JPH01204307A - 透明導電膜 - Google Patents
透明導電膜Info
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- JPH01204307A JPH01204307A JP2792988A JP2792988A JPH01204307A JP H01204307 A JPH01204307 A JP H01204307A JP 2792988 A JP2792988 A JP 2792988A JP 2792988 A JP2792988 A JP 2792988A JP H01204307 A JPH01204307 A JP H01204307A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、透明導電膜に関する。
従来より液晶表示体、エレクトロルミネッセンス、太陽
電池などの電極材料として透明導電膜が利用されており
、この透明導電膜には金、銀、＠、白金、パラジウム、
アルミニウムなどの金属薄膜あるいは酸化第二スズ、酸
化インジウムなどの酸化物半導体がある。
電池などの電極材料として透明導電膜が利用されており
、この透明導電膜には金、銀、＠、白金、パラジウム、
アルミニウムなどの金属薄膜あるいは酸化第二スズ、酸
化インジウムなどの酸化物半導体がある。
金属薄膜は低い基板温度で容易に低抵抗のものを作製で
きるが、透光性を出すためには膜厚をかなり薄くしなけ
ればならず膜−度も弱いことから機械的強度に欠点があ
る。一方酸化物半導体は抵抗という点では金属薄膜に劣
るものの優れた透光性を有し、膜強度も強いことから実
用的であり現在最も広く利用されている。
きるが、透光性を出すためには膜厚をかなり薄くしなけ
ればならず膜−度も弱いことから機械的強度に欠点があ
る。一方酸化物半導体は抵抗という点では金属薄膜に劣
るものの優れた透光性を有し、膜強度も強いことから実
用的であり現在最も広く利用されている。
しかしながら、上述のように酸化物半導体膜の抵抗は金
属薄膜に比べてやや高く、配線した場合に電圧降下が大
きく液晶デイスプレーの大型化など応用面で実用化がな
されていない。そこで本発明の目的とするところは酸化
物半導体膜の抵抗を下ケ、液晶ディスブー、フラットデ
イスプレーなどのパネルの大型化及び透明電極のパター
ンの微細化を可能にする優れた特性をもつ透明導電膜を
提供することにある。
属薄膜に比べてやや高く、配線した場合に電圧降下が大
きく液晶デイスプレーの大型化など応用面で実用化がな
されていない。そこで本発明の目的とするところは酸化
物半導体膜の抵抗を下ケ、液晶ディスブー、フラットデ
イスプレーなどのパネルの大型化及び透明電極のパター
ンの微細化を可能にする優れた特性をもつ透明導電膜を
提供することにある。
本発明の透明導電膜は、基板上に形成されたスズとフッ
素がドーピングされた酸化インジウム膜から成ることを
特徴としている。
素がドーピングされた酸化インジウム膜から成ることを
特徴としている。
スズ及びフッ素は膜の電気伝導に関係するパラメータに
変化を与え電気抵抗を下げる目的でドーピングされた。
変化を与え電気抵抗を下げる目的でドーピングされた。
ドーピング量としてはスズは特に限定する必要はないが
、フッ素は２’ｗｔ％以下が良い。あまり多量にフッ素
をドーピングすると抵抗が上昇し目的のものが得られな
い。
、フッ素は２’ｗｔ％以下が良い。あまり多量にフッ素
をドーピングすると抵抗が上昇し目的のものが得られな
い。
実施例１゜
真空チャンバー内に７Ｖオンガス（ＯＦ４）、酸素ガス
およびアルゴンガスを導入し、またターゲットとしてＩ
ｎ、Ｏ，−５ｗｔ％ＳｎＯ，を用いてＤＯマグネトロン
スパッタによりスズとフッ素がドーピングされた酸化イ
ンジウム膜を作製した。
およびアルゴンガスを導入し、またターゲットとしてＩ
ｎ、Ｏ，−５ｗｔ％ＳｎＯ，を用いてＤＯマグネトロン
スパッタによりスズとフッ素がドーピングされた酸化イ
ンジウム膜を作製した。
各試料のフッ素濃度および比抵抗を第１表に示す第
１ 表 実施例Ｚ 真空チャンバー内にフレオンガス（ＯＦ４）。
１ 表 実施例Ｚ 真空チャンバー内にフレオンガス（ＯＦ４）。
酸素ガス、アルゴンガスを導入し、またターゲットとし
てＩｎ、Ｏ，−１０ｗｔ％５ｎ０２を用いてＲ７マグネ
トロンスパッタによりスズとフッ素がドーピングされた
酸化インジウム膜を作製した。各試料のフッ素濃度およ
び比抵抗を第２表に示す。
てＩｎ、Ｏ，−１０ｗｔ％５ｎ０２を用いてＲ７マグネ
トロンスパッタによりスズとフッ素がドーピングされた
酸化インジウム膜を作製した。各試料のフッ素濃度およ
び比抵抗を第２表に示す。
第 ２ 表
第１図は実施例１および実施例２の７ツ、素濃度と比抵
抗の関係を表わしたグラフである。
抗の関係を表わしたグラフである。
真空チャンバー内に酸素ガスとアルゴンガスを導入し、
またターゲットとして工ｎ、 ｏ、を用いてＲＦマグネ
トロンスパッタにより酸化インジウム膜を作成した。こ
のサンプルの比抵抗は１．６×１Ｏ−３０（７）であっ
た。
またターゲットとして工ｎ、 ｏ、を用いてＲＦマグネ
トロンスパッタにより酸化インジウム膜を作成した。こ
のサンプルの比抵抗は１．６×１Ｏ−３０（７）であっ
た。
このようにスズとフッ素を適量ドーピングすることによ
り従来得ることのできなかった低抵抗の透明導電膜を作
製することができた。
り従来得ることのできなかった低抵抗の透明導電膜を作
製することができた。
以゛上述べたように本発明の透明導電膜は、酸化インジ
ウム膜にスズとフッ素をドーピングすることにより膜の
抵抗を下げたのでデイスプレィ、デバイスの大型化・大
容量化に大きな効果を有し表示品質を大きく向上させた
。
ウム膜にスズとフッ素をドーピングすることにより膜の
抵抗を下げたのでデイスプレィ、デバイスの大型化・大
容量化に大きな効果を有し表示品質を大きく向上させた
。
なお、本発明の透明導電膜は透明電極を必要とするデバ
イスにおいて広く応用可能であり消費電力が小さいなど
の効果がある。
イスにおいて広く応用可能であり消費電力が小さいなど
の効果がある。
第１図は実施例１および実施例２のフッ素濃度と比抵抗
の関係を表わしたグラフである。 １・・・・・・・・・実施例１ ２・・・・・・・・・実施例２ ６・・・・・・・・・比較例
の関係を表わしたグラフである。 １・・・・・・・・・実施例１ ２・・・・・・・・・実施例２ ６・・・・・・・・・比較例
Claims (1)
- （１）基板上に形成されたスズとフッ素がドーピングさ
れた酸化インジウム膜から成ることを特徴とする透明導
電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2792988A JPH01204307A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2792988A JPH01204307A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 透明導電膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01204307A true JPH01204307A (ja) | 1989-08-16 |
Family
ID=12234580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2792988A Pending JPH01204307A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01204307A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6552765B2 (en) * | 1998-03-24 | 2003-04-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Color filter for reflection liquid crystal display and reflection liquid crystal display comprising the same |
-
1988
- 1988-02-09 JP JP2792988A patent/JPH01204307A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6552765B2 (en) * | 1998-03-24 | 2003-04-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Color filter for reflection liquid crystal display and reflection liquid crystal display comprising the same |
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