JPH01205129A - 液晶電気光学素子 - Google Patents
液晶電気光学素子Info
- Publication number
- JPH01205129A JPH01205129A JP3026888A JP3026888A JPH01205129A JP H01205129 A JPH01205129 A JP H01205129A JP 3026888 A JP3026888 A JP 3026888A JP 3026888 A JP3026888 A JP 3026888A JP H01205129 A JPH01205129 A JP H01205129A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- parameter
- zli
- difference
- electrooptic element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 239000013543 active substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 abstract 4
- 101100491857 Columba livia ASL gene Proteins 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、表示素子、透過光量制御素子などとして用い
ることが可能である、電気光学素子に関する。
ることが可能である、電気光学素子に関する。
［従来の技術］
液晶電気光学素子の製造上、特に大容量化／大面積化時
において単純マトリックスを用いたものが有利であるが
、従来のものでは光学応答特性から大容量化には適して
いない、たとえば、ＳＴＮ／ＳＢＥモードでも１／４０
０デユーテイ以下でしか実用的に十分といえる表示品位
が確保できないという問題があった。
において単純マトリックスを用いたものが有利であるが
、従来のものでは光学応答特性から大容量化には適して
いない、たとえば、ＳＴＮ／ＳＢＥモードでも１／４０
０デユーテイ以下でしか実用的に十分といえる表示品位
が確保できないという問題があった。
そこで、単純マトリックスでもメモリー性を持たせて表
示品位を向上させるために、特異な物性定数を持つ液晶
組成物と配向の制御によって、印加電圧による双安定性
が生ずることを利用する（Ｊ、＾ｐｐ１．Ｐｈｙｓ、
ＬＬ、３０８７．’８６など）方法が考えられた０本明
細書では以下、この方式をＨＴＮ方式と略記することと
する。
示品位を向上させるために、特異な物性定数を持つ液晶
組成物と配向の制御によって、印加電圧による双安定性
が生ずることを利用する（Ｊ、＾ｐｐ１．Ｐｈｙｓ、
ＬＬ、３０８７．’８６など）方法が考えられた０本明
細書では以下、この方式をＨＴＮ方式と略記することと
する。
ＨＴＮ方式の駆動方法の概略は、表示内容の書き込みに
先立つ消去と、選択的な書き込み、および書き込まれた
内容の保持がらなっている。
先立つ消去と、選択的な書き込み、および書き込まれた
内容の保持がらなっている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしこのＨＴＮ方式について、セル作成やカイラルド
ーパント量等について適当な条件範囲については前記文
献には全く触れられておらず、ただｄ ／ Ｐ ｓを０
．７５とするという記述があるのみである。また、他の
文献も含めて調査した範囲では現在までのところこれら
の適正な条件については明らかにされていないようであ
る。
ーパント量等について適当な条件範囲については前記文
献には全く触れられておらず、ただｄ ／ Ｐ ｓを０
．７５とするという記述があるのみである。また、他の
文献も含めて調査した範囲では現在までのところこれら
の適正な条件については明らかにされていないようであ
る。
しかし、これらの条件について検討を行なったところ、
セル厚及び配向処理で規定されるツイスト角から求めら
れるセルピッチＰｃと、液晶組成物に加えられた旋光性
物質によって規定される液晶の固有ピッチＰｓの違いに
よって起こる液晶内部歪をあらわすパラメータΔＰ ＝
Ｐ ｃ ／ Ｐ ｓ −１はメモリ性や書き込みや消
去の応答特性などに関して非常に大きな影響を与えるこ
とがわかった。
セル厚及び配向処理で規定されるツイスト角から求めら
れるセルピッチＰｃと、液晶組成物に加えられた旋光性
物質によって規定される液晶の固有ピッチＰｓの違いに
よって起こる液晶内部歪をあらわすパラメータΔＰ ＝
Ｐ ｃ ／ Ｐ ｓ −１はメモリ性や書き込みや消
去の応答特性などに関して非常に大きな影響を与えるこ
とがわかった。
そこで本発明では上記ΔＰを規定し、書き込み内容の保
持が安定して行なえる液晶電気光学素子を提供すること
を目的としている。
持が安定して行なえる液晶電気光学素子を提供すること
を目的としている。
［問題点を解決するための手段］
本発明の電気光学素子は、そのセル厚及び配向処理で規
定されるツイスト角から求められるセルピッチＰｃと、
液晶組成物に加えられた旋光性物質によって規定される
液晶の固有ピッチＰｓの差異によって起こる液晶内部歪
をあらわすパラメータΔＰ ＝ Ｐ ｃ ／ Ｐ ｓ
−’１を、０より小さく設定することを特徴とする。
定されるツイスト角から求められるセルピッチＰｃと、
液晶組成物に加えられた旋光性物質によって規定される
液晶の固有ピッチＰｓの差異によって起こる液晶内部歪
をあらわすパラメータΔＰ ＝ Ｐ ｃ ／ Ｐ ｓ
−’１を、０より小さく設定することを特徴とする。
実施例
［実施例１〕
電気光学素子として、２００Ｘ３２０ピクセルで５イン
チの大きさの、ＨＴＮ方式で駆動される液晶パネルを試
作した。
チの大きさの、ＨＴＮ方式で駆動される液晶パネルを試
作した。
配向処理としては透明電極付きの基体に珪素酸化物の斜
め蒸着を行なうことによって液晶のプレチルト角を約２
７度とし、液晶のツイスト角を２７０度、セル厚は６μ
ｍとして構成した。
め蒸着を行なうことによって液晶のプレチルト角を約２
７度とし、液晶のツイスト角を２７０度、セル厚は６μ
ｍとして構成した。
この基体間にメルク社製の液晶組成物ＺＬＩ−１１３２
にカイラルドーパントを加えて、ΔＰが＋０．２から−
０，２の間となるように調節したもの９種類を封入した
。偏光子は各基体における液晶分子の初期配向方向から
４５度傾けて、各々の偏光子の偏光軸が直交するように
置き、試作液晶パネルとした。
にカイラルドーパントを加えて、ΔＰが＋０．２から−
０，２の間となるように調節したもの９種類を封入した
。偏光子は各基体における液晶分子の初期配向方向から
４５度傾けて、各々の偏光子の偏光軸が直交するように
置き、試作液晶パネルとした。
消去時間ｔｅ＝５０ミリ秒、データ電圧ｖｄ＝保持電圧
Ｖｈ＝１．６ボルトとしたときには、選択電圧Ｖｓ＝１
７ボルトの駆動条件で１回書き込み後に保持期間を置く
方法で駆動を行なった場合、ΔＰが小さいものほど書き
込みパルス幅Ｐｗが短めでも書き込み内容の保持が容易
となる傾向があった。
Ｖｈ＝１．６ボルトとしたときには、選択電圧Ｖｓ＝１
７ボルトの駆動条件で１回書き込み後に保持期間を置く
方法で駆動を行なった場合、ΔＰが小さいものほど書き
込みパルス幅Ｐｗが短めでも書き込み内容の保持が容易
となる傾向があった。
書き込みパルス幅Ｐｗが５３０マイクロ秒から６００マ
イクロ秒の範囲では、全てのパネルについて全面を駆動
することが可能であった。このとき、保持期間に書き込
みデータの保持が可能であった時間は、第１表に示すよ
うになった。
イクロ秒の範囲では、全てのパネルについて全面を駆動
することが可能であった。このとき、保持期間に書き込
みデータの保持が可能であった時間は、第１表に示すよ
うになった。
データの保持可能時間は、書き込み直後のパネル全面の
透過率が半分になる時間を取っである。
透過率が半分になる時間を取っである。
必要とされるデータの保持時間は、用途によって様々で
あることが考えられ一概に決められないが、ＨＴＮ方式
の用いられ方から考えると最低でも３０秒間、できれば
１分間以上は必要と思われる。よってΔＰは＋０．０５
以下、できれば±０以下とすることが必要である。
あることが考えられ一概に決められないが、ＨＴＮ方式
の用いられ方から考えると最低でも３０秒間、できれば
１分間以上は必要と思われる。よってΔＰは＋０．０５
以下、できれば±０以下とすることが必要である。
第１表
［実施例２］
実施例１と同様にして作成した基体間に、液晶組成物と
してメルク社製液晶組成物ＺＬＩ−３１８７にカイラル
ドーパントを加えて、実施例１と同様にΔＰが＋０．２
がら−０，２となるようにしたものを入れ、液晶パネル
を作成した。
してメルク社製液晶組成物ＺＬＩ−３１８７にカイラル
ドーパントを加えて、実施例１と同様にΔＰが＋０．２
がら−０，２となるようにしたものを入れ、液晶パネル
を作成した。
この液晶組成物を使用した場合、ＺＬＩ−１１３２より
もメモリ性が低下するため、駆動条件が厳しくなる。消
去時間ｔｅ＝３５ミリ秒、データ電圧Ｖｄ＝保持電圧Ｖ
ｈ＝２．１５ボルトとし、選択電圧Ｖｓ＝１７ボルトの
駆動条件にしたときには、書き込みパルス幅Ｐｗが３３
０マイクロ秒から４００マイクロ秒では、ΔＰが＋０．
１以下′の全てのパネルについてほぼ全面を駆動するこ
とが可能であった。しかしΔＰが＋０．１を超えるもの
では、どのような駆動条件でもパネル面全面にわたって
表示させることができなかった。
もメモリ性が低下するため、駆動条件が厳しくなる。消
去時間ｔｅ＝３５ミリ秒、データ電圧Ｖｄ＝保持電圧Ｖ
ｈ＝２．１５ボルトとし、選択電圧Ｖｓ＝１７ボルトの
駆動条件にしたときには、書き込みパルス幅Ｐｗが３３
０マイクロ秒から４００マイクロ秒では、ΔＰが＋０．
１以下′の全てのパネルについてほぼ全面を駆動するこ
とが可能であった。しかしΔＰが＋０．１を超えるもの
では、どのような駆動条件でもパネル面全面にわたって
表示させることができなかった。
このとき、書き込み後のデータの保持可能時間を測定す
ると第２表に示すようになった。データの保持可能時間
は、実施例１と同様に書き込み直後のパネル全面の透過
率が半分になる時間を取っである。
ると第２表に示すようになった。データの保持可能時間
は、実施例１と同様に書き込み直後のパネル全面の透過
率が半分になる時間を取っである。
以上より、液晶組成物ＺＬＩ−３１８７を用いた場合に
は、ΔＰを＋０より小さくしなければ３０秒間以上の書
き込み内容保持ができないことがわかる。
は、ΔＰを＋０より小さくしなければ３０秒間以上の書
き込み内容保持ができないことがわかる。
また、他のメルク社製液晶組成物ＺＬＩ−３２３８’、
ＺＬＩ−３２３９，ＺＬＩ−１８４０，ＺＬＩ−２８６
１，ＺＬＩ−３４４９／１００．ＺＬＩ−３２０１１０
００，ＺＬＩ−３２０１／１００、ＺＬＩ−１６９４，
ＺＬＩ−１６９１，ＺＬＩ−１８００１０００，ＺＬＩ
−１５６５，ＺＬＩ−３０２１１０００，ＺＬＩ−３０
２１／１００、ＺＬＩ−２４１１などを用いて検討した
結果も、選択電圧ｖｓ、書き込みパルス幅Ｐｗ、保持電
圧ｖｈを各々の液晶組成物に合わせ適正な条件としたう
えで、データの保持可能時間を測定すると、ＺＬＩ−３
１８７と同様にΔＰが＋０より小さいときに十分な時間
書き込み内容の保持が可能なことがわかった。
ＺＬＩ−３２３９，ＺＬＩ−１８４０，ＺＬＩ−２８６
１，ＺＬＩ−３４４９／１００．ＺＬＩ−３２０１１０
００，ＺＬＩ−３２０１／１００、ＺＬＩ−１６９４，
ＺＬＩ−１６９１，ＺＬＩ−１８００１０００，ＺＬＩ
−１５６５，ＺＬＩ−３０２１１０００，ＺＬＩ−３０
２１／１００、ＺＬＩ−２４１１などを用いて検討した
結果も、選択電圧ｖｓ、書き込みパルス幅Ｐｗ、保持電
圧ｖｈを各々の液晶組成物に合わせ適正な条件としたう
えで、データの保持可能時間を測定すると、ＺＬＩ−３
１８７と同様にΔＰが＋０より小さいときに十分な時間
書き込み内容の保持が可能なことがわかった。
第２表
［実施例３］
以上の実施例の結果を踏まえ、ＨＴＮ方式にょる１１２
０ｘ７５０ビク七ルで１２インチの大きさの液晶パネル
を試作した。
０ｘ７５０ビク七ルで１２インチの大きさの液晶パネル
を試作した。
配向処理は実施例１と同様に行ない、液晶のプレチルト
角を約２７度とし、液晶のツイスト角度を２７０度、セ
ル厚は６μｍとして構成した。
角を約２７度とし、液晶のツイスト角度を２７０度、セ
ル厚は６μｍとして構成した。
この基体間にメルク社製の液晶組成物ＺＬＩ−１１３２
にカイラルドーパントを加えて、ΔＰを−０，１５とし
たものを封入し、試作液晶パネルとした。
にカイラルドーパントを加えて、ΔＰを−０，１５とし
たものを封入し、試作液晶パネルとした。
これによって、書き込み内容の安定した保持が可能かど
うかを検討するため、消去時間ｔｅ＝５０ミリ秒、デー
タ電圧Ｖ ｄ ＝保持電圧Ｖｈ＝１゜７ボルトとして、
選択電圧Ｖｓ＝１７ボルトの駆動条件で１回書き込み後
に保持期間を置〈実施例１と同様な方法で駆動を行なっ
たところ、書き込み後の保持期間に表示品位の低下する
ことなく、３０分間以上安定して書き込み内容の保持が
可能であった。
うかを検討するため、消去時間ｔｅ＝５０ミリ秒、デー
タ電圧Ｖ ｄ ＝保持電圧Ｖｈ＝１゜７ボルトとして、
選択電圧Ｖｓ＝１７ボルトの駆動条件で１回書き込み後
に保持期間を置〈実施例１と同様な方法で駆動を行なっ
たところ、書き込み後の保持期間に表示品位の低下する
ことなく、３０分間以上安定して書き込み内容の保持が
可能であった。
以上実施例を述べたが、本発明は上記実施例にのみ特定
されるものではなく、液晶組成物、配向処理方法、セル
条件、セル作成方法等を変えても成り立つ。
されるものではなく、液晶組成物、配向処理方法、セル
条件、セル作成方法等を変えても成り立つ。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、書き込み内容の保持
が安定して行なえる液晶電気光学素子を提供することが
可能である。
が安定して行なえる液晶電気光学素子を提供することが
可能である。
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
代理人 弁理士 最上 務 他１名
Claims (1)
- 消去、書き込み、およびバイアス電圧印加による書き
込み内容の保持からなる液晶電気光学素子において、そ
のセル厚及び配向処理で規定されるツイスト角から求め
られるセルピッチＰｃと、液晶組成物に加えられた旋光
性物質によって規定される液晶の固有ピッチＰｓの差異
によって起こる液晶内部歪をあらわすパラメータΔＰ＝
Ｐｃ／Ｐｓ−１を、０より小さく設定することを特徴と
する液晶電気光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3026888A JPH01205129A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 液晶電気光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3026888A JPH01205129A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 液晶電気光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01205129A true JPH01205129A (ja) | 1989-08-17 |
Family
ID=12298954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3026888A Pending JPH01205129A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 液晶電気光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01205129A (ja) |
-
1988
- 1988-02-12 JP JP3026888A patent/JPH01205129A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6261931B2 (ja) | ||
| US4846560A (en) | Liquid crystal device with ferroelectric liquid crystal oriented at non-pixel portions | |
| US5278684A (en) | Parallel aligned chiral nematic liquid crystal display element | |
| TWI233522B (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method of liquid crystal display device | |
| JP2003005223A (ja) | 高コントラスト比非対称電気光学特性液晶表示素子の製造方法 | |
| JP2507784B2 (ja) | 液晶装置及びその駆動法 | |
| JPH01205129A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
| JP2727546B2 (ja) | 電気光学装置の駆動方法 | |
| JP4605978B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH01205128A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
| JP2586051B2 (ja) | 電気光学素子の駆動方法 | |
| JPH0578803B2 (ja) | ||
| JPH06194623A (ja) | 反強誘電性液晶表示素子の駆動方法 | |
| JP3365587B2 (ja) | 液晶装置 | |
| JP2505744B2 (ja) | 電極基板及び光学変調素子の製造法 | |
| JPH01161317A (ja) | 電気光学素子の駆動方法 | |
| JPH01209428A (ja) | 電気光学素子の駆動方法 | |
| JPH0422493B2 (ja) | ||
| JPH0199032A (ja) | 電気光学素子の駆動方法 | |
| CA1304485C (en) | Liquid crystal display element and method for driving same | |
| JP2719527B2 (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JP2612504B2 (ja) | 液晶装置 | |
| JPH01136126A (ja) | 電気光学素子の駆動方法 | |
| JPH10274761A (ja) | 光散乱型液晶表示素子及び駆動方法 | |
| JP2584214B2 (ja) | 液晶素子の駆動法 |