JPH01179419A - 半導体素子製造用x線露光装置 - Google Patents
半導体素子製造用x線露光装置Info
- Publication number
- JPH01179419A JPH01179419A JP63000676A JP67688A JPH01179419A JP H01179419 A JPH01179419 A JP H01179419A JP 63000676 A JP63000676 A JP 63000676A JP 67688 A JP67688 A JP 67688A JP H01179419 A JPH01179419 A JP H01179419A
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- Japan
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- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005484 gravity Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子製造工程におけるX線露光装置に
関するものである。
関するものである。
〔従来の技術とその問題点]
周知の通り、半導体素子製造工程ではホトエツチング工
程を行うため、マスクのパターンと基板(ウェハ)上の
パターンとの相対的な位置を合せる必要がある。これを
マスク合せ(アライメント)と呼び、次いで、紫外線、
電子線やX線を照射して露光する。そして、これらの装
置を露光装置と呼んでいる。また、光源を除(露光装置
をアライナと称している。
程を行うため、マスクのパターンと基板(ウェハ)上の
パターンとの相対的な位置を合せる必要がある。これを
マスク合せ(アライメント)と呼び、次いで、紫外線、
電子線やX線を照射して露光する。そして、これらの装
置を露光装置と呼んでいる。また、光源を除(露光装置
をアライナと称している。
ところで、線幅0.25μmという超精密な露光にはS
ORを光源とするX線露光が期待され、各種の提案が行
われている。かかるSORをX線源とした露光装置にお
いては、X線強度が大きいことの他に、光がほぼ平行に
近いので、従来のX線光源(電子線励起影線源やプラズ
マX線i1jりで問題になっていた半影ぼけやランアウ
ト誤差は全く問題にならない利点がある。しかしながら
、SORリングが大型で、かつ光が水平に出るため、ウ
ェハテーブル面が垂直になること、およびSORリング
と独立してアライナを置かなければならないこと、とい
う制約が生じる。かかるアライナには、ウェハとマスク
のステージを一体的に有し、両者の超精密な位置決め精
度を要するので、外部からの振動を遮断するため、通常
空気バネ等の弾性部材を用いた防振装置が備えられてい
る。このことは、逆に、露光位置あわせのためアライナ
上のステージが高速移動する際、発生する負荷によりア
ライナ全体の姿勢が容易に変化することを意味し、ひい
ては、超微細パターンを形成する高精度の露光ができな
くなる欠点がある。
ORを光源とするX線露光が期待され、各種の提案が行
われている。かかるSORをX線源とした露光装置にお
いては、X線強度が大きいことの他に、光がほぼ平行に
近いので、従来のX線光源(電子線励起影線源やプラズ
マX線i1jりで問題になっていた半影ぼけやランアウ
ト誤差は全く問題にならない利点がある。しかしながら
、SORリングが大型で、かつ光が水平に出るため、ウ
ェハテーブル面が垂直になること、およびSORリング
と独立してアライナを置かなければならないこと、とい
う制約が生じる。かかるアライナには、ウェハとマスク
のステージを一体的に有し、両者の超精密な位置決め精
度を要するので、外部からの振動を遮断するため、通常
空気バネ等の弾性部材を用いた防振装置が備えられてい
る。このことは、逆に、露光位置あわせのためアライナ
上のステージが高速移動する際、発生する負荷によりア
ライナ全体の姿勢が容易に変化することを意味し、ひい
ては、超微細パターンを形成する高精度の露光ができな
くなる欠点がある。
そこで本発明は、X線露光装置における、かかる欠点を
克服するために創作されたもので、当該アライナ本体を
、X線軸に垂直な面以外の変位を拘束するように固定ガ
イドに保持するようにした− ことを特徴とするもので
ある。
克服するために創作されたもので、当該アライナ本体を
、X線軸に垂直な面以外の変位を拘束するように固定ガ
イドに保持するようにした− ことを特徴とするもので
ある。
本発明の構成を添付図面に示す実施例により詳細に説明
する。
する。
第1図は本発明の実施例のX線露光装置の正面図、第2
図は第1図のA断面図、第3図は第1図の平面図、第4
図は第1図のB断面図を示す。
図は第1図のA断面図、第3図は第1図の平面図、第4
図は第1図のB断面図を示す。
これらの図において、1はアライナ本体、2はアライナ
本体1の上側に固定された移動ガイド、3は固定フレー
ム7の上側に固定された1対の固定ガイド、4はアライ
ナ本体1の下側に固定された移動ガイド、5はベース1
0上に固定された1対の固定ガイド、6は空気バネで、
ベース10上でアライナ本体1を防振支持している。8
はウェハステージ、9はマスクステージ、11はX線窓
を示す。なお、前記移動ガイド2.4は、図示しないが
、固定ガイド3.5により圧縮空気を噴出して形成され
た圧力空気層でガイドされている。
本体1の上側に固定された移動ガイド、3は固定フレー
ム7の上側に固定された1対の固定ガイド、4はアライ
ナ本体1の下側に固定された移動ガイド、5はベース1
0上に固定された1対の固定ガイド、6は空気バネで、
ベース10上でアライナ本体1を防振支持している。8
はウェハステージ、9はマスクステージ、11はX線窓
を示す。なお、前記移動ガイド2.4は、図示しないが
、固定ガイド3.5により圧縮空気を噴出して形成され
た圧力空気層でガイドされている。
しかして、本実施例のX線露光装置は、SORリングよ
り発生するX線を光源として、X線の吸収の多い材質の
パターンで形成された、マスクステージの上のマスクを
通過させ、ウェハステージ8上のウェハに照射し焼付け
を行うものである。
り発生するX線を光源として、X線の吸収の多い材質の
パターンで形成された、マスクステージの上のマスクを
通過させ、ウェハステージ8上のウェハに照射し焼付け
を行うものである。
ここにおいて、X線の光源はアライナ本体1とは分離し
ているので、この光源に対しアライナ本体1の姿勢を精
度よく保持する必要があり、また、アライナ本体1は外
部からの振動の影響を遮断する必要があるため、前記の
ような空気バネ6で支持されているので、アライナ本体
1は若干の負荷変動によってもその姿勢が変化し易い状
態となっている。
ているので、この光源に対しアライナ本体1の姿勢を精
度よく保持する必要があり、また、アライナ本体1は外
部からの振動の影響を遮断する必要があるため、前記の
ような空気バネ6で支持されているので、アライナ本体
1は若干の負荷変動によってもその姿勢が変化し易い状
態となっている。
かかる状態で、ウェハステージ8およびマスクステージ
9を制御装置(図示せず)により、それぞれ高速で変位
させながら相互に位置合せを行うが、その制御の結果、
アライナ本体1の重心が変化し、しかも、各ステージ8
.9を高速駆動して制御する力の反力により、アライナ
本体1を支持する各空気バネ6に作用する力が変化する
ことになる。したがって、空気バネ6に変位が生じ、ア
ライナ本体1が傾くことになるが、本実施例によれば、
上下の移動ガイド2.4は、このアライナ本体1の、光
軸に垂直面内での変位のみを許容してアライナ本体lを
精度よくガイドする。しかして、平行状態のマスクとウ
ェハとはX線の光軸に垂直であるため、位置ずれが発生
せず、高精度の焼付けを行うことができる。
9を制御装置(図示せず)により、それぞれ高速で変位
させながら相互に位置合せを行うが、その制御の結果、
アライナ本体1の重心が変化し、しかも、各ステージ8
.9を高速駆動して制御する力の反力により、アライナ
本体1を支持する各空気バネ6に作用する力が変化する
ことになる。したがって、空気バネ6に変位が生じ、ア
ライナ本体1が傾くことになるが、本実施例によれば、
上下の移動ガイド2.4は、このアライナ本体1の、光
軸に垂直面内での変位のみを許容してアライナ本体lを
精度よくガイドする。しかして、平行状態のマスクとウ
ェハとはX線の光軸に垂直であるため、位置ずれが発生
せず、高精度の焼付けを行うことができる。
なお、これを更に詳しくいえば、SORを光源とするX
線は平行性が良好であるので、SOR光軸に対し露面が
垂直に保持さえしておれば、すなわち、マスク12とウ
ェハ13とが平行に保持されていて、かつこれらが光軸
に垂直にさえなっておれば、位置ずれは生じない。その
垂直の許容範囲は、第5図において、h=40μmのと
き、ズレΔlを0.01μm以下にするためには、傾き
角θを θ<0.014” 以下にしなければならない。換言すれば、マスク12と
ウェハ13が平行で、アライナ本体1が角度θだけ傾く
と、ウェハ面上でΔlだけの誤差が発生する。したがっ
て、SOR光軸(Z軸)回り以外の回転は、前記傾き角
取下に制御する必要が生じる。そこで、本実施例によれ
ば、Z軸回り以外の回転は、移動ガイド2.4が静圧エ
アガイドを介して固定ガイド3.5に精密にガイドされ
、拘束されるので、精密焼付が可能となるのである。
線は平行性が良好であるので、SOR光軸に対し露面が
垂直に保持さえしておれば、すなわち、マスク12とウ
ェハ13とが平行に保持されていて、かつこれらが光軸
に垂直にさえなっておれば、位置ずれは生じない。その
垂直の許容範囲は、第5図において、h=40μmのと
き、ズレΔlを0.01μm以下にするためには、傾き
角θを θ<0.014” 以下にしなければならない。換言すれば、マスク12と
ウェハ13が平行で、アライナ本体1が角度θだけ傾く
と、ウェハ面上でΔlだけの誤差が発生する。したがっ
て、SOR光軸(Z軸)回り以外の回転は、前記傾き角
取下に制御する必要が生じる。そこで、本実施例によれ
ば、Z軸回り以外の回転は、移動ガイド2.4が静圧エ
アガイドを介して固定ガイド3.5に精密にガイドされ
、拘束されるので、精密焼付が可能となるのである。
なお、本実施例は、上下方向の移動ガイドおよび固定ガ
イドで説明したが、本発明はこれに限らず、左右方向の
移動ガイドおよび固定ガイドを設けてもよく、また、各
ガイドを2本のガイドで構成し、剛性を増加してもよい
。更に、本実施例の空気バネは電磁力を利用して防振装
置に代替してもよい。
イドで説明したが、本発明はこれに限らず、左右方向の
移動ガイドおよび固定ガイドを設けてもよく、また、各
ガイドを2本のガイドで構成し、剛性を増加してもよい
。更に、本実施例の空気バネは電磁力を利用して防振装
置に代替してもよい。
マスクおよびウェハを有するアライナ本体を、単にX線
軸に垂直な面以外の変位を拘束するように固定ガイドに
保持しているので、きわめて簡単な構造でありながら高
精密な焼付けを行うことができる。
軸に垂直な面以外の変位を拘束するように固定ガイドに
保持しているので、きわめて簡単な構造でありながら高
精密な焼付けを行うことができる。
第1図は本発明の実施例のX線露光装置の正面図、第2
図は第1図のA断面図、第3図は第1図の平面図、第4
図は第1図のB断面図、第5図は傾き角説明図を示す。 1・・・アライナ本体、2.4・・・移動ガイド、3゜
5・・・固定ガイド、6・・・空気バネ、7・・・固定
フレーム、8・・・ウェハステージ、9・・・マスクス
テージ、10・・・ベース。 第3図 第4図
図は第1図のA断面図、第3図は第1図の平面図、第4
図は第1図のB断面図、第5図は傾き角説明図を示す。 1・・・アライナ本体、2.4・・・移動ガイド、3゜
5・・・固定ガイド、6・・・空気バネ、7・・・固定
フレーム、8・・・ウェハステージ、9・・・マスクス
テージ、10・・・ベース。 第3図 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 SORのX線光源から分離され、かつウェハステージ
およびマスクステージを一体的に有するアライナ本体で
あって、 該アライナ本体は、弾性部材にて固定部に揺動自在に支
持されるとともに、前記X線軸に垂直な面以外の変位を
拘束するように固定ガイドに保持させられていることを
特徴とする半導体製造用X線露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63000676A JPH01179419A (ja) | 1988-01-07 | 1988-01-07 | 半導体素子製造用x線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63000676A JPH01179419A (ja) | 1988-01-07 | 1988-01-07 | 半導体素子製造用x線露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01179419A true JPH01179419A (ja) | 1989-07-17 |
Family
ID=11480350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63000676A Pending JPH01179419A (ja) | 1988-01-07 | 1988-01-07 | 半導体素子製造用x線露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01179419A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102563330A (zh) * | 2010-12-30 | 2012-07-11 | 上海微电子装备有限公司 | 工件台安全保护装置 |
-
1988
- 1988-01-07 JP JP63000676A patent/JPH01179419A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102563330A (zh) * | 2010-12-30 | 2012-07-11 | 上海微电子装备有限公司 | 工件台安全保护装置 |
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