JPH01208832A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
- Publication number
- JPH01208832A JPH01208832A JP63032701A JP3270188A JPH01208832A JP H01208832 A JPH01208832 A JP H01208832A JP 63032701 A JP63032701 A JP 63032701A JP 3270188 A JP3270188 A JP 3270188A JP H01208832 A JPH01208832 A JP H01208832A
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- Japan
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- alignment
- optical system
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- imaging
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- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 34
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は投影露光装置に係り、特に被露光物体上の所望
の位置に正確に原図パターンを投影露光する原図パター
ンと被露光物体との相対位置ずれ量を検出するのに好適
な投影露光装置に関するものである。
の位置に正確に原図パターンを投影露光する原図パター
ンと被露光物体との相対位置ずれ量を検出するのに好適
な投影露光装置に関するものである。
従来のこの種装置は、特開昭52−154369号公報
記載のように、結合光学系の途中からアライメント用照
明光を導く光学系となっていた。しかし、アラインメト
用マークを結像させる光学系は、原図パターン基板付近
に設けられた反射板により構成されており、反射板の位
置による制約のため、アライメント用マーク位置の自由
度及び露光位置でのアライメントという点については配
慮されていなかった。
記載のように、結合光学系の途中からアライメント用照
明光を導く光学系となっていた。しかし、アラインメト
用マークを結像させる光学系は、原図パターン基板付近
に設けられた反射板により構成されており、反射板の位
置による制約のため、アライメント用マーク位置の自由
度及び露光位置でのアライメントという点については配
慮されていなかった。
近年、半導体集積回路の高集積化が進むにつれてパター
ンの微細化及び重ね合わせ精度の高精度化が要求されて
いる。パターンの微細化のために。
ンの微細化及び重ね合わせ精度の高精度化が要求されて
いる。パターンの微細化のために。
高度のプロセス技術(例えば、多層レジスト技術等)が
用いられるようになり、露光波長以外でのアライメント
が必要となっているが、従来用いられている結像光学系
は、露光波長にのみ色収差補正されているが、露光波長
以外でも色収差が発生する。また、高重ね合わせ精度の
ために、露光位置でのアライメントが必要となるが、ア
ライメント光学系に自由度がないため、アライメント用
マーク位置が制約されてしまう。
用いられるようになり、露光波長以外でのアライメント
が必要となっているが、従来用いられている結像光学系
は、露光波長にのみ色収差補正されているが、露光波長
以外でも色収差が発生する。また、高重ね合わせ精度の
ために、露光位置でのアライメントが必要となるが、ア
ライメント光学系に自由度がないため、アライメント用
マーク位置が制約されてしまう。
上記従来技術は、以上のような要求について配慮されて
おらず、多様なプロセスに対応できないという問題点が
あった。
おらず、多様なプロセスに対応できないという問題点が
あった。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、ア
ライメント用マーク位置に制約を設けずに自由度の高い
、かつ、高精度の重ね合わせ精度が得られる投影露光装
置を提供することにある。
ライメント用マーク位置に制約を設けずに自由度の高い
、かつ、高精度の重ね合わせ精度が得られる投影露光装
置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的は、結像光学系の絞り位置に脱着可能な反射板
を設け、結像光学系とは別のアライメント光学系により
パターンとアライメント用マークが形成されている基板
と共役な像面及び別のアライメント用マークが形成され
ている被露光面と共役な像面を形成することにより達成
される。
を設け、結像光学系とは別のアライメント光学系により
パターンとアライメント用マークが形成されている基板
と共役な像面及び別のアライメント用マークが形成され
ている被露光面と共役な像面を形成することにより達成
される。
また、アライメント光学系を任意のアライメント波長で
生ずる色収差に合致するように補正移動することにより
、任意のアライメント波長を用いることができ、両像面
上の任意の位置に検出器を移動させることにより、アラ
イメント用マークは基板のどの位置にも置くことが可能
になる。
生ずる色収差に合致するように補正移動することにより
、任意のアライメント波長を用いることができ、両像面
上の任意の位置に検出器を移動させることにより、アラ
イメント用マークは基板のどの位置にも置くことが可能
になる。
結像レンズの絞り位置に挿入した反射板は、基板及び被
露光物と共役の像面を各々のアライメント光学系を通し
て形成する。それによって検出器はアライメント光学系
の位置に制約されることなく、各々の共役像面内を移動
させ、検出することが可能となるため、各基板内のアラ
イメント用マーク位置を任意に置くことが可能となる。
露光物と共役の像面を各々のアライメント光学系を通し
て形成する。それによって検出器はアライメント光学系
の位置に制約されることなく、各々の共役像面内を移動
させ、検出することが可能となるため、各基板内のアラ
イメント用マーク位置を任意に置くことが可能となる。
また、同時にアライメント光学系を前後することにより
、使用するアライメント波長によって生じる結像光学系
の色収差を吸収することができるため、プロセス条件に
合致した任意のアライメント波長を使用することが可能
になる。基板を被露光物体に露光する際には、反射板を
結像光学系の軸外へ移動することによって何らの支障な
く基板パターンを忠実に被露光物体上へ転写することが
可能になる。
、使用するアライメント波長によって生じる結像光学系
の色収差を吸収することができるため、プロセス条件に
合致した任意のアライメント波長を使用することが可能
になる。基板を被露光物体に露光する際には、反射板を
結像光学系の軸外へ移動することによって何らの支障な
く基板パターンを忠実に被露光物体上へ転写することが
可能になる。
以下本発明を第1図に示した実施例を用いて詳細に説明
する。
する。
第1図は本発明の投影露光装置の一実施例を示す斜視図
である。第1図において、1はレティクル、2,2′は
結像レンズ、3はウェハ、4はミラー(反射板)で、ア
ライメント時に結像レンズ2.2′の絞り位置に挿入さ
れたミラー4によりアライメント用マーク照明用光ファ
イ/<5.5’からの光をハーフミラ−6,6′及びア
ライメント光学系7,7′結像レンズ2,2′を経てそ
れぞれレティクル1上のアライメント用マーク9、ウェ
ハ3上のアライメント用マーク9′を照明する。このと
き、使用するアライメント波長に応じてアライメント光
学系7,7′の位置は、結像レンズ2,2′の色収差を
補正するように移動する。
である。第1図において、1はレティクル、2,2′は
結像レンズ、3はウェハ、4はミラー(反射板)で、ア
ライメント時に結像レンズ2.2′の絞り位置に挿入さ
れたミラー4によりアライメント用マーク照明用光ファ
イ/<5.5’からの光をハーフミラ−6,6′及びア
ライメント光学系7,7′結像レンズ2,2′を経てそ
れぞれレティクル1上のアライメント用マーク9、ウェ
ハ3上のアライメント用マーク9′を照明する。このと
き、使用するアライメント波長に応じてアライメント光
学系7,7′の位置は、結像レンズ2,2′の色収差を
補正するように移動する。
アライメントに用いる光波は、レーザー及び水銀ランプ
の輝線などのような波長の光であっても、アライメント
光学系7,7′により補正される。
の輝線などのような波長の光であっても、アライメント
光学系7,7′により補正される。
パターン基板レティクル1上のアライメント用マーク9
から反射された光は、結像レンズ2を通り、結像レンズ
2.2′の絞り位置上に挿入されたミラー4により反射
され、アライメント光学系7によりハーフミラ−6を経
て検出器8上に結像される。検出器8は、結像レンズ2
及びフライメン1−光学系7により形成されたパターン
基板レティクル1の面と共役な面上を自由に移動させる
ことが可能であるため、レティクル1上のアライメント
用マーク9の位置は、レティクル1上のどの位置にあっ
てもよい。また、アライメント光学系7は、アライメン
トに用いる光波の波長(以下、アライメント波長という
)によって生ずる結像レンズ2の色収差を補正するよう
に動くため、任意のアライメント波長を用いることがで
きる。一方、ウエハ3上のアライメント用マーク9′よ
り反射された光は、同様に結像レンズ2′を通り、ミラ
ー4により反射され、アライメント光学系7′、ハーフ
ミラ−6′を経て検出器8′上に結像される。
から反射された光は、結像レンズ2を通り、結像レンズ
2.2′の絞り位置上に挿入されたミラー4により反射
され、アライメント光学系7によりハーフミラ−6を経
て検出器8上に結像される。検出器8は、結像レンズ2
及びフライメン1−光学系7により形成されたパターン
基板レティクル1の面と共役な面上を自由に移動させる
ことが可能であるため、レティクル1上のアライメント
用マーク9の位置は、レティクル1上のどの位置にあっ
てもよい。また、アライメント光学系7は、アライメン
トに用いる光波の波長(以下、アライメント波長という
)によって生ずる結像レンズ2の色収差を補正するよう
に動くため、任意のアライメント波長を用いることがで
きる。一方、ウエハ3上のアライメント用マーク9′よ
り反射された光は、同様に結像レンズ2′を通り、ミラ
ー4により反射され、アライメント光学系7′、ハーフ
ミラ−6′を経て検出器8′上に結像される。
この場合も、検出器8′は、結像レンズ2′及びアライ
メント光学系7′により形成されたウェハ3の面と共役
な面上を自由に移動させることが可能であるため、ウェ
ハ3上のアライメント用マーク9′の位置は、ウェハ3
上の結像レンズ2,2′の露光フィールド内であればど
の位置にあってもよい。また、アライメント光学系7′
は、アライメント波長によって生じる結像レンズ2′の
色収差を補正するように動くため、任意のアライメント
波長を用いることができる。このとき、高精度の重ね合
わせ精度を得るためには、レティクル1側及びウェハ3
側に用いるアライメント波長は同一であることが望まし
い。また、ウェハ3上のアライメント用マーク9′は、
レテイク)I!1上のアライメント用マーク9の位置が
結像レンズ2,2′によりウェハ3上に転写される位置
に配置されていることが望ましい。実際の重ね合わせ動
作は、検出器8,8′により検出されたアライメント用
マーク9,9′の相対ずれ量が零になるようにX−Yス
テージ10を移動させる。レティクル1上のアライメン
ト用マーク9とウェハ3上のアライメント用マーク9′
の相対ずれ量が雰になったときに、結像レンズ2,2′
の絞り位置に挿入されたミラー4を結像レンズ2,2′
の結像光軸外へ移動させ、パターン基板レティクル1上
のパターンを結像レンズ2,2′を通してウェハ3上の
転写露光を行う。
メント光学系7′により形成されたウェハ3の面と共役
な面上を自由に移動させることが可能であるため、ウェ
ハ3上のアライメント用マーク9′の位置は、ウェハ3
上の結像レンズ2,2′の露光フィールド内であればど
の位置にあってもよい。また、アライメント光学系7′
は、アライメント波長によって生じる結像レンズ2′の
色収差を補正するように動くため、任意のアライメント
波長を用いることができる。このとき、高精度の重ね合
わせ精度を得るためには、レティクル1側及びウェハ3
側に用いるアライメント波長は同一であることが望まし
い。また、ウェハ3上のアライメント用マーク9′は、
レテイク)I!1上のアライメント用マーク9の位置が
結像レンズ2,2′によりウェハ3上に転写される位置
に配置されていることが望ましい。実際の重ね合わせ動
作は、検出器8,8′により検出されたアライメント用
マーク9,9′の相対ずれ量が零になるようにX−Yス
テージ10を移動させる。レティクル1上のアライメン
ト用マーク9とウェハ3上のアライメント用マーク9′
の相対ずれ量が雰になったときに、結像レンズ2,2′
の絞り位置に挿入されたミラー4を結像レンズ2,2′
の結像光軸外へ移動させ、パターン基板レティクル1上
のパターンを結像レンズ2,2′を通してウェハ3上の
転写露光を行う。
以上説明した本発明によれば、従来問題となっていたア
ライメント用マークの位置に制約を受けず、任意の位置
での露光位置アライメントが可能であり、また、プロセ
ス技術に合わせたアライメント波長を用いることができ
るので、高精度の重ね合わせ精度を得ることができると
いう効果がある。
ライメント用マークの位置に制約を受けず、任意の位置
での露光位置アライメントが可能であり、また、プロセ
ス技術に合わせたアライメント波長を用いることができ
るので、高精度の重ね合わせ精度を得ることができると
いう効果がある。
第1図は本発明の投影露光装置の一実施例を示す斜視図
である。 1・・・レティクル、2,2′・・・結像レンズ、3・
・・ウェハ、4・・・ミラー(反射板)、5.5’・・
・光ファイバ、6,6′・・・ハーフミラ−17,7′
・・・アライメント光学系、8,8′・・・検出器、9
,9′・・・アライメント用マーク、10・・・X−Y
ステージ。 第1 図
である。 1・・・レティクル、2,2′・・・結像レンズ、3・
・・ウェハ、4・・・ミラー(反射板)、5.5’・・
・光ファイバ、6,6′・・・ハーフミラ−17,7′
・・・アライメント光学系、8,8′・・・検出器、9
,9′・・・アライメント用マーク、10・・・X−Y
ステージ。 第1 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、パターンとアライメント用マークが形成されている
第1の基板と、前記パターンを光照射によりアライメン
ト用マークを有する第2の基板に転写する結像光学系と
、前記両マークの像をあらかじめ定められた位置に形状
するアライメント光学系とからなる投影露光装置におい
て、前記結像光学系の絞り位置に脱着可能な反射板を配
置した構成としたことを特徴とする投影露光装置。 2、前記反射板は、前記アライメント光学系の一構成要
素をなしている特許請求の範囲第1項記載の投影露光装
置。 3、前記アライメント光学系は、任意のアライメント波
長の結像光学系に生じる色収差を補正する手段を備えて
いる特許請求の範囲第1項または第2項記載の投影露光
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63032701A JPH01208832A (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63032701A JPH01208832A (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 投影露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01208832A true JPH01208832A (ja) | 1989-08-22 |
Family
ID=12366154
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63032701A Pending JPH01208832A (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01208832A (ja) |
-
1988
- 1988-02-17 JP JP63032701A patent/JPH01208832A/ja active Pending
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