JPH01170066A - Semiconductor substrate equipped with superconductor layer - Google Patents
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Landscapes
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体基板に関する。より詳細には、酸化物
基板上に形成された複合酸化物超電導体薄膜上に半導体
層が積層された構造を有する半導体基板に関するもので
ある。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to semiconductor substrates. More specifically, the present invention relates to a semiconductor substrate having a structure in which a semiconductor layer is laminated on a composite oxide superconductor thin film formed on an oxide substrate.
本発明の半導体基板は上記超電導体層を半導体回路の配
線材料として用いるだけで無く、上記超電導体にジョセ
フソン結合を形成したジョセフソン素子、あるいは超電
導体と半導体とを組み合わせたトランジスターやホット
エレクトロントランジスター等の超電導体素子材料とし
て用いることができる。The semiconductor substrate of the present invention not only uses the above-mentioned superconductor layer as a wiring material for a semiconductor circuit, but also a Josephson element in which a Josephson bond is formed in the above-mentioned superconductor, a transistor or a hot electron transistor in which a superconductor and a semiconductor are combined. It can be used as a superconductor element material such as.
従来の技術
従来の半導体集積回路はシリコン等の半導体単結晶基板
上に絶縁膜を形成してパターニングを施し、熱拡散、イ
オン注入等で不純物をドープすることにより必要な素子
を作製し、金属を蒸着させて配線している。Conventional technology Conventional semiconductor integrated circuits are made by forming an insulating film on a semiconductor single crystal substrate such as silicon, patterning it, doping with impurities by thermal diffusion, ion implantation, etc. to fabricate the necessary elements, and then metal. Wiring is done by vapor deposition.
上記金属配線パターンは、蒸着で形成されるため断面積
が非常に微小となり、信号電流のロスがあった。Since the metal wiring pattern is formed by vapor deposition, its cross-sectional area is extremely small, resulting in loss of signal current.
また、超電導体と半導体とを組み合わせたトランジスタ
ーやホットエレクトロントランジスター等の超電導体と
半導体を組み合わせた素子は概念的には提案されている
が複合酸化物超電導材料を具体的に用いたものは無い。In addition, although elements that combine superconductors and semiconductors, such as transistors that combine superconductors and semiconductors and hot electron transistors, have been conceptually proposed, none have specifically used composite oxide superconducting materials.
発明が解決しようとする問題点
半導体集積回路の金属配線パターンは、蒸着等で形成さ
れるため断面積が微小で信号電流のロスが避けられなか
った。また、半導体集積回路の動作速度を向上させるに
は、素子そのものの動作速度を向上させることも重要で
あるが、配線における信号伝播速度を向上させることも
必要である。′ところが、従来の半導体集積回路では配
線部分におけるロスのため信号伝播速度を向上させるの
に限界があった。また、配線部分におけるロスのため素
子の集積度があがり高密度化が進むと、消費電力が上昇
し、それに伴う発熱のため集積度の限界も自ずから決ま
ってしまっていた。Problems to be Solved by the Invention Since the metal wiring patterns of semiconductor integrated circuits are formed by vapor deposition or the like, their cross-sectional area is minute, and loss of signal current is unavoidable. Furthermore, in order to improve the operating speed of a semiconductor integrated circuit, it is important to improve the operating speed of the element itself, but it is also necessary to improve the signal propagation speed in wiring. 'However, in conventional semiconductor integrated circuits, there is a limit to improving the signal propagation speed due to loss in the wiring section. Furthermore, as the degree of integration of elements increases due to loss in wiring portions and density increases, power consumption increases, and the heat generated thereby naturally limits the degree of integration.
さらに、超電導体と半導体とを組み合わせた超電導トラ
ンジスタやホットエレクトロントランジスタ等の超電導
素子を形成する場合には半導体単結晶層と超電導材料の
層が均一に積層された半導体単結晶基板が必須であるが
、従来のＮｂ系の超電導材料では半導体単結晶層と超電
導材料の層が均一に積層されているものはなかった。Furthermore, when forming superconducting elements such as superconducting transistors and hot electron transistors that combine superconductors and semiconductors, a semiconductor single crystal substrate in which a semiconductor single crystal layer and a superconducting material layer are uniformly laminated is essential. Among conventional Nb-based superconducting materials, there has been no one in which a semiconductor single crystal layer and a superconducting material layer are uniformly laminated.
本発明の目的は、上記の問題を解決して半導体単結晶層
と複合酸化物超電導体層が均一に積層された構造を有す
る超電導体と半導体からなる基板を提供することにある
。An object of the present invention is to solve the above problems and provide a substrate made of a superconductor and a semiconductor having a structure in which a semiconductor single crystal layer and a composite oxide superconductor layer are uniformly laminated.
問題点を解決するための手段
本発明に従うと、酸化物基板上に形成されている周期律
表ＩＩａ族元素から選択された少なくとも１種の元素α
、周期律表ＩＩＩａ族元素から選択された少なくとも１
種の元素β、周期律表１ｂ、ＩＩｂ、ＩＩ［ｂ、ＩＶａ
、■ａ族元素から選択された少なくとも１種の元素Ｔを
含有する複合酸化物超電導体よりなる薄膜上にＧａｒｎ
Ａｓ単結晶層が積層されていることを特徴とする超電導
体および半導体からなる基板が提供される。Means for Solving the Problems According to the present invention, at least one element α selected from group IIa elements of the periodic table formed on an oxide substrate
, at least one selected from Group IIIa elements of the periodic table.
Species element β, periodic table 1b, IIb, II[b, IVa
, ■ Garn on a thin film made of a composite oxide superconductor containing at least one element T selected from group a elements.
A substrate made of a superconductor and a semiconductor is provided, which is characterized by having a stack of As single crystal layers.
本発明に従うと、上記超電導体は複合酸化物超電導材料
によって形成されているのが好ましい。According to the invention, the superconductor is preferably formed of a composite oxide superconducting material.
この複合酸化物超電導材料としては公知の任意の材料を
用いることができる。特に、下記一般式：％式％
（但し、αは周期律表ＩＩａ族に含まれる元素であり、
βは周期律表Ｉｌａ族に含まれる元素であり、γは周期
律表１ｂ、ＩＩｂ、ｌｌＩｂ％ ＩＶａおよび■族から
選択される少なくとも一つの元素であり、ＸＳ３’Ｎ
Ｚはそれぞれ０．１≦ｘ≦０．９．０．４≦ｙ≦３．０
．１≦ｚ≦５を満たす数である）
で示される複合酸化物が好ましい。これらの複合酸化物
はペロブスカイト型または酸素欠陥型ペロブスカイト型
酸化物を主体としたものと考えられる。Any known material can be used as this composite oxide superconducting material. In particular, the following general formula: % Formula % (However, α is an element included in Group IIa of the periodic table,
β is an element included in group Ila of the periodic table, γ is at least one element selected from groups 1b, IIb, llIb% IVa and ■ of the periodic table, and XS3'N
Z is 0.1≦x≦0.9, 0.4≦y≦3.0, respectively
．． (a number satisfying 1≦z≦5) is preferable. These composite oxides are thought to be mainly composed of perovskite-type or oxygen-deficient perovskite-type oxides.
上記周期律表ＩＩａ族元素αとしては、Ｂａ５Ｓｒ。The Group IIa element α of the periodic table is Ba5Sr.
Ｃａ、 Ｍｇ、 Ｂｅ等が好ましく、例えば、ＤａＳＳ
ｒを挙げることができ、この元素αの１０〜８０％をＭ
ｇ、 Ｃａ。Ca, Mg, Be, etc. are preferable, for example, DaSS
r, and 10 to 80% of this element α is M
g, Ca.
Ｓｒから選択された１種または２種の元素で置換するこ
ともできる。また上記周期律表ｍａ族元素βはとしては
、Ｙの他Ｌａ５Ｓｃ、 Ｃｅ５ＧｄＳＨｏ、 ＢｒＳＴ
ｍ。It can also be replaced with one or two elements selected from Sr. In addition to Y, the above-mentioned ma group element β of the periodic table includes La5Sc, Ce5GdSHo, BrST
m.
Ｙｂ、 Ｌｕ等ランタノイド元素が好ましく、例えばＹ
ｌＬａ、 Ｈｏとすることができ、さらにこの元素βの
うち、１０〜８０％をＳｃまたはランタノイド元素から
選択された１種または２種の元素で置換することもでき
る。前記元素Ｔは一般にＣｕであるが、その−部を周期
律表■ｂ、 ■ｂ、Ｉｂ、ｒＶａおよび■族から選択さ
れる他の元素、例えば、Ｔｉ５Ｖ等で置換することもで
きる。Lanthanoid elements such as Yb and Lu are preferred, for example Y
1La, Ho, and furthermore, 10 to 80% of this element β can be replaced with one or two elements selected from Sc or lanthanide elements. The element T is generally Cu, but the - part thereof can be replaced with another element selected from Groups 1b, 2b, Ib, rVa and 2 of the periodic table, such as Ti5V.
昨月
本発明の超電導体層を有する半導体基板は、酸化物基板
上に形成された複合酸化物超電導体薄膜上にＧａＩｎＡ
ｓ半導体層が形成されているところにその主要な特徴が
ある。すなわち、本発明の超電導層を有する半導体基板
は、ＧａＩｎＡｓ半導体と複合酸化物超電導体を組み合
わせた新規な半導体デバイスの基本材料となるものであ
る。Last month, a semiconductor substrate having a superconductor layer according to the present invention was developed using GaInA on a composite oxide superconductor thin film formed on an oxide substrate.
Its main feature lies in the fact that an s-semiconductor layer is formed. That is, the semiconductor substrate having a superconducting layer of the present invention serves as a basic material for a novel semiconductor device combining a GaInAs semiconductor and a composite oxide superconductor.
本発明の超電導体層を有する半導体基板は、複合酸化物
超電導体を単なる配線用材料として使用するだけでなく
、複合酸化物超電導体の部分にジョセフソン接合を形成
した半導体デバイスあるいは半導体基板と超電導体とを
組み合わせた超電導トランジスタやホットエレクトロン
トランジスタのような新規な超電導素子を形成するため
の集積回路基板あるいはデバイス用基材として用いるこ
とができる。The semiconductor substrate having a superconductor layer of the present invention can be used not only as a simple wiring material, but also as a superconductor with a semiconductor device or a semiconductor substrate in which a Josephson junction is formed in the composite oxide superconductor. It can be used as an integrated circuit substrate or device substrate for forming new superconducting elements such as superconducting transistors and hot electron transistors in combination with other materials.
本発明の超電導体層を有する半導体基板に使用する複合
酸化物超電導体としては、ＹＢＣＯと称されるＹ １
Ｂａ２Ｃｕ３０ ？−１１で代表されるような酸素欠陥
型ペロブスカイト結晶構造を有する複合酸化物が好まし
い。しかしながらこれに限定されるものではなく、公知
の超電導体の中から任意のものを選択して使用すること
が可能である。The composite oxide superconductor used in the semiconductor substrate having a superconductor layer of the present invention is Y1, which is referred to as YBCO.
Ba2Cu30? A composite oxide having an oxygen-deficient perovskite crystal structure represented by -11 is preferable. However, the superconductor is not limited thereto, and any known superconductor may be selected and used.
本発明の超電導体層を有する半導体基板は、酸化物基板
上に形成された複合酸化物超電導体薄膜上に半導体層が
積層されている。本発明に使用する複合酸化物超電導体
は、その電気抵抗に結晶異方性を有する。すなわち、結
晶のａ軸およびｂ軸で決定される面に平行な方向に電流
が流れ易い。In the semiconductor substrate having a superconductor layer of the present invention, a semiconductor layer is laminated on a composite oxide superconductor thin film formed on an oxide substrate. The composite oxide superconductor used in the present invention has crystal anisotropy in its electrical resistance. That is, current tends to flow in a direction parallel to the plane determined by the a-axis and b-axis of the crystal.
ＭｇＯ単結晶基板または５ｒＴｉＯａ単結晶基板の（１
００）面を成膜面として用いると、該成膜面上に形成さ
れた複合酸化物超電導体薄膜は、その結晶のＣ軸が基板
成膜面に対し垂直または垂直に近い角度となるため、特
に臨界電流密度Ｊｃが大きくなる。(1) of MgO single crystal substrate or 5rTiOa single crystal substrate
00) plane as the film formation surface, the C-axis of the crystal of the composite oxide superconductor thin film formed on the film formation surface is perpendicular or at an angle close to perpendicular to the substrate film formation surface. In particular, the critical current density Jc increases.
従って、ＭｇＯ単結晶基板または５ｒＴｉＯａ単結晶基
板の（００１）面を成膜面として用いることが好ましい
。また、５ｒＴｉ０３基板の（１１０）面を用いて、Ｃ
軸を基板と平行にすることにより、膜の深さ方向にも高
電流密度を得ることが可能である。さらに、ＭｇＯおよ
び５ｒＴｉＣ）＋は、熱膨張率が上記の複合酸化物超電
導体と近いため、加熱−冷却の過程で薄膜に不必要な応
力を加えることがなく、薄膜を破損する恐れもない。Therefore, it is preferable to use the (001) plane of the MgO single crystal substrate or the 5rTiOa single crystal substrate as the film forming surface. In addition, using the (110) plane of the 5rTi03 substrate, C
By making the axis parallel to the substrate, it is possible to obtain a high current density also in the depth direction of the film. Furthermore, since MgO and 5rTiC)+ have a coefficient of thermal expansion close to that of the above-mentioned composite oxide superconductor, unnecessary stress is not applied to the thin film during the heating-cooling process, and there is no fear of damaging the thin film.
本発明に使用する酸化物基板としては、Ａ１□０３単結
晶基板、ＬｉＮｂＯ３単結晶基板、ＬｉＴａＯ３単結晶
基板、ＺｒＯ□単結晶基板等も好ましい。As the oxide substrate used in the present invention, A1□03 single crystal substrate, LiNbO3 single crystal substrate, LiTaO3 single crystal substrate, ZrO□ single crystal substrate, etc. are also preferable.
本発明の超電導体層を有する半導体基板を作製するには
、以下の手順によることが好ましい。上記のいずれかの
酸化物基板上に、スパッタリング、真空蒸着、分子線エ
ピタキシ、イオンビーム蒸着等の物理蒸着法または熱Ｃ
ＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、ＭｏＣＶＤ法
等のＣＶＤ法で複合酸化物超電導体薄膜を形成する。物
理蒸着法としては、特にマグネトロンスパッタリングが
好ましい。また、成膜後、酸素雰囲気中で熱処理を行う
とかあるいは酸素プラズマに曝す等の後処理を行い、上
記の薄膜を構成している複合酸化物超電導体結晶中の酸
素濃度を適正に調整することが好ましい。これらの処理
を行った後、ＣＶＤ法等の公知の方法で半導体単結晶層
を該超電導薄膜上に積層する。In order to produce a semiconductor substrate having a superconductor layer of the present invention, it is preferable to follow the following procedure. Physical vapor deposition methods such as sputtering, vacuum evaporation, molecular beam epitaxy, ion beam evaporation, or thermal C
A composite oxide superconductor thin film is formed by a CVD method such as a VD method, a plasma CVD method, a photoCVD method, or a MoCVD method. As the physical vapor deposition method, magnetron sputtering is particularly preferred. In addition, after the film is formed, post-treatment such as heat treatment in an oxygen atmosphere or exposure to oxygen plasma is performed to appropriately adjust the oxygen concentration in the composite oxide superconductor crystal that constitutes the above-mentioned thin film. is preferred. After performing these treatments, a semiconductor single crystal layer is laminated on the superconducting thin film by a known method such as the CVD method.
上記の半導体単結晶層を積層する前に、超電導薄膜上に
バッファ層を形成させることも好ましい。It is also preferable to form a buffer layer on the superconducting thin film before laminating the above semiconductor single crystal layer.
このバッファ層は、半導体を構成する原子、分子が超電
導体薄膜内に拡散するのを防止したり、また、半導体単
結晶層を形成し易くさせる機能を有する。従って、格子
定数が、積層する半導体単結晶のそれと近いことが好ま
しい。上記のバッファ層としては、例えばｐｔが好まし
い。This buffer layer has the function of preventing atoms and molecules constituting the semiconductor from diffusing into the superconductor thin film and facilitating the formation of a semiconductor single crystal layer. Therefore, it is preferable that the lattice constant is close to that of the semiconductor single crystals to be laminated. For example, PT is preferable as the buffer layer.
半導体単結晶層を形成する方法としては、上記のＣＶＤ
法の他、真空蒸着、スパッタリング、イオンミリング、
分子線エピタキシ等の物理的な蒸着法でも好ましい。い
ずれの方法を使用する場合でも、雰囲気、基板温度に注
意し、超電導体の特性を損なわないようにしなければな
らない。The method for forming the semiconductor single crystal layer is the above-mentioned CVD.
In addition to methods, vacuum evaporation, sputtering, ion milling,
Physical vapor deposition methods such as molecular beam epitaxy are also preferred. Whichever method is used, care must be taken to maintain the atmosphere and substrate temperature so as not to impair the properties of the superconductor.
また、本発明の超電導体層を有する半導体基板を用いて
、半導体素子を作製する場合は、超電導体薄膜をエツチ
ング等で必要な形状に予め加工した上で、半導体層を形
成することも好ましい。しかしながら、本発明の超電導
体層を有する半導体基板は、表面がＧａＩｎＡｓ半導体
であるので従来公知の技術を利用して微細加工すること
も可能である。Furthermore, when producing a semiconductor element using a semiconductor substrate having a superconductor layer of the present invention, it is also preferable to form the semiconductor layer after processing the superconductor thin film into a required shape by etching or the like in advance. However, since the surface of the semiconductor substrate having the superconductor layer of the present invention is a GaInAs semiconductor, it is also possible to microfabricate it using conventionally known techniques.
実施例
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、以下
に記載するものは本発明の単なる実施例に過ぎず、以下
の開示により、本発明の範囲が同等制限されないことは
勿論である。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically explained by examples, but the following are merely examples of the present invention, and it goes without saying that the scope of the present invention is not similarly limited by the following disclosure. be.
ＧａＩｎＡｓの半導体単結晶層を複合酸化物超電導体薄
膜上に形成し、本発明の超電導体層を有する半導体基板
を作製した。A semiconductor single crystal layer of GaInAs was formed on a composite oxide superconductor thin film to produce a semiconductor substrate having a superconductor layer of the present invention.
ｙｅａ２ｃｕ、、 ｓ ＯＸ焼結体粉末およびｔ（ＯＢ
ａａ、 、、Ｃｕ、、ｆｆ ｏｘをターゲットとして、
ＭｇＯ単結晶基板およびＳｒＴｉＯ３単結晶基板のそれ
ぞれ（１００）面に、公知のマグネトロンスパッタリン
グ法により、複合酸化物超電導体薄膜を形成した。基板
とターゲットの位置関係および高周波電力の大きさに特
に注意し、基板温度７００℃でスパッタリングを行い、
複合酸化物超電導体層を１０００ Ａまで成長させた。yea2cu,, s OX sintered powder and t(OB
Targeting aa, , , Cu, , ff ox,
A composite oxide superconductor thin film was formed on the (100) plane of each of the MgO single crystal substrate and the SrTiO3 single crystal substrate by a known magnetron sputtering method. Pay particular attention to the positional relationship between the substrate and target and the magnitude of high-frequency power, and perform sputtering at a substrate temperature of 700°C.
The composite oxide superconductor layer was grown to 1000 A.
超電導薄膜成膜後、１気圧の酸素雰囲気中で、８５０℃
まで加熱し１時間だもってから、４００℃まで３℃／分
の冷却速度で降温し、４００℃から室温までは１０℃／
分の冷却速度で冷却した。After forming a superconducting thin film, temperature at 850°C in an oxygen atmosphere of 1 atm.
After heating for 1 hour, the temperature was lowered to 400℃ at a cooling rate of 3℃/min, and from 400℃ to room temperature at a cooling rate of 10℃/min.
Cooled at a cooling rate of 1 minute.
その後ＣＶＤ法により、それぞれの超電導薄膜上にＧａ
１ｎＡＳ半導体単結晶層を形成する。Then, using the CVD method, Ga was deposited on each superconducting thin film.
A 1nAS semiconductor single crystal layer is formed.
上記のように作製した本発明の超電導体層を有する半導
体基板は、いずれのものも半導体と超電導体との界面の
状態がよく、半導体デバイス材料として優れた特性を有
していた。また、それぞれの試料の超電導体層の超電導
臨界温度を以下の第１表に示す。All of the semiconductor substrates having the superconductor layer of the present invention produced as described above had a good interface between the semiconductor and the superconductor, and had excellent properties as a semiconductor device material. Further, the superconducting critical temperature of the superconductor layer of each sample is shown in Table 1 below.
第１表
以上説明したように、本発明の超電導体層を有する半導
体基板は、半導体デバイス用基板としてたいへん有効で
ある。Table 1 As explained above, the semiconductor substrate having the superconductor layer of the present invention is very effective as a substrate for semiconductor devices.
発明の効果
本発明により、新規な半導体デバイス材料としてたいへ
ん有効な超電導体層を有する半導体基板が提供される。Effects of the Invention The present invention provides a semiconductor substrate having a superconductor layer that is very effective as a novel semiconductor device material.
本発明により、半導体デバイスの高速化、高密度化がさ
らに推進される。さらに、本発明はジョセフソン素子と
異なり、３端子以上の端子を有する超電導体を利用した
高速半導体デバイス、例えば、超電導トランジスタ、超
電導ＦＥＴ等に応用が可能である。The present invention further promotes higher speed and higher density of semiconductor devices. Further, unlike Josephson devices, the present invention can be applied to high-speed semiconductor devices using superconductors having three or more terminals, such as superconducting transistors and superconducting FETs.
特許出願人 住友電気工業株式会社Patent applicant: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Claims (12)
素から選択された少なくとも１種の元素α、周期律表I
IIａ族元素から選択された少なくとも１種の元素β、周
期律表 I ｂ、IIｂ、IIIｂ、IVａ、VIIIａ族元素から選
択された少なくとも１種の元素γを含有する複合酸化物
超電導体よりなる薄膜上にＧａＩｎＡｓ単結晶層が積層
されていることを特徴とする超電導体層を有する半導体
基板。(1) At least one element α selected from group IIa elements of the periodic table formed on an oxide substrate, I of the periodic table
A thin film made of a composite oxide superconductor containing at least one element β selected from group IIa elements and at least one element γ selected from group Ib, IIb, IIIb, IVa, and VIIIa elements of the periodic table. A semiconductor substrate having a superconductor layer, characterized in that a GaInAs single crystal layer is laminated thereon.
、α、β、γは、上記定義の元素であり、ｘはα＋βに
対するβの原子比で、０．１≦ｘ≦０．９であり、ｙお
よびｚは（α＿１＿−＿ｘβ＿ｘ）を１とした場合に０
．４≦ｙ≦３．０、１≦ｚ≦５となる原子比である） で表される組成の酸化物であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(2) The composite oxide superconductor has the general formula: (α_1_−_xβ_x)γ_yO_2 (where α, β, and γ are the elements defined above, x is the atomic ratio of β to α+β, and is 0.1 ≦x≦0.9, and y and z are 0 when (α_1_−_xβ_x) is 1
．． 4≦y≦3.0, 1≦z≦5) semiconductor substrate.
晶または酸素欠陥型ペロブスカイト型結晶を有する酸化
物であることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項に記載の超電導体層を有する半導体基板。(3) The superconductor layer according to claim 1 or 2, wherein the composite oxide superconductor is an oxide having a perovskite crystal or an oxygen-deficient perovskite crystal. A semiconductor substrate with
、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、
Ｔｉによって構成される群から選択される少なくとも１
種の元素を含む複合酸化物超電導体であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１項に
記載の超電導体層を有する半導体基板。(4) The composite oxide superconductor contains Ba and Y, and further contains Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, Ag,
At least one selected from the group consisting of Ti
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of claims 1 to 3, which is a composite oxide superconductor containing a seed element.
＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第４項に記載の超電導体層を有する半導体基板。(5) The above composite oxide superconductor has Y_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is 0
<x<1) A semiconductor substrate having a superconductor layer according to claim 4, which is a composite oxide represented by the following formula.
ｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによっ
て構成される群から選択される少なくとも１種の元素を
含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項
のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(6) The composite oxide superconductor contains Ba, La and A
Claims 1 to 3 include at least one element selected from the group consisting of L, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, Ag, and Ti. A semiconductor substrate having a superconductor layer according to item 1.
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第６項に記載の超電導体層を有する半導体基板。(7) Claim 6, characterized in that the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by La_1Ba_2Cu_3O_1_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
ｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによっ
て構成される群から選択される少なくとも１種の元素を
含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項
のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(8) The composite oxide superconductor contains Sr, La and A.
Claims 1 to 3 include at least one element selected from the group consisting of L, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, Ag, and Ti. A semiconductor substrate having a superconductor layer according to item 1.
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第８項に記載の超電導体層を有する半導体基板。(9) Claim 8, wherein the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by La_1Sr_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによ
って構成される群から選択される少なくとも１種の元素
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基
板。(10) The composite oxide superconductor is characterized in that it contains Ba, Ho, and at least one element selected from the group consisting of Al, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, Ag, and Ti. Claims 1 to 3
A semiconductor substrate having a superconductor layer according to any one of Items 1 to 9.
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１０項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。(11) Claim 10, wherein the composite oxide superconductor is a composite oxide represented by Ho_1Ba_2Cu_3O_7_-_x (where x is a number satisfying 0<x<1). A semiconductor substrate having a superconductor layer according to .
ｉＯ＿３単結晶基板、Ａｌ＿２Ｏ＿３単結晶基板、Ｌｉ
ＮｂＯ＿３単結晶基板、ＬｉＴａＯ＿３単結晶基板また
はＺｒＯ＿２単結晶基板のいずれかの単結晶基板である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１１項に
記載の超電導体層を有する半導体基板。(12) The oxide substrate is an MgO single crystal substrate, an SrT
iO_3 single crystal substrate, Al_2O_3 single crystal substrate, Li
12. A semiconductor substrate having a superconductor layer according to claims 1 to 11, which is a single crystal substrate such as a NbO_3 single crystal substrate, a LiTaO_3 single crystal substrate, or a ZrO_2 single crystal substrate.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328480A JPH01170066A (en) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | Semiconductor substrate equipped with superconductor layer |
| DE3850084T DE3850084T2 (en) | 1987-12-25 | 1988-12-26 | A semiconductor substrate with a superconducting thin film. |
| EP88403324A EP0323342B1 (en) | 1987-12-25 | 1988-12-26 | A semiconductor substrate having a superconducting thin film |
| SG1995906426A SG28390G (en) | 1987-12-25 | 1988-12-26 | A semiconductor substrate having a superconducting thin film |
| HK73895A HK73895A (en) | 1987-12-25 | 1995-05-11 | A semiconductor substrate having a superconducting thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328480A JPH01170066A (en) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | Semiconductor substrate equipped with superconductor layer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01170066A true JPH01170066A (en) | 1989-07-05 |
Family
ID=18210742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62328480A Pending JPH01170066A (en) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | Semiconductor substrate equipped with superconductor layer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01170066A (en) |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP62328480A patent/JPH01170066A/en active Pending
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