JPH01167684A - ハンドラ - Google Patents
ハンドラInfo
- Publication number
- JPH01167684A JPH01167684A JP62327735A JP32773587A JPH01167684A JP H01167684 A JPH01167684 A JP H01167684A JP 62327735 A JP62327735 A JP 62327735A JP 32773587 A JP32773587 A JP 32773587A JP H01167684 A JPH01167684 A JP H01167684A
- Authority
- JP
- Japan
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- handler
- thermostatic
- room
- test
- temperature
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Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、I C(Integrated C1rcu
it)の良・不良を選別するハンドラに適用して有効な
技術に関するものである。
it)の良・不良を選別するハンドラに適用して有効な
技術に関するものである。
ハンドラについて説明されている例としては、株式会社
工業調査会、昭和61年11月18日発行、「電子材料
別冊、超LSI製造・試験装置ガイドブックJP243
〜P248がある。
工業調査会、昭和61年11月18日発行、「電子材料
別冊、超LSI製造・試験装置ガイドブックJP243
〜P248がある。
なお、本明細書で用いるICの語には、LSI(Lar
ge 5cale Integrated C1rcu
it)およびVLS I (Very Large
5cale Integrated C1rcuit
)等のあらゆる集積レベルの半導体装置を含むものとす
る。
ge 5cale Integrated C1rcu
it)およびVLS I (Very Large
5cale Integrated C1rcuit
)等のあらゆる集積レベルの半導体装置を含むものとす
る。
上記ICの最終製造工程においては、ICの良否および
グレードを検査するための選別工程が必要となっている
が、このような選別は上記文献にも記載されているハン
ドラと呼ばれる選別システムによって行われるのが一般
的である。このようなハンドラにおいては、まず供給さ
れたICを予熱した後、恒温槽内に導入し、槽内の温度
を所定温度、たとえば75℃〜125℃程度にまで高め
た後、測定部のテストヘッドによりICに対して電源の
供給、さらには信号の入出力を一定時間継続させる。こ
の結果によってICの良否およびグレードを決定し、機
械的に選別するものである。
グレードを検査するための選別工程が必要となっている
が、このような選別は上記文献にも記載されているハン
ドラと呼ばれる選別システムによって行われるのが一般
的である。このようなハンドラにおいては、まず供給さ
れたICを予熱した後、恒温槽内に導入し、槽内の温度
を所定温度、たとえば75℃〜125℃程度にまで高め
た後、測定部のテストヘッドによりICに対して電源の
供給、さらには信号の入出力を一定時間継続させる。こ
の結果によってICの良否およびグレードを決定し、機
械的に選別するものである。
ところで、メモリ素子として用いられるICにおいては
、製品としての温度保証を行うために、常温と高温との
2種の測定を必要とする場合や、0℃以下の温度条件で
測定した後にさらに75℃以上の高温条件での測定が必
要とされる製品規格がある。このような規格のICに対
しては、たとえば常温での測定が完了した後に、恒温槽
内の温度条件を一定値にまで高め、高温測定を行い、こ
れを繰り返すことにより常温と高温との温度環境におけ
る測定を行うことも考えられる。
、製品としての温度保証を行うために、常温と高温との
2種の測定を必要とする場合や、0℃以下の温度条件で
測定した後にさらに75℃以上の高温条件での測定が必
要とされる製品規格がある。このような規格のICに対
しては、たとえば常温での測定が完了した後に、恒温槽
内の温度条件を一定値にまで高め、高温測定を行い、こ
れを繰り返すことにより常温と高温との温度環境におけ
る測定を行うことも考えられる。
しかし、恒温槽を常温あるいは高温の安定所定温度条件
とするためには加熱・冷却のための予備時間が必要とな
り効率的なICの選別を行うことが困難であった。
とするためには加熱・冷却のための予備時間が必要とな
り効率的なICの選別を行うことが困難であった。
このため、測定温度の種類に対応した複数のハンドラを
用意し、それぞれの恒温槽の温度設定を変えて、各ハン
ドラ間でICを人手により搬送して、複数の温度条件に
おける測定を実現していた。
用意し、それぞれの恒温槽の温度設定を変えて、各ハン
ドラ間でICを人手により搬送して、複数の温度条件に
おける測定を実現していた。
このため、1種類のICの選別システムのために広いス
ペースを必要とし、各装置間のICの搬送も人手を介入
するために煩雑であり、効率的なICの選別はなお困難
であった。
ペースを必要とし、各装置間のICの搬送も人手を介入
するために煩雑であり、効率的なICの選別はなお困難
であった。
本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、
その目的は省スペースでかつ効率的なICの選別が可能
な技術を提供することにある。
その目的は省スペースでかつ効率的なICの選別が可能
な技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、搬送経路上に選択的に位置されるとともにそ
れぞれが異なる温度条件で設定された少なくとも2以上
の恒温槽を備えたハンドラ構造とするものである。
れぞれが異なる温度条件で設定された少なくとも2以上
の恒温槽を備えたハンドラ構造とするものである。
上記した手段によれば、単一のハンドラにおいて、温度
設定の異なる複数の恒、部槽を選択的に使用できるため
、ICに対して異なる温度条件での測定を連続的に行う
ことが可能となり、効率的なICの測定・選別が可能と
なる。
設定の異なる複数の恒、部槽を選択的に使用できるため
、ICに対して異なる温度条件での測定を連続的に行う
ことが可能となり、効率的なICの測定・選別が可能と
なる。
第1図は本発明の一実施例であるハンドラの全体構成を
示すシステム構成図、第2図はこのハンドラにおける恒
温槽の構造を示す第1図の■−■線における概略断面図
である。
示すシステム構成図、第2図はこのハンドラにおける恒
温槽の構造を示す第1図の■−■線における概略断面図
である。
本実施例におけるハンドラ1のシステムは、たとえばD
ILP(デュアル・インライン・プラスチックパッケー
ジ)形の半導体装置を被測定IC2とするものであり、
該IC2を供給するローダ3と、該ローダ3より供給さ
れたIC2を予熱するために2箇所に設けられた第1お
よび第2のプリヒート部4a、4bと、IC2に対して
所定電圧の印加および特性測定を行う測定部5と、該測
定部5の測定結果によってICを仕分けする選別部6と
、選別されたIC2を収容するアンローダ7とを有して
おり、これらの各部は制御部8によってそれぞれの作動
が制御される構造となっている。
ILP(デュアル・インライン・プラスチックパッケー
ジ)形の半導体装置を被測定IC2とするものであり、
該IC2を供給するローダ3と、該ローダ3より供給さ
れたIC2を予熱するために2箇所に設けられた第1お
よび第2のプリヒート部4a、4bと、IC2に対して
所定電圧の印加および特性測定を行う測定部5と、該測
定部5の測定結果によってICを仕分けする選別部6と
、選別されたIC2を収容するアンローダ7とを有して
おり、これらの各部は制御部8によってそれぞれの作動
が制御される構造となっている。
上記ハンドラ1の搬送経路Ll−L@ は、第1図に示
すように、例えば8連構造のものであり、最大8個のI
C2を同時に処理可能なものである。
すように、例えば8連構造のものであり、最大8個のI
C2を同時に処理可能なものである。
ただし、このようなIC2の同時測定個数は、上記測定
部5の能力に依存しており、IC2のビン数の多いロジ
ック製品等においては、同時測定個数は必然的にメモリ
製品に対して少なくなる。
部5の能力に依存しており、IC2のビン数の多いロジ
ック製品等においては、同時測定個数は必然的にメモリ
製品に対して少なくなる。
本実施例における搬送経路L1〜L、は、たとえば水平
方向に延設されたシニートあるいはベルトコンベアによ
って構成されており、各部間のIC2の搬送は、真空チ
ャック等の移送手段を用いてもよい。
方向に延設されたシニートあるいはベルトコンベアによ
って構成されており、各部間のIC2の搬送は、真空チ
ャック等の移送手段を用いてもよい。
本実施例の測定部5は、第2図に示すように一対の恒温
室10a、lobが連設された恒温槽10で構成されて
おり、上記恒温室10aまたは10bのいずれかが選択
的に搬送経路り、〜L、上に位置される構造となってい
る。このような恒温槽10の移動は、たとえば恒温槽l
Oの下部において、上記搬送経路L+−Lm に対して
垂直方向に敷設されたレール1.1上を恒温槽が制御部
8の制御で移動されることにより実現されている。
室10a、lobが連設された恒温槽10で構成されて
おり、上記恒温室10aまたは10bのいずれかが選択
的に搬送経路り、〜L、上に位置される構造となってい
る。このような恒温槽10の移動は、たとえば恒温槽l
Oの下部において、上記搬送経路L+−Lm に対して
垂直方向に敷設されたレール1.1上を恒温槽が制御部
8の制御で移動されることにより実現されている。
上記各恒温室10a、10bの内部には、それぞれ加熱
源としてのヒータ12a、12bが設けられており、上
記制御部8の制御により各室内を所定の温度条件にする
ことが可能な構造となっている。なお、このヒータ12
a、12bにおいては、必要に応じて冷却手段を備えた
ものとしてもよい。また、該室内にはヒータ12a、1
2bからの発熱を効率的に室内に伝えるために、ファン
等の熱風の対流手段を内設してもよい。
源としてのヒータ12a、12bが設けられており、上
記制御部8の制御により各室内を所定の温度条件にする
ことが可能な構造となっている。なお、このヒータ12
a、12bにおいては、必要に応じて冷却手段を備えた
ものとしてもよい。また、該室内にはヒータ12a、1
2bからの発熱を効率的に室内に伝えるために、ファン
等の熱風の対流手段を内設してもよい。
上記恒温室10a、10bの室内において、ヒータ12
a、12bの下方には、搬送経路り、〜L8 に対応し
た数のソケット13が設けられており、何れかの恒温室
10a、10bの室内に導入されたIC2は第2図に示
すように該ソケット13上に位置される。このようにソ
ケット13上に位置された状態において、IC2のリー
ドは該ソケットの図示されない電極と接触状態とされる
。
a、12bの下方には、搬送経路り、〜L8 に対応し
た数のソケット13が設けられており、何れかの恒温室
10a、10bの室内に導入されたIC2は第2図に示
すように該ソケット13上に位置される。このようにソ
ケット13上に位置された状態において、IC2のリー
ドは該ソケットの図示されない電極と接触状態とされる
。
上記恒温槽10の下部には、上下方向にのみ移動可能な
テストヘッド14を有しており、該テストヘッド14の
上端面には、該テストヘッドが上昇位置となったときに
上記恒温室内のソケット13と導通されるプローブ15
が設けられている。
テストヘッド14を有しており、該テストヘッド14の
上端面には、該テストヘッドが上昇位置となったときに
上記恒温室内のソケット13と導通されるプローブ15
が設けられている。
上記テストヘッド14は本ハンドラ1外に設けられたテ
スタ16と接続されており、恒温室内のIC2に対して
電源電圧の供給および信号の入出力が可能となっている
。
スタ16と接続されており、恒温室内のIC2に対して
電源電圧の供給および信号の入出力が可能となっている
。
次に、本実施例の作用について説明する。
以下の説明においては、本実施例のハンドラ1によるシ
ステムを用いて、まず常温条件での測定を行う第1のテ
スト工程と、例えば75℃の高温条件での測定を行う第
2のテスト工程とを連続的に行う場合について説明する
。
ステムを用いて、まず常温条件での測定を行う第1のテ
スト工程と、例えば75℃の高温条件での測定を行う第
2のテスト工程とを連続的に行う場合について説明する
。
はじめに、ローダ3より各搬送経路L1〜L8に供給さ
れたIC2は、第1のプリヒート部4aに移送される。
れたIC2は、第1のプリヒート部4aに移送される。
この段階では第1のプリヒート部4aは加熱が行われて
おらず、したがって供給されたIC2は常温状態のまま
測定部5に送られる。
おらず、したがって供給されたIC2は常温状態のまま
測定部5に送られる。
ここで測定部5では、恒温槽10が第1図および第2図
で示す位置となっており、搬送経路り。
で示す位置となっており、搬送経路り。
〜L8上には内部が常温状態に制御されている第1の恒
温室10aが位置している。IC2が全て第1の恒温室
10aの室内のソケッ)13上に位置されると、図示し
ないシャッタが閉じられて、第1の恒温室10aが密閉
状態となる。
温室10aが位置している。IC2が全て第1の恒温室
10aの室内のソケッ)13上に位置されると、図示し
ないシャッタが閉じられて、第1の恒温室10aが密閉
状態となる。
次に、第1の恒温室tOaの下部に位置するテストヘッ
ド14が上昇し、テストヘッド14のプローブ15と室
内のソケットが導通状態となる。
ド14が上昇し、テストヘッド14のプローブ15と室
内のソケットが導通状態となる。
これにより、外部のテスタ16より室内のIC2に対し
て電源電圧の印加およびテスト信号の入出力が繰り返さ
れて所定時間のテストが継続される。
て電源電圧の印加およびテスト信号の入出力が繰り返さ
れて所定時間のテストが継続される。
このときのテスト結果は制御部8に通知され、常温条件
における第1のテスト工程め結果として制御部8が有す
る図示しない記憶部に記憶される。
における第1のテスト工程め結果として制御部8が有す
る図示しない記憶部に記憶される。
上記第1のテスト工程が完了すると、IC2は測定部5
より第2のプリヒート部4bに移される。
より第2のプリヒート部4bに移される。
このとき、第2のプリヒート部4bは制御部8の制御に
より加熱状態となっており、プリヒート部4b上に位置
された各IC2は所定の温度にまで予熱される。
より加熱状態となっており、プリヒート部4b上に位置
された各IC2は所定の温度にまで予熱される。
上記IC2の予熱と同時に、制御部8の制御により、測
定部5の恒温槽10がレール11上を第1図の上方向(
第2図では左方向)に移動されて、測定部5の搬送経路
L1〜L、上には第2の恒温室10bが配置された状態
となる。この゛とき上記第2の恒温室10b内では、制
御部8の制御によってヒータ12bが作動されており、
室内は規定の高温条件である75℃を維持された状態と
なっている。
定部5の恒温槽10がレール11上を第1図の上方向(
第2図では左方向)に移動されて、測定部5の搬送経路
L1〜L、上には第2の恒温室10bが配置された状態
となる。この゛とき上記第2の恒温室10b内では、制
御部8の制御によってヒータ12bが作動されており、
室内は規定の高温条件である75℃を維持された状態と
なっている。
プリヒート部4bにおいて予熱の完了したIC2は順次
第2の恒温室10bに導入されて、上記に説明した第1
のテスト工程と同様のテストが、75℃の高温条件下で
継続的に行われる。この高温条件における第2のテスト
工程のテスト結果は、同様にしてテスタ16より制御部
8に通知される。
第2の恒温室10bに導入されて、上記に説明した第1
のテスト工程と同様のテストが、75℃の高温条件下で
継続的に行われる。この高温条件における第2のテスト
工程のテスト結果は、同様にしてテスタ16より制御部
8に通知される。
上記のようにして、第2のテスト工程が完了したIC2
は、再度第2のプリヒート部4b上に移送される。この
段階においては、該第2のブリヒ−ト部4bの加熱は既
に停止されており、常温状態となっており、IC2も自
然冷却される。これとともに、制御部8においては、上
記第1のテスト結果と第2のテスト結果とが総合されて
、各IC2に対してその良否および製品としてのグレー
ド付けが行われる。これに基づいて、制御部8は、選別
部を作動制御して、第2のプリヒート部4b上のIC2
をグレード別に構成されたアンローダ7の各ライン上に
振り分ける作業を行う。
は、再度第2のプリヒート部4b上に移送される。この
段階においては、該第2のブリヒ−ト部4bの加熱は既
に停止されており、常温状態となっており、IC2も自
然冷却される。これとともに、制御部8においては、上
記第1のテスト結果と第2のテスト結果とが総合されて
、各IC2に対してその良否および製品としてのグレー
ド付けが行われる。これに基づいて、制御部8は、選別
部を作動制御して、第2のプリヒート部4b上のIC2
をグレード別に構成されたアンローダ7の各ライン上に
振り分ける作業を行う。
このように、本実施例によれば以下の効果を得ることが
できる。
できる。
(1)、測定部5の搬送経路L+−Ls上において、恒
温槽10をレール11上で移動させることにより、常温
条件の第1の恒温室10aと、高温条件の第2の恒温室
10bとを選択できるため、2種類の温度条件によるテ
ストを連続的に実施することが可能となり、ICのテス
トを効率的に行うことが可能となる。
温槽10をレール11上で移動させることにより、常温
条件の第1の恒温室10aと、高温条件の第2の恒温室
10bとを選択できるため、2種類の温度条件によるテ
ストを連続的に実施することが可能となり、ICのテス
トを効率的に行うことが可能となる。
(2)、上記(1)により、1種類の温度条件でのテス
トしか必要でない少量多品種製品についても、異なった
品種を連続的にテストすることが可能となり、少量多品
種製品の製造効率を向上させることができる。
トしか必要でない少量多品種製品についても、異なった
品種を連続的にテストすることが可能となり、少量多品
種製品の製造効率を向上させることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、実施例では、全てのIC2に対して第1のテ
スト工程と第2のテスト工程とを連続的に行った場合に
ついて説明したが、第1のテスト工程において不良の検
出されたICについては、第1のテスト工程が終了した
段階で選別部6を作動してラインから排除してもよい。
スト工程と第2のテスト工程とを連続的に行った場合に
ついて説明したが、第1のテスト工程において不良の検
出されたICについては、第1のテスト工程が終了した
段階で選別部6を作動してラインから排除してもよい。
また、実施例では2つの温度条件でのテストを必要とし
ているIC2について説明したが、単一の温度条件のみ
のICであってもよい。この場合には、第1または第2
のいずれかの恒温槽の一方のみを用いればよい。このと
き、他方の恒温槽は後続の他の品種のICのテストのた
めの温度設定を行うことができる。これによりハンドラ
へのICの品種切り換えの際のセットアツプ時間を短縮
でき、特に少量多品種におけるICのテストを極めて効
率的に行うことができる。
ているIC2について説明したが、単一の温度条件のみ
のICであってもよい。この場合には、第1または第2
のいずれかの恒温槽の一方のみを用いればよい。このと
き、他方の恒温槽は後続の他の品種のICのテストのた
めの温度設定を行うことができる。これによりハンドラ
へのICの品種切り換えの際のセットアツプ時間を短縮
でき、特に少量多品種におけるICのテストを極めて効
率的に行うことができる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
すなわち、搬送経路上に選択的に位置されるとともにそ
れぞれが異なる温度条件で設定された少なくとも2以上
の恒温槽を備えたハンドラ構造とすることによって、単
一のハンドラにおいて、温度設定の異なる恒温槽を選択
的に使用可能となり、効率的なICの測定・選別が実現
される。
れぞれが異なる温度条件で設定された少なくとも2以上
の恒温槽を備えたハンドラ構造とすることによって、単
一のハンドラにおいて、温度設定の異なる恒温槽を選択
的に使用可能となり、効率的なICの測定・選別が実現
される。
第1図は本発明の一実施例であるハンドラの全体構成を
示すシステム構成図、 第2図はこの実施例のハンドラにおける恒温槽の構造を
示す第1図の■−■線における概略断面図である。 1・・・ハンドラ、2・・・IC,3・・・ローダ、4
a、4b・・・プリヒート部、5・・・測定部、6・・
・選別部、7・・・アンローダ、8・・・制御部、10
・・・恒温槽、10a・・・第1の恒温室、10b・・
・第2の恒温室、11・・・レール、12a、12b・
・・ヒータ、13・・・ソケット、14・・・テストヘ
ッド、15・・・プローブ、16・・・テスタ、Ll
〜L、・・・搬送経路。 代理人 弁理士 筒 井 大 和
示すシステム構成図、 第2図はこの実施例のハンドラにおける恒温槽の構造を
示す第1図の■−■線における概略断面図である。 1・・・ハンドラ、2・・・IC,3・・・ローダ、4
a、4b・・・プリヒート部、5・・・測定部、6・・
・選別部、7・・・アンローダ、8・・・制御部、10
・・・恒温槽、10a・・・第1の恒温室、10b・・
・第2の恒温室、11・・・レール、12a、12b・
・・ヒータ、13・・・ソケット、14・・・テストヘ
ッド、15・・・プローブ、16・・・テスタ、Ll
〜L、・・・搬送経路。 代理人 弁理士 筒 井 大 和
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、搬送経路上を移送されるICに対して予備加熱、測
定、分類選別を順次行うハンドラであって、搬送経路上
に選択的に位置されるとともにそれぞれが異なる温度条
件で設定された少なくとも2以上の恒温槽を備えている
ことを特徴とするハンドラ。 2、上記各恒温槽内にそれぞれ測定部が設けられており
、これらの測定部が上記恒温槽の移動にともなって選択
的に搬送経路上に設けられたテストヘッドと導通状態と
なることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のハン
ドラ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62327735A JPH01167684A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | ハンドラ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62327735A JPH01167684A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | ハンドラ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01167684A true JPH01167684A (ja) | 1989-07-03 |
Family
ID=18202397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62327735A Pending JPH01167684A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | ハンドラ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01167684A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04147067A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | バーンイン装置 |
US6163145A (en) * | 1997-02-20 | 2000-12-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Transporting apparatus for semiconductor device |
-
1987
- 1987-12-23 JP JP62327735A patent/JPH01167684A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04147067A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | バーンイン装置 |
US6163145A (en) * | 1997-02-20 | 2000-12-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Transporting apparatus for semiconductor device |
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