JPH01147802A

JPH01147802A - 抵抗ペースト

Info

Publication number: JPH01147802A
Application number: JP62307822A
Authority: JP
Inventors: Shizuharu Watanabe; 静晴渡辺; Koji Tani; 広次谷
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1987-12-04
Filing date: 1987-12-04
Publication date: 1989-06-09
Anticipated expiration: 2011-11-06
Also published as: JP2550624B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、アルミナ等の基板上に導電体としての銅等の
卑金属と共に厚膜抵抗体として形成可能な抵抗ペースト
、特にその組成に関する。

′末技術とその問題点近年、厚膜電気回路基板の電極ないし導電パターンには
銅等の卑金属が多用される傾向にあり、銅と共に還元性
雰囲気中で焼成可能な抵抗ペーストが求められている。

この種の抵抗ペーストは、基本的には、溶剤としての有
機ビヒクル中に導電成分としての金属六ホウ化物と結合
剤としてのガラスフリットを分散したものであり、還元
性雰囲気中で焼成して厚膜抵抗体とした際、良好な特性
を示すことが必要である。

そこで、従来では、特公昭５９−６４８１号公報、特開
昭５５−２７７００号公報、特開昭５５−２９１９９号
公報等に記載の如く、金属六ホウ化物例えばＬａＢａと
、耐還元性ガラス例えばホウアルミン酸カルシウムガラ
ス、ホウケイ酸Ｂａ　、　Ｃａ系ガラスを含有した抵抗
ペーストが提案されている。

しかしながら、ここで得られる抵抗ペーストは、比較的
小径のＬａＢ　ｓを使用すると、焼成して厚膜抵抗体と
した際の面積抵抗値が１０〜ＩＯＫΩの範囲での実用化
は可能であるが、１０にΩを超えると抵抗体としての重
要な特性である抵抗温度特性（ＴＣＲ）が−１０００ｐ
ｐｍ／　”Ｃ以上に劣化し、実用化できないという問題
点を有している。

そこで、本発明は、面積抵抗値がＩＭΩ程度までＴＣＲ
特性に優れた厚膜抵抗体を得ることができ、有機ビヒク
ル中の固体成分（導電成分とガラスフリットと窒化アル
ミニウム）の混合比に応じて、厚膜抵抗体としたとき、
一定の安定した抵抗値を再現できる抵抗ペーストを提供
することを目的とする。

込肌例購只本発明に係る抵抗ペーストは、有機ビヒクル中に金属穴
ホウ化物と耐還元性ガラスフリットに加えて、これらの
固体成分に対して約５〜３０ｗｔ％の窒化アルミニウム
を分散させたことを特徴とする。

有機ビヒクルは溶剤として使用される不活性液体である
。使用しうる有機ビヒクルの例は、脂肪族アルコール、
その様なアルコールのエステル例えばアセテート及びプ
ロピオネート、テルペン例えば松根油、テルピネオール
その他、溶媒例えば松根油及びエチレングリコールモノ
アセテートのモノブチルニーデル中の樹脂例えば低級ア
ルコールのポリメタクリレートの溶液又はエチルセルロ
ースの溶液である。アクリル系樹脂をα−テレピネオー
ルで溶解したものが特に好ましい、ビヒクルは基板への
塗布後迅速な硬化を促進させるための揮発性液体を含有
していても良い。

本発明に係る抵抗ペースト中における固体成分に対する
有機ビヒクルの比率は、固体成分の分散方法や使用され
るビヒクルの種類によって必ずしも一定ではない。

金属穴ホウ化物は導電成分として使用され、例えばＬａ
Ｂ５　ｌ　ＹＬ　ｒ　ＣａＢｓ　ｌ　ＢａＢｓ　ｔ　５
ｒＢｓ等を含む。

ガラスフリットは焼成時の導電成分ないしは基板への結
合剤として使用され、それ自体絶縁性を有し、Ｌｏｇ　
＋　５１０！　ｒ　ＢａＯＩ　Ｃａ０１　ＫｘＯ＊　Ｍ
ｇＯ＊　ＳｒＯｌＺｒ０　、等のホウケイ酸アルカリ土
類酸化物を含み、特に、酸化ニオブ（Ｎｂ＊ｏｓ）を約
０．５〜５．　Ｏｍｏ１％添加すると、抵抗値の増加を
押さえるのに有効である。

窒化アルミニウム（ＡＩＮ）は、以下の第１表に示す様
に、厚膜抵抗体に焼成した際の抵抗値の増加を抑え、良
好なＴＣＲ特性を得るために用いられる。ＡＩＮを添加
する効果は固体成分に対して約５ｗｔ％を超えるところ
から発揮され始め、約３０ｗｔ％を超えると却って抵抗
値が増加する。

なお、金属穴ホウ化物とガラスフリットと窒化アルミニ
ウムの混合比は、必要とされる抵抗値に応じて任意の値
をとることができる。

実施例以下、本発明に係る抵抗ペーストの実施例につき、詳説
する。

以下の第１表に示す実施例１〜７の抵抗ペーストは、溶
剤としてのアクリル系樹脂−α−テレピネオールからな
る有機ビヒクル中に導電成分としてのＬａＢ、と結合剤
としてのガラスフリットとＡＩＮを各実施例１〜７ごと
に示す混合比で分散したものである。

［以　下金　白コ使用したＬａＢ、は、振動ミル処理で平均粒径０．８μ
ｍとしたものである。ガラスフリットは、Ｂａ０（１９
，３９ｍｏ１％＞、　Ｃａｂ（９，０５ｍｏ１％　）、
　Ｂ＊Ｏｓ　（３５，２６ｍｏ１％）。

５ｉＯｚ　（３０，９７ｍｏ１％）、ＮｂｚＯｓ　（２
，３９ｍｏ１％）、ＫｚＯ（２，９５ｍｏ１％）の組成
からなるものを使用した。

具体的には、ガラスフリット成分を構成する原料を混合
比に応じて混合し、この混合原料を白金るつぼ中で溶融
させ、冷水中に投入し、湿式ボールミルにより粉砕して
フリット化する。

以上のｌａＢｇとガラスフリットとＡＩＮの組成物をツ
ーパーミル処理することによって有機ビヒクル中に分散
許せてペースト形態とする。

有機ビヒクルは、各実施例において、８５耽％のα−テ
レピネオール溶液中に、１５ｗｔ、％のアクリル　　−
系樹脂を溶解したものを使用した。この有機ビヒクルは
固体成分に対して２８ｗｔ％である。

また、第２表に示す様に、比較例１〜３として前記各実
施例と同様の成分を用い、同様の手順で抵抗ペーストを
製造した。比較例１，２はＡＩＮを添加しない例、比較
例３は他の固体成分に対して４０ｗｔ％のＡＩＮを添加
した例である。

以上の如く製造きれた抵抗ペーストを、アルミナ基板上
に予備焼成した銅電極間にスクリーン印刷し、１２０℃
で１０分間乾燥させた後焼成した。焼成は９００°Ｃで
窒素雰囲気炉内で行なった。

各実施例及び比較例の厚膜抵抗体における面積抵抗値と
ＴＣＲは第１表、第２表に示す通りである。実施例１〜
７のものは、いずれも１．２に〜１．２ＭΩの面積抵抗
値を示し、ＴＣＲ特性も良好である。面積抵抗値が１．
２ＭΩと最も高い実施例６のものでもＴＣＲ特性は一３
３１ｐｐｍ／’Ｃであり、実用レベルである。

これに対して、ＡＩＮを添加しない比較例１，２のもの
では、面積抵抗値が低く、かつ、得られる抵抗値の範囲
も狭い。また、４０ｗｔ％のＡＩＮを添加した比較例３
のものでは、面積抵抗値が１００以上と実質上回路素子
の抵抗体として機能しなくなる。そこで、抵抗値を下げ
るためにガラスフリットの混合比を減少させると、固体
成分間の結合力が弱まって強固な抵抗膜が形成されず、
基板との密着性も劣化する。

なお、本発明に係る抵抗ペーストは前記各実施例に限定
するものではなく、有機ビヒクル、金属穴ホウ化物、ガ
ラスフリットの主成分としてのホウケイ酸アルカリ土類
酸化物は本発明の要旨の範囲内で種々のものを選択でき
、またその組成比率も任意である。

発明の効果以上の説明で明らかな様に、本発明によれば、固体成分
に対して約５〜３０ｗｔ％の窒化アルミニウムを添加す
る様にしたため、厚膜抵抗体としたとき、面積抵抗値１
０にΩを超えるものでも良好なＴＣＲ特性を示す抵抗ペ
ーストを得ることができる。

しかも、各固体成分の混合比を調整することにより広い
範囲で良好な特性の抵抗値を有するものを再現性良く得
ることができる。

特許出願人　　株式会社村田製作所

Claims

【特許請求の範囲】

（１）有機ビヒクル中に金属六ホウ化物と耐還元性ガラ
スフリットを分散した抵抗ペーストにおいて、前記金属
六ホウ化物と耐還元性ガラスフリットに対して約５〜３
０ｗｔ％の窒化アルミニウムを含むこと、を特徴とする
抵抗ペースト。