JPH0120514B2 - - Google Patents

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JPH0120514B2
JPH0120514B2 JP11447983A JP11447983A JPH0120514B2 JP H0120514 B2 JPH0120514 B2 JP H0120514B2 JP 11447983 A JP11447983 A JP 11447983A JP 11447983 A JP11447983 A JP 11447983A JP H0120514 B2 JPH0120514 B2 JP H0120514B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
data
input
predetermined level
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP11447983A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS607676A (en
Inventor
Kazuo Yokoyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS607676A publication Critical patent/JPS607676A/en
Publication of JPH0120514B2 publication Critical patent/JPH0120514B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store

Description

【発明の詳細な説明】 (1) 発明の技術分野 本発明はメモリに格納した複数ビツトのデータ
の指定したビツトのみに所定レベルまたはその反
転レベルを書込むようにしたメモリ書込み回路の
改善に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] (1) Technical Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a memory write circuit that writes a predetermined level or its inverted level only to specified bits of multiple bits of data stored in a memory. It is.

(2) 従来技術と問題点 従来、たとえば画面メモリに走査ライン毎に
“1”、“0”の2値データによりある図形を格納
しておき、入力レジスタに該図形と一部重複する
図形の2値データを格納してこれを画面メモリに
書込む場合、前者の“1”と後者の“1”が重な
る画素と、前者の“0”の位置に後者の“1”が
新たに書込まれる画素が存在する。
(2) Prior art and problems Conventionally, for example, a certain figure is stored in a screen memory as binary data of "1" and "0" for each scanning line, and a figure that partially overlaps with the figure is stored in an input register. When storing binary data and writing it to screen memory, the latter "1" is newly written to the pixel where the former "1" and the latter "1" overlap, and the former "0" position. There are pixels that

何れにしても、画面メモリの2値データの各ビ
ツトに対し、入力レジスタの2値データのうちの
“1”に対応するビツトだけを書換えればよい。
これに対し、画面メモリの図形から所定部分を白
地とし(削除し)文字等を書込みたいような場合
には、白地に相当する図形を示す2値データの
“1”を反転して画面メモリの2値データの対応
するビツトを書換えればよい。
In any case, for each bit of binary data in the screen memory, only the bit corresponding to "1" of the binary data in the input register needs to be rewritten.
On the other hand, if you want to make a predetermined part of a figure in the screen memory blank (delete it) and write characters, etc., invert the binary data "1" that indicates the figure corresponding to the blank background, and then write 2 in the screen memory. All you have to do is rewrite the corresponding bit of the value data.

第1図a〜cはこのような場合の書込み方法を
データ例により示したものである。
FIGS. 1a to 1c show the writing method in such a case using data examples.

同図aは画面メモリ1に示した各ライン毎のデ
ータ2を示すものとし、これに入力レジスタのデ
ータ3を書込むものとする。
Figure a shows data 2 for each line shown in the screen memory 1, into which data 3 of the input register is written.

同図b〜は前述の重複書込みの場合であ
り、のメモリのデータにの入力レジスタのデ
ータを重複するには、入力レジスタの“1”に対
応するメモリのビツトのみを“1”に書換え、
“0”に対応するメモリのビツトはそのまま残し、
の書換えメモリのデータが得られる。
The figures from b to b in the same figure show the case of the above-mentioned duplicate writing, and in order to duplicate the data in the input register with the data in the memory, only the bit in the memory corresponding to “1” in the input register is rewritten to “1”.
The memory bit corresponding to “0” is left as is,
The rewrite memory data can be obtained.

これに対し同図c〜は白地図形作成の場合
であり、のメモリのデータ中にの入力レジス
タのデータによる白地を作るには、入力レジスタ
のデータの“1”に対応するメモリのビツトのみ
を反転ビツト“0”に書換え、“0”に対応する
メモリのビツトはそのまま残し、の書換えメモ
リのデータが得られる。
On the other hand, c to c in the same figure show the case of creating a blank map shape, and in order to create a blank background based on the input register data in the memory data of The inverted bit is rewritten to "0" and the bit in the memory corresponding to "0" is left as is to obtain data in the rewritten memory.

以上の書込みを実現する方法としては、従来は
処理装置(CPU)でプログラムによる処理を行
ない、これとメモリ、レジスタ間にアドレス、デ
ータの転送を行なつて読出し、書込みを行なつて
処理しているが、手順が複雑で処理時間がかかり
過ぎるという欠点があつた。
Conventionally, the method of realizing the above writing is to perform processing by a program in a processing unit (CPU), transfer addresses and data between this and memory and registers, perform reading and writing, and process. However, the disadvantage is that the procedure is complicated and the processing time is too long.

(3) 発明の目的 本発明の目的はメモリに格納した複数ビツトの
データの指定したビツトのみに所定レベルまたは
反転レベルを書込むもので、とくに構成、手順を
簡単化したメモリ書込み回路を提供することであ
る。
(3) Purpose of the Invention The purpose of the present invention is to write a predetermined level or an inverted level only to designated bits of multiple bits of data stored in a memory, and particularly to provide a memory writing circuit with simplified configuration and procedure. That's true.

(4) 発明の構成 前記目的を達成するため、本発明のメモリ書込
み回路は各ビツト位置にそれぞれ対応してメモリ
の格納位置が割当てられる複数のビツトのデータ
を保持する入力レジスタを具え、 前記データのうち所定レベルのデータを保持す
るビツト位置のデータのみを、当該ビツト位置に
対応して割当てられたメモリの格納位置に、前記
所定レベルかまたはその反転レベルを書込むメモ
リ書込み回路であつて、 前記入力レジスタのデータのうち、所定レベル
のデータを保持するビツト位置に対応して割当て
られたメモリの格納位置に対して書込み許可信号
を与えるための手段と、前記入力レジスタの各ビ
ツトにそれぞれ対応して設けられ当該ビツト位置
のデータが一方の入力として与えられ、その出力
が各ビツト位置に対応するメモリの格納位置に入
力される排他的論理和回路と、前記排他的論理和
回路の他方の入力に共通に接続されて成り、前記
メモリに前記入力レジスタの所定レベルのデータ
を重複して書込む場合、前記所定レベルの反転レ
ベルの信号が与えられ、前記メモリに前記入力レ
ジスタの所定レベルのデータを反転して書込む場
合、前記所定レベルの信号が与えられる信号線
と、を具えたことを特徴とするものである。
(4) Structure of the Invention In order to achieve the above object, the memory write circuit of the present invention includes an input register that holds data of a plurality of bits to which a memory storage position is assigned corresponding to each bit position, and A memory write circuit that writes only data at a bit position that holds data at a predetermined level among the bit positions to a storage location in a memory allocated to the bit position at the predetermined level or its inverted level, Means for providing a write permission signal to a storage location in a memory allocated corresponding to a bit location that holds data at a predetermined level among the data in the input register; an exclusive OR circuit which is provided as an input circuit and receives the data at the relevant bit position as one input, and whose output is input to a memory storage location corresponding to each bit position, and the other exclusive OR circuit. When data of a predetermined level of the input register is written to the memory in duplicate, a signal of an inverted level of the predetermined level is applied to the memory, and the data of the predetermined level of the input register is connected to the memory. The present invention is characterized by comprising a signal line to which the signal of the predetermined level is applied when data is inverted and written.

(5) 発明の実施例 本発明は、入力レジスタからEOR回路の一方
の入力を介してメモリに並列入力させ、他方の共
通入力に“0”または“1”のレベルを与え、ラ
イトイネーブル信号で指定したビツトに書込むも
のである。
(5) Embodiments of the Invention The present invention allows parallel input from an input register to a memory through one input of an EOR circuit, gives a level of "0" or "1" to the other common input, and uses a write enable signal. It writes to the specified bit.

第2図は本発明の実施例の構成説明図である。
同図において、たとえば8ビツトの入力レジスタ
11の各ビツトから並列に8個のEOR回路12
の一方の入力を介してメモリ10の各ビツトに入
力させるとともに、EOR回路12の他の入力に
共通のフアンクシヨン選択(FSLCT)信号“0”
または“1”を与える。また、入力レジスタ11
からの各ビツトをそれぞれ分岐し、8個のマルチ
プレクサ13の一方の入力とし他方の入力に
“1”を入れ、各マルチプレクサ13の出力をそ
れぞれ8個のAND回路14の一方の入力に入れ
他方の入力にライトイネーブル(WE)信号を入
れ、これらのAND回路14の出力をメモリ10
の各ビツトに入れる。この場合のマルチプレクサ
13に対し、マルチプレクサ選択(MSLCT)信
号を“0”とすると、マルチプレクサ13をその
まま通過してWE信号によりメモリ10に通常モ
ードのアクセスが行なわれる。
FIG. 2 is an explanatory diagram of the configuration of an embodiment of the present invention.
In the figure, for example, eight EOR circuits 12 are connected in parallel from each bit of an 8-bit input register 11.
A common function selection (FSLCT) signal "0" is input to each bit of the memory 10 through one input of the EOR circuit 12.
Or give “1”. In addition, the input register 11
The outputs of each multiplexer 13 are input to one input of eight AND circuits 14, and the output of each multiplexer 13 is input to one input of eight AND circuits 14. A write enable (WE) signal is input to the input, and the output of these AND circuits 14 is sent to the memory 10.
into each bit. When the multiplexer selection (MSLCT) signal is set to "0" for the multiplexer 13 in this case, the signal passes through the multiplexer 13 as is and accesses the memory 10 in the normal mode using the WE signal.

マルチプレクサ13のMSLCT信号が“1”
で、EOR回路12の入力FSLCT信号が“0”の
ときは、入力レジスタ11の複数データのうちの
“1”ビツトに対してのみ、マルチプレクサ13、
AND回路14を介してWE信号をメモリ10に
与えるとともに、EOR回路12の入力“1”に
対してのみ“1”を出力し、メモリ10の対応す
るビツトを書換える。EOR回路12の入力“0
に対しては、マルチプレクサ13、AND回路1
4によりWE信号をメモリ10に与えないから書
換は行なわれない〔第1図b参照〕 マルチプレクサ13のMSLCT信号が“1”
で、EOR回路12の入力FSLCT信号が“1”の
ときは、入力レジスタ11の複数データのうちの
“1”ビツトに対してのみ、マルチプレクサ13、
AND回路14を介してWE信号をメモリ10に
与えるとともに、EOR回路12の入力“1”に
対してのみ“0”を出力し、メモリ10の対応す
るビツトを書換える。EOR回路12の入力“0”
に対しては、マルチプレクサ13、AND回路1
4によりWE信号をメモリ10に与えないから書
換えは行なわれない。〔第1図c参照〕 (6) 発明の効果 以上説明したように、本発明によれば、入力レ
ジスタのデータの所定レベルのビツトに対し書込
み許可信号を与えるとともに、該データの各ビツ
トをそれぞれEOR回路の一方の入力を介してメ
モリデータの各ビツトに入力し、他方の入力を共
通にして2値レベルを切換えるものである。この
ようにメモリと入力レジスタの間にハードロジツ
クを設けることにより、メモリ内容に対し入力レ
ジスタの内容を重複したり削除したりすることが
簡単な構成、手順により高速に実現することが可
能となるものである。
MSLCT signal of multiplexer 13 is “1”
When the input FSLCT signal of the EOR circuit 12 is "0", the multiplexer 13,
The WE signal is applied to the memory 10 via the AND circuit 14, and "1" is output only in response to the input "1" of the EOR circuit 12, thereby rewriting the corresponding bit in the memory 10. Input “0” of EOR circuit 12
For, multiplexer 13, AND circuit 1
4 does not give the WE signal to the memory 10, so rewriting is not performed [see Figure 1b] The MSLCT signal of the multiplexer 13 is "1"
When the input FSLCT signal of the EOR circuit 12 is "1", the multiplexer 13,
The WE signal is applied to the memory 10 via the AND circuit 14, and "0" is output only to the input "1" of the EOR circuit 12, thereby rewriting the corresponding bit in the memory 10. Input “0” of EOR circuit 12
For, multiplexer 13, AND circuit 1
4, the WE signal is not applied to the memory 10, so no rewriting is performed. [See Figure 1c] (6) Effects of the Invention As explained above, according to the present invention, a write enable signal is given to a bit of a predetermined level of data in an input register, and each bit of the data is Each bit of memory data is input through one input of the EOR circuit, and the other input is used in common to switch between binary levels. By providing hard logic between the memory and the input register in this way, it is possible to duplicate or delete the contents of the input register with respect to the memory contents at high speed with a simple configuration and procedure. It is.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図a〜cはメモリ書込み方法の一般説明
図、第2図は本発明の実施例の構成説明図であ
り、図中、10はメモリ、11は入力レジスタ、
12はEOR回路、13はマルチプレクサ、14
はAND回路を示す。
1A to 1C are general explanatory diagrams of a memory writing method, and FIG. 2 is an explanatory diagram of a configuration of an embodiment of the present invention, in which 10 is a memory, 11 is an input register,
12 is an EOR circuit, 13 is a multiplexer, 14
indicates an AND circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 各ビツト位置にそれぞれ対応してメモリ10
の格納位置が割当てられる複数のビツトのデータ
を保持する入力レジスタ11を具え、 前記データのうち所定レベルのデータを保持す
るビツト位置のデータのみを、当該ビツト位置に
対応して割当てられたメモリの格納位置に、前記
所定レベルかまたはその反転レベルを書込むメモ
リ書込み回路であつて、 前記入力レジスタのデータのうち、所定レベル
のデータを保持するビツト位置に対応して割当て
られたメモリの格納位置に対して書込み許可信号
を与えるための手段13,14と、 前記入力レジスタの各ビツトにそれぞれ対応し
て設けられ当該ビツト位置のデータが一方の入力
として与えられ、その出力が各ビツト位置に対応
するメモリの格納位置に入力される排他的論理和
回路12と、 前記排他的論理和回路の他方の入力に共通に接
続されて成り、前記メモリに前記入力レジスタの
所定レベルのデータを重複して書込む場合、前記
所定レベルの反転レベルの信号が与えられ、 前記メモリに前記入力レジスタの所定レベルの
データを反転して書込む場合、前記所定レベルの
信号が与えられる信号線(FSLCT)と、を具え
たことを特徴とするメモリ書込み回路。
[Claims] 1. A memory 10 corresponding to each bit position.
The input register 11 is provided with an input register 11 that holds data of a plurality of bits to which storage positions are allocated, and of the data, only the data of the bit position holding data of a predetermined level is stored in the memory allocated corresponding to the bit position. A memory write circuit that writes the predetermined level or its inverted level to a storage location, the memory storage location being allocated corresponding to a bit position that holds data of the predetermined level among the data in the input register. means 13 and 14 for giving a write permission signal to the input register; and means 13 and 14 provided corresponding to each bit of the input register, the data at the bit position being given as one input, and the output corresponding to each bit position. an exclusive OR circuit 12 that is input to a storage location of the memory; and an exclusive OR circuit 12 that is commonly connected to the other input of the exclusive OR circuit, and is configured to duplicate data of a predetermined level of the input register in the memory. a signal line (FSLCT) to which a signal at an inverted level of the predetermined level is applied when writing, and to which a signal at the predetermined level is applied when data at the predetermined level of the input register is inverted and written to the memory; A memory writing circuit characterized by comprising:
JP58114479A 1983-06-25 1983-06-25 Memory writing circuit Granted JPS607676A (en)

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JP58114479A JPS607676A (en) 1983-06-25 1983-06-25 Memory writing circuit

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JPH0120514B2 true JPH0120514B2 (en) 1989-04-17

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6343246U (en) * 1986-09-02 1988-03-23
US4954988A (en) * 1988-10-28 1990-09-04 Rockwell International Corporation Memory device wherein a shadow register corresponds to each memory cell
KR100303857B1 (en) * 1998-05-08 2002-04-24 홍탁 A wooden block flooring system

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5449824U (en) * 1977-09-13 1979-04-06

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