JPH01157427U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01157427U JPH01157427U JP4802088U JP4802088U JPH01157427U JP H01157427 U JPH01157427 U JP H01157427U JP 4802088 U JP4802088 U JP 4802088U JP 4802088 U JP4802088 U JP 4802088U JP H01157427 U JPH01157427 U JP H01157427U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- area
- line
- edge
- deviation
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
第１図は一実施例を示す平面図、第２図は第１
図のＸ−Ｘ線位置での断面図、第３図は一実施例
の動作を示す端面図、第４図は測定ビーム走査に
よる正反射光強度を示す図である。 １ａ……前工程のパターンのエツジ、２……検
査マークのレジストパターン、３……測定用レー
ザビーム。
図のＸ−Ｘ線位置での断面図、第３図は一実施例
の動作を示す端面図、第４図は測定ビーム走査に
よる正反射光強度を示す図である。 １ａ……前工程のパターンのエツジ、２……検
査マークのレジストパターン、３……測定用レー
ザビーム。
Claims (1)
- 前工程で形成されたパターンのエツジから測定
機の測定ビームの走査範囲内に設けられ、ウエハ
内に形成されるデバイスの最小線幅と同等又はそ
れ以上の線幅で互いに直交する方向のライン状部
分をその全域又は大部分の領域にもち、検査位置
設定のずれの大きさより大きい大きさをもつウエ
ハ検査マーク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4802088U JPH01157427U (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4802088U JPH01157427U (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01157427U true JPH01157427U (ja) | 1989-10-30 |
Family
ID=31274193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4802088U Pending JPH01157427U (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01157427U (ja) |
-
1988
- 1988-04-08 JP JP4802088U patent/JPH01157427U/ja active Pending