JPH01179388A - 接合型半導体発光素子 - Google Patents
接合型半導体発光素子Info
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- JPH01179388A JPH01179388A JP63000555A JP55588A JPH01179388A JP H01179388 A JPH01179388 A JP H01179388A JP 63000555 A JP63000555 A JP 63000555A JP 55588 A JP55588 A JP 55588A JP H01179388 A JPH01179388 A JP H01179388A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
- B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
- B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
- B65G49/068—Stacking or destacking devices; Means for preventing damage to stacked sheets, e.g. spaces
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、分布帰還型半導体レーザや分布反則型半導体
レーザとして使用し得る新規な接合型半導体発光素子に
関するものである。
レーザとして使用し得る新規な接合型半導体発光素子に
関するものである。
光ファイバを光伝送路として用いる光フアイバ通信は目
覚ましく発展しており、低損失・広帯域伝送、軽量・微
小断面積の伝送、無誘導伝送、可撓性線路などの優れた
性能を有しているため応用分野が広範である。
覚ましく発展しており、低損失・広帯域伝送、軽量・微
小断面積の伝送、無誘導伝送、可撓性線路などの優れた
性能を有しているため応用分野が広範である。
周知のように、光ファイバは屈折率の大きいコア部をそ
のコア部より小さい屈折率のクラッド部で包み、コア部
とクラッド部の境界面で光を全反射させてコア部に閉じ
込めて伝送するものである。
のコア部より小さい屈折率のクラッド部で包み、コア部
とクラッド部の境界面で光を全反射させてコア部に閉じ
込めて伝送するものである。
光ファイバは、単一モードファイバと多モードファイバ
に大別される。特に単一モードファイバでは、光は主に
コア部内に閉じ込められて伝送され、伝送帯域が極めて
広い優れた特徴を有している。
に大別される。特に単一モードファイバでは、光は主に
コア部内に閉じ込められて伝送され、伝送帯域が極めて
広い優れた特徴を有している。
しかし、このような特徴を有する単一モードファイバを
用いる光フアイバ伝送においては、単一モードファイバ
に対して単一波長で発振する半導体レーザでないと、広
帯域伝送を効率良く行うことができず、低損失性が活か
されない。
用いる光フアイバ伝送においては、単一モードファイバ
に対して単一波長で発振する半導体レーザでないと、広
帯域伝送を効率良く行うことができず、低損失性が活か
されない。
一方、光フアイバ通信用光源の中で単一モード発振を得
る代表的な半導体レーザとしては、スペクトル広がりが
大きい場合に伝送帯域に制限（限界）が生じてくるため
、高速動作時においてもスペクトルが狭く、発振波長が
常に一定に保たれる構造が要求される。現在、注目を浴
びているのは、半導体レーザの活性層及びその近傍に波
長選択性を有する回折格子を設けた分布帰還（ＤＦＢ）
構造及び分布反射（ＤＢＲ）構造を有するレーザである
。
る代表的な半導体レーザとしては、スペクトル広がりが
大きい場合に伝送帯域に制限（限界）が生じてくるため
、高速動作時においてもスペクトルが狭く、発振波長が
常に一定に保たれる構造が要求される。現在、注目を浴
びているのは、半導体レーザの活性層及びその近傍に波
長選択性を有する回折格子を設けた分布帰還（ＤＦＢ）
構造及び分布反射（ＤＢＲ）構造を有するレーザである
。
しかして−船釣なりＦＢレーザの構造例を第４図に示す
。このレーザは、ｎ型１ｎＰ基板３０と、その基板３０
上に設けた回折格子３２を有するｎ型ＩｎＰガイド層３
１と、層３１上に順にエピタキシャル成長させたＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層３３及びｐ型１ｎＰ層３４と、層３工、
３３．３４を埋め込むためのｐ型１ｎＰ層３５、ｎ型Ｉ
ｎＰ層３６及びｐ型１ｎＰ層３７と、Ｊｉ３４．３７の
表面に設けたｐ側型ｔｉＥ１と、基板３０の下面に設け
たｎ側電極Ｅ２とで構成されている。かかる構造の素子
を製作するには精密でかつ長いプロセスを必要とし、素
子の単価も増大する。特にこの構造の素子製作で手間を
要するのは、活性層及び導波路の形成並びに埋込みであ
る。
。このレーザは、ｎ型１ｎＰ基板３０と、その基板３０
上に設けた回折格子３２を有するｎ型ＩｎＰガイド層３
１と、層３１上に順にエピタキシャル成長させたＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層３３及びｐ型１ｎＰ層３４と、層３工、
３３．３４を埋め込むためのｐ型１ｎＰ層３５、ｎ型Ｉ
ｎＰ層３６及びｐ型１ｎＰ層３７と、Ｊｉ３４．３７の
表面に設けたｐ側型ｔｉＥ１と、基板３０の下面に設け
たｎ側電極Ｅ２とで構成されている。かかる構造の素子
を製作するには精密でかつ長いプロセスを必要とし、素
子の単価も増大する。特にこの構造の素子製作で手間を
要するのは、活性層及び導波路の形成並びに埋込みであ
る。
その複雑な製作プロセスを明らかにするために、次に第
４図に示したレーザをその製造方法の立場から概説する
。第５図は第４図のレーザの製作工程の一例を示す。
４図に示したレーザをその製造方法の立場から概説する
。第５図は第４図のレーザの製作工程の一例を示す。
まず、たとえばｎ型１ｎＰ基板３０上にｎ型１ｎＰガイ
ド層３１をエピタキシャル成長させて（第５図（ａ）参
照） 、１１３１に干渉露光法などによって回折格子３
２を形成した（第５図（ｂ）参照）後に、回折格子３２
上にＩｎＧａＡｓＰ活性層３３及びｐ型１ｎＰ層３４を
順次エピタキシャル成長させる（第５図（Ｃ）参照）。
ド層３１をエピタキシャル成長させて（第５図（ａ）参
照） 、１１３１に干渉露光法などによって回折格子３
２を形成した（第５図（ｂ）参照）後に、回折格子３２
上にＩｎＧａＡｓＰ活性層３３及びｐ型１ｎＰ層３４を
順次エピタキシャル成長させる（第５図（Ｃ）参照）。
その後、基板３０上の層３１．３３．３４をエツチング
して導波路を形成しく第５図（ｄ）参照）、ｐ型！ｎＰ
ＪｉＪ３５、ｎ型１ｎＰ層３６及びｐ型１ｎＰ層３７
を順次エピタキシャル成長させて層３１．３３．３４を
埋込む（第５［ＩＪ（ｅ）参照）。そして、層３４．３
７０表面にｐ側電極Ｅ１を、また基板３０の下面にｎ側
電極Ｅ２を設ける（第５図（ｆ）参照）ことにより製造
される。実用には第５図（匂に示す如く、ボンディング
・ハンダなどで電極ＥＩ側をヒートシンク５０に取付け
、ワイヤーボンディングを行えばよい。
して導波路を形成しく第５図（ｄ）参照）、ｐ型！ｎＰ
ＪｉＪ３５、ｎ型１ｎＰ層３６及びｐ型１ｎＰ層３７
を順次エピタキシャル成長させて層３１．３３．３４を
埋込む（第５［ＩＪ（ｅ）参照）。そして、層３４．３
７０表面にｐ側電極Ｅ１を、また基板３０の下面にｎ側
電極Ｅ２を設ける（第５図（ｆ）参照）ことにより製造
される。実用には第５図（匂に示す如く、ボンディング
・ハンダなどで電極ＥＩ側をヒートシンク５０に取付け
、ワイヤーボンディングを行えばよい。
このように、−ｔａにＤＦＢ型レーザに限らすＤＢＲ型
レーザはその製作工程が非常に長く、素子の単価を高め
る結果になる。これは、ＤＦＢ型やＤＢＲ型レーザには
エピタキシャル成長、選択エツチングによる単一モード
導波路及び活性層の形成並びに埋込成長が必須の技術で
あることに拠るものである。特に、導波路及び活性層並
びに埋込成長には大変な手間を要し、しかもその技術は
精密である。これがため、ＤＦＢ型やＤＢＲ型レーザは
生産性が非常に悪く、コスト高である。
レーザはその製作工程が非常に長く、素子の単価を高め
る結果になる。これは、ＤＦＢ型やＤＢＲ型レーザには
エピタキシャル成長、選択エツチングによる単一モード
導波路及び活性層の形成並びに埋込成長が必須の技術で
あることに拠るものである。特に、導波路及び活性層並
びに埋込成長には大変な手間を要し、しかもその技術は
精密である。これがため、ＤＦＢ型やＤＢＲ型レーザは
生産性が非常に悪く、コスト高である。
従って本発明の目的は、通常のＤＦＢ型やＤＢＲ型レー
ザのように複雑な製作プロセスを必要とせずに生産性を
向上させて安価に製造することができるＤＦＢまたはＤ
ＢＲ構造の新規な接合型半導体発光素子を提供すること
にある。
ザのように複雑な製作プロセスを必要とせずに生産性を
向上させて安価に製造することができるＤＦＢまたはＤ
ＢＲ構造の新規な接合型半導体発光素子を提供すること
にある。
前記目的は、半導体基板の一方側に回折格子を設け、回
折格子上に絶縁層を設け、回折格子を露出するように絶
縁層に細長い溝を形成し、溝を覆うように活性層を含む
一条の半導体層をｗＡ縁層上に形成し、半導体層上に上
部電極を、及び半導体レーザの他方側に上部電極とは異
なる極性の下部電極を設けたことを特徴とする接合型半
導体発光素子により達成される。
折格子上に絶縁層を設け、回折格子を露出するように絶
縁層に細長い溝を形成し、溝を覆うように活性層を含む
一条の半導体層をｗＡ縁層上に形成し、半導体層上に上
部電極を、及び半導体レーザの他方側に上部電極とは異
なる極性の下部電極を設けたことを特徴とする接合型半
導体発光素子により達成される。
本発明の半導体発光素子は、上記の如く構造であるから
、以下の実施例でもその製作工程の一例を述べであるよ
うに通常のＤＦＢ型やＤＢＲ型レーザに比べて製作が大
変容易で、構造上活性層の形状を種々に変化させること
も可能となり、生産性を大幅に向上させたものである。
、以下の実施例でもその製作工程の一例を述べであるよ
うに通常のＤＦＢ型やＤＢＲ型レーザに比べて製作が大
変容易で、構造上活性層の形状を種々に変化させること
も可能となり、生産性を大幅に向上させたものである。
本発明の発光素子に使用する半導体材料には特に制限は
なく、半導体レーザに通常使用されている材料であれば
よく、たとえば■−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓ、
ＧａＰ、 Ａ］ＧａＡｓ、 ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ
、ＩｎＧａＰ、 ＩｎＡＩＰ、 ＧａＡｓＰＳＧａＮ、
ＩｎＡｓＰ、 ＩｎＡｓＳｂなど、Ｉ［−ＶＩ族化合
物半導体であるＺｎ５ｅ、 ＺｎＳ、 ＺｎＯ１ＣｄＳ
ｅ、 ＣｄＴｅなど、ＩＶ−Ｖｌ族化合物半導体である
ＰｂＴｅ、 Ｐｂ５ｎＴｅ、 Ｐｂ５ｎＳｅなど、さら
に■−■族化合物半導体であるＳｉＣなどがあり、それ
ぞれの材料の長所を活かして適用することが可能である
。
なく、半導体レーザに通常使用されている材料であれば
よく、たとえば■−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓ、
ＧａＰ、 Ａ］ＧａＡｓ、 ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ
、ＩｎＧａＰ、 ＩｎＡＩＰ、 ＧａＡｓＰＳＧａＮ、
ＩｎＡｓＰ、 ＩｎＡｓＳｂなど、Ｉ［−ＶＩ族化合
物半導体であるＺｎ５ｅ、 ＺｎＳ、 ＺｎＯ１ＣｄＳ
ｅ、 ＣｄＴｅなど、ＩＶ−Ｖｌ族化合物半導体である
ＰｂＴｅ、 Ｐｂ５ｎＴｅ、 Ｐｂ５ｎＳｅなど、さら
に■−■族化合物半導体であるＳｉＣなどがあり、それ
ぞれの材料の長所を活かして適用することが可能である
。
以下、本発明の接合型半導体発光素子を実施例に基づい
て説明する。
て説明する。
本発明の半導体発光素子の一実施例を第１図に示す、こ
の発光素子はＤＦＢ構造のレーザであり、ｎ型１ｎＰ基
板Ｂと、その基板Ｂ上に設けた回折格子２を有するｎ型
１ｎＰクラツド＠１と、クラッド層１上に設けた絶縁層
３と、基板Ｂの一端から他端までクラッド層１を露出す
る細長い溝７と、溝７を覆うように絶縁層３上に順にエ
ピタキシャル成長させたＩｎＧａＡｓＰ活性層４及びｐ
型１ｎＰクラッド層５からなる半導体層と、クラッド層
５及び絶縁層３の表面に設けたｐ側電極Ｅ１と、基板Ｂ
の下面に設けたｎ側電極Ｅ２とで構成されている。
の発光素子はＤＦＢ構造のレーザであり、ｎ型１ｎＰ基
板Ｂと、その基板Ｂ上に設けた回折格子２を有するｎ型
１ｎＰクラツド＠１と、クラッド層１上に設けた絶縁層
３と、基板Ｂの一端から他端までクラッド層１を露出す
る細長い溝７と、溝７を覆うように絶縁層３上に順にエ
ピタキシャル成長させたＩｎＧａＡｓＰ活性層４及びｐ
型１ｎＰクラッド層５からなる半導体層と、クラッド層
５及び絶縁層３の表面に設けたｐ側電極Ｅ１と、基板Ｂ
の下面に設けたｎ側電極Ｅ２とで構成されている。
また図からも明らかなように、絶縁層３上に形成した半
導体層は基板Ｂの一端から他端まで直線的に延在し、そ
の断面形状がドーム状を呈している６本実施例のレーザ
は、第２図に示す如く使用に際してはドーム形状の半導
体層側をボンディング・ハンダ２０、またはＡｕメツ千
を施した後にボンディング・ハンダ２０によってヒート
シンク１０に取付け、電極Ｅ２をワイヤーボンディング
する。ヒートシンク１０は周知のように、５ｉＳＣｕ、
Ｂｅ０１ＳｉＣ、ダイヤモンドなどからなり、取付け
には低融点金属（Ｉｎ、、Ｓｎなど）またはボンディン
グ・ハンダ（ｐｂ−５ｎ、 Ａｕ Ｓｎ、 Ａｕ−５
ｉなど）が用いられる。ここで電極Ｅ１．８２間に電流
を注入した場合、キャリアが活性層４内に効率良く注入
されて閉じ込められる。すなわち電流は、ｐ側電極Ｅｌ
からクラッドＮ５を経て活性Ｎ４に注入され、活性領域
でのキャリアの再結合、回折格子２及び共振器によるレ
ーザ発光に寄与した後、絶縁層３に形成した溝７、クラ
ッド層１及び基板Ｂを経てｎ側電極Ｅ２に流れる０回折
格子２は該回折格子２を垂直方向に進行する光に対して
波長選択性を有し、選択された波長のレーザ光が半導体
層の端面から放射される。
導体層は基板Ｂの一端から他端まで直線的に延在し、そ
の断面形状がドーム状を呈している６本実施例のレーザ
は、第２図に示す如く使用に際してはドーム形状の半導
体層側をボンディング・ハンダ２０、またはＡｕメツ千
を施した後にボンディング・ハンダ２０によってヒート
シンク１０に取付け、電極Ｅ２をワイヤーボンディング
する。ヒートシンク１０は周知のように、５ｉＳＣｕ、
Ｂｅ０１ＳｉＣ、ダイヤモンドなどからなり、取付け
には低融点金属（Ｉｎ、、Ｓｎなど）またはボンディン
グ・ハンダ（ｐｂ−５ｎ、 Ａｕ Ｓｎ、 Ａｕ−５
ｉなど）が用いられる。ここで電極Ｅ１．８２間に電流
を注入した場合、キャリアが活性層４内に効率良く注入
されて閉じ込められる。すなわち電流は、ｐ側電極Ｅｌ
からクラッドＮ５を経て活性Ｎ４に注入され、活性領域
でのキャリアの再結合、回折格子２及び共振器によるレ
ーザ発光に寄与した後、絶縁層３に形成した溝７、クラ
ッド層１及び基板Ｂを経てｎ側電極Ｅ２に流れる０回折
格子２は該回折格子２を垂直方向に進行する光に対して
波長選択性を有し、選択された波長のレーザ光が半導体
層の端面から放射される。
このレーザでは、構造上活性Ｎ４の全域にわたって電流
が均一かつ効率良く注入され、レーザ発光に関与しない
部分には絶縁層３によって電流が流れることはない、ま
た活性層４を含む半導体層側をヒートシンク１０に取付
けであるため、活性領域でのレーザ発光に伴って発生し
た熱が直ちに半導体層からヒートシンク１０に伝わり、
非常に放熱性に優れている。
が均一かつ効率良く注入され、レーザ発光に関与しない
部分には絶縁層３によって電流が流れることはない、ま
た活性層４を含む半導体層側をヒートシンク１０に取付
けであるため、活性領域でのレーザ発光に伴って発生し
た熱が直ちに半導体層からヒートシンク１０に伝わり、
非常に放熱性に優れている。
かかるＤＦＢ型レーザの最大の特徴は、従来のＤＦＢ型
レーザに比較して製作プロセスが大幅に簡略化されて生
産性が向上したことであるが、そのことをより明確にす
るため、次に第１図のレーザの製造方法の一例を、ｎ型
１ｎＰ基板を用いた場合について第３図（ａ）〜（ｆ）
を参照しながら説明する。
レーザに比較して製作プロセスが大幅に簡略化されて生
産性が向上したことであるが、そのことをより明確にす
るため、次に第１図のレーザの製造方法の一例を、ｎ型
１ｎＰ基板を用いた場合について第３図（ａ）〜（ｆ）
を参照しながら説明する。
なお基板は（１００）面が望ましいが、（（１１１）
Ａ）面などその他の面でも構わない。
Ａ）面などその他の面でも構わない。
まず、ｎ型［ｎＰ ％板Ｂ上に液相エピタキシャル成長
法（ＬＰＥ）、分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ）
または有機金属熱分解気相成長法（ＭＯＣＶＤ）など（
好ましくはＬＰＥ）を用いてｎ型１ｎＰクランド層１を
エピタキシャル成長させ（第３図（ａ）参照）、クラッ
ド層１上に干渉露光法などにより回折格子パターンを転
写し、ウエントエッチングなどにより回折格子２を形成
する（第３図Φ）参照）０回折格子形成後、グランドＮ
１上にマスキング剤（たとえばＳｉｎｇ、５ｉＮａなど
の誘電体薄膜が例示され、これらは電子ビーム蒸着、ス
パンタ、ＣＶＤ法などによって適用される）で絶縁層３
を設け（第３図（Ｃ１参照）、基板Ｂの一端から他端ま
でクラッドＮｌを露出する細長い溝７を絶縁層３に形成
する（第３図（ｄ）参照）。その後、絶縁Ｎ３上におい
て満７を覆うように、Ｌ Ｐ ＥなどによってＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層４及びｎ型１ｎＰクラツド＠５を順次エピ
タキシャル成長させてダブルへテロ接合を有する半導体
層を絶縁層３上に形成する（第３図（ｅ）参照）。そし
て、クラッド層５及び絶縁層３の表面にｐ側の電極材と
してたとえばＣｒ−Ａｕ、 ＡｕＺｎからなる電極Ｅ１
を、また基板Ｂの下面にｎ側の電極材としてたとえばＮ
ｉ−Ａｕ、 ＡｕＧｅからなる電極Ｅ２を真空蒸着など
の手段によってそれぞれ設け、最後に半導体層の両端面
を襞間し、この襞間面を反射鏡として用いる共振器を形
成する（第３図（ｆ）参照）ことにより、第１図に示し
た如き構造の半導体レーザが製造される。
法（ＬＰＥ）、分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ）
または有機金属熱分解気相成長法（ＭＯＣＶＤ）など（
好ましくはＬＰＥ）を用いてｎ型１ｎＰクランド層１を
エピタキシャル成長させ（第３図（ａ）参照）、クラッ
ド層１上に干渉露光法などにより回折格子パターンを転
写し、ウエントエッチングなどにより回折格子２を形成
する（第３図Φ）参照）０回折格子形成後、グランドＮ
１上にマスキング剤（たとえばＳｉｎｇ、５ｉＮａなど
の誘電体薄膜が例示され、これらは電子ビーム蒸着、ス
パンタ、ＣＶＤ法などによって適用される）で絶縁層３
を設け（第３図（Ｃ１参照）、基板Ｂの一端から他端ま
でクラッドＮｌを露出する細長い溝７を絶縁層３に形成
する（第３図（ｄ）参照）。その後、絶縁Ｎ３上におい
て満７を覆うように、Ｌ Ｐ ＥなどによってＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層４及びｎ型１ｎＰクラツド＠５を順次エピ
タキシャル成長させてダブルへテロ接合を有する半導体
層を絶縁層３上に形成する（第３図（ｅ）参照）。そし
て、クラッド層５及び絶縁層３の表面にｐ側の電極材と
してたとえばＣｒ−Ａｕ、 ＡｕＺｎからなる電極Ｅ１
を、また基板Ｂの下面にｎ側の電極材としてたとえばＮ
ｉ−Ａｕ、 ＡｕＧｅからなる電極Ｅ２を真空蒸着など
の手段によってそれぞれ設け、最後に半導体層の両端面
を襞間し、この襞間面を反射鏡として用いる共振器を形
成する（第３図（ｆ）参照）ことにより、第１図に示し
た如き構造の半導体レーザが製造される。
実用には得られたレーザは、第２図の実施例に示すよう
に、その半導体層側をヒートシンク１０にボンディング
・ハンダ２０などで取付け、ワイヤーボンディングを行
えばよい。
に、その半導体層側をヒートシンク１０にボンディング
・ハンダ２０などで取付け、ワイヤーボンディングを行
えばよい。
製造工程からも理解されるように、導波路及び活性層の
形成にウェットエツチングなどのエツチング技術が不要
で、埋込成長を行う必要もな（、素子の製作が非常に容
易になり、半導体レーザを低価格で量産化することがで
きる。加えて、絶縁層の溝上に半導体層を形成するので
、基板の面方位や半導体層の各成長層厚を適宜選定する
ことで活性層の形状を製造工程で任意に変化させること
ができる結果、光フアイバ通信への適用では光ファイバ
との結合効率の増大も実現できる。
形成にウェットエツチングなどのエツチング技術が不要
で、埋込成長を行う必要もな（、素子の製作が非常に容
易になり、半導体レーザを低価格で量産化することがで
きる。加えて、絶縁層の溝上に半導体層を形成するので
、基板の面方位や半導体層の各成長層厚を適宜選定する
ことで活性層の形状を製造工程で任意に変化させること
ができる結果、光フアイバ通信への適用では光ファイバ
との結合効率の増大も実現できる。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の目的を逸脱しない限り他の態様であっても構わない、
たとえば、上記実施例のレーザはＤＦＢ型であるが、Ｄ
ＢＲ型に対しても適用可能である。さらには絶縁層上に
形成する半導体層の断面形状はドーム状である必要はな
（、矩形状などその他の形状であっても差し支えなく、
活性層の大きさも絶縁層上に盛り上がった形態の他に、
溝を丁度埋めて絶縁層と一様の厚さにしてもよい。
の目的を逸脱しない限り他の態様であっても構わない、
たとえば、上記実施例のレーザはＤＦＢ型であるが、Ｄ
ＢＲ型に対しても適用可能である。さらには絶縁層上に
形成する半導体層の断面形状はドーム状である必要はな
（、矩形状などその他の形状であっても差し支えなく、
活性層の大きさも絶縁層上に盛り上がった形態の他に、
溝を丁度埋めて絶縁層と一様の厚さにしてもよい。
また、電極Ｅ１、Ｅ２も実施例に示す大きさ及び形状に
特定されるものではなく、活性層に効率良く電流が注入
され得る限り、任意の大きさ及び形状で設けることがで
きる。
特定されるものではなく、活性層に効率良く電流が注入
され得る限り、任意の大きさ及び形状で設けることがで
きる。
以上より明らかなように、本発明の接合型半導体発光素
子は、半導体基板上に設けた回折格子上の絶縁層に回折
格子を露出する態様で溝を形成し、この溝を覆うように
活性層を含む半導体層を絶縁層上に形成したことにより
、その製造工程からも明らかなように素子の製作が大幅
に簡略化されたことと相まって低コストで大量生産が可
能であり、しかも活性層の形状を比較的簡単に変えるこ
とができ、通常のＤＦＢ型やＤＢＲ型レーザのみならず
、埋込成長を必要とするレーザダイオードにも適用でき
るなど実用上非常に有用なものである。
子は、半導体基板上に設けた回折格子上の絶縁層に回折
格子を露出する態様で溝を形成し、この溝を覆うように
活性層を含む半導体層を絶縁層上に形成したことにより
、その製造工程からも明らかなように素子の製作が大幅
に簡略化されたことと相まって低コストで大量生産が可
能であり、しかも活性層の形状を比較的簡単に変えるこ
とができ、通常のＤＦＢ型やＤＢＲ型レーザのみならず
、埋込成長を必要とするレーザダイオードにも適用でき
るなど実用上非常に有用なものである。
第１図は本発明の接合型半導体発光素子の一実施例の斜
視図、第２図は第１図の発光素子をヒートシンクに取付
けた時の断面図、第３図（ａ）〜（ｆ）は第１図に示し
た発光素子の製作工程の一例を示す流れ図、第４図は一
般的なりＦＢ型１ノ−ザの断面図、第５図（→〜（粉は
第４図に示したレーザの製作工程の一例を示す流れ図で
ある。 Ｂ ：基板 ■、５ ：エピタキシャル成長層２
：回折格子 ３ ；絶縁層 ４ ：活性層 Ｅｌ ：ｐ４！Ｉ！Ｉ電極ＥＺ
ｉｎ側電極 ７ ：溝 ｌＯ：ヒートシンク （ｄ） （ｂ）（ｄ）
（ｅ’） （Ｃ） １図
視図、第２図は第１図の発光素子をヒートシンクに取付
けた時の断面図、第３図（ａ）〜（ｆ）は第１図に示し
た発光素子の製作工程の一例を示す流れ図、第４図は一
般的なりＦＢ型１ノ−ザの断面図、第５図（→〜（粉は
第４図に示したレーザの製作工程の一例を示す流れ図で
ある。 Ｂ ：基板 ■、５ ：エピタキシャル成長層２
：回折格子 ３ ；絶縁層 ４ ：活性層 Ｅｌ ：ｐ４！Ｉ！Ｉ電極ＥＺ
ｉｎ側電極 ７ ：溝 ｌＯ：ヒートシンク （ｄ） （ｂ）（ｄ）
（ｅ’） （Ｃ） １図
Claims (1)
- 半導体基板の一方側に回折格子を設け、回折格子上に
絶縁層を設け、回折格子を露出するように絶縁層に細長
い溝を形成し、溝を覆うように活性層を含む一条の半導
体層を絶縁層上に形成し、半導体層上に上部電極を、及
び半導体基板の他方側に上部電極とは異なる極性の下部
電極を設けたことを特徴とする接合型半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63000555A JPH01179388A (ja) | 1988-01-05 | 1988-01-05 | 接合型半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63000555A JPH01179388A (ja) | 1988-01-05 | 1988-01-05 | 接合型半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01179388A true JPH01179388A (ja) | 1989-07-17 |
Family
ID=11476967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63000555A Pending JPH01179388A (ja) | 1988-01-05 | 1988-01-05 | 接合型半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01179388A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5144377A (en) * | 1991-04-04 | 1992-09-01 | University Of Delaware | High-speed heterojunction light-emitting diode |
-
1988
- 1988-01-05 JP JP63000555A patent/JPH01179388A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5144377A (en) * | 1991-04-04 | 1992-09-01 | University Of Delaware | High-speed heterojunction light-emitting diode |
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| A521 | Written amendment |
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