JPH0120499B2 - - Google Patents
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- JPH0120499B2 JPH0120499B2 JP18062281A JP18062281A JPH0120499B2 JP H0120499 B2 JPH0120499 B2 JP H0120499B2 JP 18062281 A JP18062281 A JP 18062281A JP 18062281 A JP18062281 A JP 18062281A JP H0120499 B2 JPH0120499 B2 JP H0120499B2
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/2432—Oxygen
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- G11B2007/24326—Halides (F, CI, Br...)
-
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- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00453—Recording involving spectral or photochemical hole burning
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光情報の書込みおよび読出しをなすた
めに用いられる光記憶用薄膜に関する。
めに用いられる光記憶用薄膜に関する。
従来、この種の光記憶用薄膜としては、透光性
または不透光性を有する基板上に光―磁気効果を
呈するMn：Bi薄膜が付されているものや、上記
基板上に光吸収によつて屈折率変化を呈する感光
性物質の薄膜が付されているものなどが提案され
ている。
または不透光性を有する基板上に光―磁気効果を
呈するMn：Bi薄膜が付されているものや、上記
基板上に光吸収によつて屈折率変化を呈する感光
性物質の薄膜が付されているものなどが提案され
ている。
しかるに、前者の場合、薄膜が化学的に不安定
であるために、光情報の書込みおよび読出しの信
頼性に欠けると共に、感度が低いといつた欠点を
有している。また、後者の場合、光吸収の波長依
存性が大きいために、特定の波長の光に対する感
度が低いと共に、化学的に不安定であるといつた
欠点を有している。
であるために、光情報の書込みおよび読出しの信
頼性に欠けると共に、感度が低いといつた欠点を
有している。また、後者の場合、光吸収の波長依
存性が大きいために、特定の波長の光に対する感
度が低いと共に、化学的に不安定であるといつた
欠点を有している。
このような理由により従来より提案されていた
光記憶用薄膜は使い勝手が悪いという問題を有し
ていた。
光記憶用薄膜は使い勝手が悪いという問題を有し
ていた。
本発明は透光性または不透光性を有する基板上
に光を吸収して熱分解を起こし光の反射率が変化
する性質を有する銀酸化物、ハロゲン化金または
白金ヨウ化物の薄膜を形成することにより、上述
した従来の欠点を除去し得る極めて良好な光記憶
用薄膜を提供することを目的としている。
に光を吸収して熱分解を起こし光の反射率が変化
する性質を有する銀酸化物、ハロゲン化金または
白金ヨウ化物の薄膜を形成することにより、上述
した従来の欠点を除去し得る極めて良好な光記憶
用薄膜を提供することを目的としている。
以下図面を参照して本発明の一実施例につき詳
細に説明する。すなわち、第１図において１は透
光性または不透光性の基板であり、２は基板１上
に膜厚約1μm前後で形成された光記憶用のAg2O
（銀酸化物）薄膜であり、３は薄膜２上にレンズ
系４を介して照射されるレーザ収束光である。
細に説明する。すなわち、第１図において１は透
光性または不透光性の基板であり、２は基板１上
に膜厚約1μm前後で形成された光記憶用のAg2O
（銀酸化物）薄膜であり、３は薄膜２上にレンズ
系４を介して照射されるレーザ収束光である。
しかして、以上の構成においてAg2O薄膜２上
の光照射を受けた領域では光の吸収によつて
Ag2Oが次式のような熱分解を起こす。
の光照射を受けた領域では光の吸収によつて
Ag2Oが次式のような熱分解を起こす。
2Ag2O
―――→
250℃2Ag＋O2↑ …(1)
(1)式の示すように光を照射した部分が250℃を
超えると、熱分解して酸素が逃出し銀が析出す
る。これで光情報の書込みが完了し光記憶が行な
われるわけである。
超えると、熱分解して酸素が逃出し銀が析出す
る。これで光情報の書込みが完了し光記憶が行な
われるわけである。
次に、この光情報を読出す場合には、Ag2O薄
膜２における光照射による銀析出部分と光の未照
射部分との光の反射率が異なることを利用して外
部から収束光を投射し、反射光の強さを測定して
やればよい。
膜２における光照射による銀析出部分と光の未照
射部分との光の反射率が異なることを利用して外
部から収束光を投射し、反射光の強さを測定して
やればよい。
具体例として膜厚1μmのAg2O薄膜をシリコン
基板上に設けた場合の実測によれば45mJ／cm2の
アルゴンレーザ光を0.1μs照射することによつて
照射領域の反射率が顕著に変化するが確認されて
いる。
基板上に設けた場合の実測によれば45mJ／cm2の
アルゴンレーザ光を0.1μs照射することによつて
照射領域の反射率が顕著に変化するが確認されて
いる。
なお、上記(1)式と類似の熱分解反応はハロゲン
化金、白金ヨウ化物にも見られるので、光記憶用
薄膜として使うことができる。次に示す(2)，(3)，
(4)式はハロゲン化金の熱分解反応例を示し、(5)，
(6)式は白金ヨウ化物の熱分解反応例を示してい
る。
化金、白金ヨウ化物にも見られるので、光記憶用
薄膜として使うことができる。次に示す(2)，(3)，
(4)式はハロゲン化金の熱分解反応例を示し、(5)，
(6)式は白金ヨウ化物の熱分解反応例を示してい
る。
2AuCl
―――→
170℃2Au＋Cl2↑ …(2)
2AuBr
―――→
115℃2Au＋Br2↑ …(3)
2AuI
―――→
120℃2Au＋I2 …(4)
PtI2
―――→
330℃Pt＋I2 …(5)
PtI4
―――→
100℃Pt＋2I4 …(6)
そして、以上のような光記憶用薄膜は熱分解に
よつて生じた酸素（あるいはハロゲン元素）がガ
スとなつて直ちに飛散し、光照射部分にいつまで
も残つていないために光の反射率に顕著な変化が
生ずるものであるから、特にレーザービデオデイ
スクへの応用に有効である。
よつて生じた酸素（あるいはハロゲン元素）がガ
スとなつて直ちに飛散し、光照射部分にいつまで
も残つていないために光の反射率に顕著な変化が
生ずるものであるから、特にレーザービデオデイ
スクへの応用に有効である。
従つて、以上詳述したようにこの発明によれ
ば、熱分解を利用するものであるから、化学的に
安定で信頼性に富みしかも可及的に高感度とし得
る如く使い勝手にすぐれた極めて良好な光記憶用
薄膜を提供することが可能となる。
ば、熱分解を利用するものであるから、化学的に
安定で信頼性に富みしかも可及的に高感度とし得
る如く使い勝手にすぐれた極めて良好な光記憶用
薄膜を提供することが可能となる。
図は本発明に係る光記憶用薄膜の一実施例を示
す断面図である。 １……透光性又は不透光性の基板、２……光記
憶用薄膜、３……レーザ光、４……レンズ系。
す断面図である。 １……透光性又は不透光性の基板、２……光記
憶用薄膜、３……レーザ光、４……レンズ系。
Claims (1)
- １ 透光性または不透光性を有する基板上に、銀
酸化物薄膜あるいはハロゲン化金薄膜あるいは白
金ヨウ化物薄膜の、光を吸収して熱分解を起こし
光の反射率が変化する性質を有する薄膜を形成し
てなることを特徴とする光記憶用薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180622A JPS5883343A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 光記憶用薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180622A JPS5883343A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 光記憶用薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5883343A JPS5883343A (ja) | 1983-05-19 |
| JPH0120499B2 true JPH0120499B2 (ja) | 1989-04-17 |
Family
ID=16086426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56180622A Granted JPS5883343A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 光記憶用薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5883343A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5252370A (en) * | 1991-04-23 | 1993-10-12 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for making |
-
1981
- 1981-11-11 JP JP56180622A patent/JPS5883343A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5883343A (ja) | 1983-05-19 |
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