JPH01161661A - 赤外線源およびその製造方法 - Google Patents
赤外線源およびその製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 73
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 36
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 28
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 13
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 10
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 10
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 claims 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 claims 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019993 champagne Nutrition 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012857 radioactive material Substances 0.000 description 1
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 1
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/12—Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressure or temperature
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/12—Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressure or temperature
- H01J61/14—Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressure or temperature having one or more carbon compounds as the principal constituents
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/30—Vessels; Containers
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- H01J61/02—Details
- H01J61/30—Vessels; Containers
- H01J61/35—Vessels; Containers provided with coatings on the walls thereof; Selection of materials for the coatings
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
- H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
- H01J65/042—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
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- H01J9/245—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases specially adapted for gas discharge tubes or lamps
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- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
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- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、赤外線(IR)スペクトルにおいて不連続、
非干渉の自然発光回数で赤外線を放射する、内部電極の
ない、封じ込み、分子気体放射源およびその製造方法に
関する。
非干渉の自然発光回数で赤外線を放射する、内部電極の
ない、封じ込み、分子気体放射源およびその製造方法に
関する。
(従来の技術)
非密閉連続流に対するものとして、封じ込み分子気体放
射赤外線源が知られている。しかし、その赤外線源は、
一般に、作動中の赤外線発光ガスの解離および(または
)減損により寿命が短く、また、励起分子の非放射緩和
により力がない。
射赤外線源が知られている。しかし、その赤外線源は、
一般に、作動中の赤外線発光ガスの解離および(または
)減損により寿命が短く、また、励起分子の非放射緩和
により力がない。
さらに、従来の赤外線源の入力に対する赤外線出力の比
は、低い。このような欠点を克服するために、米国特許
第3,984,727号および英国特許第1,591,
709号で開示された装置のように複雑な構造を含む解
決法が提案された。
は、低い。このような欠点を克服するために、米国特許
第3,984,727号および英国特許第1,591,
709号で開示された装置のように複雑な構造を含む解
決法が提案された。
(発明が解決しようとする課題)
したがって、本発明の目的は、従来技術による装置の不
利な点を改善することにあり、また、1または複数の気
体種の分子旋光−振動推移帯の不連続の自然発光周波数
特性で狭いスペクトル線を発光することができる、簡単
な構造を有する赤外線源を提供することにある。
利な点を改善することにあり、また、1または複数の気
体種の分子旋光−振動推移帯の不連続の自然発光周波数
特性で狭いスペクトル線を発光することができる、簡単
な構造を有する赤外線源を提供することにある。
本発明の他の目的は、少なくとも数か月間連続的に作動
する赤外線源であワて、少なくとも数ミリワットの、選
択された周波数の出力を有し、また、この周波数での赤
外線出力が赤外線源を作動させるに要する全パワーの数
パーセントまたは10数パーセントのオーダであるよう
なパワー効率を有する赤外線源を提供することにある。
する赤外線源であワて、少なくとも数ミリワットの、選
択された周波数の出力を有し、また、この周波数での赤
外線出力が赤外線源を作動させるに要する全パワーの数
パーセントまたは10数パーセントのオーダであるよう
なパワー効率を有する赤外線源を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
前記の目的は、壁間に封じ込み、無電極チャンバを区画
する密閉体を含む赤外線源を提供することにより達成さ
れ、首記密閉体の壁は、少なくとも1つの赤外線透過部
分を有し、また、前記チャンバは、少なくとも1つの分
子赤外線活性ガス、少なくとも1つのバッファガスおよ
び少なくとも1つの希ガスからなる混合ガスを収容する
。
する密閉体を含む赤外線源を提供することにより達成さ
れ、首記密閉体の壁は、少なくとも1つの赤外線透過部
分を有し、また、前記チャンバは、少なくとも1つの分
子赤外線活性ガス、少なくとも1つのバッファガスおよ
び少なくとも1つの希ガスからなる混合ガスを収容する
。
本発明は、また、赤外線源の製造方法を提供するもので
あり、該製造方法は、壁間にチャンバを規定する誘電体
材料製の密閉体を用意すること、前記チャンバを洗浄剤
中にひたすこと、前記チャンバを蒸留脱イオン水で完全
にゆすぐこと、前記チャンバを乾かすこと、約200℃
〜約300℃の温度で前記チャンバを焼き乾かすこと、
少なくとも1つの希ガスを前記チャンバ中に導入するこ
と、前記チャンバ内で一定時間放電を行い、前記チャン
バを空にすること、前記チャンバに少なくとも1つの分
子赤外線活性ガス、少なくとも1つのバッファガスおよ
び少なくとも1つの希ガスを含む混合ガスを充填するこ
と、前記チャンバを密閉して封をすることを含む。
あり、該製造方法は、壁間にチャンバを規定する誘電体
材料製の密閉体を用意すること、前記チャンバを洗浄剤
中にひたすこと、前記チャンバを蒸留脱イオン水で完全
にゆすぐこと、前記チャンバを乾かすこと、約200℃
〜約300℃の温度で前記チャンバを焼き乾かすこと、
少なくとも1つの希ガスを前記チャンバ中に導入するこ
と、前記チャンバ内で一定時間放電を行い、前記チャン
バを空にすること、前記チャンバに少なくとも1つの分
子赤外線活性ガス、少なくとも1つのバッファガスおよ
び少なくとも1つの希ガスを含む混合ガスを充填するこ
と、前記チャンバを密閉して封をすることを含む。
(実施例)
第1図を参照するに、密閉体4からなる赤外線源2が示
されており、前記密閉体はその壁間に封じ込みチャンバ
6を区画する。密閉体4は、パイレックス(商品名)、
ガラスまたは石英のような1rFr ?tC体材料から
造られ、赤外線透過性の少なくとも1つの壁8を有し、
赤外線は作動中密閉体4から矢印Aの方向へ放射される
。チャンバ6の内部に収容されたガス分子を励起させる
ために、密閉体4は、その外側に赤外線源2に電力を供
給しかつ制御するための高周波励振器(図示せず)にケ
ーブル13を介して接続される一対の電極10.12が
取り付けられている。
されており、前記密閉体はその壁間に封じ込みチャンバ
6を区画する。密閉体4は、パイレックス(商品名)、
ガラスまたは石英のような1rFr ?tC体材料から
造られ、赤外線透過性の少なくとも1つの壁8を有し、
赤外線は作動中密閉体4から矢印Aの方向へ放射される
。チャンバ6の内部に収容されたガス分子を励起させる
ために、密閉体4は、その外側に赤外線源2に電力を供
給しかつ制御するための高周波励振器(図示せず)にケ
ーブル13を介して接続される一対の電極10.12が
取り付けられている。
本発明によれば、密閉体4の内部は、下記a)〜C)の
ガスを含む混合ガスで満たされている。
ガスを含む混合ガスで満たされている。
a)適当に励起されたとき、既知の離散スペクトル分布
の赤外線を放射することができる、少なくとも1つの赤
外線活性ガス。
の赤外線を放射することができる、少なくとも1つの赤
外線活性ガス。
b)相対的に長く活性の状態にある励起エネルギー準位
を有し、V−V (振動−振動)衝突法によって励起割
合および赤外線活性ガスの放射を増すために、吸収され
た励起エネルギーを貯えることができる、少なくとも1
つのバッファガス。
を有し、V−V (振動−振動)衝突法によって励起割
合および赤外線活性ガスの放射を増すために、吸収され
た励起エネルギーを貯えることができる、少なくとも1
つのバッファガス。
C)混合ガスの放出の開始を助け、前記チャンバ内の自
由電子の密度を増すための少なくとも1つの希ガス。
由電子の密度を増すための少なくとも1つの希ガス。
このような混合ガスを用いて行なわれた実験は、延ばさ
れた寿命期間、強化発光、放射された赤外線の適切な変
調を示す赤外線源を得るために、次の相関パラメータが
考慮されねばならない。
れた寿命期間、強化発光、放射された赤外線の適切な変
調を示す赤外線源を得るために、次の相関パラメータが
考慮されねばならない。
i)上記3種類のガスの混合ガス
ii)前記チャンバ内の前記混合ガスの圧力iii )
前記チャンバの形状 これらの相関パラメータを考慮するに、励起された赤外
線活性分子の自然な減衰時間中に、例えば数ミリ秒のオ
ーダで、分子は異なる3つの方法で、すなわち、壁消光
、衝突消光および自己消光により消光する傾向がある。
前記チャンバの形状 これらの相関パラメータを考慮するに、励起された赤外
線活性分子の自然な減衰時間中に、例えば数ミリ秒のオ
ーダで、分子は異なる3つの方法で、すなわち、壁消光
、衝突消光および自己消光により消光する傾向がある。
壁消光は、励起された分子がガス媒体中の所定位置から
、この分子が迅速に消光しかつ励起状態が失われる前記
密閉体の壁へ拡散することに起因する。高出力のために
最適の圧力よりも低いガス圧力で運転される赤外線源の
平均の大きさに対する平均の拡散時間は、放射寿命より
も数倍速い時間である。これは、その結果、可視領域ま
たは紫外線領域のスペクトルにおいて原子放射源に対応
する状況と比較して、放出エネルギーから赤外線強さに
変換される効率の減少を招く。衝突消光は、赤外線活性
分子と、不純物を含む混合ガスの他の組成物との間に起
こる。励起された分子が他の原子または分子と衝突する
ことによる励起状態の早められた消光は、その結果、赤
外線強さおよび赤外線源の効率の低下を招く。
、この分子が迅速に消光しかつ励起状態が失われる前記
密閉体の壁へ拡散することに起因する。高出力のために
最適の圧力よりも低いガス圧力で運転される赤外線源の
平均の大きさに対する平均の拡散時間は、放射寿命より
も数倍速い時間である。これは、その結果、可視領域ま
たは紫外線領域のスペクトルにおいて原子放射源に対応
する状況と比較して、放出エネルギーから赤外線強さに
変換される効率の減少を招く。衝突消光は、赤外線活性
分子と、不純物を含む混合ガスの他の組成物との間に起
こる。励起された分子が他の原子または分子と衝突する
ことによる励起状態の早められた消光は、その結果、赤
外線強さおよび赤外線源の効率の低下を招く。
特定の消光要因の性質は、規定された放出分子および励
起状態による。例えば、二酸化炭素分子の(001)状
態から(000)状態になるときの4.27放射線は、
特に、水または水素分子との衝突による消光に影習され
やすい。
起状態による。例えば、二酸化炭素分子の(001)状
態から(000)状態になるときの4.27放射線は、
特に、水または水素分子との衝突による消光に影習され
やすい。
最後に、励起状態において特定の赤外線を放出する分子
は、同種の非励起分子との衝突により消光される。これ
は自己消光と呼ばれ、赤外線源における活性種の許容で
きる全体の圧力を著しく制限する。原子または分子のバ
ッファ種と同様の赤外線源の赤外線活性分子種は、予め
決められた値を越えないような限界圧力に維持される。
は、同種の非励起分子との衝突により消光される。これ
は自己消光と呼ばれ、赤外線源における活性種の許容で
きる全体の圧力を著しく制限する。原子または分子のバ
ッファ種と同様の赤外線源の赤外線活性分子種は、予め
決められた値を越えないような限界圧力に維持される。
前記密閉体の壁に対する拡散は、低い圧力で速くなるか
ら、壁消光および衝突消光は、相互依存している。よっ
て、相対的に大きい寸法の赤外線源は、かなりの力変換
効率で高い放射線強さを維持することができる。
ら、壁消光および衝突消光は、相互依存している。よっ
て、相対的に大きい寸法の赤外線源は、かなりの力変換
効率で高い放射線強さを維持することができる。
本発明に従って製造され、作動される赤外線放射源の例
は次のとおりである。
は次のとおりである。
実施例番号 混合ガス 相対圧力
1、 CO2,N2.He 1:4ニ
ア2、 CO2,N2.He、Xe 1:2
:2:33、 CO2,N2.Xe
1:2:84、 Co、N2.Xe
1:1:8チヤンバ内の全圧力は1トルから100ト
ルまで変化可能である。
1、 CO2,N2.He 1:4ニ
ア2、 CO2,N2.He、Xe 1:2
:2:33、 CO2,N2.Xe
1:2:84、 Co、N2.Xe
1:1:8チヤンバ内の全圧力は1トルから100ト
ルまで変化可能である。
第2図は、CO2、N2 、XeおよびHeを含みかつ
1,2,3.3の相対分圧と6〜25トルの範囲にある
全圧とを有する赤外線放射源の放射量を示す。この放射
源は、数100ミリワツトの平均出力および4〜7メガ
ヘルツの周波数範囲で作動する高周波発振器によって励
起された。前記放射源からの出力は10ミリワツトのオ
ーダーにある。
1,2,3.3の相対分圧と6〜25トルの範囲にある
全圧とを有する赤外線放射源の放射量を示す。この放射
源は、数100ミリワツトの平均出力および4〜7メガ
ヘルツの周波数範囲で作動する高周波発振器によって励
起された。前記放射源からの出力は10ミリワツトのオ
ーダーにある。
第3図および第4図を参照して前記赤外線放射源の形状
の点に言及するに、ここで使用される「赤外線放射線源
」なる用語は、混合ガスを含むチャンバ6を区画する密
閉体の全体の寸法および形状の双方をその意義に包含す
る。
の点に言及するに、ここで使用される「赤外線放射線源
」なる用語は、混合ガスを含むチャンバ6を区画する密
閉体の全体の寸法および形状の双方をその意義に包含す
る。
例えば、実施例2の混合ガスでは、4.27ミクロンの
放射線を生じさせる二酸化炭素(CO2)分子の(00
1)振動状態における寿命は約5ミリ秒である。赤外線
出力を最大にするために、放電領域における前記チャン
バ寸法および前記混合ガスの全圧および分圧は、壁への
拡散がこの時間よりも非常に少ない時間で起こり、また
、異なる衝突緩和プロセスが115ミリ秒=200秒−
1より高速度で起こる可能性を回避するように選択され
るべきである。しかし、もし、放射される赤外線のより
速い変調速度を得ることが望まれる場合は、前記チャン
バの寸法は前記チャンバの前記壁への分子の拡散が該分
子の減衰時間より少ない時間を要するように充分に小さ
いものであるべきである。CO2分子の減衰時間が約5
ミリ秒であるのに対し、CO(実施例4を参照)の減衰
時間は約30ミリ秒である。
放射線を生じさせる二酸化炭素(CO2)分子の(00
1)振動状態における寿命は約5ミリ秒である。赤外線
出力を最大にするために、放電領域における前記チャン
バ寸法および前記混合ガスの全圧および分圧は、壁への
拡散がこの時間よりも非常に少ない時間で起こり、また
、異なる衝突緩和プロセスが115ミリ秒=200秒−
1より高速度で起こる可能性を回避するように選択され
るべきである。しかし、もし、放射される赤外線のより
速い変調速度を得ることが望まれる場合は、前記チャン
バの寸法は前記チャンバの前記壁への分子の拡散が該分
子の減衰時間より少ない時間を要するように充分に小さ
いものであるべきである。CO2分子の減衰時間が約5
ミリ秒であるのに対し、CO(実施例4を参照)の減衰
時間は約30ミリ秒である。
第3図に示すように、密閉体4は2つの部分、すなわち
、貯蔵部と称される大きい直径D(約40+m)および
長さしく約50 mm)の第1の部分と、放電部分また
は放電領域と称される小さい直径d(約15mm)およ
び長さIL(約30mm)の第2の部分とから成る。2
つの電極10および12が前記放電領域に接続されてい
る。励起すると、所望の気体放射線が矢印Aの方向ヘチ
ャンバ6から出る。したがって、チャンバ6の大部分の
容量が、前記放電領域に気体分子の同じ混合ガスを絶え
ず補給するための貯蔵部として用いられることが理解さ
れよう。このタイプの放射源の形状は、放射源の寿命お
よび出力安定性を増大させる。
、貯蔵部と称される大きい直径D(約40+m)および
長さしく約50 mm)の第1の部分と、放電部分また
は放電領域と称される小さい直径d(約15mm)およ
び長さIL(約30mm)の第2の部分とから成る。2
つの電極10および12が前記放電領域に接続されてい
る。励起すると、所望の気体放射線が矢印Aの方向ヘチ
ャンバ6から出る。したがって、チャンバ6の大部分の
容量が、前記放電領域に気体分子の同じ混合ガスを絶え
ず補給するための貯蔵部として用いられることが理解さ
れよう。このタイプの放射源の形状は、放射源の寿命お
よび出力安定性を増大させる。
第3図に示す形状を有し、また、実施例2の混合ガスで
満たされた赤外線放射源で行なった試験は、連続作動の
io、、ooo時間を越える寿命の持続時間を達成する
ことができることを示した。実施例4の混合ガスを含む
放射源で行なった試験はs、ooo時間を越える連続作
動を達成した。
満たされた赤外線放射源で行なった試験は、連続作動の
io、、ooo時間を越える寿命の持続時間を達成する
ことができることを示した。実施例4の混合ガスを含む
放射源で行なった試験はs、ooo時間を越える連続作
動を達成した。
実施された他の試験結果は次の表に要約される。
表工:2、 ゛ 、1 の圧
第1図の放射源形状:
D=15mm;実施例3の混合ガス
チャンバ内 減衰時間 相対赤外線の全圧力
(ミリ秒) 放射出力第1図の放射源形
状: D=151m;全圧力10トル 気体混合物 減衰時間 相対赤外線CO2,N
2.Xe (ミリ秒) 放射出力10 : 2
0 : 30 4 1 100
10:1:30 2
4510: 1:100 3 6
010: 1:300 2.5
40表■:ハ IJI、11 の2 チ
ャンパン実施例3の混合ガス;全圧力10トル (mm) (ミリ秒) 放射出力10
3.5 70再び第4図を参照
すると、2つのコンパートメント14および16を有す
る、変更された放射源2が示されている。コンパートメ
ント14には本発明に従う、ある活性ガス(例えばC0
2)を含む混合ガスが導入されている。コンパートメン
ト16には、混合ガスであるが追加活性ガス(例えばN
20またはN20に似た解離傾向を有する他の分子)を
含むものが封じ込めうわている。コンパートメント14
で放電が起こると、前記したある活性ガスの分子から方
向Aに向けて放射線が前記追加活性ガスを有するコンパ
ートメント16へ入る。第2のコンパートメント16で
は、第1の活性分子が、コンパートメント14から出て
くる特有の放射線を吸収し、また、衝突V−Vプロセス
により、第2の活性分子をその振動状態に励起する。し
たがって、第2の活性ガスの方向Bにあける放射線は、
コンパートメント16内での気体放電を誘発することな
しに、コンパートメント16から放射される。
(ミリ秒) 放射出力第1図の放射源形
状: D=151m;全圧力10トル 気体混合物 減衰時間 相対赤外線CO2,N
2.Xe (ミリ秒) 放射出力10 : 2
0 : 30 4 1 100
10:1:30 2
4510: 1:100 3 6
010: 1:300 2.5
40表■:ハ IJI、11 の2 チ
ャンパン実施例3の混合ガス;全圧力10トル (mm) (ミリ秒) 放射出力10
3.5 70再び第4図を参照
すると、2つのコンパートメント14および16を有す
る、変更された放射源2が示されている。コンパートメ
ント14には本発明に従う、ある活性ガス(例えばC0
2)を含む混合ガスが導入されている。コンパートメン
ト16には、混合ガスであるが追加活性ガス(例えばN
20またはN20に似た解離傾向を有する他の分子)を
含むものが封じ込めうわている。コンパートメント14
で放電が起こると、前記したある活性ガスの分子から方
向Aに向けて放射線が前記追加活性ガスを有するコンパ
ートメント16へ入る。第2のコンパートメント16で
は、第1の活性分子が、コンパートメント14から出て
くる特有の放射線を吸収し、また、衝突V−Vプロセス
により、第2の活性分子をその振動状態に励起する。し
たがって、第2の活性ガスの方向Bにあける放射線は、
コンパートメント16内での気体放電を誘発することな
しに、コンパートメント16から放射される。
上記のように、本発明の本質的な特徴は、自己制御され
た長寿命の連続放射の赤外線源にあり、これは、なかで
も、異なる消光プロセスと、混合ガス中の赤外線ガスを
消耗させる他の原因とを可能な限り無効にすることによ
り達成される。この努力において、密閉体4の中を、こ
れへの混合ガスの導入に先立って、以下のように前処理
をすることが提案される。
た長寿命の連続放射の赤外線源にあり、これは、なかで
も、異なる消光プロセスと、混合ガス中の赤外線ガスを
消耗させる他の原因とを可能な限り無効にすることによ
り達成される。この努力において、密閉体4の中を、こ
れへの混合ガスの導入に先立って、以下のように前処理
をすることが提案される。
a)チャンバ6を化学品にひたす。たとえば、30%硝
酸水溶液または硫酸と1%ナトリウム過硫酸塩または硫
化クロム酸、もしくはアルコノックス(商品名)、マイ
クロ(商品名)または、クロミックス(商品名)のよう
な他の同様のクリーニング剤に−・夜ひたす。
酸水溶液または硫酸と1%ナトリウム過硫酸塩または硫
化クロム酸、もしくはアルコノックス(商品名)、マイ
クロ(商品名)または、クロミックス(商品名)のよう
な他の同様のクリーニング剤に−・夜ひたす。
b)二重蒸留された脱イオン水で完全にゆすぐ。
C)チャンバをたとえばエタノールで乾かす。
d)バキュームオーブン内において280℃で焼き乾か
す。
す。
e)希ガスたとえばキセノン(Xe)をチャンバに導入
し、短時間チャンバ内において放電を生じさせ、チャン
バを空にする。
し、短時間チャンバ内において放電を生じさせ、チャン
バを空にする。
f)赤外線源に使用すべき混合ガスに本質的に等しい混
合ガスをチャンバに導入し、放電を短時間たとえば数分
間生じさせ、ガスを空にする。
合ガスをチャンバに導入し、放電を短時間たとえば数分
間生じさせ、ガスを空にする。
チャンバを焼き゛乾かし、排気し、使用された最終的な
混合ガスの放電を生じさせると、上記のように、選択さ
hたガスが計算された割合および圧力でチャンバに導入
され、チャンバはその後気密的に封じられる。
混合ガスの放電を生じさせると、上記のように、選択さ
hたガスが計算された割合および圧力でチャンバに導入
され、チャンバはその後気密的に封じられる。
通常赤外線活性分子に対し高い緩和傾向を有する密閉体
材料は、この傾向を減じる材料、たとえばフッ化バリウ
ムまたは碧石英で被覆することができる。
材料は、この傾向を減じる材料、たとえばフッ化バリウ
ムまたは碧石英で被覆することができる。
これの代りに、チャンバ内に放射する間、点火を容易に
するために密閉体内の混合ガスを予め良好な状態にする
補助的な放射性物質で密閉体の壁材料を造ることができ
る。同じ効果は、原子量が85のクリプトン(85Kr
)のような放射性ガスのトラックを付加することにより
達成することができる。
するために密閉体内の混合ガスを予め良好な状態にする
補助的な放射性物質で密閉体の壁材料を造ることができ
る。同じ効果は、原子量が85のクリプトン(85Kr
)のような放射性ガスのトラックを付加することにより
達成することができる。
また、赤外線活性ガス分子を好ましいレベルに維持する
ために、ある場合には、赤外線活性ガスの濃度を維持す
る混合ガス分子に加えることが教示される。赤外線活性
分子がCI9の場合、たとえばH2を加えてもよい。
ために、ある場合には、赤外線活性ガスの濃度を維持す
る混合ガス分子に加えることが教示される。赤外線活性
分子がCI9の場合、たとえばH2を加えてもよい。
上記の説明は赤外線活性分子の制限された例であるが、
実験では多くの他の赤外線活性分子がまた非常に有益で
ある。これらの中には、稀薄な同位体を含む以下のガス
分子がある。
実験では多くの他の赤外線活性分子がまた非常に有益で
ある。これらの中には、稀薄な同位体を含む以下のガス
分子がある。
HF H2O16HDS SO□01
Nl5H3DF H2O18D2S
5e02 PH3HCI HDOI
6 H2Se C+202 PD3D”C
I O20” HDSe Cl302
AsH3D”CI O2018O2Se
C1402AsD3HB2 THOO3C32
5bH3DB2 TDON”02 C3e
2 5bD3HI T2OS02
NH3DI H2S 5o16018
ND3
Nl5H3DF H2O18D2S
5e02 PH3HCI HDOI
6 H2Se C+202 PD3D”C
I O20” HDSe Cl302
AsH3D”CI O2018O2Se
C1402AsD3HB2 THOO3C32
5bH3DB2 TDON”02 C3e
2 5bD3HI T2OS02
NH3DI H2S 5o16018
ND3
第1図は、本発明による赤外線源の、一部を断面で示す
概略図である。 第2図は、赤外線源の不連続発光スペクトルを示す図で
ある。 第3図は、本発明による他の赤外線源を示す概略図であ
る。 第4図は、2つのチャンノ(を有する赤外線源を示す概
略図である。 2・・・赤外線源、 4・・・密閉体、 6・・・チャンバ、 10.12・・・電極、 14.16・・・コンパートメント。
概略図である。 第2図は、赤外線源の不連続発光スペクトルを示す図で
ある。 第3図は、本発明による他の赤外線源を示す概略図であ
る。 第4図は、2つのチャンノ(を有する赤外線源を示す概
略図である。 2・・・赤外線源、 4・・・密閉体、 6・・・チャンバ、 10.12・・・電極、 14.16・・・コンパートメント。
Claims (15)
- (1)封じ込み、無電極チャンバを壁間に区画する密閉
体を含み、前記壁は赤外線を透過する少なくとも1つの
部分を有し、前記チャンバは少なくとも1つの、分子の
、赤外線活性ガスと、少なくとも1つのバッファガスと
、少なくとも1つの希ガスとの混合ガスを収容している
、赤外線源。 - (2)前記赤外線活性ガスは、炭酸ガスおよび一酸化炭
素のグループから選ばれる、請求項(1)に記載の赤外
線源。 - (3)前記赤外線活性ガスの分子は、少なくとも1つの
希アイソトープを含む、請求項(1)に記載の赤外線源
。 - (4)前記バッファガスは、窒素、一酸化炭素またはそ
の混合ガスを含むグループから選ばれる、請求項(1)
に記載の赤外線源。 - (5)前記希ガスは、ヘリウムまたはキセノンである、
請求項(1)に記載の赤外線源。 - (6)一定の容積と形状の前記チャンバ内の前記混合ガ
スは全圧を与え、その全圧で、前記チャンバの壁までの
平均ランダム推進時間は放射出力パワーを最高にするよ
うに約5msecを越える、請求項(1)に記載の赤外
線源。 - (7)一定の容積と形状の前記チャンバ内の消光ガス粒
子の分圧は、衝突消光割合が放射出力パワーを最高にす
るために毎秒約200を越えないようなものである、請
求項(1)に記載の赤外線源。 - (8)一定の容積と形状の前記チャンバ内の前記混合ガ
スは全圧を与え、その全圧で、前記チャンバの壁までの
平均ランダム推進時間は、より早い放射変調割合を得る
ように約5msecより少ない、請求項(1)に記載の
赤外線源。 - (9)一定の容積と形状との前記チャンバ内の消光ガス
粒子の分圧は、より早い出力放射変調割合を得るため、
衝突消光割合が毎秒約200を越えるようなものである
、請求項(1)に記載の赤外線源。 - (10)前記密閉体は、貯蔵部を区画する第1の大きな
部分と、放出ゾーンを区画する第2の小寸法の部分との
2つの部分を備える、請求項(1)に記載の赤外線源。 - (11)前記密閉体は、赤外線を透過する仕切によって
2つのコンパートメントに分けられている、請求項(1
)に記載の赤外線源。 - (12)前記2つのコンパートメントの第1のものは前
記混合ガスで満たされ、前記2つのコンパートメントの
第2のものは、前記混合ガスおよび一酸化二窒素分子の
解離傾向と同様な解離傾向を有する付加的な活性ガス分
子で満たされている、請求項(11)に記載の赤外線源
。 - (13)前記チャンバの前記壁は、衝突励起された赤外
線分子を緩和する傾向を減らす物質で被覆されている、
請求項(1)に記載の赤外線源。 - (14)赤外線源を製造する方法であって、壁間にチャ
ンバを区画する誘電体材料で造られた密閉体を用意し、
前記チャンバを洗浄剤にひたし、前記チャンバを蒸留し
た脱イオン水で十分にすすぎ、前記チャンバを乾燥し、
前記チャンバを約200℃〜約300℃の温度で焼き乾
かし、前記チャンバに少なくとも1つの希ガスを導き、
該チャンバ内において一定の時間放電して前記チャンバ
を空にし、前記チャンバを少なくとも1つの、分子の、
赤外線活性ガス、少なくとも1つのバッファガスおよび
少なくとも1つの希ガスを含む混合ガスで満たし、前記
チャンバを気密に封じ込めることを含む、赤外線源の製
造方法。 - (15)さらに、前記チャンバを混合ガスで満たして前
記チャンバを封じ込めるに先立って、前記チャンバに少
なくとも1つの、分子の、赤外線活性ガスおよび少なく
とも1つのバッファガスと少なくとも1つの希ガスを含
む混合ガスを導いて前記チャンバ内において一定の時間
放電して前記チャンバを空にすることを含む、請求項(
14)に記載の赤外線源の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IL84463 | 1987-11-12 | ||
IL84463A IL84463A (en) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | Ir-radiation source and method for producing same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01161661A true JPH01161661A (ja) | 1989-06-26 |
Family
ID=11058319
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63286619A Pending JPH01161661A (ja) | 1987-11-12 | 1988-11-11 | 赤外線源およびその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0316189B1 (ja) |
JP (1) | JPH01161661A (ja) |
AT (1) | ATE117462T1 (ja) |
CA (1) | CA1312114C (ja) |
DE (1) | DE3852813T2 (ja) |
IL (1) | IL84463A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8914722D0 (en) * | 1989-06-27 | 1989-08-16 | Emi Plc Thorn | A discharge tube arrangement |
GB8920051D0 (en) * | 1989-09-05 | 1989-10-18 | Emi Plc Thorn | A discharge tube arrangement |
GB8922862D0 (en) * | 1989-10-11 | 1989-11-29 | Emi Plc Thorn | A discharge tube arrangement |
DE4120730C2 (de) * | 1991-06-24 | 1995-11-23 | Heraeus Noblelight Gmbh | Elektrodenlose Niederdruck-Entladungslampe |
DE10128915A1 (de) | 2001-06-15 | 2002-12-19 | Philips Corp Intellectual Pty | Niederdruckgasentladungslampe mit quecksilberfreier Gasfüllung |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3617110A1 (de) * | 1986-05-21 | 1987-11-26 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Lampe fuer die erzeugung von gas-resonanzstrahlungen |
-
1987
- 1987-11-12 IL IL84463A patent/IL84463A/xx not_active IP Right Cessation
-
1988
- 1988-11-10 CA CA000582820A patent/CA1312114C/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-11-11 AT AT88310636T patent/ATE117462T1/de not_active IP Right Cessation
- 1988-11-11 JP JP63286619A patent/JPH01161661A/ja active Pending
- 1988-11-11 DE DE3852813T patent/DE3852813T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-11-11 EP EP88310636A patent/EP0316189B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3852813D1 (de) | 1995-03-02 |
IL84463A (en) | 1992-06-21 |
CA1312114C (en) | 1992-12-29 |
IL84463A0 (en) | 1988-04-29 |
EP0316189A2 (en) | 1989-05-17 |
DE3852813T2 (de) | 1995-08-31 |
ATE117462T1 (de) | 1995-02-15 |
EP0316189B1 (en) | 1995-01-18 |
EP0316189A3 (en) | 1990-08-22 |
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