JPH01172905A - Forming method for multi-layer interference pattern - Google Patents
Forming method for multi-layer interference patternInfo
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- G03F1/84—Inspecting
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の技術分野〉
基板上に誘電体の多層干渉膜から成る複数種類のパター
ン、とりわけ色分解フィルターパターンを２次匹的に配
列することに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field of the Invention The present invention relates to arranging a plurality of types of patterns made of dielectric multilayer interference films, particularly color separation filter patterns, in a quadratic pattern on a substrate.
〈従来の技術〉
従来より盪像管や固体撮像素子などの撮像デバイスの色
分解フィルターとして、誘電体の多層干渉膜による色分
解フィルターが、多く使用されている。この様な色分解
フィルターの製造方法は、微細化が困難なリフトオフ方
式から、多層干渉膜をドライエツチングしてパターン化
する方式に移りつつある。しかしこの方法では、第二お
よび第三の多層干渉パターンをエツチングで形成すると
き、既に形成されている多層干渉パターンの上に積み重
なった部分のエツジの影響により、エツジ近くの耐エツ
チングマスクの形状が不良となったり、エツチングその
ものが不均一になったりして、良好な形状が得られない
、また、耐エツチングマスクの位置合わせが難しく、多
層干渉パターンどうしの重なりやすき間が発生する。ま
た、工程が長いため、収率が低い。<Prior Art> Conventionally, color separation filters made of dielectric multilayer interference films have been widely used as color separation filters for imaging devices such as picture tubes and solid-state image sensors. The method of manufacturing such color separation filters is shifting from the lift-off method, which is difficult to miniaturize, to a method in which a multilayer interference film is patterned by dry etching. However, in this method, when forming the second and third multilayer interference patterns by etching, the shape of the etching-resistant mask near the edges changes due to the influence of the edges of the parts stacked on the multilayer interference patterns that have already been formed. The etching may become defective or the etching itself may become non-uniform, making it impossible to obtain a good shape.Furthermore, it is difficult to align the etching-resistant mask, resulting in overlaps and gaps between the multilayer interference patterns. In addition, since the process is long, the yield is low.
従って、この様な問題点を解決する為、本出願人は、特
開昭６２−２８７０４７に示す発明を出願した。以下、
第２図で簡単に説明する。尚、各工程の括弧付アルファ
ベットは、各図の括弧付アルファベットに対応する。Therefore, in order to solve such problems, the present applicant filed an invention disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-287047. below,
This will be briefly explained with reference to FIG. It should be noted that the alphabet in parentheses for each step corresponds to the alphabet in parentheses in each figure.
（ａ） 基板ｌに第一の多層干渉膜２を真空蒸着等で
形成した後、第一の多層干渉膜の残すべき部分上に、第
一の耐エツチングマスク３を形成する。但し、残すべき
部分として、最終的に第一の多層干渉膜とする部分と、
第二色目の多層干渉膜を設けようとする部分を例示した
。第一の耐エツチングマスク３は、通常は真空蒸着、ス
パッター等によるＣｒ、 Ｃｕ、＾Ｌ Ｎｔ等の金属パ
ターンをエツチングまたはリフトオフで形成する。(a) After forming the first multilayer interference film 2 on the substrate l by vacuum evaporation or the like, a first etching-resistant mask 3 is formed on the portion of the first multilayer interference film that is to be left. However, the parts that should be left behind are the parts that will eventually become the first multilayer interference film,
The part where the second color multilayer interference film is to be provided is illustrated. The first etching-resistant mask 3 is usually formed by etching or lift-off a metal pattern of Cr, Cu, ^LNt, etc. by vacuum evaporation, sputtering, or the like.
ら） エツチングで第一の多層干渉膜２の露出面を順に
除去し、第一の多層干渉パターン２Ｐを得る。) The exposed surface of the first multilayer interference film 2 is sequentially removed by etching to obtain a first multilayer interference pattern 2P.
（Ｃ） 第二の多層干渉膜４を真空蒸着等により形成
する。(C) A second multilayer interference film 4 is formed by vacuum evaporation or the like.
（ｄ） 第一の耐エツチングマスク３をリフト材とし
て、第一の耐エツチングマスク３の上の第二の多層干渉
膜４をリフトオフする。リフトオフが終了した表面の内
、第一の多層干渉パターン２Ｐと第二の多層干渉膜４の
残すべき部分とを被覆するよう、第二の耐エツチングマ
スク５を形成する。(d) Using the first etching-resistant mask 3 as a lifting material, the second multilayer interference film 4 on the first etching-resistant mask 3 is lifted off. A second etching-resistant mask 5 is formed so as to cover the first multilayer interference pattern 2P and the remaining portion of the second multilayer interference film 4 on the surface after lift-off.
（ｅ） （ｂ）と同様のエツチングにより、第二の多
層干渉パターン４Ｐを得る。(e) A second multilayer interference pattern 4P is obtained by etching similar to (b).
（ｆ） 第三色目の多層干渉膜を設けようとする部分
に独立している残滓をエツチングして除去する。(f) Etch and remove the remaining residue in the area where the third color multilayer interference film is to be provided.
（栃、第三の多層干渉膜６を（Ｃ）と同様に形成する。(Tochi, the third multilayer interference film 6 is formed in the same manner as in (C).
（員 第二の耐エツチングマスク５をリフト材として、
第二の耐エツチングマスク５の上の第三の多層干渉膜６
をリフトオフする。(Member: Using the second etching-resistant mask 5 as a lift material,
Third multilayer interference film 6 on second etching-resistant mask 5
lift off.
〈発明が解決しようとする問題点〉
上述の技術を用いて多層干渉パターンを形成すると、第
二の多層干渉膜をエツチングするとき、第三の耐エツチ
ングマスクを用いることになる。<Problems to be Solved by the Invention> When a multilayer interference pattern is formed using the above-described technique, a third etching-resistant mask is used when etching the second multilayer interference film.
しかし、その第三の耐エツチングマスクをマスクずれ無
く位置合わせする事は困難で、必ず僅かながらずれが生
じる。その様なパターンでエツチングするとミ第一の多
層干渉膜とエツチングパターンとの間で残滓が残る。こ
の残滓は、第一の多層干渉膜と隣あっている為、第一の
多層干渉膜を傷つけず除去することは、困難である。従
ってこの作業には、多大な時間が係っていた。However, it is difficult to align the third etching-resistant mask without mask displacement, and a slight displacement always occurs. If such a pattern is etched, a residue will remain between the first multilayer interference film and the etched pattern. Since this residue is adjacent to the first multilayer interference film, it is difficult to remove it without damaging the first multilayer interference film. Therefore, this work took a lot of time.
また、第一の多層干渉膜は、第一のエツチング工程でも
第二のエツチング工程でもエツチング端部になり、二度
のエツチングにより、オーバーエッチになり易い、これ
を防止する為には、第一の多層干渉膜の側部にも耐エツ
チングマスクを設けなければならないが、これまた残滓
の原因になる。In addition, the first multilayer interference film becomes an etched edge in both the first etching process and the second etching process, and is likely to be over-etched by etching twice. An etching-resistant mask must also be provided on the sides of the multilayer interference film, but this also causes residue.
また、このため二度目のエツチングのとき、エツチング
マスクが第一色目の多層干渉パターンと、第二色目の多
層干渉パターンとの残滓の間に残ってしまい、この影響
で上部だけがエツチングされ、エツチング端部がなだら
かな形状になってしまう。Also, for this reason, during the second etching, the etching mask remains between the residues of the first color multilayer interference pattern and the second color multilayer interference pattern, and as a result, only the upper part is etched. The edges end up with a gentle shape.
く問題点を解決するための手段〉 本発明の多層干渉パターンの形成方法を以下説明する。Means to solve problems〉 A method for forming a multilayer interference pattern according to the present invention will be explained below.
但し、以下三色の場合をもとに説明するが、二色目以降
の工程を繰り返す事で、四色以上の多色のものについて
も適用できる。However, although the following explanation will be based on the case of three colors, it can also be applied to multi-colored products of four or more colors by repeating the process for the second and subsequent colors.
第１図は第２図同様に三種類の多層干渉パターンを二次
元的に配列する場合について説明するものであるが、一
般に複数種類の多層干渉パターンを配列する場合も同様
の方法が可能である。尚、各工程の括弧付アルファベッ
トは、各図の括弧付アルファベットに対応する。Figure 1, like Figure 2, explains the case where three types of multilayer interference patterns are arranged two-dimensionally, but the same method is generally possible when arranging multiple types of multilayer interference patterns. . It should be noted that the alphabet in parentheses for each step corresponds to the alphabet in parentheses in each figure.
（ａ） ガラス、固体擦傷素子等の基板ｌに第一の多
層干渉膜２を真空蒸着等により形成した後、第一の多層
干渉膜の残すべき部分とそれに接する第三色目の中途迄
を被覆するように第一の耐エツチングマスク３を形成す
る。但し、残すべき部分とは、本実施例では、第三色目
の多層干渉膜を設けようとする部分の中間である。尚、
その第一の耐エツチングマスク３は、感光性樹脂である
ことも場合により可能であるが、通常は真空蒸着、スパ
ッター等によるＣｒ、、Ｃｕ、 ＡＩ、 Ｎｉ等の金属
パターンをエツチング法またはリフトオフ法により形成
してマスクとした方が好ましい。(a) After forming the first multilayer interference film 2 on a substrate l such as glass or a solid abrasion element by vacuum evaporation or the like, cover the portion of the first multilayer interference film to be left and the middle part of the third color in contact therewith. The first etching-resistant mask 3 is formed in such a manner. However, in this embodiment, the portion to be left is the middle portion of the portion where the third color multilayer interference film is to be provided. still,
The first etching-resistant mask 3 may be made of a photosensitive resin in some cases, but usually a metal pattern of Cr, Cu, AI, Ni, etc. is formed by vacuum evaporation, sputtering, etc. by an etching method or a lift-off method. It is preferable to form a mask using the following method.
［有］） エツチングにより第一の多層干渉ｌＩ！２の
露出された面から除去していき、エツチングされた第一
の多層干渉膜２Ｑを得る。この工程は通常、ドライエツ
チングとりわけ反応性イオンエツチングが実用的である
。[Yes]) First multilayer interference by etching! The first multilayer interference film 2Q is obtained by removing the exposed surface of the first multilayer interference film 2Q. Dry etching, particularly reactive ion etching, is usually practical for this step.
（Ｃ） 第二の多層干渉膜４を真空蒸着等により形成
する。(C) A second multilayer interference film 4 is formed by vacuum evaporation or the like.
（ｄ） 第一の耐エツチングマスク３をリフト材とし
て用いて、第一の耐エツチングマスク３の上の第二の多
層干渉膜４をリフトオフする。ここで第一の耐エツチン
グマスク３の厚さは比較的薄いが、パターンが微細化し
てくるほどリフトオフは容易となる。その後リフトオフ
が終了して比較的平坦になった表面の内、エツチングさ
れた第一の多層干渉膜２Ｑと第二の多層干渉膜４のうち
残すべき部分を被覆するように第二の耐エツチングマス
ク５を形成する。なお、−ａに各多層干渉膜の厚さは異
なるので上記リフトオフ後も完全な平坦化は望めない、
しかし、リフトオフしない場合と比較してはるかに良好
な平坦化表面が得られるものである。(d) Using the first etching-resistant mask 3 as a lift material, lift off the second multilayer interference film 4 on the first etching-resistant mask 3. Although the thickness of the first etching-resistant mask 3 is relatively thin, lift-off becomes easier as the pattern becomes finer. After that, on the surface that has become relatively flat after the lift-off is completed, a second etching-resistant mask is applied to cover the parts of the etched first multilayer interference film 2Q and second multilayer interference film 4 that should be left. form 5. In addition, since the thickness of each multilayer interference film is different from -a, complete flattening cannot be expected even after the above lift-off.
However, a much better planarized surface is obtained compared to the case without lift-off.
＜ｅ＞ エツチングによりエツチングされた第一の多
層干渉膜２Ｑと第二の多層干渉膜４の露出された面から
除去していき、第一の多層干渉パターン４Ｐと第二の多
層干渉パターン４Ｐを得る。この工程は通常、ドライエ
ツチングとりわけ反応性イオンエツチングが実用的であ
る。<e> The exposed surfaces of the first multilayer interference film 2Q and the second multilayer interference film 4 that have been etched are removed to form the first multilayer interference pattern 4P and the second multilayer interference pattern 4P. obtain. Dry etching, particularly reactive ion etching, is usually practical for this step.
（ｆ） 第三色目の多層干渉膜を設けようとする部分
に独立している残滓をエツチングして除去する。(f) Etch and remove the remaining residue in the area where the third color multilayer interference film is to be provided.
（樽 第三の多層干渉膜６を真空蒸着等により形成する
。(Barrel) The third multilayer interference film 6 is formed by vacuum evaporation or the like.
（ｈ） 第一の耐エツチングマスク５をリフト材とし
テ用いて、第一の耐エツチングマスク５の上の第三の多
層干渉膜６をリフトオフする。ここで第一の耐エツチン
グマスク５の厚さは比較的薄いが、パターンが微細化し
てくるほどリフトオフは容易となる。(h) Using the first etching-resistant mask 5 as a lift material, lift off the third multilayer interference film 6 on the first etching-resistant mask 5. Although the thickness of the first etching-resistant mask 5 is relatively thin, lift-off becomes easier as the pattern becomes finer.
本説明では第三の多層干渉パターン６Ｐが第一および第
二の多層干渉パターン２Ｐおよび４Ｐ以外の有効平面領
域を覆い尽くす例について述べているので、この後、第
二の耐エツチングマスク５をリフト材として用いて第一
の耐エツチングマスク５の上の第三の多層干渉膜６をリ
フトオフすると、各多層干渉パターン２Ｐ、４Ｐ、６Ｐ
がすき間や重なりなく横並びとなり、一連のプロセスが
完了する。In this explanation, an example is described in which the third multilayer interference pattern 6P completely covers the effective plane area other than the first and second multilayer interference patterns 2P and 4P, so after this, the second etching-resistant mask 5 is lifted. When the third multilayer interference film 6 on the first etching-resistant mask 5 is lifted off using the etching material, each multilayer interference pattern 2P, 4P, 6P is formed.
are lined up side by side without any gaps or overlaps, and the series of processes is completed.
く作用〉
上述の手段を講じると、第二のエツチング工程のとき生
じる多層残滓の発生場所が、三色口の入る中央になる。Effect> When the above-mentioned measures are taken, the multilayered residue generated during the second etching step will be generated at the center where the tricolor opening will be located.
また、二度目のエツチングと一度目のエラチン −グ
とをほぼ同じエツチング面積とする事も可能となる。Furthermore, it is also possible to make the second etching and the first etching approximately the same etching area.
〈実施例〉
高精細度撮像管用分解フィルターへの適用例について述
べる。この適用例は、以下１０個の工程により成り立っ
ている。<Example> An example of application to a resolution filter for a high-definition image pickup tube will be described. This application example consists of the following 10 steps.
１、ガラス基板上に通常の多層光学薄膜用真空蒸着装置
によりＴｉＯ□と５ｉ（ｈを交互に積層して厚さ１゜６
Ｐｍの緑色色分解層を蒸着する。1. TiO□ and 5i(h) were alternately stacked on a glass substrate using a normal vacuum evaporation device for multilayer optical thin films to a thickness of 1°6.
Deposit a green color separation layer of Pm.
２、スパッターによりＣｒ層約２，０００ 人堆積した
後、通常のフォトリソプロセスにより残すべき緑色のス
トライプパターンに相当するＣｒパターンを形成するこ
とによって三色口以降のパターンとのアライメントマー
クを作るためのＣｒパターンもここで同時に形成する。2. After depositing approximately 2,000 Cr layers by sputtering, a Cr pattern corresponding to the green stripe pattern to be left is formed by a normal photolithography process to create an alignment mark with the pattern after the tricolor. A Cr pattern is also formed here at the same time.
Ｃｒのエツチングは硝酸第２セリウムアンモニウム液に
て行なう。Etching of Cr is performed using a ceric ammonium nitrate solution.
３、Ｃｒパターンを耐エツチングマスクとして緑色色分
解層をドライエツチングする。フロン１２（ＣＣｌｚＦ
ｇ）を２０５ＣＣＭ導入してガス圧を１ 、 ＯＰａ
とした反応室内の電極板上に設置されたサンプルに対し
てＲＦパワー０．２５１１ａｔｔ／ｃｄを３５分間印加
して反応性イオンエツチングを行なう。3. Dry etching the green color separation layer using the Cr pattern as an etching-resistant mask. Freon 12 (CClzF
g) was introduced at 205 CCM and the gas pressure was set to 1, OPa.
Reactive ion etching was performed by applying RF power of 0.2511 att/cd for 35 minutes to the sample placed on the electrode plate in the reaction chamber.
４、厚さ１．３ μｍの赤色色分解層を１．と同様に蒸
着する。4. 1.3 μm thick red color separation layer. Deposit in the same manner as .
５、緑色パターン上の赤色色分解層をＣｒの耐エツチン
グマスクと共にリフトオフする。Ｃｒのエツチング液に
約１時間浸漬後超音波洗浄を約３０分実施することによ
りリフトオフが完了する。5. Lift off the red color separation layer on the green pattern together with the Cr etching-resistant mask. Lift-off is completed by immersing in a Cr etching solution for about 1 hour and then performing ultrasonic cleaning for about 30 minutes.
６．２．と同様にＣｒ層を堆積した後、通常のフォトリ
ソプロセスにより緑色パターンと新たにパターン化すべ
き赤色パターンとを被覆する形で一色目でたてたテーパ
ーを崩さない様に二色どちらも必要寸法Ｃｒパターンを
形成する。6.2. After depositing a Cr layer in the same manner as above, by a normal photolithography process, the required size of Cr is applied to both colors so as to cover the green pattern and the red pattern to be newly patterned, so as not to destroy the taper created by the first color. form a pattern.
７、Ｃｒパターンを耐エツチングマスクとして赤色色分
解層をエツチング時間３７分間にして３．と同様にドラ
イエツチングする。7. Using the Cr pattern as an etching-resistant mask, etching the red color separation layer for 37 minutes.3. Dry etching in the same way.
８、厚さ０．９ μ−の青色色分解層を１．や４．と同
様に蒸着する。8. A blue color separation layer with a thickness of 1. Ya 4. Deposit in the same manner as .
９、緑色パターンおよび赤色パターン上の青色色分解層
を５．と同様にリフトオフする。9. Blue color separation layer on green pattern and red pattern 5. Lift off in the same way.
１０、以上で他工程は終了するが、さらに光学的黒部の
形成他面付ガラスの断裁加工、透明オーバーコート層の
形成と研磨による平坦化を経て色分解フィルターが完成
する。10. The other steps are completed above, but the color separation filter is completed after forming an optical black part, cutting the glass with a surface, forming a transparent overcoat layer, and flattening by polishing.
以上により一色の幅が約３μｍの高精細度撮像管用分解
フィルターが画線形状、寸法精度共に良好に形成された
。As a result of the above, a resolution filter for a high-definition image pickup tube having a width of about 3 μm per color was formed with good image shape and dimensional accuracy.
〈効果〉
本発明は従来の色分解フィルターに関して上述した各種
の問題点を解決したほか付随的な効果も得られた。以下
に要約する。<Effects> The present invention not only solved the various problems mentioned above regarding conventional color separation filters, but also obtained additional effects. It is summarized below.
（１）多層残滓を三色口の入る中央に持ってくる為、パ
ターンニングの時に溝の中のＣｒを、従来より薄（でき
る事により、多層残滓取りの時間を短縮できる。(1) Since the multi-layer residue is brought to the center of the tri-color opening, the Cr in the groove can be made thinner than before during patterning, thereby reducing the time required to remove the multi-layer residue.
（２）第一の多層干渉パターンの端部形状が二色口のエ
ツチングにより決まるため、エツチング形状を決定する
のが容易である。(2) Since the end shape of the first multilayer interference pattern is determined by etching the two-color opening, it is easy to determine the etching shape.
（３）二度目のエツチングと一度目のエツチングと゛
をほぼ同じエツチング面積とする事も可能となり、
この場合、二度目のエツチングを一度目のエツチング条
件から変更する必要がない。(3) Second etching and first etching
It is also possible to have almost the same etching area,
In this case, there is no need to change the etching conditions for the second etching from the first etching conditions.
（４）第一の多層干渉パターンの端部形状が一回のエツ
チングにより決まるため、エツチング形状が切り立って
いる。(4) Since the end shape of the first multilayer interference pattern is determined by one etching, the etched shape is steep.
第１図は本発明の多層干渉パターンの形成方法を説明す
るために工程に従って示した概略断面図であり、第２図
は従来の方法により第１図と同様の多層干渉パターンを
形成する際の工程を説明する概略断面図である。
１、基板
２、第一の多層干渉膜
２Ｐ、第一の多層干渉パターン
２Ｑ、エツチングされた第一の多層干渉膜３、第一の耐
エツチングマスク
４、第二の多層干渉膜
４Ｐ、第二の多層干渉パターン
５、第二の耐エツチングマスク
６、第三の多層干渉膜 “
６Ｐ、第三の多層干渉パターン
７、第三の耐エツチングマスク
８、残滓
特 許 出 願 人
凸版印刷株式会社
代表者 鈴木和夫
第１図
第２図
４Ｐ ２ＰFIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the steps for explaining the method for forming a multilayer interference pattern of the present invention, and FIG. It is a schematic sectional view explaining a process. 1. Substrate 2, first multilayer interference film 2P, first multilayer interference pattern 2Q, etched first multilayer interference film 3, first etching-resistant mask 4, second multilayer interference film 4P, second Multilayer interference pattern 5, second etching-resistant mask 6, third multilayer interference film 6P, third multilayer interference pattern 7, third etching-resistant mask 8, residue patent applicant Representative of Toppan Printing Co., Ltd. Person: Kazuo Suzuki Figure 1 Figure 2 4P 2P
Claims (1)
け、次に少なくとも第二色目を所望するパターン形成領
域とそれに接する第三色目の中途迄以外を耐エッチング
マスクで被覆し、エッチングして第二色目を所望するパ
ターン形成領域内の多層干渉膜を除去し、次に基板の有
効領域全体に第二色目の多層干渉膜を形成し、耐エッチ
ングマスクをリフト材としてその上に乗っているパター
ン形成領域以外に設けられた多層干渉膜を同時にリフト
オフし、三色以上の多層干渉膜を所望する場合は、色数
だけ前記耐エッチングマスク被覆、エッチング、多層干
渉膜形成、リフトオフ工程を繰り返す事を特徴とする多
層干渉パターンの形成方法。 ２）エッチング方法として反応性イオンエッチングを利
用することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多
層干渉パターンの形成方法 ３）耐エッチングマスクとしてクロム薄膜を利用するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項および第２項記載
の多層干渉パターンの形成方法。 ４）多層干渉膜としてＳｉＯ＿２とＴｉＯ＿２との交互
積層により、それぞれレッド、グリーン、ブルーに相当
する撮像デバイス用色分解フィルターを構成することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多層干渉パター
ンの形成方法。[Claims] 1) A multilayer interference film for the first color is provided over the entire effective area on the substrate, and then at least the area other than the desired pattern formation area for the second color and the middle part of the third color adjacent thereto is made resistant to etching. Cover with a mask and etch the second color to remove the multilayer interference film in the desired patterning area, then form the second color multilayer interference film over the entire active area of the substrate and lift the etch-resistant mask. If you want to simultaneously lift off the multilayer interference film provided in areas other than the pattern formation area on top of the multilayer interference film as a material, and if you want a multilayer interference film with three or more colors, apply the etching-resistant mask coating, etching, and multilayer interference film as many times as the number of colors. A method for forming a multilayer interference pattern characterized by repeating film formation and lift-off processes. 2) A method for forming a multilayer interference pattern according to claim 1, in which reactive ion etching is used as an etching method. 3) A chromium thin film is used as an etching-resistant mask. A method for forming a multilayer interference pattern according to items 1 and 2. 4) The multilayer interference pattern according to claim 1, wherein the multilayer interference film constitutes a color separation filter for an imaging device corresponding to red, green, and blue, respectively, by alternately laminating SiO_2 and TiO_2. How to form.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33219287A JPH0621881B2 (en) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | Method of forming multilayer interference pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33219287A JPH0621881B2 (en) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | Method of forming multilayer interference pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01172905A true JPH01172905A (en) | 1989-07-07 |
| JPH0621881B2 JPH0621881B2 (en) | 1994-03-23 |
Family
ID=18252201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33219287A Expired - Lifetime JPH0621881B2 (en) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | Method of forming multilayer interference pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621881B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4407067A1 (en) * | 1994-03-03 | 1995-09-07 | Balzers Hochvakuum | Dielectric interference filter system, LCD display and CCD arrangement, and method for producing a dielectric interference filter system and use of the method |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP33219287A patent/JPH0621881B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4407067A1 (en) * | 1994-03-03 | 1995-09-07 | Balzers Hochvakuum | Dielectric interference filter system, LCD display and CCD arrangement, and method for producing a dielectric interference filter system and use of the method |
| US6342970B1 (en) | 1994-03-03 | 2002-01-29 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Dielectric interference filter system, LCD-display and CCD-arrangement as well as process for manufacturing a dielectric interference filter system and use of this process |
| DE4407067C2 (en) * | 1994-03-03 | 2003-06-18 | Unaxis Balzers Ag | Dielectric interference filter system, LCD display and CCD arrangement as well as method for producing a dielectric interference filter system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0621881B2 (en) | 1994-03-23 |
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