるように設けられている。なお
、エミッタ３は０，３ｍφのＷ（タングステン）を使用
して、先端は電解研磨により１μｍφ以下の径に加工さ
れている。
電界電離および加速のためのＤＣ電源で、この２つのＤ
Ｃ電源６，７は切り替えスイッチ８で切換えられて前記
試料台１（その上の基板２）とエミッタ３ｒＲに接続さ
れる。９ば前記ＤＣＭ源６゜７と試料台１間に接続され
た抵抗、１０はトンネル電流の制御および微小電圧を増
幅するための増幅器で、この増幅器１０は一方の入力を
基準電圧Ｖｒｅｆとして前記抵抗９の試料台１側の一端
と圧電素子４間に接続される。また、１１はドーパント
ガス導入管で、先端が第２図に示すようにエミッタ３の
先端の位置にあり、このエミッタ３の先端まで所望のド
ーパントガスを導入できるように設けられている。なお
、エミッタ３は０，３ｍφのＷ（タングステン）を使用
して、先端は電解研磨により１μｍφ以下の径に加工さ
れている。
このような装置によりＳｉ基板２に対してイオン注入を
行う方法を次に説明する。その場合は、まず最初に、Ｓ
ＴＭ構成を用いてイオン注入位置の確認作業を行う。イ
オン注入位置の確認作業としては、最初に、ＳＴＭ用エ
ミッタ３を基板２にｌｎｍ程度の距離まで近づける。次
に、電源６を用いて、基板２に対してエミッタ３の電位
が負電位になるようにする。次に、エミッタ３と基板２
の間に１ ｍＶ〜１ｖの電圧をＭ源６により印加する。
行う方法を次に説明する。その場合は、まず最初に、Ｓ
ＴＭ構成を用いてイオン注入位置の確認作業を行う。イ
オン注入位置の確認作業としては、最初に、ＳＴＭ用エ
ミッタ３を基板２にｌｎｍ程度の距離まで近づける。次
に、電源６を用いて、基板２に対してエミッタ３の電位
が負電位になるようにする。次に、エミッタ３と基板２
の間に１ ｍＶ〜１ｖの電圧をＭ源６により印加する。
この状態でエミッタ３と基板２の間に流れるトンネル電
流は１〜１０ ｎＡ程度となる。その後、トンネルＴｉ
流を一定に保ちながら、支持台５によりエミッタ３を基
板表面に沿って走査する。このとき、例えばエミッタ３
が基板２の表面上の白部分に来ると、エミッタ３と基板
２との間隔が狭くなるのでトンネル電流は増加する。こ
の状態ではトンネル電流が元のＴｉ流値に戻る位置まで
エミッタ３を上げる。逆に凹部骨ではトンネル電流が減
少するのでエミッタ３を下げろ。このエミッタ３の上下
方向の動きを圧電素子４で電圧変化としてとり出し増幅
器１０により電圧増幅し、例えばＣＲＴ等により画像化
する。通常エミッタ３の走査は基板面内のＸＹ方向にわ
たって行う。
流は１〜１０ ｎＡ程度となる。その後、トンネルＴｉ
流を一定に保ちながら、支持台５によりエミッタ３を基
板表面に沿って走査する。このとき、例えばエミッタ３
が基板２の表面上の白部分に来ると、エミッタ３と基板
２との間隔が狭くなるのでトンネル電流は増加する。こ
の状態ではトンネル電流が元のＴｉ流値に戻る位置まで
エミッタ３を上げる。逆に凹部骨ではトンネル電流が減
少するのでエミッタ３を下げろ。このエミッタ３の上下
方向の動きを圧電素子４で電圧変化としてとり出し増幅
器１０により電圧増幅し、例えばＣＲＴ等により画像化
する。通常エミッタ３の走査は基板面内のＸＹ方向にわ
たって行う。
このようにしてイオン注入すべき位置を確認した後、所
望のドーパントガスを導入してイオン注入を行う。詳し
く説明すると、ガス導入管１１でエミッタ３の先端まで
所望のドーパントガスを導入する。ここで、Ｓｉ基板２
へのイオン注入を可能にするドーパントガスとしては、
Ｐ導電型を与丸るドーパント元素としてはＢを含むＢ２
Ｈ６（ジボラン）を、またｎ導電型を与えるドーパント
元素としてばＰないしＡ５を含むＰＨ３（ホスフィン）
ないしはＡｓＨ（アルシン）を使用する。この後、電源
切り替えスイッチ８により電源をＤＣｔＣ電源切り替え
、Ｓｉ基板２に対し、エミッタ３が正電位になるよう電
圧を印加する。このとき、エミッタ３先端にかかる電界
が１０ Ｖ／ｎｕ以上では電界電離により元素はイオン
化する。即ち、Ｂ 、Ｐ 、Ａｓ （ｎはｎ≧１の整
数）などのイオンが発生する。そして、そのイオンがＳ
ｉ基板２に注入されろことになる。
望のドーパントガスを導入してイオン注入を行う。詳し
く説明すると、ガス導入管１１でエミッタ３の先端まで
所望のドーパントガスを導入する。ここで、Ｓｉ基板２
へのイオン注入を可能にするドーパントガスとしては、
Ｐ導電型を与丸るドーパント元素としてはＢを含むＢ２
Ｈ６（ジボラン）を、またｎ導電型を与えるドーパント
元素としてばＰないしＡ５を含むＰＨ３（ホスフィン）
ないしはＡｓＨ（アルシン）を使用する。この後、電源
切り替えスイッチ８により電源をＤＣｔＣ電源切り替え
、Ｓｉ基板２に対し、エミッタ３が正電位になるよう電
圧を印加する。このとき、エミッタ３先端にかかる電界
が１０ Ｖ／ｎｕ以上では電界電離により元素はイオン
化する。即ち、Ｂ 、Ｐ 、Ａｓ （ｎはｎ≧１の整
数）などのイオンが発生する。そして、そのイオンがＳ
ｉ基板２に注入されろことになる。
このようにしてイオン注入が行われるが、上記の例では
、エミッタ３と基板２との距離が１〜１０ｎａ＋程度で
あるので、両者間の前記印加電圧としては１０〜１００
Ｖ程度の電圧を印加する。また、エミッタ３と基板２ｒ
ＩＩＪの距離が１〜１０ ｎｍ程度であるという同一理
由により、放出イオンのビーム径は１０ ｎｍφ以下に
なる。
、エミッタ３と基板２との距離が１〜１０ｎａ＋程度で
あるので、両者間の前記印加電圧としては１０〜１００
Ｖ程度の電圧を印加する。また、エミッタ３と基板２ｒ
ＩＩＪの距離が１〜１０ ｎｍ程度であるという同一理
由により、放出イオンのビーム径は１０ ｎｍφ以下に
なる。
このように、上記方法によれば、ＳＴＭのエミッタ３部
分で所望のドーパント元素をイオン化し、加速電圧１０
〜１００ｖの低エネルギーで基板２にイオン注入するこ
とが可能となる。それ故、注入時に基板２に発生する照
射損傷を極力押えることができる。また、イオンのビー
ム径を１０ｎｍφ以下とし得るので、イオン注入精度を
高めることができろ。また、ＳＴＭの構成で１ ｎｍの
精度で注入位置のｉ認ができ、また制御できるので、よ
りイオン注入精度を高めることができる。
分で所望のドーパント元素をイオン化し、加速電圧１０
〜１００ｖの低エネルギーで基板２にイオン注入するこ
とが可能となる。それ故、注入時に基板２に発生する照
射損傷を極力押えることができる。また、イオンのビー
ム径を１０ｎｍφ以下とし得るので、イオン注入精度を
高めることができろ。また、ＳＴＭの構成で１ ｎｍの
精度で注入位置のｉ認ができ、また制御できるので、よ
りイオン注入精度を高めることができる。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、この発明によれば、走査ト
ンネル顕微鏡（ＳＴＭ ）の構成で注入すべき位置を確
認した後、所望の注入元素を含むガスをＳＴＭのエミッ
タ部分まで導入し、該エミッタ部分で電界電離によりイ
オン化させ加速させて基板に注入するものであるから、
位置決め精度はＳＴＭと同様１ ｎｍとなり、かつ通常
のイオン注入に比べ１０〜１００ ａＶの比較的低エネ
ルギーで注入することができて、照射損傷の極めて少な
いイオン注入が可能となり、しかもイオンビーム径も掻
く小さくしてより高精度のイオン注入が可能となる。
ンネル顕微鏡（ＳＴＭ ）の構成で注入すべき位置を確
認した後、所望の注入元素を含むガスをＳＴＭのエミッ
タ部分まで導入し、該エミッタ部分で電界電離によりイ
オン化させ加速させて基板に注入するものであるから、
位置決め精度はＳＴＭと同様１ ｎｍとなり、かつ通常
のイオン注入に比べ１０〜１００ ａＶの比較的低エネ
ルギーで注入することができて、照射損傷の極めて少な
いイオン注入が可能となり、しかもイオンビーム径も掻
く小さくしてより高精度のイオン注入が可能となる。
第１図および第２図はこの発明のイオン注入方法および
イオン注入装置の一実施例を説明するための図で、第１
図はイオン注入装置全体の概略構成図、第２図はエミッ
タ部分の拡大図である。 １・・・試料台、２・・Ｓｉ基板、３・・エミッタ、４
・・圧電素子、５・・・支持台、６，７・・・ＤＣ電源
、８・・切り替えスイッチ、９・・・抵抗、１０・・・
増幅器、１１・・・ドーパントガス導入管。 イオン注入装置全体の概略構成図 第１図 工ミンク部分の拡大図 第２ 図
イオン注入装置の一実施例を説明するための図で、第１
図はイオン注入装置全体の概略構成図、第２図はエミッ
タ部分の拡大図である。 １・・・試料台、２・・Ｓｉ基板、３・・エミッタ、４
・・圧電素子、５・・・支持台、６，７・・・ＤＣ電源
、８・・切り替えスイッチ、９・・・抵抗、１０・・・
増幅器、１１・・・ドーパントガス導入管。 イオン注入装置全体の概略構成図 第１図 工ミンク部分の拡大図 第２ 図
Claims (2)
- （１）（ａ）被イオン注入基板のイオン注入位置を走査
トンネル顕微鏡で確認し、その後、 （ｂ）所望の注入元素を含むガスを前記走査トンネル顕
微鏡のエミッタ部分に導入し、該エミッタ部分で前記ガ
スを電界電離過程によりイオン化し、所望のイオンを放
出させ、前記基板に注入させることを特徴とするイオン
注入方法。 - （２）（ａ）試料台上の被イオン注入基板とエミッタ間
のトンネル電流により前記基板のイオン注入すべき位置
を確認する走査トンネル顕微鏡を有し、かつ、 （ｂ）この走査トンネル顕微鏡の前記エミッタ部分に、
注入イオン発生用ガス導入管の先端を配置したことを特
徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63035096A JPH01211840A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63035096A JPH01211840A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01211840A true JPH01211840A (ja) | 1989-08-25 |
Family
ID=12432413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63035096A Pending JPH01211840A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01211840A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0459392A2 (en) * | 1990-05-30 | 1991-12-04 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for processing a minute portion of a specimen |
| US6251755B1 (en) | 1999-04-22 | 2001-06-26 | International Business Machines Corporation | High resolution dopant/impurity incorporation in semiconductors via a scanned atomic force probe |
-
1988
- 1988-02-19 JP JP63035096A patent/JPH01211840A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0459392A2 (en) * | 1990-05-30 | 1991-12-04 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for processing a minute portion of a specimen |
| US6251755B1 (en) | 1999-04-22 | 2001-06-26 | International Business Machines Corporation | High resolution dopant/impurity incorporation in semiconductors via a scanned atomic force probe |
| US6531379B2 (en) | 1999-04-22 | 2003-03-11 | International Business Machines Corporation | High resolution dopant/impurity incorporation in semiconductors via a scanned atomic force probe |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6979822B1 (en) | Charged particle beam system | |
| KR101015116B1 (ko) | 하전(荷電) 입자 빔 시스템 | |
| CA1311863C (en) | Low-voltage source for narrow electron/ion beams | |
| TWI373791B (en) | Proximity deposition | |
| Melngailis | Focused ion beam lithography | |
| US6838668B2 (en) | System for imaging a cross-section of a substrate | |
| Seliger et al. | Focused ion beams in microfabrication | |
| JPH07101602B2 (ja) | 入射角を一定にして高電流イオンビ−ムを走査する装置 | |
| US11699568B2 (en) | Method and device for spatial charged particle bunching | |
| JP2926132B1 (ja) | 集束イオンビームによる二次イオン像観察方法 | |
| JPH07192669A (ja) | 電界電離型ガスフェーズイオン源の調整方法 | |
| JP3305553B2 (ja) | 高速原子線源 | |
| US6538255B1 (en) | Electron gun and electron-beam optical systems and methods including detecting and adjusting transverse beam-intensity profile, and device manufacturing methods including same | |
| JPH01211840A (ja) | イオン注入方法およびイオン注入装置 | |
| JPH01211848A (ja) | イオン注入方法およびイオン注入装置 | |
| Koek et al. | A Schottky-Emitter electron source for wide range lithography applications | |
| JP2863558B2 (ja) | 集束イオンビーム装置の電荷中和装置 | |
| JP3469404B2 (ja) | 電界放出型荷電粒子銃及び荷電粒子ビーム照射装置 | |
| JPH10241588A (ja) | 集束イオンビーム加工方法およびその装置 | |
| JP3318154B2 (ja) | 荷電粒子ビーム投射方法およびその装置 | |
| JPH09167593A (ja) | イオン注入装置 | |
| US20240170248A1 (en) | Particle beam system | |
| JPS6298543A (ja) | イオンビ−ム発生装置 | |
| JPS61241918A (ja) | 荷電粒子線描画方法 | |
| JPS60249318A (ja) | イオンマイクロビ−ム注入法 |