JPH01187985A - Optical potentiometer - Google Patents

Optical potentiometer

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JPH01187985A
JPH01187985A JP63013120A JP1312088A JPH01187985A JP H01187985 A JPH01187985 A JP H01187985A JP 63013120 A JP63013120 A JP 63013120A JP 1312088 A JP1312088 A JP 1312088A JP H01187985 A JPH01187985 A JP H01187985A
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JP
Japan
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films
film
resistive
resistance
potential
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JP63013120A
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Japanese (ja)
Inventor
Masuji Sato
佐藤 万寿治
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To compensate errors resulting from the nonuniformity of resistance films and a photoconductive film, and to improve the linearity of potential distribution characteristics and output voltage characteristics by forming a pair of electrode films onto the photoconductive film formed onto the same substrate and two or more of the resistance films between the electrode films and mutually short-circuiting several positions at the same potential of the resistance films. CONSTITUTION:A pair of first and second electrode films 13a, 13b are formed onto a photoconductive film 12 shaped onto the same substrate 15 and two or more of resistance films 11a, 11b between the electrode films 13a, 13b. Said first and second electrode films 13a, 13b are connected to an external terminal T13, two or more of said resistance films 11a, 11b are connected in parallel, and one ends of the resistance films 11a, 11b are connected to an external terminal T11, and the other ends are connected to an external terminal T12. Several positions at the same potential of said first and second resistance films 11a, 11b are short-circuited mutually by metallic wires or metallic films 17. Accordingly, the nonuniformity of the sheet resistance distribution, etc., of one resistance film is compensated by the sheet resistance distribution, etc., of the other resistance film, thus improving the linearity of potential distribution characteristics.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は光ボテンシゴメータ、特に非接触の位置や角度
変位を電圧値に変換する光ポテンショメークの(14造
に関し、 m b”U膜や光導電膜の不均一性を原因とする誤差を
捕正し、電位分布特性や出力電圧特性の直線性を向上さ
Iることを目的とし、 同一基板上に設けられる光導電膜上に、一対の第1,2
の電極膜と、該電極膜間に二つ以上の抵抗膜とを具備し
、 前記第1.2の電極膜が外部端子に接続され、前記二つ
以上の抵抗膜が並列に接続され、かつ該抵抗膜の一端が
外部端子に接続され、他の一端が外部端子に接続され、 前記第1.2の抵抗膜の同電位となる数カ所の位置が相
互に金属線若しくは金属膜により短絡されていることを
含み構成する。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention relates to an optical potentiometer, particularly an optical potentiometer that converts non-contact position or angular displacement into a voltage value. In order to correct errors caused by uniformity and improve the linearity of potential distribution characteristics and output voltage characteristics, a pair of first and second photoconductive films are formed on the same substrate.
and two or more resistive films between the electrode films, the first and second electrode films are connected to an external terminal, the two or more resistive films are connected in parallel, and One end of the resistive film is connected to an external terminal, the other end is connected to an external terminal, and several positions of the first and second resistive films having the same potential are mutually short-circuited by a metal wire or a metal film. It consists of the following:

〔産業上の利用分野) 本発明は光ボテンシゴメータに関するものであり、更に
詳しく言えば非接触の位置や角度変位を電圧値に直線的
に変換する光ポテンショメータの(1カ造に関するもの
である。
[Industrial Application Field] The present invention relates to an optical potentiometer, and more specifically, to a one-piece optical potentiometer that linearly converts a non-contact position or angular displacement into a voltage value.

(従来の技術) 第5.6図は従来例に係る説明図である。(Conventional technology) FIG. 5.6 is an explanatory diagram of a conventional example.

第5図(a)〜(c)は従来例に係る光ポテンショメー
タの構造図であり、同図(a)はその平面図を示してい
る。
5(a) to 5(c) are structural diagrams of a conventional optical potentiometer, and FIG. 5(a) shows a plan view thereof.

図において、1はNiCr膜又はCr−5iO11Q等
の抵)f[膜、2はCdSc膜又はCd (SeS)膜
等の光導電膜13はCr−Au lp3又はNiCr−
Au膜等の電極膜、6はスポット光である。
In the figure, 1 is a resistive film such as NiCr film or Cr-5iO11Q, and 2 is a photoconductive film 13 such as CdSc film or Cd (SeS) film, which is Cr-Au lp3 or NiCr-
An electrode film such as an Au film, and 6 a spot light.

また、同図(b)は同図(a)のX−Y矢視断面図であ
る0図において、4は抵抗膜1や電(7i!膜3を絶縁
保護する透明保護膜であり、シリコン樹脂等により形成
されている。5はガラス板やアルミナ板等の基板である
In addition, in FIG. 0, which is a cross-sectional view taken along the X-Y arrow in FIG. It is made of resin or the like. 5 is a substrate such as a glass plate or an alumina plate.

同図(C)は光ポテンショメークの等価回路図であり、
図において、Rは抵抗、T、〜T3は外部端子、Lは抵
抗Rの全長であり、例えば10(nm)程度である。な
おSは位置であり、スポット光6が全長りの間、かつ抵
抗膜1と電極膜3との間の光導TL膜2を照射する位置
である。また、6は幅2[an)程度のスポット光であ
り、光源と光スポツト照射回転装置等のマスクとにより
、電気的、機械的な位置変位や角度変位に従って、例え
ば位置Sにおいて抵抗膜1と電極膜3との間の光導電膜
2を電気的に導通ずる。
Figure (C) is an equivalent circuit diagram of an optical potentiometer.
In the figure, R is a resistor, T and T3 are external terminals, and L is the total length of the resistor R, which is, for example, about 10 (nm). Note that S is a position where the light guide TL film 2 between the resistive film 1 and the electrode film 3 is irradiated with the spotlight 6 over its entire length. Further, 6 is a spot light having a width of about 2 [an], and the light source and a mask of a light spot irradiation rotation device etc. cause the resistive film 1 to move at the position S, for example, according to electrical and mechanical positional displacement and angular displacement. The photoconductive film 2 and the electrode film 3 are electrically connected to each other.

これ等により光ポテンショメークを構成し、その機能は
、電気的、機械的な位置変位や角度変位を光6を介して
電圧値に変換し、これにより非接触の位置変位や角度変
位を検知することである。
These constitute an optical potentiometer, and its function is to convert electrical and mechanical positional and angular displacements into voltage values via light 6, thereby detecting positional and angular displacements without contact. That's true.

第GIAは従来例に係る光ポテンショメータの問題点を
説明する図であり、同図(a)は電位差計回路図を示し
ている。
No. GIA is a diagram illustrating the problems of a conventional optical potentiometer, and FIG. 3A shows a potentiometer circuit diagram.

図において、■。は光ポテンショメータのT。In the figure, ■. is the T of the optical potentiometer.

、T2間に印加される電a電圧(例えば直流電圧)、V
 (s)はT、、T、間の電圧であり、位置Sにおける
電位差である。
, the electric voltage (e.g. DC voltage) applied between T2, V
(s) is the voltage between T, , T, and is the potential difference at position S.

同図(b)は光ポテンショメータの電位分布特性図であ
る。図において、縦軸は1!源電圧■。と電位差V (
s)との比を示す電位分布であり、横軸は位置Sを示し
ている。
FIG. 5B is a potential distribution characteristic diagram of the optical potentiometer. In the figure, the vertical axis is 1! Source voltage ■. and potential difference V (
s), and the horizontal axis indicates the position S.

また、実線に示した7は実際の電位分布特性であり、例
えば抵抗膜1に不良部分9を含むために、その抵抗Rの
分布が不均一となり完全な直線とならない。なお、8は
理想電位分布特性を示している。また、不良部分9は、
成膜技術において抵抗膜1の薄膜化不均一により同一場
所には、確率的に同時に発生しない。
Further, 7 shown as a solid line is an actual potential distribution characteristic. For example, since the resistive film 1 includes a defective portion 9, the distribution of the resistance R becomes non-uniform and does not form a perfect straight line. Note that 8 indicates an ideal potential distribution characteristic. In addition, the defective part 9 is
Due to the non-uniform thinning of the resistive film 1 in the film forming technology, these do not occur at the same time in the same place stochastically.

(発明が解決しようとする問題点〕 ところで従来例によれば、第6図(b)に示す実際の電
位分布直線7のような抵抗膜1に不良部分9を内在する
光ボテンシジメータを電気的、機械的な位置、角度の検
知器として用いている。
(Problems to be Solved by the Invention) According to the conventional example, an optical potentiometer having a defective portion 9 in the resistive film 1 as shown in the actual potential distribution line 7 shown in FIG. It is used as a mechanical position and angle detector.

しかし、現状の抵抗膜1に係る成膜技術では、シート抵
抗値の均一性化は、±0.5%程度が限度である。また
光導電膜2の不均一性は、光ポテンショメータの出力電
圧が小さい範囲において顕著である。
However, with the current film forming technology for the resistive film 1, the uniformity of the sheet resistance value is limited to approximately ±0.5%. Further, the non-uniformity of the photoconductive film 2 is remarkable in a range where the output voltage of the optical potentiometer is small.

従って、次のような問題点がある。Therefore, there are the following problems.

■出力電圧対泣面の関係を示す実際の電位分布特性7が
完全な直線特性(現状では11%が限度)とならないた
め、真の位置とその出力電圧との間に誤差を招く。
(2) Since the actual potential distribution characteristic 7 showing the relationship between the output voltage and the contact surface is not a perfect linear characteristic (currently 11% is the limit), an error occurs between the true position and its output voltage.

■光導電膜2の不均一性により検知位置範囲によって、
その出ツノ電圧に誤差を含む。
■Depending on the detection position range due to the non-uniformity of the photoconductive film 2,
The output voltage includes an error.

本発明は、かがる従来例の問題点に漏み創作されたもの
であり、抵抗膜や光導電膜の不均一性を原因とする誤差
をfili正し、電位分布特性や出力電圧特性の直線性
を向」;させることを可能とする光ポテンショメータの
提供を目的とする。
The present invention was created in response to the problems of the conventional example, and corrects errors caused by non-uniformity of resistive films and photoconductive films, and improves potential distribution characteristics and output voltage characteristics. The object of the present invention is to provide an optical potentiometer that can improve linearity.

〔問題点を解決するための手段] 本発明の光ボテンシジメータは、その一実施例を第1〜
4図に示すように同一基板15上に設けられる光導電膜
12上に、一対の第1.2の電極膜13a、13bと、
該電極膜13a、13b間に二つ以上の抵抗膜11a、
11bとを具備し、前記第1.2の電極膜13a、13
bが外部端子T+3に接続され、 前記二つ以上の抵抗Wi11a、11bが並列に接続さ
れ、かつ該抵抗膜11a、11bの一端が外部端子T1
1に接続され、他の一端が外部端子TI!に接続され、 前記第1.2の抵抗膜+1a、11bの同電位となる数
カ所の位置が相互に金属線若しくは金属膜17により短
絡されていることを特徴とし、上記目的を達成する。
[Means for Solving the Problems] The optical potentiometer of the present invention has an embodiment as shown in the first to
As shown in FIG. 4, on the photoconductive film 12 provided on the same substrate 15, a pair of first and second electrode films 13a and 13b,
two or more resistive films 11a between the electrode films 13a and 13b,
11b, the first and second electrode films 13a and 13
b is connected to the external terminal T+3, the two or more resistors Wi11a, 11b are connected in parallel, and one end of the resistive film 11a, 11b is connected to the external terminal T1.
1, and the other end is connected to external terminal TI! The above object is achieved by connecting several positions of the first and second resistive films +1a and 11b that are at the same potential to be mutually short-circuited by a metal wire or a metal film 17.

〔作用〕[Effect]

本発明によれば二つ以上の抵抗膜を並列接続し、かつ該
抵抗膜の同電位となる数カ所の位置を相互に金属線若し
くは金属膜により短絡している。このため、一方の抵抗
膜のシート抵抗分布等の不均一性を他の抵抗膜のシート
抵抗分布等によりtJ正することが可能となる。
According to the present invention, two or more resistive films are connected in parallel, and several positions of the resistive films having the same potential are short-circuited to each other by a metal wire or a metal film. Therefore, it is possible to correct the non-uniformity of the sheet resistance distribution, etc. of one resistive film by tJ by the sheet resistance distribution, etc. of the other resistive film.

これにより電位分布特性の直線性の向上を図ることが可
能となる。
This makes it possible to improve the linearity of potential distribution characteristics.

また、本発明によれば第1.2の抵抗膜間に電位分布補
正用の第3の抵抗■りを設けている。このため、第1.
2の抵抗膜のシート抵抗分布等の不均一性を相互に補正
、し、さらに第3の抵抗膜のシート抵抗分布等により補
正することが可能となる。
Further, according to the present invention, a third resistor for potential distribution correction is provided between the first and second resistive films. For this reason, 1.
It becomes possible to mutually correct the non-uniformity of the sheet resistance distribution, etc. of the second resistive film, and further correct it by the sheet resistance distribution, etc. of the third resistive film.

これにより、電位分布特性の直線性をさらに向上させる
ことが可能となる。
This makes it possible to further improve the linearity of the potential distribution characteristics.

〔実施例] 次にVを参照しながら本発明の実施例について説明する
[Example] Next, an example of the present invention will be described with reference to V.

第1〜4図は本発明の実施例に係る光ボテンンヨメータ
の説明図であり、第1図は本発明の第1の実施例に係る
光ボテンンヨメータの構8図を示している。
1 to 4 are explanatory diagrams of an optical potentiometer according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1 shows an eight diagram of the structure of an optical potentiometer according to a first embodiment of the present invention.

同図(a)は光ボテンシロメータの平面図であり、図に
おいて、11a、11bは光導電11’212上に設け
られるNiCr17又はCr−3iO1i等の抵抗膜で
ある。なお1氏抗膜11a、11bのシー1−1氏l冗
イ直は30.0Ω/口程度であり、本発明の実施例では
全長L=lO(冊〕における1氏I冗(直R1ま800
〔Ω〕〜1.5 (KΩ〕程度である。
FIG. 2A is a plan view of the optical potentiometer. In the figure, 11a and 11b are resistive films such as NiCr17 or Cr-3iO1i provided on the photoconductor 11'212. In addition, the sea 1-1 degree l redundancy of the 1 degree resistive films 11a and 11b is approximately 30.0Ω/mouth, and in the embodiment of the present invention, the 1 degree I redundancy (direction R1 or 800
It is about [Ω] to 1.5 (KΩ).

また、抵抗1f!J11aと11bとは並列に接続され
、その一方を外部端子T11に電気的に接続され、他方
を外部端子T、□に同様に接続されている。
Also, the resistance is 1f! J11a and J11b are connected in parallel, one of which is electrically connected to external terminal T11, and the other is similarly connected to external terminal T, □.

なお、17は抵抗膜11a、11bの同電位部分を短絡
する細い金属膜又は金属線である。
Note that 17 is a thin metal film or metal wire that short-circuits the same potential parts of the resistive films 11a and 11b.

12はCdSe膜又はCd (SeS)膜等の光導電膜
であり、一定紙のCdSe、 CdS粉体等を蒸着法や
スパンタリング法により、所定の雰囲気下(例えばCd
Cff。
Reference numeral 12 is a photoconductive film such as a CdSe film or a Cd (SeS) film, and a certain amount of paper CdSe, CdS powder, etc. is deposited under a predetermined atmosphere (for example, Cd
Cff.

ガス)において、熱処理(例えば550°C程度)をす
ることにより形成される。
It is formed by heat treatment (for example, at about 550°C) in a gas).

13a、13bは、I:、r−Au Ft又はNiCr
−へU膜等の電極膜である。なお、電極膜13a、L3
bの一方は、外部端子Tljに電気的に接続されている
13a, 13b are I:, r-Au Ft or NiCr
- It is an electrode film such as a U film. Note that the electrode film 13a, L3
One of the terminals b is electrically connected to the external terminal Tlj.

また、電極膜13a、13bと、抵抗膜11a。Further, the electrode films 13a and 13b and the resistive film 11a.

11bとはある離隔距離を一定に保って、光導電膜12
上に設置されている。
11b is the photoconductive film 12 while keeping a certain distance constant.
is installed on top.

16は幅2〔耐〕程度のスポット光であり、不図示のミ
ニチェアランプ等の光源と、光スポ・ソトy、u+回転
装置等のマスクとにより形成される。なお光16は、電
気的、数域的な位置変位や角度変位に従って、抵抗膜1
1a、11bと電極膜13a、13bとの光導電112
12に照射され、これにより該光導電m12を電気的に
導通ずる。
Reference numeral 16 denotes a spot light having a width of about 2 [proof], and is formed by a light source such as a mini chair lamp (not shown) and a mask such as a light spotting device, a u+ rotation device, etc. Note that the light 16 is applied to the resistive film 1 according to electrical and numerical positional displacements and angular displacements.
Photoconductivity 112 between 1a, 11b and electrode films 13a, 13b
12, thereby making the photoconductive m12 electrically conductive.

また同図(b)は、同図(a)のX−Y矢視断面図であ
り、同図を参照しながら光ポテンショメータの形成工程
を説明する。
Further, FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line X-Y in FIG.

lにおいて、ガラス、アルミナ及びセラノミンク等の基
板15にCd (ScS) :Cu蒸着膜等の光導電膜
12をCdCl2を用いて約550°C170分間熱処
理する。次に光導電膜12上に旧Cr−Cu膜等の電極
膜13a、13bを形成し、同電位部分を細い金属線1
7等で短絡し、透明保護IIり14を全面に形成して絶
縁する。
1, a photoconductive film 12 such as a Cd(ScS):Cu vapor deposited film is heat-treated at about 550° C. for 170 minutes using CdCl2 on a substrate 15 made of glass, alumina, ceranomink, or the like. Next, electrode films 13a and 13b such as old Cr-Cu film are formed on the photoconductive film 12, and the same potential portion is connected with a thin metal wire 1.
7, etc., and a transparent protective layer 14 is formed on the entire surface for insulation.

なお、透明保護膜14は抵抗膜11a、11bや電極v
13a、]13bを保護絶縁し、光16を透過するシリ
コン樹脂等である。
Note that the transparent protective film 14 covers the resistive films 11a and 11b and the electrodes v.
13a,] 13b, and transmits light 16, such as silicone resin.

同図(C)は本発明の第1の実施例の光ポテンショメー
クに係る等価回路図である。図において、Rは抵抗11
911a、11bの抵抗、T l l〜T I ’lは
外部端子、Lは抵抗Rの全長であり、本発明の実施例で
は10(mm)である。なおSは位置であり、スポット
光16が全WLの間、かつ抵1fC膜11a、11bと
TL極v、13a、13bとの間の光導電111212
に照射される位置である。
FIG. 2C is an equivalent circuit diagram of the optical potentiometer according to the first embodiment of the present invention. In the figure, R is the resistance 11
The resistors 911a and 11b, T l l to T I 'l are external terminals, and L is the total length of the resistor R, which is 10 (mm) in the embodiment of the present invention. Note that S is the position, and the spot light 16 is located between the entire WL and between the resistor 1fC films 11a, 11b and the TL poles v, 13a, 13b.
This is the position where the beam is irradiated.

なお、等価回路図中、矢印で示す部分はスポット光16
が光導電膜12に照射された結果化した導通部分である
。従って光16は摺動抵抗器の摺動子の機能を有してい
る。なおスポソl□光16が照射されないときは、摺動
子に相当する導通部分は無くなり、等価回路図中の央部
の部分も無くなる。
In addition, in the equivalent circuit diagram, the part indicated by the arrow is the spot light 16.
is a conductive portion resulting from irradiation of the photoconductive film 12. Therefore, the light 16 has the function of a slider of a sliding resistor. Incidentally, when the spot light 16 is not irradiated, the conductive portion corresponding to the slider disappears, and the central portion in the equivalent circuit diagram also disappears.

これ等により第1の実施例に係る光ボテンンヨメータを
構成する。
These constitute the optical potentiometer according to the first embodiment.

第2図は本発明の第1の実施例に係る電位分布特性の説
明図であり、同図(a)は電位差計回路図を示している
FIG. 2 is an explanatory diagram of potential distribution characteristics according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2(a) shows a potentiometer circuit diagram.

図において、■。は光ボテンシゴメータT1.。In the figure, ■. is the optical potentiometer T1. .

712間に印加される?Ha電圧(例えば直流電圧)、
V (s)は同様にT 1gl Tl1間の電圧であり
、位置Sにおける電位差である。
Applied between 712? Ha voltage (e.g. DC voltage),
Similarly, V (s) is the voltage between T 1gl and Tl1, and is the potential difference at the position S.

同図(b)は光ポテンショメータの電位分布特性図であ
る。図において、縦軸は電位分布V (s)/V、であ
り、横軸は位置Sを示している。
FIG. 5B is a potential distribution characteristic diagram of the optical potentiometer. In the figure, the vertical axis represents the potential distribution V (s)/V, and the horizontal axis represents the position S.

なお破線に示した18は理想、電位分布特性であり、電
位分布V(s)/Voと位置Sとは直線的(−次間数的
)に変化し、誤差を全(含まない。また、実線に示した
A1は抵抗膜11aの電位分布特性であり、1つは抵抗
膜11aのシート抵抗分布等の不均一性を特徴とする特
性A1の不良部分である。
Note that 18 shown by the broken line is an ideal potential distribution characteristic, where the potential distribution V(s)/Vo and the position S change linearly (in terms of − order numbers), and the error is completely (does not include). A1 shown by the solid line is the potential distribution characteristic of the resistive film 11a, and one is a defective portion of the characteristic A1 characterized by non-uniformity of the sheet resistance distribution of the resistive film 11a.

また、−点鎖線に示したB、は抵抗膜11bの電位分布
特性であり、20は、同様に抵t)1膜11bのシート
抵抗分布等の不均一性を特徴とする特性B1の不良部分
である。
Further, B indicated by the - dotted chain line is the potential distribution characteristic of the resistive film 11b, and 20 is a defective part of characteristic B1, which is similarly characterized by non-uniformity in sheet resistance distribution, etc. of the resistive film 11b. It is.

なお、二点鎖線に示した21は電位分布特性A1と電位
分布特性B1とを合成した合成電位分布特性である。
Note that 21 indicated by the two-dot chain line is a composite potential distribution characteristic obtained by combining the potential distribution characteristic A1 and the potential distribution characteristic B1.

これにより、光導電I+!;!12の特性を無視すれば
、特性A、の不良部分19は、電位分布特性B1によっ
て補正し、特性B、の不良部分20は、電位分布特性A
、によって補正し、測定誤差を抑制することができる。
This allows the photoconductive I+! ;! If characteristic 12 is ignored, defective portion 19 of characteristic A is corrected by potential distribution characteristic B1, and defective portion 20 of characteristic B is corrected by potential distribution characteristic A.
, the measurement error can be suppressed.

第3図は本発明の第1の実施例に係る出力電圧分布特性
の説明図であり、同図(a)は光IS電膜12の明抵抗
を考慮した電位差計回路図を示している。
FIG. 3 is an explanatory diagram of the output voltage distribution characteristics according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 3(a) shows a potentiometer circuit diagram taking into account the bright resistance of the photo-IS electrical film 12.

図において、r、、rbは光導電1’l’212に光が
照射されたときに生ずる明抵抗(寄生抵抗)であり、位
置Sによって抵抗膜11a、11+)と同1rに不均一
となっている。またVe (s)は光ボテイショメータ
の外部端子Tlz、TI□に現れる出力電圧である。な
おVoは外部端子T11.T1□に印加する直流電圧で
ある。
In the figure, r,, rb are the bright resistances (parasitic resistances) that occur when the photoconductor 1'l' 212 is irradiated with light, and depending on the position S, it becomes non-uniform in the same 1r as the resistive films 11a, 11+). ing. Further, Ve (s) is the output voltage appearing at the external terminals Tlz and TI□ of the optical voltimeter. Note that Vo is the external terminal T11. This is the DC voltage applied to T1□.

同図(b)は本発明の第1の実施例の光ポテンショメー
タに係る出力電圧分布特性図を示している。図において
、縦軸は出力電圧分布V、(s) /Voであり、4M
軸は位Isを示している。
FIG. 5B shows an output voltage distribution characteristic diagram of the optical potentiometer according to the first embodiment of the present invention. In the figure, the vertical axis is the output voltage distribution V, (s) /Vo, which is 4M
The axis shows the position Is.

また、破線に示した22は抵抗膜11.a、1.1bに
不均一性を含まない理想的な抵抗膜の電位分布特性を示
している。
Moreover, 22 shown by the broken line is the resistive film 11. 1.a and 1.1b show potential distribution characteristics of an ideal resistive film without non-uniformity.

なお、実線に示したA2は、光導電膜12の明抵抗を考
慮した出力電圧分布特性であり、同様に一点鎖線に示し
たB2は光導電膜12の明抵抗をq li I、た出力
電圧分布特性である。
Note that A2 shown as a solid line is the output voltage distribution characteristic considering the bright resistance of the photoconductive film 12, and B2 similarly shown as a dot-dashed line is the output voltage obtained by taking the bright resistance of the photoconductive film 12 into consideration. It is a distribution characteristic.

また、二点鎖線に示した23は出力電圧分布特性Δ2と
出力電圧分布特性B2とを合成した合成出力分布特性で
ある。
Further, 23 indicated by the two-dot chain line is a composite output distribution characteristic obtained by combining the output voltage distribution characteristic Δ2 and the output voltage distribution characteristic B2.

これにより、抵抗膜11a、11bの電位分布特性を無
視すれば特性A2の光導TL膜12の不均一性を出力電
圧分布特性B2により補正し、特性B、の光導電膜12
の不均一性を出力電圧分布特性A2により補正し、位置
、角度変位等の測定誤差を抑制することができる。
As a result, if the potential distribution characteristics of the resistive films 11a and 11b are ignored, the nonuniformity of the photoconductive TL film 12 having the characteristic A2 is corrected by the output voltage distribution characteristic B2, and the photoconductive film 12 having the characteristic B
By correcting the non-uniformity of the output voltage distribution characteristic A2, it is possible to suppress measurement errors such as position and angular displacement.

第4図は本発明の第2の実施例に係る光ポテンショメー
クの構造図であり、同図(a)はその平面図を示してい
る。
FIG. 4 is a structural diagram of an optical potentiometer according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 4(a) shows a plan view thereof.

なお、第1の実施例と異なるのは、第1.2の抵抗膜3
1aと131bとの間に第3の抵抗膜31cを設けてい
る点である。
Note that the difference from the first embodiment is that the first and second resistive films 3
The third resistive film 31c is provided between 1a and 131b.

図において131a131bは第1の実施例と同様に抵
抗膜132は光導電膜133a133bは一対の電極膜
である。
In the figure, 131a and 131b are a resistive film 132 and a photoconductive film 133a and 133b are a pair of electrode films, as in the first embodiment.

なお131cは抵抗11231a131bの電位分布を
補正する電位分布補正用の抵抗nりである。また、抵抗
膜31aと131bと、電位分布補正用の抵抗F!31
Cとは並列に接続され、その一方を外部端子Telに電
気的に接続され、他方を外部端子T22に同様に接続さ
れている。なお137は抵1に膜31aと、電位分布(
11i正川の抵抗膜31cと、抵抗膜31bとの同電位
部分を短絡する細い金属膜又は金属線である。また13
6はスボント光である。
Note that 131c is a potential distribution correction resistor n for correcting the potential distribution of the resistor 11231a131b. In addition, the resistive films 31a and 131b and the resistor F! for potential distribution correction are also included. 31
C is connected in parallel, one of which is electrically connected to the external terminal Tel, and the other is similarly connected to the external terminal T22. Note that 137 is the resistor 1, the film 31a, and the potential distribution (
11i Masakawa's resistive film 31c and the resistive film 31b are thin metal films or metal wires that short-circuit the same potential parts. Also 13
6 is a subonto light.

同図(b)は、同図(a)のX−Y矢視断面図である。The figure (b) is a sectional view taken along the line X-Y in the figure (a).

図において134は抵抗膜31a131b、電位分布1
itt正用の抵抗膜31c及び電極膜33a133bを
絶縁保護し、かつスボント光36を透過させる透明保護
膜である。なお35は基板であり137は金属線等であ
る。
In the figure, 134 is the resistance film 31a131b, potential distribution 1
This is a transparent protective film that insulates and protects the IT main resistor film 31c and the electrode film 33a133b, and allows the subont light 36 to pass therethrough. Note that 35 is a substrate, and 137 is a metal wire or the like.

同図(C)は本発明の第2の実施例の光ボテンンヨメー
タに係る等価回路図である0図において、Rは第1の実
施例と同様に抵抗膜31a131b、電位分布補正用の
抵抗膜31cの抵抗、Tel〜T23は外部端子、Lは
全長、Sはスボント光36が照射される位置である。ま
た37は抵抗Rの同電位部分を短絡した金属線等である
FIG. 1C is an equivalent circuit diagram of the optical potentiometer according to the second embodiment of the present invention. In FIG. , Tel to T23 are external terminals, L is the overall length, and S is the position where the spont light 36 is irradiated. Further, 37 is a metal wire or the like that short-circuits the same potential portion of the resistor R.

これ等により第2の実施例の光ポテンショメータを構成
する。
These constitute the optical potentiometer of the second embodiment.

このようにして、二つ以上の抵抗膜11a。In this way, two or more resistive films 11a.

11bや31a131b131cを並列接続し、かつ該
抵抗膜11a、11b131a131b。
11b and 31a131b131c are connected in parallel, and the resistive films 11a and 11b131a131b.

31cの同電位となる数カ所の位置を相互に金属膜若し
くは金属線17や37により短絡している。
Several positions at the same potential of 31c are short-circuited to each other by metal films or metal wires 17 and 37.

このため、一方の抵抗膜のシート抵抗分布等の不均一性
による電位分布特性A1を他の抵抗膜のシート抵抗分布
等の電位分布特性B2により補正することが可能となる
Therefore, it is possible to correct the potential distribution characteristic A1 due to non-uniformity such as the sheet resistance distribution of one resistive film by the potential distribution characteristic B2 such as the sheet resistance distribution of the other resistive film.

これにより、合成電位分布特性2Iの直線性の向上を図
ることが可能となる。
This makes it possible to improve the linearity of the composite potential distribution characteristic 2I.

また本発明によれば、抵抗膜31aと131bとの間に
電位分布補正用の抵抗膜31cを設けている。このため
、抵抗v31a131bのシート抵抗分布等の不均一性
を相互に補正し、さらに電位分布補正用の抵抗膜のシー
ト抵抗分布等により$ili正することが可能となる。
Further, according to the present invention, a resistive film 31c for potential distribution correction is provided between the resistive films 31a and 131b. Therefore, it is possible to mutually correct the non-uniformity of the sheet resistance distribution of the resistor v31a131b, and further correct it by the sheet resistance distribution of the resistive film for potential distribution correction.

これにより電位分布特性の直線性をより一層向上させる
ことが可能となる。
This makes it possible to further improve the linearity of the potential distribution characteristics.

〔発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、二つ以上の抵抗膜
を並列接続かつ、同電位部分を短絡接続することにより
、相互に電位分布を補正することができる。このため光
ポテンショメータの電位分布特性や出力電圧特性の直線
性を良くすることが可能となる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, by connecting two or more resistive films in parallel and connecting the same potential parts by short-circuiting, it is possible to mutually correct the potential distribution. Therefore, it is possible to improve the linearity of the potential distribution characteristics and output voltage characteristics of the optical potentiometer.

これにより、電気的、機械的な位置、角度変位等の測定
値の誤差を極力少なくすることができ、測定精度を向上
させることが可能となる。
Thereby, errors in measured values such as electrical and mechanical positions and angular displacements can be minimized, and measurement accuracy can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の第1の実施例に係る光ボテンショメ
ータの構造図、 第2図は、本発明の第1の実施例に係る電位分布特性の
説明図、 第3図は、本発明の第1の実施例に係る出力電圧分布特
性の説明図、 第4図は、本発明の第2の実施例に係る光ポテンショメ
ータの構造図、 第5閃は、従来例に係る光ポテンショメータの構造図、 第6図は、従来例に係る光ポテンショメータの問題点を
説明する図である。 (符号の説明) 1、11a、11b131a131b ・・・抵)元膜
、31c・・・電位分布補正用の抵抗膜、2.12.3
2・・・光導電膜、 3.13a、13b133a133b −電1蛋膜、4
.14.34・・・透明保護膜、 5.15.35  ・・・基(反、 6.16.36・・・スポット光、 7・・・実際の電位分布特性、 8.18・・・理想電位分布特性、 9.19・・・不良部分、特性A、の不良部分、17.
37・・・金属線等、 20・・・特性B、の不良部分、 21・・・合成電位分布特性、 22・・・抵抗膜の電位分布特性、 23・・・合成出力電圧分布特性、 A、、 B、・・・電位分布特性、 A、、 B2・・・出力電圧分布特性、P・・・砥面、 ra + rb・・・明抵抗、 ν。・・・直流電圧、 V(s)・・・電位差、 V、(s)・・・出力電圧、 V(s) /vo・・・電位分布、 V、(s) /V。・・・出力電圧分布、S・・・位置
、 [、・・・全長。 県 1 図 ビ (ミ) (bン ¥−で追η54−1−nプシ屓立刺1て1糸54居有ン
九有P勘→引カ説田Iコ第2図 第4図 第5図
FIG. 1 is a structural diagram of an optical potentiometer according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram of potential distribution characteristics according to a first embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4 is a structural diagram of an optical potentiometer according to a second embodiment of the present invention; FIG. FIG. 6 is a diagram illustrating the problems of the conventional optical potentiometer. (Explanation of symbols) 1, 11a, 11b131a131b... Resistance film, 31c... Resistance film for potential distribution correction, 2.12.3
2... Photoconductive film, 3.13a, 13b133a133b -Electroconductive film, 4
.. 14.34...Transparent protective film, 5.15.35...Group (reverse), 6.16.36...Spot light, 7...Actual potential distribution characteristics, 8.18...Ideal Potential distribution characteristics, 9.19...defective part, defective part of characteristic A, 17.
37... Metal wire, etc., 20... Defective part of characteristic B, 21... Composite potential distribution characteristic, 22... Potential distribution characteristic of resistive film, 23... Composite output voltage distribution characteristic, A ,,B,...Potential distribution characteristics, A,, B2...Output voltage distribution characteristics, P...Abrasive surface, ra + rb...Bright resistance, ν. ...DC voltage, V(s)... Potential difference, V, (s)... Output voltage, V(s) /vo... Potential distribution, V, (s) /V. ...output voltage distribution, S...position, [,...total length. Prefecture 1 Figure Bi (mi) (b ¥- desu η 54-1-n pushi tachi sashi 1 te 1 thread 54 residence Kuari P Kan → Hikika theory Iko 2 Figure 4 Figure 5

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)同一基板(15)上に設けられる光導電膜(12
)上に、一対の第1、2の電極膜(13a、13b)と
、該電極膜(13a、13b)間に二つ以上の抵抗膜(
11a、11b)とを具備し、 前記第1、2の電極膜(13a、13b)が外部端子(
T_1_3)に接続され、 前記二つ以上の抵抗膜(11a、11b)が並列に接続
され、かつ該抵抗膜(11a、11b)の一端が外部端
子(T_1_1)に接続され、他の一端が外部端子(T
_1_2)に接続され、 前記第1、2の抵抗膜(11a、11b)の同電位とな
る数ヵ所の位置が相互に金属線若しくは金属膜(17)
により短絡されていることを特徴とする光ポテンショメ
ータ。
(1) Photoconductive film (12) provided on the same substrate (15)
), a pair of first and second electrode films (13a, 13b) and two or more resistive films (13a, 13b) between the electrode films (13a, 13b).
11a, 11b), and the first and second electrode films (13a, 13b) are provided with external terminals (
The two or more resistive films (11a, 11b) are connected in parallel, and one end of the resistive film (11a, 11b) is connected to the external terminal (T_1_1), and the other end is connected to the external terminal (T_1_1). Terminal (T
_1_2), and several positions of the first and second resistive films (11a, 11b) at the same potential are mutually connected to metal wires or metal films (17).
An optical potentiometer characterized by being short-circuited by.
(2)同一基板(35)上に、一対の第1、2の電極膜
(33a、33b)と、該電極膜(33a、33b)間
に第1、2及び3の抵抗膜(31a、31b、31c)
とを具備し、 前記第3の抵抗膜(31c)が電位分布補正用の抵抗膜
であり、 前記第1、2の電極膜(33a、33b)が外部端子(
T_2_3)に接続され、 前記第1、2及び3の抵抗膜(31a、31b、31c
)が並列に接続され、かつ該抵抗膜(31a、31b、
31c)の一端が外部端子(T_2_1)に接続され、
他の一端が外部端子(T_2_2)に接続され、 前記第1、2及び3の抵抗膜(31a、31b、31c
)の同電位となる数ヵ所の位置が相互に金属線若しくは
金属膜(37)により短絡されていることを特徴とする
特許請求の範囲第1項に記載する光ポテンショメータ。
(2) On the same substrate (35), a pair of first and second electrode films (33a, 33b) and first, second and third resistive films (31a, 31b) between the electrode films (33a, 33b). , 31c)
The third resistive film (31c) is a resistive film for potential distribution correction, and the first and second electrode films (33a, 33b) are external terminals (31c).
T_2_3), and the first, second and third resistive films (31a, 31b, 31c
) are connected in parallel, and the resistive films (31a, 31b,
31c) is connected to the external terminal (T_2_1),
The other end is connected to the external terminal (T_2_2), and the first, second and third resistive films (31a, 31b, 31c
2. The optical potentiometer according to claim 1, wherein several positions having the same potential are short-circuited to each other by a metal wire or a metal film (37).
JP63013120A 1988-01-22 1988-01-22 Optical potentiometer Pending JPH01187985A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3167492A4 (en) * 2015-06-22 2017-11-08 The Research Foundation For The State University Of New York Self-balancing position sensitive detector

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3167492A4 (en) * 2015-06-22 2017-11-08 The Research Foundation For The State University Of New York Self-balancing position sensitive detector

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