JPH01147802A - 抵抗ペースト - Google Patents
抵抗ペーストInfo
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- JPH01147802A JPH01147802A JP62307822A JP30782287A JPH01147802A JP H01147802 A JPH01147802 A JP H01147802A JP 62307822 A JP62307822 A JP 62307822A JP 30782287 A JP30782287 A JP 30782287A JP H01147802 A JPH01147802 A JP H01147802A
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- resistance paste
- paste
- aluminum nitride
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、アルミナ等の基板上に導電体としての銅等の
卑金属と共に厚膜抵抗体として形成可能な抵抗ペースト
、特にその組成に関する。
卑金属と共に厚膜抵抗体として形成可能な抵抗ペースト
、特にその組成に関する。
′末技術とその問題点
近年、厚膜電気回路基板の電極ないし導電パターンには
銅等の卑金属が多用される傾向にあり、銅と共に還元性
雰囲気中で焼成可能な抵抗ペーストが求められている。
銅等の卑金属が多用される傾向にあり、銅と共に還元性
雰囲気中で焼成可能な抵抗ペーストが求められている。
この種の抵抗ペーストは、基本的には、溶剤としての有
機ビヒクル中に導電成分としての金属六ホウ化物と結合
剤としてのガラスフリットを分散したものであり、還元
性雰囲気中で焼成して厚膜抵抗体とした際、良好な特性
を示すことが必要である。
機ビヒクル中に導電成分としての金属六ホウ化物と結合
剤としてのガラスフリットを分散したものであり、還元
性雰囲気中で焼成して厚膜抵抗体とした際、良好な特性
を示すことが必要である。
そこで、従来では、特公昭59−6481号公報、特開
昭55−27700号公報、特開昭55−29199号
公報等に記載の如く、金属六ホウ化物例えばLaBaと
、耐還元性ガラス例えばホウアルミン酸カルシウムガラ
ス、ホウケイ酸Ba 、 Ca系ガラスを含有した抵抗
ペーストが提案されている。
昭55−27700号公報、特開昭55−29199号
公報等に記載の如く、金属六ホウ化物例えばLaBaと
、耐還元性ガラス例えばホウアルミン酸カルシウムガラ
ス、ホウケイ酸Ba 、 Ca系ガラスを含有した抵抗
ペーストが提案されている。
しかしながら、ここで得られる抵抗ペーストは、比較的
小径のLaB sを使用すると、焼成して厚膜抵抗体と
した際の面積抵抗値が10〜IOKΩの範囲での実用化
は可能であるが、10にΩを超えると抵抗体としての重
要な特性である抵抗温度特性(TCR)が−1000p
pm/ ”C以上に劣化し、実用化できないという問題
点を有している。
小径のLaB sを使用すると、焼成して厚膜抵抗体と
した際の面積抵抗値が10〜IOKΩの範囲での実用化
は可能であるが、10にΩを超えると抵抗体としての重
要な特性である抵抗温度特性(TCR)が−1000p
pm/ ”C以上に劣化し、実用化できないという問題
点を有している。
そこで、本発明は、面積抵抗値がIMΩ程度までTCR
特性に優れた厚膜抵抗体を得ることができ、有機ビヒク
ル中の固体成分(導電成分とガラスフリットと窒化アル
ミニウム)の混合比に応じて、厚膜抵抗体としたとき、
一定の安定した抵抗値を再現できる抵抗ペーストを提供
することを目的とする。
特性に優れた厚膜抵抗体を得ることができ、有機ビヒク
ル中の固体成分(導電成分とガラスフリットと窒化アル
ミニウム)の混合比に応じて、厚膜抵抗体としたとき、
一定の安定した抵抗値を再現できる抵抗ペーストを提供
することを目的とする。
込肌例購只
本発明に係る抵抗ペーストは、有機ビヒクル中に金属穴
ホウ化物と耐還元性ガラスフリットに加えて、これらの
固体成分に対して約5〜30wt%の窒化アルミニウム
を分散させたことを特徴とする。
ホウ化物と耐還元性ガラスフリットに加えて、これらの
固体成分に対して約5〜30wt%の窒化アルミニウム
を分散させたことを特徴とする。
有機ビヒクルは溶剤として使用される不活性液体である
。使用しうる有機ビヒクルの例は、脂肪族アルコール、
その様なアルコールのエステル例えばアセテート及びプ
ロピオネート、テルペン例えば松根油、テルピネオール
その他、溶媒例えば松根油及びエチレングリコールモノ
アセテートのモノブチルニーデル中の樹脂例えば低級ア
ルコールのポリメタクリレートの溶液又はエチルセルロ
ースの溶液である。アクリル系樹脂をα−テレピネオー
ルで溶解したものが特に好ましい、ビヒクルは基板への
塗布後迅速な硬化を促進させるための揮発性液体を含有
していても良い。
。使用しうる有機ビヒクルの例は、脂肪族アルコール、
その様なアルコールのエステル例えばアセテート及びプ
ロピオネート、テルペン例えば松根油、テルピネオール
その他、溶媒例えば松根油及びエチレングリコールモノ
アセテートのモノブチルニーデル中の樹脂例えば低級ア
ルコールのポリメタクリレートの溶液又はエチルセルロ
ースの溶液である。アクリル系樹脂をα−テレピネオー
ルで溶解したものが特に好ましい、ビヒクルは基板への
塗布後迅速な硬化を促進させるための揮発性液体を含有
していても良い。
本発明に係る抵抗ペースト中における固体成分に対する
有機ビヒクルの比率は、固体成分の分散方法や使用され
るビヒクルの種類によって必ずしも一定ではない。
有機ビヒクルの比率は、固体成分の分散方法や使用され
るビヒクルの種類によって必ずしも一定ではない。
金属穴ホウ化物は導電成分として使用され、例えばLa
B5 l YL r CaBs l BaBs t 5
rBs等を含む。
B5 l YL r CaBs l BaBs t 5
rBs等を含む。
ガラスフリットは焼成時の導電成分ないしは基板への結
合剤として使用され、それ自体絶縁性を有し、Log
+ 510! r BaOI Ca01 KxO* M
gO* SrOlZr0 、等のホウケイ酸アルカリ土
類酸化物を含み、特に、酸化ニオブ(Nb*os)を約
0.5〜5. Omo1%添加すると、抵抗値の増加を
押さえるのに有効である。
合剤として使用され、それ自体絶縁性を有し、Log
+ 510! r BaOI Ca01 KxO* M
gO* SrOlZr0 、等のホウケイ酸アルカリ土
類酸化物を含み、特に、酸化ニオブ(Nb*os)を約
0.5〜5. Omo1%添加すると、抵抗値の増加を
押さえるのに有効である。
窒化アルミニウム(AIN)は、以下の第1表に示す様
に、厚膜抵抗体に焼成した際の抵抗値の増加を抑え、良
好なTCR特性を得るために用いられる。AINを添加
する効果は固体成分に対して約5wt%を超えるところ
から発揮され始め、約30wt%を超えると却って抵抗
値が増加する。
に、厚膜抵抗体に焼成した際の抵抗値の増加を抑え、良
好なTCR特性を得るために用いられる。AINを添加
する効果は固体成分に対して約5wt%を超えるところ
から発揮され始め、約30wt%を超えると却って抵抗
値が増加する。
なお、金属穴ホウ化物とガラスフリットと窒化アルミニ
ウムの混合比は、必要とされる抵抗値に応じて任意の値
をとることができる。
ウムの混合比は、必要とされる抵抗値に応じて任意の値
をとることができる。
実施例
以下、本発明に係る抵抗ペーストの実施例につき、詳説
する。
する。
以下の第1表に示す実施例1〜7の抵抗ペーストは、溶
剤としてのアクリル系樹脂−α−テレピネオールからな
る有機ビヒクル中に導電成分としてのLaB、と結合剤
としてのガラスフリットとAINを各実施例1〜7ごと
に示す混合比で分散したものである。
剤としてのアクリル系樹脂−α−テレピネオールからな
る有機ビヒクル中に導電成分としてのLaB、と結合剤
としてのガラスフリットとAINを各実施例1〜7ごと
に示す混合比で分散したものである。
[以 下金 白コ
使用したLaB、は、振動ミル処理で平均粒径0.8μ
mとしたものである。ガラスフリットは、Ba0(19
,39mo1%>、 Cab(9,05mo1% )、
B*Os (35,26mo1%)。
mとしたものである。ガラスフリットは、Ba0(19
,39mo1%>、 Cab(9,05mo1% )、
B*Os (35,26mo1%)。
5iOz (30,97mo1%)、NbzOs (2
,39mo1%)、KzO(2,95mo1%)の組成
からなるものを使用した。
,39mo1%)、KzO(2,95mo1%)の組成
からなるものを使用した。
具体的には、ガラスフリット成分を構成する原料を混合
比に応じて混合し、この混合原料を白金るつぼ中で溶融
させ、冷水中に投入し、湿式ボールミルにより粉砕して
フリット化する。
比に応じて混合し、この混合原料を白金るつぼ中で溶融
させ、冷水中に投入し、湿式ボールミルにより粉砕して
フリット化する。
以上のlaBgとガラスフリットとAINの組成物をツ
ーパーミル処理することによって有機ビヒクル中に分散
許せてペースト形態とする。
ーパーミル処理することによって有機ビヒクル中に分散
許せてペースト形態とする。
有機ビヒクルは、各実施例において、85耽%のα−テ
レピネオール溶液中に、15wt、%のアクリル −
系樹脂を溶解したものを使用した。この有機ビヒクルは
固体成分に対して28wt%である。
レピネオール溶液中に、15wt、%のアクリル −
系樹脂を溶解したものを使用した。この有機ビヒクルは
固体成分に対して28wt%である。
また、第2表に示す様に、比較例1〜3として前記各実
施例と同様の成分を用い、同様の手順で抵抗ペーストを
製造した。比較例1,2はAINを添加しない例、比較
例3は他の固体成分に対して40wt%のAINを添加
した例である。
施例と同様の成分を用い、同様の手順で抵抗ペーストを
製造した。比較例1,2はAINを添加しない例、比較
例3は他の固体成分に対して40wt%のAINを添加
した例である。
以上の如く製造きれた抵抗ペーストを、アルミナ基板上
に予備焼成した銅電極間にスクリーン印刷し、120℃
で10分間乾燥させた後焼成した。焼成は900°Cで
窒素雰囲気炉内で行なった。
に予備焼成した銅電極間にスクリーン印刷し、120℃
で10分間乾燥させた後焼成した。焼成は900°Cで
窒素雰囲気炉内で行なった。
各実施例及び比較例の厚膜抵抗体における面積抵抗値と
TCRは第1表、第2表に示す通りである。実施例1〜
7のものは、いずれも1.2に〜1.2MΩの面積抵抗
値を示し、TCR特性も良好である。面積抵抗値が1.
2MΩと最も高い実施例6のものでもTCR特性は一3
31ppm/’Cであり、実用レベルである。
TCRは第1表、第2表に示す通りである。実施例1〜
7のものは、いずれも1.2に〜1.2MΩの面積抵抗
値を示し、TCR特性も良好である。面積抵抗値が1.
2MΩと最も高い実施例6のものでもTCR特性は一3
31ppm/’Cであり、実用レベルである。
これに対して、AINを添加しない比較例1,2のもの
では、面積抵抗値が低く、かつ、得られる抵抗値の範囲
も狭い。また、40wt%のAINを添加した比較例3
のものでは、面積抵抗値が100以上と実質上回路素子
の抵抗体として機能しなくなる。そこで、抵抗値を下げ
るためにガラスフリットの混合比を減少させると、固体
成分間の結合力が弱まって強固な抵抗膜が形成されず、
基板との密着性も劣化する。
では、面積抵抗値が低く、かつ、得られる抵抗値の範囲
も狭い。また、40wt%のAINを添加した比較例3
のものでは、面積抵抗値が100以上と実質上回路素子
の抵抗体として機能しなくなる。そこで、抵抗値を下げ
るためにガラスフリットの混合比を減少させると、固体
成分間の結合力が弱まって強固な抵抗膜が形成されず、
基板との密着性も劣化する。
なお、本発明に係る抵抗ペーストは前記各実施例に限定
するものではなく、有機ビヒクル、金属穴ホウ化物、ガ
ラスフリットの主成分としてのホウケイ酸アルカリ土類
酸化物は本発明の要旨の範囲内で種々のものを選択でき
、またその組成比率も任意である。
するものではなく、有機ビヒクル、金属穴ホウ化物、ガ
ラスフリットの主成分としてのホウケイ酸アルカリ土類
酸化物は本発明の要旨の範囲内で種々のものを選択でき
、またその組成比率も任意である。
発明の効果
以上の説明で明らかな様に、本発明によれば、固体成分
に対して約5〜30wt%の窒化アルミニウムを添加す
る様にしたため、厚膜抵抗体としたとき、面積抵抗値1
0にΩを超えるものでも良好なTCR特性を示す抵抗ペ
ーストを得ることができる。
に対して約5〜30wt%の窒化アルミニウムを添加す
る様にしたため、厚膜抵抗体としたとき、面積抵抗値1
0にΩを超えるものでも良好なTCR特性を示す抵抗ペ
ーストを得ることができる。
しかも、各固体成分の混合比を調整することにより広い
範囲で良好な特性の抵抗値を有するものを再現性良く得
ることができる。
範囲で良好な特性の抵抗値を有するものを再現性良く得
ることができる。
特許出願人 株式会社村田製作所
Claims (1)
- (1)有機ビヒクル中に金属六ホウ化物と耐還元性ガラ
スフリットを分散した抵抗ペーストにおいて、前記金属
六ホウ化物と耐還元性ガラスフリットに対して約5〜3
0wt%の窒化アルミニウムを含むこと、を特徴とする
抵抗ペースト。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62307822A JP2550624B2 (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 抵抗ペースト |
US07/279,529 US4985176A (en) | 1987-12-04 | 1988-12-02 | Resistive paste |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62307822A JP2550624B2 (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 抵抗ペースト |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01147802A true JPH01147802A (ja) | 1989-06-09 |
JP2550624B2 JP2550624B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=17973624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62307822A Expired - Lifetime JP2550624B2 (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 抵抗ペースト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2550624B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008099680A1 (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 抵抗ペーストおよび積層セラミックコンデンサ |
-
1987
- 1987-12-04 JP JP62307822A patent/JP2550624B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008099680A1 (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 抵抗ペーストおよび積層セラミックコンデンサ |
US8035950B2 (en) | 2007-02-06 | 2011-10-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resistive paste and monolithic ceramic capacitor |
JP5077245B2 (ja) * | 2007-02-06 | 2012-11-21 | 株式会社村田製作所 | 抵抗ペーストおよび積層セラミックコンデンサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2550624B2 (ja) | 1996-11-06 |
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