JPH01170081A - Semiconductor substrate provided with superconductor layer - Google Patents
Semiconductor substrate provided with superconductor layerInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体基板に関する。より詳細には、酸化物
基板上に形成された複合酸化物超電導体薄膜上に半導体
層が積層された構造を有する半導体基板に関するもので
ある。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to semiconductor substrates. More specifically, the present invention relates to a semiconductor substrate having a structure in which a semiconductor layer is laminated on a composite oxide superconductor thin film formed on an oxide substrate.
本発明の半導体基板は上記超電導体層を半導体回路の配
線材料として用いるだけで無く、上記超電導体にジョセ
フソン結合を形成したジョセフソン素子、あるいは超電
導体と半導体とを組み合わせたトランジスターやホット
エレクトロントランジスター等の超電導体素子材料とし
て用いることができる。The semiconductor substrate of the present invention not only uses the above-mentioned superconductor layer as a wiring material for a semiconductor circuit, but also a Josephson element in which a Josephson bond is formed in the above-mentioned superconductor, a transistor or a hot electron transistor in which a superconductor and a semiconductor are combined. It can be used as a superconductor element material such as.
従来の技術
従来の半導体集積回路はシリコン等の半導体単結晶基板
上に絶縁膜を形成してパターニングを施し、熱拡散、イ
オン注入等で不純物をドープすることにより必要な素子
を作製し、金属を蒸着させて配線している。Conventional technology Conventional semiconductor integrated circuits are made by forming an insulating film on a semiconductor single crystal substrate such as silicon, patterning it, doping with impurities by thermal diffusion, ion implantation, etc. to fabricate the necessary elements, and then metal. Wiring is done by vapor deposition.
上記金属配線パターンは、蒸着で形成されるため断面積
が非常に微小となり、信号電流のロスがあった。Since the metal wiring pattern is formed by vapor deposition, its cross-sectional area is extremely small, resulting in loss of signal current.
また、超電導体と半導体とを組み合わせたトランジスタ
ーやホットエレクトロントランジスター等の超電導体と
半導体を組み合わせた素子は概念的には提案されている
が複合酸化物超電導材料を具体的に用いたものは無い。In addition, although elements that combine superconductors and semiconductors, such as transistors that combine superconductors and semiconductors and hot electron transistors, have been conceptually proposed, none have specifically used composite oxide superconducting materials.
発明が解決しようとする問題点
半導体集積回路の金属配線パターンは、蒸着等で形成さ
れるため断面積が微小で信号電流のロスが避けられなか
った。また、半導体集積回路の動作速度を向上させるに
は、素子そのものの動作速度を向上させることも重要で
あるが、配線における信号伝播速度を向上させることも
必要である。Problems to be Solved by the Invention Since the metal wiring patterns of semiconductor integrated circuits are formed by vapor deposition or the like, their cross-sectional area is minute, and loss of signal current is unavoidable. Furthermore, in order to improve the operating speed of a semiconductor integrated circuit, it is important to improve the operating speed of the element itself, but it is also necessary to improve the signal propagation speed in wiring.
ところが、従来の半導体集積回路では配線部分における
ロスのため信号伝播速度を向上させるのに限界があった
。また、配線部分におけるロスのため素子の集積度があ
がり高密度化が進むと、消費電力が上昇し、それに伴う
発熱のため集積度の限界も自ずから決まってしまってい
た。However, in conventional semiconductor integrated circuits, there is a limit to improving the signal propagation speed due to loss in the wiring portion. Furthermore, as the degree of integration of elements increases due to loss in wiring portions and density increases, power consumption increases, and the heat generated thereby naturally limits the degree of integration.
さらに、超電導体と半導体とを組み合わせた超電導トラ
ンジスタやホットエレクトロントランジスタ等の超電導
素子を形成する場合には半導体単結晶層と超電導材料の
層が均一に積層された半導体単結晶基板が必須であるが
、従来のＮｂ系の超電導材料では半導体単結晶層と超電
導材料の層が均一に積層されているものはなかった。Furthermore, when forming superconducting elements such as superconducting transistors and hot electron transistors that combine superconductors and semiconductors, a semiconductor single crystal substrate in which a semiconductor single crystal layer and a superconducting material layer are uniformly laminated is essential. Among conventional Nb-based superconducting materials, there has been no one in which a semiconductor single crystal layer and a superconducting material layer are uniformly laminated.
本発明の目的は、上記の問題を解決して半導体単結晶層
と複合酸化物超電導体層が均一に積層された構造を有す
る超電導体と半導体からなる基板を提供することにある
。An object of the present invention is to solve the above problems and provide a substrate made of a superconductor and a semiconductor having a structure in which a semiconductor single crystal layer and a composite oxide superconductor layer are uniformly laminated.
問題点を解決するための手段
本発明に従うと、Ｓｉ基板上に ＧａＡｓ 半導体層
が形成され、該半導体層上に周期律表１ａ族元素から選
択された少なくとも１種の元素α、周期律表ｍａ族元素
から選択された少なくとも１種の元素β、周期律表Ｉ
ｂ、 ＩＩ ｂｓ ＩＩ［ｂｓ ｒＶａ、ＶＩＩＩａ族
元素から選択された少なくとも１種の元素γを含有する
複合酸化物超電導体層が積層されていることを特徴とす
る超電導体層を有する半導体基板が提供される。Means for Solving the Problems According to the present invention, a GaAs semiconductor layer is formed on a Si substrate, and on the semiconductor layer at least one element α selected from elements of group 1a of the periodic table, At least one element β selected from group elements β, periodic table I
b, II bs II[bs rVa, a semiconductor substrate having a superconductor layer characterized in that a composite oxide superconductor layer containing at least one element γ selected from Group VIIIa elements is laminated. be done.
本発明に従うと、上記超電導体は複合酸化物超電導材料
によって形成されているのが好ましい。According to the invention, the superconductor is preferably formed of a composite oxide superconducting material.
この複合酸化物超電導材料としては公知の任意の材料を
用いることができる。特に、下記一般式：％式％）
（但し、αは周期律表ＩＩａ族に含まれる元素であり、
βは周期律表１ａ族に含まれる元素であり、Ｔは周期律
表１ｂ、Ｉ［ｂ、［Ｉｂ％ ＩＶａおよび■族から選択
される少なくとも一つの元素であり、Ｘｓ ３’Ｎ Ｚ
はそれぞれ０．１ ≦ｘ≦０．９．０．４≦ｙ≦３．０
．１≦ｚ≦５を満たす数である）
で示される複合酸化物が好ましい。これらの複合酸化物
はペロブスカイト型または酸素欠陥型ペロブスカイト型
酸化物を主体としたものと考えられる。Any known material can be used as this composite oxide superconducting material. In particular, the following general formula: % formula %) (However, α is an element included in Group IIa of the periodic table,
β is an element included in group 1a of the periodic table, T is at least one element selected from group 1b, I[b, [Ib% IVa, and ■ group of the periodic table, Xs 3'N Z
are respectively 0.1 ≦x≦0.9.0.4≦y≦3.0
．． (a number satisfying 1≦z≦5) is preferable. These composite oxides are thought to be mainly composed of perovskite-type or oxygen-deficient perovskite-type oxides.
上記周期律表Ｉｌａ族元素αとしては、Ｂａ、 Ｓｒ、
Ｃａ、 Ｍｇ、 Ｂｅ等が好ましく、例えば、Ｂａ、
Ｓｒを挙げることができ、この元素αの１０〜８０％を
Ｍｇ、 Ｃａ。The above-mentioned periodic table Ila group elements α include Ba, Sr,
Ca, Mg, Be, etc. are preferable, for example, Ba,
Sr can be mentioned, and 10 to 80% of this element α is Mg and Ca.
Ｓｒから選択された１種または２種の元素で置換するこ
ともできる。また上記周期律表ＩＩ［ａ族元素βはとし
ては、Ｙの他Ｌａ、 ５ｃＳＣｅ、 Ｇｄ５Ｈｏ、 Ｅ
ｒ、 Ｔｅｎ。It can also be replaced with one or two elements selected from Sr. In addition, in the periodic table II [a group elements β include Y, La, 5cSCe, Gd5Ho, E
r, Ten.
Ｙｂ５Ｌｕ等ランタノイド元素が好ましく、例えばＹｌ
Ｌａ、 Ｈａとすることができ、さらにこの元素βのう
ち、１０〜８０％をＳｃまたはランタノイド元素から選
択された１種または２種の元素で置換することもできる
。前記元素γは一般にＣｕであるが、その−部を周期律
表１ ｂｓ １ ｂ ｓ ＩＩＩ ｂｓ ■ａおよびＶ
ＩＩＩａ族から選択される他の元素、例えば、Ｔ１、Ｖ
等で置換することもできる。Lanthanoid elements such as Yb5Lu are preferred, for example Yl
It can be La, Ha, and furthermore, 10 to 80% of this element β can be replaced with one or two elements selected from Sc or lanthanide elements. The element γ is generally Cu, and its - part is shown in Periodic Table 1 bs 1 b s III bs ■a and V
Other elements selected from group IIIa, such as T1, V
You can also replace it with etc.
作用
本発明の超電導体層を有する半導体基板は、Ｓｉ基板上
に形成された半導体層上に複合酸化物超電導体薄膜が形
成されているところにその主要な特徴がある。すなわち
、本発明の超電導層を有する半導体基板は、公知任意の
半導体と複合酸化物超電導体を組み合わせた新規な半導
体デバイスの材料となるものである。Function The main feature of the semiconductor substrate having a superconductor layer of the present invention is that a composite oxide superconductor thin film is formed on a semiconductor layer formed on a Si substrate. That is, the semiconductor substrate having a superconducting layer of the present invention can be used as a material for a novel semiconductor device that combines any known semiconductor and a composite oxide superconductor.
本発明の超電導体層を有する半導体基板は、複合酸化物
超電導体を単なる配線用材料として使用するだけでなく
、複合酸化物超電導体の部分にジョセフソン接合を形成
した半導体デバイスあるいは半導体基板と超電導体とを
組み合わせた超電導トランジスタやホットエレクトロン
トランジスタのような新規な超電導素子を形成するため
の集積回路基板あるいはデバイス用基材として用いるこ
とができる。The semiconductor substrate having a superconductor layer of the present invention can be used not only as a simple wiring material, but also as a superconductor with a semiconductor device or a semiconductor substrate in which a Josephson junction is formed in the composite oxide superconductor. It can be used as an integrated circuit substrate or device substrate for forming new superconducting elements such as superconducting transistors and hot electron transistors in combination with other materials.
本発明の超電導体層を有する半導体基板に使用する複合
酸化物超電導体としては、ＹＢＣＯと称されるＹ１Ｂａ
２ＣｕｓＯｔ−ｘで代表されるような多層ペロブスカイ
ト結晶構造を有する複合酸化物が好ましい。しかしなか
らこれに限定されるものではなく、公知の超電導体の中
から任意のものを選択して使用することが可能である。The composite oxide superconductor used in the semiconductor substrate having a superconductor layer of the present invention is Y1Ba, also called YBCO.
A composite oxide having a multilayer perovskite crystal structure such as 2CusOt-x is preferred. However, the material is not limited thereto, and any known superconductor may be selected and used.
本発明の超電導体層を有する半導体基板を作製するには
、以下の手順によることが好ましい。Ｓｉ基板上にＣＶ
Ｄ法、ＭＢＥ法等の公知の方法でＧａＡｓ半導体単結晶
層を形成し、該ＧａＡｓ半導体層上にスパッタリング、
真空蒸着、分子線エピタキシ、イオンビーム蒸着等の物
理蒸着法またはプラズマＣＶＤ法、ＭｏＣＶＤ法等のＣ
ＶＤ法で複合酸化物超電導体薄膜を形成する。物理蒸着
法としては、特にマグネトロンスパッタリングが好まし
い。また、成膜後、酸素雰囲気中で熱処理を行うとかあ
るいは酸素プラズマに曝す等の後処理を行い、上記の薄
膜を構成している複合酸化物超電導体結晶中の酸素濃度
を適正に調整することが好ましい。In order to produce a semiconductor substrate having a superconductor layer of the present invention, it is preferable to follow the following procedure. CV on Si substrate
A GaAs semiconductor single crystal layer is formed by a known method such as the D method or the MBE method, and sputtering is performed on the GaAs semiconductor layer.
Physical vapor deposition methods such as vacuum evaporation, molecular beam epitaxy, and ion beam evaporation, or plasma CVD methods, MoCVD methods, etc.
A composite oxide superconductor thin film is formed using the VD method. As the physical vapor deposition method, magnetron sputtering is particularly preferred. In addition, after the film is formed, post-treatment such as heat treatment in an oxygen atmosphere or exposure to oxygen plasma is performed to appropriately adjust the oxygen concentration in the composite oxide superconductor crystal that constitutes the above-mentioned thin film. is preferred.
これらの処理を行う際に、半導体の特性を損なわないよ
う十分注意する必要がある。そこで、特に超電導体薄膜
を成膜する際の基板温度は７００℃以下にすることが好
ましく、また、後処理の際にも基板温度を必要以上に高
くすることは避けなければならない。When performing these treatments, sufficient care must be taken not to damage the characteristics of the semiconductor. Therefore, it is preferable that the substrate temperature be 700° C. or lower, particularly when forming a superconductor thin film, and it is also necessary to avoid increasing the substrate temperature more than necessary during post-processing.
実施例
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、以下
に記載するものは本発明の単なる実施例に過ぎず、以下
の開示により、本発明の範囲が同等制限されないことは
勿論である。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically explained by examples, but the following are merely examples of the present invention, and it goes without saying that the scope of the present invention is not similarly limited by the following disclosure. be.
Ｓｉ基板上にＧａＡｓ半導体単結晶層を形成し、さらに
複合酸化物超電導体層を積層した第１図に示す本発明の
超電導体層を有する半導体基板を作製した。A semiconductor substrate having a superconductor layer of the present invention as shown in FIG. 1 was prepared by forming a GaAs semiconductor single crystal layer on a Si substrate and further laminating a composite oxide superconductor layer.
Ｓｉ基板上に、公知のＣＶＤ法でＧａＡｓ単結晶層を形
成した後、該ＧａＡｓ単結晶層上にＹＢａ２Ｃｕ４．
ｓ Ｏｘ焼結体粉末および１（ＯＢａ２．５ｃｕ４．
ｆｆ Ｏｘ焼結体粉末をターゲットとして、マグネトロ
ンスパッタリング法により、複合酸化物超電導体薄膜を
形成した。After forming a GaAs single crystal layer on a Si substrate by a known CVD method, YBa2Cu4.
s Ox sintered powder and 1 (OBa2.5cu4.
A composite oxide superconductor thin film was formed by magnetron sputtering using ff Ox sintered powder as a target.
基板とターゲットの位置関係および高周波電力の大きさ
に特に注意し、基板温度７００℃でスパッタリングを行
い、複合酸化物超電導体層を１０００人まで成長させた
。Particular attention was paid to the positional relationship between the substrate and the target and the magnitude of the high-frequency power, and sputtering was performed at a substrate temperature of 700°C to grow a composite oxide superconductor layer of up to 1,000 layers.
上記のように作製した本発明の超電導体層を有する半導
体基板は、いずれのものも半導体と超電導体との界面の
状態がよく、半導体デバイス材料として優れた特性を有
していた。また、それぞれの試料の超電導体層の超電導
臨界温度を以下の第１表に示す。All of the semiconductor substrates having the superconductor layer of the present invention produced as described above had a good interface between the semiconductor and the superconductor, and had excellent properties as a semiconductor device material. Further, the superconducting critical temperature of the superconductor layer of each sample is shown in Table 1 below.
第１表
以上説明したように、本発明の超電導体層を有する半導
体基板は、超電導臨界温度も液体窒素が十分使用できる
程度に高く、また、超電導体−半導体界面の状態もよい
ので半導体デバイス用基板としてたいへん有効である。As explained above in Table 1, the semiconductor substrate having the superconductor layer of the present invention has a superconducting critical temperature high enough to allow liquid nitrogen to be used, and the state of the superconductor-semiconductor interface is good, so it can be used for semiconductor devices. It is very effective as a substrate.
発明の効果
本発明により、新規な半導体デバイス材料としてたいへ
ん有効な超電導体層を有する半導体基板が提供される。Effects of the Invention The present invention provides a semiconductor substrate having a superconductor layer that is very effective as a novel semiconductor device material.
本発明により、半導体デバイスの高速化、高密度化がさ
らに推進される。さらに、本発明はジョセフソン素子と
異なり、３端子以上の端子を有する超電導体を利用した
半導体デバイス等に応用が可能である。The present invention further promotes higher speed and higher density of semiconductor devices. Further, unlike Josephson devices, the present invention can be applied to semiconductor devices using superconductors having three or more terminals.
第１図は、本発明の超電導体層を有する半導体基板の一
例である。
〔主な参照番号〕
ｌ・・複合酸化物超電導体、
２・・ＧａＡｓ半導体単結晶層、
３・・Ｓｉ単結晶基板、
特許出願人 住友電気工業株式会社FIG. 1 is an example of a semiconductor substrate having a superconductor layer of the present invention. [Main reference numbers] l...Composite oxide superconductor, 2...GaAs semiconductor single crystal layer, 3...Si single crystal substrate, Patent applicant Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Claims (25)
ａＡｓ半導体層上に周期律表IIａ族元素から選択された
少なくとも１種の元素α、周期律表IIIａ族元素から選
択された少なくとも１種の元素β、周期律表 I ｂ、II
ｂ、IIIｂ、IVａ、VIIIａ族元素から選択された少なく
とも１種の元素γを含有する複合酸化物超電導体層が積
層されていることを特徴とする超電導体層を有する半導
体基板。(1) A GaAs semiconductor layer is formed on a Si substrate, and the G
At least one element α selected from group IIa elements of the periodic table, at least one element β selected from group IIIa elements of the periodic table, I b, II of the periodic table, on the aAs semiconductor layer.
1. A semiconductor substrate having a superconductor layer, characterized in that a composite oxide superconductor layer containing at least one element γ selected from Groups IIIb, IVa, and VIIIa elements is laminated.
、α、β、γは、上記定義の元素であり、ｘはα＋βに
対するβの原子比で、０．１≦ｘ≦０．９であり、ｙお
よびｚは（α＿１＿−＿ｘβ＿ｘ）を１とした場合に０
．４≦ｙ≦３．０、１≦ｚ≦５となる原子比である） で表される組成の酸化物であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(2) The above composite oxide superconductor has a general formula: (α_1_−_xβ_x)γ_yO_z (where α, β, and γ are the elements defined above, x is the atomic ratio of β to α+β, and is 0.1 ≦x≦0.9, and y and z are 0 when (α_1_−_xβ_x) is 1
．． 4≦y≦3.0, 1≦z≦5) semiconductor substrate.
晶または酸素欠損ペロブスカイト型結晶を有する酸化物
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
２項に記載の超電導体層を有する半導体基板。(3) The composite oxide superconductor has a superconductor layer according to claim 1 or 2, wherein the composite oxide superconductor is an oxide having a perovskite crystal or an oxygen-deficient perovskite crystal. semiconductor substrate.
、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、
Ｔｉによって構成される群から選択される少なくとも１
種の元素を含む複合酸化物超電導体であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１項に
記載の超電導体層を有する半導体基板。(4) The composite oxide superconductor contains Ba and Y, and further contains Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, Ag,
At least one selected from the group consisting of Ti
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of claims 1 to 3, which is a composite oxide superconductor containing a seed element.
＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第４項に記載の超電導体層を有する半導体基板。(5) The above composite oxide superconductor has Y_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is 0
<x<1) A semiconductor substrate having a superconductor layer according to claim 4, which is a composite oxide represented by the following formula.
ｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによっ
て構成される群から選択される少なくとも１種の元素を
含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項
のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(6) The composite oxide superconductor contains Ba, La and A
Claims 1 to 3 include at least one element selected from the group consisting of L, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, Ag, and Ti. A semiconductor substrate having a superconductor layer according to item 1.
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第６項に記載の超電導体層を有する半導体基板。(7) Claim 6, characterized in that the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by La_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
ｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによっ
て構成される群から選択される少なくとも１種の元素を
含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項
のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(8) The composite oxide superconductor contains Sr, La and A.
Claims 1 to 3 include at least one element selected from the group consisting of L, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, Ag, and Ti. A semiconductor substrate having a superconductor layer according to item 1.
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第８項に記載の超電導体層を有する半導体基板。(9) Claim 8, wherein the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by La_1Sr_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによ
って構成される群から選択される少なくとも１種の元素
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基
板。(10) The composite oxide superconductor is characterized in that it contains Ba, Ho, and at least one element selected from the group consisting of Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, Ag, and Ti. Claims 1 to 3
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of Items 1 to 9.
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１０項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(11) Claim 10, wherein the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by Ho_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによ
って構成される群から選択される少なくとも１種の元素
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基
板。(12) The composite oxide superconductor is characterized in that it contains Ba, Nd, and at least one element selected from the group consisting of Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, Ag, and Ti. Claims 1 to 3
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of Items 1 to 9.
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１２項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(13) Claim 12, characterized in that the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by Nd_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによ
って構成される群から選択される少なくとも１種の元素
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基
板。(14) The composite oxide superconductor is characterized in that it contains Ba, Sm, and at least one element selected from the group consisting of Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, Ag, and Ti. Claims 1 to 3
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of Items 1 to 9.
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１４項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(15) Claim 14, wherein the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by Sm_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによ
って構成される群から選択される少なくとも１種の元素
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基
板。(16) The composite oxide superconductor is characterized in that it contains Ba, Eu and at least one element selected from the group consisting of Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, Ag, and Ti. Claims 1 to 3
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of Items 1 to 9.
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１６項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(17) Claim 16, wherein the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by Eu_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによ
って構成される群から選択される少なくとも１種の元素
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基
板。(18) The composite oxide superconductor is characterized in that it contains Ba, Gd, and at least one element selected from the group consisting of Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, Ag, and Ti. Claims 1 to 3
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of Items 1 to 9.
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１８項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(19) Claim 18, wherein the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by Gd_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによ
って構成される群から選択される少なくとも１種の元素
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基
板。(20) The composite oxide superconductor is characterized in that it contains Ba, Dy, and at least one element selected from the group consisting of Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, Ag, and Ti. Claims 1 to 3
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of Items 1 to 9.
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第２０項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(21) Claim 20, characterized in that the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by Dy_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによ
って構成される群から選択される少なくとも１種の元素
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基
板。(22) The composite oxide superconductor is characterized in that it contains Ba, Er, and at least one element selected from the group consisting of Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, Ag, and Ti. Claims 1 to 3
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of Items 1 to 9.
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第２２項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(23) Claim 22, wherein the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by Er_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによ
って構成される群から選択される少なくとも１種の元素
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基
板。(24) The composite oxide superconductor is characterized in that it contains Ba, Yb, and at least one element selected from the group consisting of Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, Ag, and Ti. Claims 1 to 3
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of Items 1 to 9.
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第２４項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(25) Claim 24, wherein the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by Yb_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328484A JPH01170081A (en) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | Semiconductor substrate provided with superconductor layer |
| EP88403328A EP0323345B1 (en) | 1987-12-25 | 1988-12-26 | A semiconductor substrate having a superconducting thin film |
| DE3853273T DE3853273T2 (en) | 1987-12-25 | 1988-12-26 | A semiconductor substrate with a superconducting thin film. |
| US07/856,824 US5221660A (en) | 1987-12-25 | 1992-03-25 | Semiconductor substrate having a superconducting thin film |
| US07/972,903 US5401715A (en) | 1987-12-25 | 1992-11-06 | Semiconductor substrate having a superconducting thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328484A JPH01170081A (en) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | Semiconductor substrate provided with superconductor layer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01170081A true JPH01170081A (en) | 1989-07-05 |
Family
ID=18210789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62328484A Pending JPH01170081A (en) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | Semiconductor substrate provided with superconductor layer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01170081A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0396192A (en) * | 1989-09-08 | 1991-04-22 | Nec Corp | Relay line device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5577181A (en) * | 1978-12-07 | 1980-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | Preparation of solar cell |
| JPS6164119A (en) * | 1984-09-05 | 1986-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP62328484A patent/JPH01170081A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5577181A (en) * | 1978-12-07 | 1980-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | Preparation of solar cell |
| JPS6164119A (en) * | 1984-09-05 | 1986-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0396192A (en) * | 1989-09-08 | 1991-04-22 | Nec Corp | Relay line device |
| JP2560853B2 (en) * | 1989-09-08 | 1996-12-04 | 日本電気株式会社 | Relay device |
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