JPH01154513A - Epitaxial growth method - Google Patents
Epitaxial growth methodInfo
- Publication number
- JPH01154513A JPH01154513A JP31318587A JP31318587A JPH01154513A JP H01154513 A JPH01154513 A JP H01154513A JP 31318587 A JP31318587 A JP 31318587A JP 31318587 A JP31318587 A JP 31318587A JP H01154513 A JPH01154513 A JP H01154513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- group
- superlattice
- atoms
- gaas substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 26
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 GaInAs Chemical class 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000958041 Homo sapiens Musculin Proteins 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- BLJHFCVPKWOHJX-UHFFFAOYSA-N ethylgallium Chemical compound CC[Ga] BLJHFCVPKWOHJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZQSCKCTGMHIRY-UHFFFAOYSA-N ethylindium Chemical compound CC[In] NZQSCKCTGMHIRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000046949 human MSC Human genes 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エピタキシャル成長法に関し、特に、超格子
構造を有するＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰのエピタ
キシャル成長法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to an epitaxial growth method, and particularly to an epitaxial growth method of GaInP or AlGaInP having a superlattice structure.
〔発明の概要］
本発明のエピタキシャル成長法は、ＩＩＩ族またはＩＩ
族元素の原子が配列している（１１１）面からＶ族また
は■族元素の原子が配列している最隣接の（１１１）面
に向かう法線ベクトルがただ一本だけその物理的表面か
ら外方に向かう、せん亜鉛鉱型結晶構造を有する■−■
族またはＩｔ−Ｖｌ族化合物結晶基板上に超格子構造を
有するＧａＩｎＰまたはＡｌＧａ１．ｎＰのエピタキシ
ャル層を形成するようにしている。これによって、単一
方位の超格子構造を有するＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩ
ｎＰのエピタキシャル層を形成することができる。[Summary of the invention] The epitaxial growth method of the present invention is applicable to group III or II
Only one normal vector from the (111) plane where the atoms of group elements are arranged to the nearest (111) plane where the atoms of group V or group II elements are arranged is outside the physical surface. ■−■ has a zincite-type crystal structure toward the
GaInP or AlGaI. An nP epitaxial layer is formed. This allows GaInP or AlGaI to have a single orientation superlattice structure.
An nP epitaxial layer can be formed.
〔従来の技術］
従来より、せん亜鉛鉱型結晶構造を有する■−Ｖ族化合
物の一種であるＧａＡｓの（００１）基板表面上に、Ｇ
ａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎ Ｐのエピタキシャル層を
形成する試みが多くなされている。このＧａＩｎＰまた
はＡｌＧａＩｎＰのエピタキシャル層には、規則格子構
造（超格子構造）が形成されることが知られている。こ
の超格子は、人為的に形成される人１超格子とは異なり
、結晶成長の際に自然に形成されるものである。アプラ
イド フィジックスレターズ、第５０巻、第６７３頁か
ら第６７５頁（１９８７年） （Ａ＋）ｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、 Ｖｏｌ、５０＋
ｐｐ、６７３−６７５ （１９８７））では、ＧａＩｎ
Ｐのエピタキシャル層中に形成される超格子は（１１０
）面の規則格子であると報告されている。[Prior art] G
Many attempts have been made to form epitaxial layers of aInP or AlGaInP. It is known that a regular lattice structure (superlattice structure) is formed in this GaInP or AlGaInP epitaxial layer. This superlattice is different from the human-1 superlattice, which is formed artificially, and is naturally formed during crystal growth. Applied Physics Letters, Vol. 50, pp. 673-675 (1987) (A+) plied
Physics Letters, Vol, 50+
pp. 673-675 (1987)), GaIn
The superlattice formed in the epitaxial layer of P is (110
) surface is reported to be a regular lattice.
しかしながら、その後の研究により、ＧａＡｓの（００
１）基板上に形成されたＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎ
Ｐのエピタキシャル層中にはその（１１１）面及び（Ｔ
ｌｌ）面にせん亜鉛鉱型結晶構造の２倍の周期の超格子
がそれぞれ形成されていることが分かり、これは本発明
者が行った電子顕微鏡による構造解析の結果とも一致す
る。これらの（１丁１）面及び（工１１）面の超格子は
結晶学的には完全に等価であり、一つのエピタキシャル
層中にこれらの二つの超格子の領域が形成されている。However, subsequent research revealed that GaAs (00
1) GaInP or AlGaIn formed on the substrate
In the epitaxial layer of P, its (111) plane and (T
It was found that a superlattice with a period twice that of the zincite crystal structure was formed on each of the ll) planes, and this also agrees with the results of structural analysis using an electron microscope conducted by the present inventor. These (1-1) plane and (1-11) plane superlattices are completely equivalent crystallographically, and regions of these two superlattices are formed in one epitaxial layer.
このように、ＧａＡｓの（００１）基板上に形成された
ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰのエピタキシャル層中
には２種類の方位の超格子が混在しているため、このエ
ピタキシャル層は結晶学的に本当の完全結晶とはなって
おらず、これがこのエピタキシャル層の電気的、光学的
、力学的、熱的特性等に悪影響を及ぼすという問題があ
った。In this way, the GaInP or AlGaInP epitaxial layer formed on the GaAs (001) substrate contains two types of superlattice orientations, so this epitaxial layer is crystallographically a true perfect crystal. However, there is a problem in that this adversely affects the electrical, optical, mechanical, thermal properties, etc. of this epitaxial layer.
従って本発明の目的は、単一方位の超格子構造を有する
ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰのエピタキシャル層を
形成することができるエピタキシャル成長法を提供する
ことにある。Therefore, it is an object of the present invention to provide an epitaxial growth method capable of forming an epitaxial layer of GaInP or AlGaInP having a unidirectional superlattice structure.
〔問題点を解決するための手段］
ＧａＡｓの（００１）基板表面上に形成されたＧａＩｎ
ＰまたはＡｌＧａＩｎＰのエピタキシャル層の（１工１
）面及び（Ｔｌｌ）面に上述のように超格子がそれぞれ
形成されるのは、ＧａＡｓ （００１）基板表面ではこ
のＧａＡｓの（１１１）面及び（Ｔｌｌ）面が結晶学的
に等価であるためであり、このＧａＡｓ（００１）基板
を用いる限りエピタキシャル層中に（１１１）面及び（
ｉｌｌ）面の超格子がそれぞれ形成されることは避けが
たい。本発明者の検討によれば、これを防止するために
は、ＧａＡｓのＡｓ原子が配列している結晶学的に等価
な四つの（１１１）面のうちの二つ以上がその表面で等
価とならないようなＧａＡｓ基板を使用すればよい。こ
のことは、ＧａＡｓ基板以外のせん亜鉛鉱型結晶構造を
有する■−■族化合物結晶基板、さらにはせん亜鉛鉱型
結晶構造を有するＩＩ−■族化合物結晶基板についても
言えることである。[Means for solving the problem] GaIn formed on the surface of a GaAs (001) substrate
Epitaxial layer of P or AlGaInP (1 step 1
) and (Tll) planes as described above are formed because the (111) plane and (Tll) plane of GaAs are crystallographically equivalent on the GaAs (001) substrate surface. As long as this GaAs (001) substrate is used, the (111) plane and (
It is inevitable that a superlattice of ill) planes is formed respectively. According to the inventor's study, in order to prevent this, two or more of the four crystallographically equivalent (111) planes on which the As atoms of GaAs are arranged must be equivalent on that surface. It is sufficient to use a GaAs substrate that does not This also applies to group II-II compound crystal substrates having a zincite crystal structure other than GaAs substrates, and even II-III compound crystal substrates having a zincite crystal structure.
本発明は、以上の検討に基づいて案出されたものである
。The present invention has been devised based on the above considerations.
すなわち本発明は、ＩＩＩ族またはＩＩ族元素の原子が
配列している（１１１）面からＶ族または■族元素の原
子が配列している最隣接の（１１１）面に向かう法線ベ
クトルがただ一本だけその物理的表面から外方に向かう
、せん亜鉛鉱型結晶構造を有する■−Ｖ族またはＩＩ−
■族化合物結晶基板上に超格子構造を有するＧａＩｎＰ
またはＡｌＧａＩｎＰのエピタキシャル層を形成するよ
うにしたエピタキシャル成長法である。In other words, in the present invention, the normal vector from the (111) plane where atoms of group III or group II elements are arranged to the nearest (111) plane where atoms of group V or group II elements are arranged is simply ■-V or II- having a zincite-type crystal structure with only one pointing outward from its physical surface
GaInP with a superlattice structure on a group compound crystal substrate
Alternatively, it is an epitaxial growth method in which an epitaxial layer of AlGaInP is formed.
上記した手段によれば、エピタキシャル成長時に上記法
線ベクトルに垂直な一種類の方位の（１１１）面超格子
のみが優先的に形成されるので、単一方位の超格子構造
を有するＧａｒｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰのエピタキシ
ャル層を形成することができる。According to the above-mentioned means, only a (111) plane superlattice with one type of orientation perpendicular to the normal vector is preferentially formed during epitaxial growth, so that GarnP or AlGaInP having a single orientation superlattice structure is preferentially formed. An epitaxial layer can be formed.
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図に示すように、本実施例においては、例えばｎ＋
型のＧａＡｓ基板１上に例えばＧａＸＩｎ、−、Ｐ層２
をエピタキシャル成長させる。As shown in FIG. 1, in this embodiment, for example, n+
For example, a GaXIn, -, P layer 2 is formed on a type of GaAs substrate 1.
grown epitaxially.
このＧａＡｓ基板１は、■族元素であるＧａ原子が配列
している（１１１）面から■族元素であるＡｓ原子が配
列している（１１１）面に向かう法線ベクトルｎがただ
一本だけこのＧａＡｓ基板１の物理的表面から外方に向
かうような結晶方位を有する。具体的には、Ａｓ原子が
配列している（１１１）面を表面に有するＧａＡｓ基板
、Ａｓ原子が配列している（１１１１面がその物理的表
面からＯ〜１９．５°以内にあるＧａＡｓ基板等を用い
ることができる。This GaAs substrate 1 has only one normal vector n that goes from the (111) plane where Ga atoms, which are group II elements, are arranged to the (111) plane where As atoms, which are group II elements, are arranged. The crystal orientation is directed outward from the physical surface of the GaAs substrate 1. Specifically, GaAs substrates have a (111) plane on the surface in which As atoms are arranged, GaAs substrates in which As atoms are arranged (1111 plane is within 0 to 19.5 degrees from the physical surface) etc. can be used.
この１９．５°という角度は、結晶学的に等価な四つの
（１１１）面のうちの一つの面と他の一つの面の法線と
のなす角である。This angle of 19.5° is the angle between one of the four crystallographically equivalent (111) planes and the normal to the other plane.
このＧａＡｓ基板１上に例えば常圧ＭＯＣＶＤ （有機
金属気相成長）法によりＧａｙ Ｉｎ＋−ＸＰＰ層２エ
ピタキシャル成長させる。この際、原料ガスとしては、
例えば、Ｇａの供給源としてＴＥＧ （）リエチルガリ
ウム、 （ＣｚＨｓ）：＋Ｇａ ） 、Ｉｎの供給源と
してＴＥＩ（１−リエチルインジウム、 （ＣｚＨｓ
） ！Ｉｎ ）、Ｐの供給源としてＰＨ，（フォスフイ
ン）を用いることができる。また、基板温度としては例
えば６８０°Ｃを用いることができる。On this GaAs substrate 1, a Gay In+-XPP layer 2 is epitaxially grown, for example, by atmospheric pressure MOCVD (metal organic chemical vapor deposition). At this time, the raw material gas is
For example, TEG ()ethylgallium, (CzHs):+Ga) is used as a Ga source, and TEI (1-ethylindium, (CzHs)) is used as an In source.
)! In ), PH, (phosphine) can be used as a source of P. Further, as the substrate temperature, for example, 680°C can be used.
このエピタキシャル成長の際には、ＧａＸＩｎｌ−ＭＰ
ｉ２の結晶学的に等価な四つの（１１１）面のうちの一
つ、例えば（１１１）面の超格子のみが優先的に成長し
、他の方位の超格子の成長は抑えられる。このため、Ｇ
ａＡｓ基板１上に単一方位の超格子構造を有するＧａ、
Ｉｎ＋−ｘ Ｐ ７１２をエピタキシャル成長させる
ことができる。このＧａＸＩｎｋ−ＸＰ層層中中超格子
はせん亜鉛鉱型結晶構造の２倍の周期を有する。この超
格子は、Ｇａ原子が配列している（１１１）面及びＩｎ
原子が配列している（１１１）面が交互に現れることに
より形成されたものである。During this epitaxial growth, GaXInl-MP
Only one of the four crystallographically equivalent (111) planes of i2, for example, the superlattice of the (111) plane, grows preferentially, and the growth of superlattices in other orientations is suppressed. For this reason, G
Ga having a unidirectional superlattice structure on the aAs substrate 1,
In+-x P 712 can be epitaxially grown. This superlattice in the GaXInk-XP layer has a period twice that of the zincite crystal structure. This superlattice consists of the (111) plane in which Ga atoms are arranged and the In
It is formed by the alternating appearance of (111) planes in which atoms are arranged.
上述のようにして形成された単一方位の超格子構造を有
するＧａｘＩｎｌ−ｘ Ｐ層２は、電気的、光学的、力
学的、熱的特性等に優れているため、このＧａ、 Ｉｎ
、、 Ｐ層２を用いて半導体レーザー等の高性能のデバ
イスを製作することが可能である。The GaxInl-xP layer 2 having a single-oriented superlattice structure formed as described above has excellent electrical, optical, mechanical, thermal properties, etc.
,, It is possible to manufacture high-performance devices such as semiconductor lasers using the P layer 2.
以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本発
明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。Although the embodiments of the present invention have been specifically described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention.
例えば、上述の実施例で用いたｎ“型ＧａＡｓ基板の代
わりに例えば半絶縁性ＧａＡｓ基板を用いることができ
ることは勿論、ＧａＰ、 ＩｎＰ、 ＩｎＳｂ等のＧａ
Ａｓ以外のせん亜鉛鉱型結晶構造を有するＩＩＩ−Ｖ族
化合物結晶基板を用いてもよい。また、ＺｎＳ、 Ｚｎ
５ｅ。For example, it is possible to use, for example, a semi-insulating GaAs substrate in place of the n" type GaAs substrate used in the above embodiments, as well as GaP, InP, InSb, etc.
A III-V compound crystal substrate having a zincite crystal structure other than As may also be used. Also, ZnS, Zn
5e.
ＺｎＴｅ、 ＣｄＴｅ等のせん亜鉛鉱型結晶構造を有す
る■−■族化合物結晶基板を用いることもできる。なお
、ここに例示した■−Ｖ族化合物及びＩＩ−ＶＩ族化合
物はいずれも二元系化合物であるが、これに限定される
ものではなく、例えばＧａＩｎＡｓのような三元系の■
−Ｖ族化合物結晶基板を用いることも可能である。さら
に、例えばＳｉ基板上にＧａＡｓ層を形成したものを基
板として用いることも可能である。また、Ｇａ、 Ｉｎ
、−、Ｐ層２には必要に応じて例えばｎ型不純物をドー
プしてもよい。さらに、上述の実施例により形成された
このＧａ、 Ｉｎ＋−ｘ ＰＦｉ２の超格子は結晶成長
時に自然に形成されるものであるが、本発明はＭＯＣＶ
Ｄ法やＭＢＥ（分子線エピタキシー）法により人工超格
子を形成する場合にも適用することができる。It is also possible to use a crystal substrate of a compound of the ■-■ group having a zincite crystal structure, such as ZnTe or CdTe. Note that the ■-V group compounds and II-VI group compounds illustrated here are both binary compounds, but are not limited thereto; for example, ternary compounds such as GaInAs, etc.
It is also possible to use a -V group compound crystal substrate. Furthermore, it is also possible to use, for example, a Si substrate on which a GaAs layer is formed as the substrate. Also, Ga, In
, -, P layer 2 may be doped with, for example, an n-type impurity, if necessary. Furthermore, although the superlattice of Ga, In+-x PFi2 formed in the above-mentioned embodiment is naturally formed during crystal growth, the present invention
It can also be applied to the case where an artificial superlattice is formed by the D method or the MBE (molecular beam epitaxy) method.
また、上述の実施例においては、本発明をＧａ。Moreover, in the above-mentioned examples, the present invention was applied to Ga.
Ｉｎ、−、Ｐ層２の成長に適用した場合について説明し
たが、本発明はＡｌＧａＩｎＰの成長にも同様に適用す
ることができる。Although the case where the present invention is applied to the growth of the In, -, P layer 2 has been described, the present invention can be similarly applied to the growth of AlGaInP.
本発明によれば、ＩＩＩ族またはＩＩ族元素の原子が配
列している（１１１）面からＶ族または■族元素の原子
が配列している最隣接の（１１１）面に向かう法線ベク
トルがただ一本だけその物理的表面から外方に向かう、
せん亜鉛鉱型結晶構造を有する■−■族またはＩＩ−Ｖ
ｌ族化合物結晶基板上に超格子構造を有するＧａＩｎＰ
またはＡｌＧａＩｎＰのエピタキシャル層を形成するよ
うにしているので、単一方位の超格子構造を有するＧａ
ＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰのエピタキシャル層を形成
することができる。According to the present invention, the normal vector directed from the (111) plane where atoms of group III or group II elements are arranged to the nearest (111) plane where atoms of group V or group II elements are arranged is Only one line points outward from its physical surface,
■-■ group or II-V having a zincite crystal structure
GaInP with superlattice structure on I group compound crystal substrate
Alternatively, since an epitaxial layer of AlGaInP is formed, GaInP has a superlattice structure with a single orientation.
An epitaxial layer of InP or AlGaInP can be formed.
第１図は本発明の一実施例によるエピタキシャル成長法
を説明するための断面図である。
図面における主要な符号の説明
１：ＧａＡｓ基板、 ２ ： ＧａｘＩｎｌ−ｘ Ｐ層
。FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining an epitaxial growth method according to an embodiment of the present invention. Explanation of main symbols in the drawings 1: GaAs substrate, 2: GaxInl-xP layer.
Claims (1)
｝面からＶ族またはVI族元素の原子が配列している最隣
接の｛１１１｝面に向かう法線ベクトルがただ一本だけ
その物理的表面から外方に向かう、せん亜鉛鉱型結晶構
造を有するIII−Ｖ族またはII−VI族化合物結晶基板上
に超格子構造を有するＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰ
のエピタキシャル層を形成するようにしたことを特徴と
するエピタキシャル成長法。Atoms of group III or group II elements are arranged {111
} plane to the nearest {111} plane in which group V or group VI element atoms are arranged, and only one normal vector points outward from the physical surface. GaInP or AlGaInP having a superlattice structure on a III-V or II-VI compound crystal substrate
An epitaxial growth method characterized by forming an epitaxial layer of.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62313185A JP2674043B2 (en) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | Epitaxial growth method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62313185A JP2674043B2 (en) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | Epitaxial growth method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01154513A true JPH01154513A (en) | 1989-06-16 |
| JP2674043B2 JP2674043B2 (en) | 1997-11-05 |
Family
ID=18038122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62313185A Expired - Fee Related JP2674043B2 (en) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | Epitaxial growth method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2674043B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01282197A (en) * | 1988-01-20 | 1989-11-14 | Nec Corp | Method for growing crystal of algainp-base crystal and semiconductor laser |
| US7221637B2 (en) | 2001-06-05 | 2007-05-22 | Tdk Corporation | Multi-level optical recording medium, multi-level recording method, and multi-level reproduction method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6174385A (en) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Sony Corp | Semiconductor laser |
| JPS6288318A (en) * | 1985-10-14 | 1987-04-22 | Sharp Corp | Semiconductor device |
-
1987
- 1987-12-11 JP JP62313185A patent/JP2674043B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6174385A (en) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Sony Corp | Semiconductor laser |
| JPS6288318A (en) * | 1985-10-14 | 1987-04-22 | Sharp Corp | Semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01282197A (en) * | 1988-01-20 | 1989-11-14 | Nec Corp | Method for growing crystal of algainp-base crystal and semiconductor laser |
| US7221637B2 (en) | 2001-06-05 | 2007-05-22 | Tdk Corporation | Multi-level optical recording medium, multi-level recording method, and multi-level reproduction method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2674043B2 (en) | 1997-11-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3093904B2 (en) | Method for growing compound semiconductor crystal | |
| US20200141027A1 (en) | Iii-v or ii-vi compound semiconductor films on graphitic substrates | |
| JP3224437B2 (en) | III-V compound semiconductor device | |
| KR20010090165A (en) | Semiconductor Device with Quantum dot buffer in heterojunction structures | |
| EP2575161B1 (en) | Method of growing semiconductor crystal | |
| Palmstro/m et al. | Growth of heavy carbon‐doped GaInAs lattice matched to InP by chemical beam epitaxy | |
| JPH04315419A (en) | Insulating film/compound semiconductor lamination structure on element semiconductor substrate | |
| Wang et al. | Optical and electrical properties of InP/InGaAs grown selectively on SiO2‐masked InP | |
| JPH01154513A (en) | Epitaxial growth method | |
| JP3547320B2 (en) | GaN-based compound semiconductor device | |
| Ohori et al. | Uniform and abrupt InGaP/GaAs selectively doped heterostructures grown by MOVPE for HEMT ICs | |
| CN108155224A (en) | Gallium nitride epitaxial slice, epitaxy method and gallium nitride based transistor | |
| Ueda et al. | Heteroepitaxy of InGaAs on GaAs substrate with InAlAs intermediate layer | |
| US5827365A (en) | Compound semiconductor and its fabrication | |
| JPH10190059A (en) | Nitride compound semiconductor device and its manufacturing method | |
| JPH0277170A (en) | Semiconductor laminated structure | |
| JP2650770B2 (en) | Manufacturing method of vertical superlattice element | |
| JPH03188619A (en) | Method for heteroepitaxially growing iii-v group compound semiconductor on different kind of substrate | |
| JP3208631B2 (en) | Method for manufacturing compound semiconductor crystal device | |
| JPH01154514A (en) | Molecular beam epitaxial growth method | |
| JP2803375B2 (en) | Semiconductor structure | |
| JPH023222A (en) | Manufacture of semiconductor quantum wire | |
| JPH02156522A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| Mamutin et al. | Preparation of a strip structure for quantum-cascade lasers | |
| JPH0888185A (en) | Semiconductor crystal growth method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |