JPH01147917A - Logic circuit - Google Patents

Logic circuit

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JPH01147917A
JPH01147917A JP62306981A JP30698187A JPH01147917A JP H01147917 A JPH01147917 A JP H01147917A JP 62306981 A JP62306981 A JP 62306981A JP 30698187 A JP30698187 A JP 30698187A JP H01147917 A JPH01147917 A JP H01147917A
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circuit
turned
switching signal
switching
series
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JP62306981A
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Japanese (ja)
Inventor
Sanpei Miyamoto
宮本 三平
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To simplify the switching signal and to eliminate any transfer gate by using a single switching signal so as to switch a NAND logic and a NOR logic directly. CONSTITUTION:With a switching signal, phi at an L level, a PMOS 34 is turned on and an NMOS 36 is turned off. As a result, PMOS 33-1-33-n connected in parallel, PMOS 31-1-31-n connected in series and NMOS 32-1-32-n connected in series act like an n-input NAND circuit. On the other hand, with the switching signal, phi at an H level, the PMOS 34 is turned off and the NMOS 36 is turned on. As a result, the NMOS35-1-35-n connected in parallel, NMOS32-1-32-n connected in series and PMOS31-1-31-n connected in series act like an n-input NOR circuit. Thus, no complementary switching signal alike a conventional circuit is required for logic switching and no transfer gate is used, the switching is applied at a high speed.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体メモリ回路中のセルフテスト回路等に
使用されるナンド/ノア切換え可能な論理回路に関する
ものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a NAND/NOR switchable logic circuit used in a self-test circuit in a semiconductor memory circuit or the like.

(従来の技術) 従来、随時読み書き可能なメモリ(以下、RAMという
)等の半導体メモリ回路においては、多数のメモリセル
中に不良ビットがないか否かのテストを行うためのセル
フテスト回路が設けられることがある。このセルフテス
ト回路は、例えば° 第2図に示すような論理回路で構
成されている。
(Prior Art) Conventionally, in semiconductor memory circuits such as memory that can be read and written at any time (hereinafter referred to as RAM), a self-test circuit has been provided to test whether there are any defective bits in a large number of memory cells. It may happen. This self-test circuit is composed of a logic circuit as shown in FIG. 2, for example.

第2図の論理回路は、複数(n>入力のナントゲート(
以下、NANDゲートという)1とノアゲート(以下、
NORゲートという)2とを備え、そのNANDゲート
1及びNORゲート2の出力側に、それら両ゲートの出
力を切換えるためのトランスファゲート10が接続され
ている。トランスファゲート10は、2個のPチャネル
形MOSトランジスタ(以下、PMO3という)11゜
12と2個のNチャネル形MOSトランジスタ(以下、
NMO8という)13.14とを備え、それらPMO8
11及びNMO313が並列接続されると共に、PMO
312及びNMO314が並列接続されている。一方の
PMO311及びNMO313と他方のPMO812及
びNMO814は、切換え信号φとそれをインバータ2
0で反転した逆相信号Tとでオン、オフ動作を行う。
The logic circuit in Figure 2 consists of multiple (n>input Nant gates)
(hereinafter referred to as NAND gate) 1 and NOAH gate (hereinafter referred to as
A transfer gate 10 is connected to the output sides of the NAND gate 1 and the NOR gate 2 for switching the outputs of these two gates. The transfer gate 10 includes two P-channel MOS transistors (hereinafter referred to as PMO3) 11 and 12 and two N-channel MOS transistors (hereinafter referred to as PMO3).
NMO8) 13.14, and their PMO8
11 and NMO313 are connected in parallel, and PMO
312 and NMO 314 are connected in parallel. One PMO311 and NMO313 and the other PMO812 and NMO814 receive a switching signal φ and an inverter 2.
The on/off operation is performed using the reverse phase signal T which is inverted at 0.

以上の構成において、n個の入力信MS!1〜3inは
、NANDゲート1で論理積がとられた後に反転される
と共に、NORゲート2で論理和がとられた後に反転さ
れる。ここで、切換信号φが論理“1″の時は、PMO
311がオフ、及びNMO314がオンすると共に、逆
相信号Tの論理“0゛′によってNMO313がオフ、
及びPMO312がオンするため、NORゲート2の出
力がオン状態のPMO312及びNMO314を通して
出力信号SOの形で出力される。切換信号φが“0″に
切換ねると、NANDゲート1の出力がオン状態のPM
O311及びNMO813を通して出力信号Soの形で
出力される。
In the above configuration, n input signals MS! 1 to 3in are logically ANDed by NAND gate 1 and then inverted, and also logically summed by NOR gate 2 and then inverted. Here, when the switching signal φ is logic "1", the PMO
311 is turned off, NMO314 is turned on, and NMO313 is turned off by the logic "0'' of the negative phase signal T.
Since the PMO 312 and the PMO 312 are turned on, the output of the NOR gate 2 is output in the form of an output signal SO through the PMO 312 and the NMO 314 that are in the on state. When the switching signal φ switches to “0”, the output of NAND gate 1 turns on PM
It is output through O311 and NMO813 in the form of output signal So.

従って、多数のメモリセルからnビットづつデータ(S
 i 1〜5in)を読出し、期待値に応じて切換信号
φを1″または“Qlfにしてトランスファゲート10
を切換え、データ(S i 1〜3in)がオール゛1
″または“091であるか否かをNANDゲート1また
はNORゲート2で判定し、その一致、不一致の判定結
果をトランスファゲート10を通して“1″または“0
パのデータ(SO)の形で出力することにより、多数の
メモリセル中の不良ビットを検出するようにしていた。
Therefore, data (S
i 1 to 5 inches) and set the switching signal φ to 1" or "Qlf according to the expected value, and transfer the transfer gate 10
and the data (S i 1 to 3 inches) are all 1
” or “091” is determined by the NAND gate 1 or NOR gate 2, and the result of the determination of match or mismatch is sent to the transfer gate 10 as “1” or “0.”
Defective bits in a large number of memory cells can be detected by outputting the data in the form of data (SO).

(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記構成の論理回路では、NAND論理
とNOR論理の切換えに相補的な切換え信号φ、■を必
要とするため、回路素子数が増大すると共に、切換え信
号φをインバータ20で反転して逆相信号Tを生成する
際に遅延時間が生じる。ざらに、それらの相補的な切換
え信号φ。
(Problems to be Solved by the Invention) However, the logic circuit with the above configuration requires complementary switching signals φ and ■ to switch between NAND logic and NOR logic, which increases the number of circuit elements and increases the number of switching signals. A delay time occurs when the signal φ is inverted by the inverter 20 to generate the opposite phase signal T. Roughly, their complementary switching signals φ.

Tを用いてトランスファゲート10を切換えているため
、インバータ20による遅延時間とトランスファゲート
10自身の切換え時間とによって、出力が遅延するとい
う問題点があった。
Since the transfer gate 10 is switched using T, there is a problem that the output is delayed due to the delay time caused by the inverter 20 and the switching time of the transfer gate 10 itself.

本発明は前記従来技術が持っていた問題点として、相補
的な切換え信号の必要性、及びトランスファゲートによ
る切換え時の遅延の点について解決した論理回路を提供
するものである。
The present invention provides a logic circuit that solves the problems of the prior art, such as the need for complementary switching signals and the delay in switching due to transfer gates.

(問題点を解決するための手段) 本発明は前記問題点を解決するために、NAND論理と
NOR論理との切換え可能な論理回路において、この論
理回路を少なくとも、第1の電源電位と出力端子との間
に直列に接続されn個(但し、n=1.2.・・・、n
)の入力が各制御端子にそれぞれ接続されたn個の第1
のトランジスタと、前記出力端子と第2の電源電位との
間に直列に接続され前記n個の入力が各制御端子にそれ
ぞれ接続されたn個の第2のトランジスタと、前記第1
の電源電位と第1の接続点との間に並列に接続され前記
n個の入力が各制御端子にそれぞれ接続されたn個の第
3のトランジスタと、前記第1の接続点と前記出力端子
との間に接続され切換え信号が制御電極に接続された第
4のトランジスタと、第2の接続点と前記第2の電源電
位との間に並列に接続され前記n個の入力が各制御端子
にそれぞれ接続されたn個の第5のトランジスタと、前
記出力端子と前記第2の接続点との間に接続され前記切
換え信号が制御電極に接続された第6のトランジスタと
で、構成したものである。
(Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the present invention provides a logic circuit that can switch between NAND logic and NOR logic. n pieces connected in series between (however, n=1.2..., n
) are connected to each control terminal, respectively.
n second transistors connected in series between the output terminal and a second power supply potential and having the n inputs connected to respective control terminals;
n third transistors connected in parallel between the power supply potential of and the first connection point and having the n inputs connected to each control terminal, the first connection point and the output terminal; and a fourth transistor connected in parallel between a second connection point and the second power supply potential and having the n inputs connected to each control terminal. and a sixth transistor connected between the output terminal and the second connection point and having the switching signal connected to the control electrode. It is.

(作 用) 本発明によれば、以上のように論理回路を構成したので
、切換え信号の“0゛′または“1゛′により、第1.
第2.第3および第4のトランジスタ、または第1.第
2.第5および第6のトランジスタのうちの一方がNA
ND回路、他方がNOR回路として動作するように切換
えられる。これにより、切換え信号に対する逆相信号が
不要になると共に、従来のようなトランスファゲートも
省略可能となる。そのため、切換え信号の簡略化と、切
換え動作の拘束化が図れる。従って前記問題点を除去で
きるのである。
(Function) According to the present invention, since the logic circuit is configured as described above, the switching signal "0" or "1" causes the first.
Second. the third and fourth transistors, or the first . Second. One of the fifth and sixth transistors is NA
The ND circuit is switched so that the other operates as a NOR circuit. This eliminates the need for an anti-phase signal with respect to the switching signal, and also makes it possible to omit the conventional transfer gate. Therefore, the switching signal can be simplified and the switching operation can be restricted. Therefore, the above-mentioned problem can be eliminated.

(実施例) 第1図は本発明の実施例を示す論理回路の回路図である
(Embodiment) FIG. 1 is a circuit diagram of a logic circuit showing an embodiment of the present invention.

この論理回路は、従来と同様に半導体メモリ回路のセル
フテスト回路等に用いられるNAND論理とNOR論理
の切換え回路であり、第1の電源電位VCCと出力信@
So用の出力端子30との間に、n個の第1のトランジ
スタ、例えばPMO331−1〜31−nが直列に接続
され、ざらに出力端子30と第2の電源電位(例えば、
接地電位)VSSとの間に、n個の第2のトランジスタ
、例えばNMO331−1〜31−nが直列に接続され
ている。各PMO331−1〜31−n及びNMO33
2−1〜32−nの制御電極であるゲートには、n個の
入力信号S11〜3inがそれぞれ入力される。
This logic circuit is a switching circuit between NAND logic and NOR logic used in self-test circuits of semiconductor memory circuits, etc., as in the past, and is a switching circuit between the first power supply potential VCC and the output signal @
n first transistors, for example, PMO331-1 to 31-n, are connected in series between the output terminal 30 for So, and roughly connect the output terminal 30 and the second power supply potential (for example,
n second transistors, for example, NMOs 331-1 to 31-n, are connected in series between the ground potential (ground potential) VSS. Each PMO331-1 to 31-n and NMO33
n input signals S11 to 3in are input to the gates serving as control electrodes of 2-1 to 32-n, respectively.

第1の電源電位Vccと第1の接続点N31との間には
、n個の第3のトランジスタ、例えばPMO333−1
〜33−nが並列に接続され、ざらにその第1の接続点
N31と出力端子30との間に、第4のトランジスタ、
例えばPMO334が接続されている。第2の電源電位
yssと第2の接続点N32との間には、n個の第5の
トランジスタ、例えばNMO835−1〜35−nが並
列に接続され、さらにその第2の接続点N32と出力端
子30との間に、第6のトランジスタ、例えばNMO3
36が接続されている。各PMO333−1〜33−n
及びNMO335−1〜35−nのゲートには、n個の
入力信号St1〜3inがそれぞれ入力され、さらにP
MO334及びNMO336のゲートには、切換え信号
φが入力される構成になっている。
Between the first power supply potential Vcc and the first connection point N31, there are n third transistors, for example, PMO333-1.
~33-n are connected in parallel, and roughly between the first connection point N31 and the output terminal 30, a fourth transistor,
For example, a PMO 334 is connected. Between the second power supply potential yss and the second connection point N32, n fifth transistors, for example, NMO835-1 to 35-n, are connected in parallel, and further between the second connection point N32 and A sixth transistor, for example NMO3, is connected between the output terminal 30 and the output terminal 30.
36 are connected. Each PMO333-1 to 33-n
And n input signals St1 to 3in are input to the gates of NMO335-1 to 35-n, respectively, and further P
The gates of MO334 and NMO336 are configured to receive a switching signal φ.

第3図は第1図の信号のタイミング図であり、この図を
参照しつつ第1図の動作を説明する。
FIG. 3 is a timing diagram of the signals shown in FIG. 1, and the operation of FIG. 1 will be explained with reference to this diagram.

先ず、切換え信号φが°“O”(=Lレベル)の時は、
PMO834がオンし、NMO336がオフする。この
時、入力信号Si1〜Sinがすべて“1゛″であれば
、並列接続のPMO333−1〜33−n、及び直列接
続のPMO331−1〜31−nがすべてオフすると共
に、直列接続のNMO332−1〜32−nがすべてオ
ンし、出力端子30には第2の電源電位VSS (=”
O” )の出力信号Soが出力される。また、入力信号
Sil〜3inのうちの1つ以上が“O゛′であれば、
並列接続されたPMO333−1〜33−nのうちの入
力信号“0″に対応するPMO3がオンすると共に、直
列接続されたNMO332−1〜32−nのうちの入力
信号“0″に対応するNMO3がオフし、出力端子30
から1″(=Hレベル)の出力信号Soが出力される。
First, when the switching signal φ is °“O” (=L level),
PMO 834 is turned on and NMO 336 is turned off. At this time, if the input signals Si1 to Sin are all "1", the parallel-connected PMOs 333-1 to 33-n and the series-connected PMOs 331-1 to 31-n are all turned off, and the series-connected NMOs 333-1 to 33-n are all turned off. -1 to 32-n are all turned on, and the output terminal 30 has the second power supply potential VSS (=”
An output signal So of "O") is output. Also, if one or more of the input signals Sil to 3in is "O",
PMO3 corresponding to the input signal "0" among the PMOs 333-1 to 33-n connected in parallel is turned on, and PMO3 corresponding to the input signal "0" among the NMOs 332-1 to 32-n connected in series is turned on. NMO3 turns off and output terminal 30
An output signal So of 1'' (=H level) is outputted from.

すなわち、この第1図の回路は、切換え信号φが(d 
Oee f)時にn入力のNAND回路(NANDモー
ド)となる。
That is, in the circuit of FIG. 1, the switching signal φ is (d
When Oee f), it becomes an n-input NAND circuit (NAND mode).

次に、切換え信号φが1″の時は、PMO334がオフ
すると共にNMO836がオンする。
Next, when the switching signal φ is 1'', the PMO 334 is turned off and the NMO 836 is turned on.

この時、入力信号Si1〜Sinがすべて“0″であれ
ば、並列接続のNMO835−1〜35−nl及び直列
接続のNMO332−1〜32−nがすべてオフすると
共に、直列接続のPMO831−1〜31−nがすべて
オンするため、出力端子30には第1の電源電位VCC
(=’“Hパ)の出力信号SOが出力される。また、入
力信号Si1〜Sinのうちの1つ以上が“1″であれ
ば、並列接続のNMO335−1〜35−nのうちの“
1″の入力信号に対応するNMO3がオンすると共に、
直列接続のPMO331−1〜31−nのうちの1″の
入力信号に対応するPMO3がオフするため、出力端子
SOには“0″の出力信号SOが出力される。つまり、
この第1図の回路は、切換え信号φが“1′′の時にn
入力のNOR回路(NORモード)となる。
At this time, if the input signals Si1 to Sin are all "0", the parallel-connected NMOs 835-1 to 35-nl and the series-connected NMOs 332-1 to 32-n are all turned off, and the series-connected PMOs 831-1 31-n are all turned on, the output terminal 30 has the first power supply potential VCC.
An output signal SO of (='“H-Pa)” is output. Also, if one or more of the input signals Si1 to Sin is “1”, one of the parallel-connected NMOs 335-1 to 35-n “
NMO3 corresponding to the 1″ input signal is turned on, and
Since the PMO 3 corresponding to the 1'' input signal among the series-connected PMOs 331-1 to 31-n is turned off, an output signal SO of "0" is output to the output terminal SO. In other words,
The circuit shown in FIG. 1 has n
It becomes an input NOR circuit (NOR mode).

本実施例では、切換え信号φが“0″の時にn入力のN
ANO回路として、切換え信号φが“1″の時にn入力
のNOR回路としてそれぞれ動作するため、論理の切換
えに従来のような相補的な切換え信号を必要とせず、し
かもトランスファゲートを使用していないため、回路素
子数も少なく、ざらに遅延時間のない高速な切換え動作
が可能となる。
In this embodiment, when the switching signal φ is “0”, the
As an ANO circuit, each operates as an n-input NOR circuit when the switching signal φ is "1", so it does not require complementary switching signals like conventional ones for logic switching, and does not use transfer gates. Therefore, the number of circuit elements is small, and high-speed switching operation with almost no delay time is possible.

第4図は本発明の他の実施例を示す論理回路の回路図で
あり、第1図中の要素と同一の要素には同一の符号が付
されている。
FIG. 4 is a circuit diagram of a logic circuit showing another embodiment of the present invention, and the same elements as those in FIG. 1 are given the same reference numerals.

この論理回路は、第1図における直列接続のn個のPM
O831−1〜31−nを、入力信号Si1〜3inの
うちのいずれか1つをゲート入力とする1個のPMO3
31で置き換えると共に、第1図における直列接続のn
個のNMO832−1〜32−nを、入力信号3i1〜
3inのうちのいずれか1つをゲート入力とする1個の
NMO332で置き換えたものである。このPMO33
1及びNMO332は負荷トランジスタとして機能する
。回路全体としては、第1図の回路と同様の動作をする
。そのため、第1図の回路とほぼ同様の利点を有する上
に、回路素子数がより少なくなる。
This logic circuit consists of n PMs connected in series in FIG.
One PMO3 which uses any one of the input signals Si1 to 3in as a gate input for O831-1 to 31-n.
31, and n of the series connection in FIG.
input signals 3i1 to 3i1 to
In this case, one NMO 332 is substituted with one of the 3 inches as a gate input. This PMO33
1 and NMO 332 function as load transistors. The circuit as a whole operates in the same way as the circuit shown in FIG. Therefore, in addition to having substantially the same advantages as the circuit shown in FIG. 1, the number of circuit elements is reduced.

なお、本発明は図示の実施例に限定されず、例えばPM
O331−1〜31−n、31.33−1〜33−n、
34をNMO3で置き換エルと共に、NMO832−1
〜32−n、32.35−1〜35−n、36をPMO
3で置き換えたり、あるいはそれらのPMO3及びNM
O3を他の電界効果トランジスタや、PNP形、NPN
形のバイポーラトランジスタで構成することも可能であ
る。また、上記実施例の論理回路は、メモリのセルフテ
スト回路以外の回路にも適用できる。
Note that the present invention is not limited to the illustrated embodiment; for example, PM
O331-1 to 31-n, 31.33-1 to 33-n,
Replace 34 with NMO3, along with NMO832-1
~32-n, 32.35-1~35-n, 36 as PMO
3 or their PMO3 and NM
Use O3 with other field effect transistors, PNP type, NPN
It is also possible to configure it with a type of bipolar transistor. Further, the logic circuit of the above embodiment can be applied to circuits other than memory self-test circuits.

(発明の効果) 以上詳細に説明したように、本発明によれば、切換え信
号を用いてNAND論理とNOR論理とを直接に切換え
る構成にしたので、切換え信号の簡略化が図れると共に
、トランスファゲートが省略でき、それによって回路素
子数が少なく、高速の切換え動作が可能となる。
(Effects of the Invention) As described in detail above, according to the present invention, the configuration is such that the switching signal is used to directly switch between NAND logic and NOR logic, so the switching signal can be simplified, and the transfer gate can be omitted, thereby reducing the number of circuit elements and enabling high-speed switching operation.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の実施例を示す論理回路の回路図、第2
図は従来の論理回路の回路図、第3図は第1図のタイミ
ング図、第4図は本発明の他の実施例を示す論理回路の
回路図である。 30・・・・・・出力端子、31−1〜31−n、31
゜33−1〜33−n、34−−−−−−PMO3,3
2−1〜32−n、32,35−1〜35−n、36・
・・・・・NMO3,N31.N32・・・・・・第1
.第2の接続点、Si1〜3in・・・・・・入力信号
、SO・・・・・・出力信号、vcc、vss・・・・
・・第1.第2の電源電位、φ・・・・・・切換え信号
。 出願人代理人  柿  本  恭  成改と出力f4+ N31.N32 :第1.第2の接続点5jI−5Lr
L:入カイ島号 SO:出力信号 Vcc、Vss :第1.第2(7)電源電位cp:を
刀換之イ詔号 本発明の論理回路 第1図 第2図
FIG. 1 is a circuit diagram of a logic circuit showing an embodiment of the present invention, and FIG.
3 is a circuit diagram of a conventional logic circuit, FIG. 3 is a timing diagram of FIG. 1, and FIG. 4 is a circuit diagram of a logic circuit showing another embodiment of the present invention. 30...Output terminal, 31-1 to 31-n, 31
゜33-1 to 33-n, 34-------PMO3,3
2-1 to 32-n, 32, 35-1 to 35-n, 36.
...NMO3, N31. N32・・・・・・1st
.. Second connection point, Si1-3in...input signal, SO...output signal, vcc, vss...
...First. Second power supply potential, φ...Switching signal. Applicant's agent Kakimoto Kyo Seikai and output f4+ N31. N32: 1st. Second connection point 5jI-5Lr
L: Irukaijima SO: Output signal Vcc, Vss: 1st. 2nd (7) Power supply potential cp: Logic circuit of the present invention Figure 1 Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、第1の電源電位と出力端子との間に直列に接続され
n個(但し、n=1、2、・・・、n)の入力が各制御
端子にそれぞれ接続されたn個の第1のトランジスタと
、 前記出力端子と第2の電源電位との間に直列に接続され
前記n個の入力が各制御端子にそれぞれ接続されたn個
の第2のトランジスタと、 前記第1の電源電位と第1の接続点との間に並列に接続
され前記n個の入力が各制御端子にそれぞれ接続された
n個の第3のトランジスタと、前記第1の接続点と前記
出力端子との間に接続され切換え信号が制御電極に接続
された第4のトランジスタと、 第2の接続点と前記第2の電源電位との間に並列に接続
され前記n個の入力が各制御端子にそれぞれ接続された
n個の第5のトランジスタと、前記出力端子と前記第2
の接続点との間に接続され前記切換え信号が制御電極に
接続された第6のトランジスタとを、備えたことを特徴
とする論理回路。 2、前記第1、第3および第4のトランジスタはPチャ
ネル形MOSトランジスタで、前記第2、第5および第
6のトランジスタはNチャネル形MOSトランジスタで
、それぞれ構成した特許請求の範囲第1項記載の論理回
路。
[Claims] 1. Connected in series between the first power supply potential and the output terminal, and n inputs (n = 1, 2, ..., n) connected to each control terminal, respectively. n first transistors connected in series between the output terminal and a second power supply potential and having the n inputs connected to each control terminal, respectively; , n third transistors connected in parallel between the first power supply potential and the first connection point and having the n inputs connected to each control terminal, and the first connection point. and the output terminal, the switching signal being connected to the control electrode; and the n inputs being connected in parallel between the second connection point and the second power supply potential. n fifth transistors each connected to each control terminal, the output terminal and the second
and a sixth transistor connected between the connection point and the switching signal connected to the control electrode. 2. The first, third and fourth transistors are P-channel MOS transistors, and the second, fifth and sixth transistors are N-channel MOS transistors, respectively. The logic circuit described.
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