JPH01143151U - - Google Patents

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JPH01143151U
JPH01143151U JP3967988U JP3967988U JPH01143151U JP H01143151 U JPH01143151 U JP H01143151U JP 3967988 U JP3967988 U JP 3967988U JP 3967988 U JP3967988 U JP 3967988U JP H01143151 U JPH01143151 U JP H01143151U
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power
chip
transistor elements
conductivity
power transistor
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JP3967988U
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案1実施例にかかるパワーMO
SFETの構造を示す平面図およびその一部断面
図、第2図は第1図に示したパワーMOSFET
の等価回路図、第3図は第1図に示すパワーMO
SFETの製造工程の一部の説明に供する図、第
4図はこの考案の従来例に係るパワーMOSFE
Tの構造を示す平面図およびその一部断面図、第
5図は第4図のパワーMOSFETの等価回路図
である。 10……チツプ、11……セルトランジスタ、
32……チツプ中心部のセルトランジスタ、33
……チツプ周辺部のセルトランジスタ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 複数個のパワートランジスタ素子を同一チツプ
    上に配列して高出力を得るようにしたパワーMO
    S電界効果型トランジスタにおいて、チツプ周辺
    部に配列された上記パワートランジスタ素子の導
    電率をチツプ中心部に配列されたパワートランジ
    スタ素子の導電率よりも大きくしたことを特徴と
    するパワーMOS電界効果型トランジスタ。
JP3967988U 1988-03-28 1988-03-28 Pending JPH01143151U (ja)

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JP3967988U JPH01143151U (ja) 1988-03-28 1988-03-28

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JPH01143151U true JPH01143151U (ja) 1989-10-02

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