JPH01152320A - 半導体レ−ザを用いた信号光検出装置 - Google Patents
半導体レ−ザを用いた信号光検出装置Info
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- JPH01152320A JPH01152320A JP17910787A JP17910787A JPH01152320A JP H01152320 A JPH01152320 A JP H01152320A JP 17910787 A JP17910787 A JP 17910787A JP 17910787 A JP17910787 A JP 17910787A JP H01152320 A JPH01152320 A JP H01152320A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザに外部信号光を入射し、発生
する両者の差の周波数の電気信号を利用して、信号光を
検出するようにした半導体レーザを用いた信号光検出装
置に関する。
する両者の差の周波数の電気信号を利用して、信号光を
検出するようにした半導体レーザを用いた信号光検出装
置に関する。
従来、信号光を検出する手段としては、半導体や光電子
増倍管等の光検出器を用いて、光信号の強度等の情報を
電気信号に変換して信号を抽出する直接検出方式、ある
いは半導体か光電子増倍管等の光検出器で、信号光と参
照先の周波数の異なる２種類の光を受けて、その差の周
波数から信号光の情報を検出するヘテロゲイン方式等が
用いられていた。
増倍管等の光検出器を用いて、光信号の強度等の情報を
電気信号に変換して信号を抽出する直接検出方式、ある
いは半導体か光電子増倍管等の光検出器で、信号光と参
照先の周波数の異なる２種類の光を受けて、その差の周
波数から信号光の情報を検出するヘテロゲイン方式等が
用いられていた。
上記のような従来の信号光検出手段において、直接検出
方式を用いた場合には、信号光の強度情報の検出しか得
られないという問題点がある。また、従来のヘテロゲイ
ン検出方式を用いた場合には、信号光の強度情報の検出
が可能であり、且つ信号光の光源と参照先の光源間の位
置変動は両者の周波数差の変動から検出が可能であるが
、参照光用光源と光検出器とが別個に必要であるという
問題点がある。
方式を用いた場合には、信号光の強度情報の検出しか得
られないという問題点がある。また、従来のヘテロゲイ
ン検出方式を用いた場合には、信号光の強度情報の検出
が可能であり、且つ信号光の光源と参照先の光源間の位
置変動は両者の周波数差の変動から検出が可能であるが
、参照光用光源と光検出器とが別個に必要であるという
問題点がある。
本発明は、従来の信号光検出方式の上記問題点を解消す
るためになされたもので、参照光用光源と光検出器とを
兼ねさせ、簡単な構成で信号光の一強度並びに周波数を
容易に検出することができるようにした半導体レーザを
用いた信号光検出装置を提供することを目的とするもの
である。
るためになされたもので、参照光用光源と光検出器とを
兼ねさせ、簡単な構成で信号光の一強度並びに周波数を
容易に検出することができるようにした半導体レーザを
用いた信号光検出装置を提供することを目的とするもの
である。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕上記問題点を
解決するため、本発明は所定の周波数で発光する半導体
レーザと、該半導体レーザに外部から半導体レーザとは
異なる周波数で発光している信号光を入射することによ
り、該半導体レーザ内で発生する両者の光の周波数の差
の周波数をもつ電気信号を蓄え得る前記半導体レーザを
含む共振器回路とを備え、前記差周波数の電気信号によ
り信号光を検出するように構成するものである。
解決するため、本発明は所定の周波数で発光する半導体
レーザと、該半導体レーザに外部から半導体レーザとは
異なる周波数で発光している信号光を入射することによ
り、該半導体レーザ内で発生する両者の光の周波数の差
の周波数をもつ電気信号を蓄え得る前記半導体レーザを
含む共振器回路とを備え、前記差周波数の電気信号によ
り信号光を検出するように構成するものである。
このように構成することにより、１個の半導体レーザで
参照用光源と光検出器とを兼ねさせることができ、発光
スペクトルが既知の半導体レーザを用いることによって
信号光の強度及び周波数を容易に検出することが可能と
なる。
参照用光源と光検出器とを兼ねさせることができ、発光
スペクトルが既知の半導体レーザを用いることによって
信号光の強度及び周波数を容易に検出することが可能と
なる。
以下実施例について説明する０図は、本発明に係る半導
体レーザを用いた信号光検出装置の一実施例を示すブロ
ック構成図である０図において、ｌは発光スペクトルが
既知の半導体レーザで、該半導体レーザｌには低域通過
フィルタ２を介して該半導体レーザ励起用の電源３が接
続されている。
体レーザを用いた信号光検出装置の一実施例を示すブロ
ック構成図である０図において、ｌは発光スペクトルが
既知の半導体レーザで、該半導体レーザｌには低域通過
フィルタ２を介して該半導体レーザ励起用の電源３が接
続されている。
なお上記低域通過フィルタ２は、信号光の入射により半
導体レーザ１内で発生した高周波電気信号が電源３を介
して通過するのを阻止するためのものである。４は可変
帯域フィルタで負荷抵抗５との直列回路が前記半導体レ
ーザｌ及び低域フィルタ２と電源３の直列回路に接続さ
れている。なお６は外部の信号光光源で、７は該光源６
からの信号光を示す。
導体レーザ１内で発生した高周波電気信号が電源３を介
して通過するのを阻止するためのものである。４は可変
帯域フィルタで負荷抵抗５との直列回路が前記半導体レ
ーザｌ及び低域フィルタ２と電源３の直列回路に接続さ
れている。なお６は外部の信号光光源で、７は該光源６
からの信号光を示す。
次にこのように構成した信号光検出装置における動作に
ついて説明する。まず半導体レーザ１に低域通過フィル
タ２を通して、電源３から電流を供給し、該半導体レー
ザｌを所定のスペクトルで発光させておく。この状態に
おいて半導体レーザｌの発光部が、外部の発光源６から
未知の信号光７の照射を受けたとする。そのときの信号
光７の発光周波数をｒ、とし、半導体レーザ１の発光周
波数をｆ、とした場合、−ｍに半導体レーザ１において
は、（ｒ、＋ ｆ、）ｔ ２Ｃｒｓ＋ ｆｐ）、”・
・・・”。
ついて説明する。まず半導体レーザ１に低域通過フィル
タ２を通して、電源３から電流を供給し、該半導体レー
ザｌを所定のスペクトルで発光させておく。この状態に
おいて半導体レーザｌの発光部が、外部の発光源６から
未知の信号光７の照射を受けたとする。そのときの信号
光７の発光周波数をｒ、とし、半導体レーザ１の発光周
波数をｆ、とした場合、−ｍに半導体レーザ１において
は、（ｒ、＋ ｆ、）ｔ ２Ｃｒｓ＋ ｆｐ）、”・
・・・”。
（ｆｓ−ｆＪ、２（ｆｓ ｆ−）、・・・・・・・の
周波数成分の電流が発生する。
周波数成分の電流が発生する。
この際、半導体レーザｌを含む全ての回路構成部材から
なる電気回路において、可変帯域フィルタ４の特性が調
整されて、（ｆｓ ｆｐ）の周波数成分の電流に対し
て共振回路を構成するようにすると、（ｆ ３− ｆ
ｐ）の周波数成分が他の周波数成分よりエネルギー蓄積
が大となり、負荷抵抗５を介して他の周波数成分より信
号対雑音比の大きい（ｆｓｒｐ）の周波数成分の出力Ｐ
（ｆｓ−ｆｅ）を得ることができる。
なる電気回路において、可変帯域フィルタ４の特性が調
整されて、（ｆｓ ｆｐ）の周波数成分の電流に対し
て共振回路を構成するようにすると、（ｆ ３− ｆ
ｐ）の周波数成分が他の周波数成分よりエネルギー蓄積
が大となり、負荷抵抗５を介して他の周波数成分より信
号対雑音比の大きい（ｆｓｒｐ）の周波数成分の出力Ｐ
（ｆｓ−ｆｅ）を得ることができる。
そして、半導体レーザ１への信号光７の入力をＰ（ｆｓ
）、半導体レーザ自身の発光出力をＰ （ｆ 、）、比
例定数をＡとして、負荷抵抗５からの出力Ｐ（ｒｓ−ｒ
−がそれぞれの入力に比例関係のある場合には、次式で
表すことができる。
）、半導体レーザ自身の発光出力をＰ （ｆ 、）、比
例定数をＡとして、負荷抵抗５からの出力Ｐ（ｒｓ−ｒ
−がそれぞれの入力に比例関係のある場合には、次式で
表すことができる。
Ｐ（Ｉｓ ｆｐ）＝Ａ−Ｐ（ｆｓ） ・Ｐ（ｆｐ）・
・・・・・＋ｉｌ したがって図に示した信号光検出装置において、予め半
導体レーザ１の発光周波数ｆ、及び発光出力Ｐ（ｆ、）
、並びに比例定数Ａを実験により設定しておけば、未知
の信号光を入射させたとき、負荷抵抗５を介して出力Ｐ
（ｆ、−ｆ−を測定することにより、上記１１）式から
信号光７の入力ｐ（ｒｓ）を求めることができ、また可
変帯域フィルタ４の調整値の読み、または周波数測定器
により周波数（ｆｓ＝ｆｐ）を測定することにより、既
知の半導体レーザ１の発光周波数ｆ、から信号光の発光
周波数ｒ３を求めることができる。
・・・・・＋ｉｌ したがって図に示した信号光検出装置において、予め半
導体レーザ１の発光周波数ｆ、及び発光出力Ｐ（ｆ、）
、並びに比例定数Ａを実験により設定しておけば、未知
の信号光を入射させたとき、負荷抵抗５を介して出力Ｐ
（ｆ、−ｆ−を測定することにより、上記１１）式から
信号光７の入力ｐ（ｒｓ）を求めることができ、また可
変帯域フィルタ４の調整値の読み、または周波数測定器
により周波数（ｆｓ＝ｆｐ）を測定することにより、既
知の半導体レーザ１の発光周波数ｆ、から信号光の発光
周波数ｒ３を求めることができる。
以上のように（ｒ３−ｒ、）の周波数成分に対して低損
失の共振回路を構成するように、可変帯域フィルタを調
整することにより、この周波数成分のエネルギーを蓄積
することができ、微弱な入射信号光に対しても高感度の
光検出装置として機能させることができる。
失の共振回路を構成するように、可変帯域フィルタを調
整することにより、この周波数成分のエネルギーを蓄積
することができ、微弱な入射信号光に対しても高感度の
光検出装置として機能させることができる。
以上実施例に基づいて説明したように、本発明によれば
、所定の周波数で発光している半導体レーザに外部の信
号光を照射することによって発生する両者の差の周波数
をもつ電気信号に対して、低損失の共振回路を構成して
エネルギーの蓄積を行い、信号光の検出を行うようにし
たので、別個の参照光用の光源を必要とせず、簡単な構
成で微弱な信号光の強度並びに周波数の検出を行うこと
ができる。
、所定の周波数で発光している半導体レーザに外部の信
号光を照射することによって発生する両者の差の周波数
をもつ電気信号に対して、低損失の共振回路を構成して
エネルギーの蓄積を行い、信号光の検出を行うようにし
たので、別個の参照光用の光源を必要とせず、簡単な構
成で微弱な信号光の強度並びに周波数の検出を行うこと
ができる。
図は、本発明に係る半導体レーザを用いた信号光検出装
置の一実施例を示すブロック構成図である。 図において、ｌは半導体レーザ、２は低域通過フィルタ
、３は電源、４は可変帯域フィルタ、５は負荷抵抗、６
は信号光光源、７は信号光を示す。
置の一実施例を示すブロック構成図である。 図において、ｌは半導体レーザ、２は低域通過フィルタ
、３は電源、４は可変帯域フィルタ、５は負荷抵抗、６
は信号光光源、７は信号光を示す。
Claims (1)
- 所定の周波数で発光する半導体レーザと、該半導体レー
ザに外部から半導体レーザ光と異なる周波数で発光して
いる信号光を入射することにより、半導体レーザ内で発
生する２つの光の周波数の差の周波数をもつ電気信号を
蓄え得る、前記半導体レーザを含む共振器回路とを備え
、前記差周波数の電気信号から信号光の強度及び周波数
を検出するように構成したことを特徴とする半導体レー
ザを用いた信号光検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17910787A JPH01152320A (ja) | 1987-07-20 | 1987-07-20 | 半導体レ−ザを用いた信号光検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17910787A JPH01152320A (ja) | 1987-07-20 | 1987-07-20 | 半導体レ−ザを用いた信号光検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01152320A true JPH01152320A (ja) | 1989-06-14 |
| JPH0545891B2 JPH0545891B2 (ja) | 1993-07-12 |
Family
ID=16060143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17910787A Granted JPH01152320A (ja) | 1987-07-20 | 1987-07-20 | 半導体レ−ザを用いた信号光検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01152320A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6422699B2 (en) | 2000-03-06 | 2002-07-23 | Kobayashi Co., Ltd. | Adjustable nose pad structure for eyeglasses |
-
1987
- 1987-07-20 JP JP17910787A patent/JPH01152320A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6422699B2 (en) | 2000-03-06 | 2002-07-23 | Kobayashi Co., Ltd. | Adjustable nose pad structure for eyeglasses |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0545891B2 (ja) | 1993-07-12 |
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