JPH01140810A - Switched capacitor circuit - Google Patents

Switched capacitor circuit

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JPH01140810A
JPH01140810A JP62297585A JP29758587A JPH01140810A JP H01140810 A JPH01140810 A JP H01140810A JP 62297585 A JP62297585 A JP 62297585A JP 29758587 A JP29758587 A JP 29758587A JP H01140810 A JPH01140810 A JP H01140810A
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JP
Japan
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circuit
input
capacitor
clock pulse
switch
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Application number
JP62297585A
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Japanese (ja)
Inventor
Koichi Kodera
浩一 小寺
Fumiaki Fujii
文明 藤井
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Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To realize the improvement of an output characteristic with simple constitution by preventing the switching control of other switch elements when a switch element connected to the virtual ground input of an operational amplifier circuit is in an ON state. CONSTITUTION:When input signal charges are fetched into input side capacitors C1-Cn, the switch elements Q1-Qn connected to the capacitors are turned on or off according to the input digital signal values of bits corresponding to respective capacitors. Thus, respective capacitors are discharged according to the input digital signal values, and charged up by a reference voltage VR. When the signal charges of the capacitors C1-Cn are transmitted to an output side capacitor CO provided between the virtual ground input terminal and an output terminal Vout in the operational amplifier circuit OP, the control of the switch elements Q1-Q6 connected to the capacitors C1-Cn is stopped and only switch elements 7 and 8 are turned on.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、スイッチドキャパシタ回路に関し、例えば
スイッチドキャパシタ回路を用いたD/A変換回路に利
用して有効な技術に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a switched capacitor circuit, and relates to a technique that is effective when applied to, for example, a D/A conversion circuit using a switched capacitor circuit.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

スイッチドキャパシタ回路では、サンプリング用のクロ
ックパルスφ1と出力用あるいは積分用のクロックパル
スφ2の2相のノンオーバーラツプクロックパルスを用
いている。このようなノンオーバーラツプのクロックパ
ルスφ1とφ2を用いたスイッチドキャパシタ回路に関
しては、例えば、特開昭59−149417号公報があ
る。
The switched capacitor circuit uses two-phase non-overlapping clock pulses: a sampling clock pulse φ1 and an output or integration clock pulse φ2. Regarding a switched capacitor circuit using such non-overlapping clock pulses φ1 and φ2, there is, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 149417/1983.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上記のようにノンオーバーラツプの2相クロツクパルス
を用いた場合でも、次のような問題点が生じることが本
願発明者の研究によって明らかにされた。すなわち、入
力側のキャパシタと演算増幅回路の仮想接地人力である
反転入力端子との間に設けられるスイッチ素子がオン状
態になるとき、言い換えるならば、入力側のキャパシタ
の電荷を上記演算増幅回路の反転入力端子と出力端子と
の間に設けられる出力側(積分用)キャパシタに伝える
とき、他のスイッチ素子も同時にスイッチ制御が行われ
るものがあり、その微小な位相ずれにより、そのスイッ
チ制御のためのクロックパルスがスイッチ素子を構成す
る伝送ゲートMO8FETのゲートとチャンネル又はソ
ース、ドレインとの間の寄生容量を通したフィードスル
ーやスイッチングノイズが出力側に伝達されてしまう。
The inventor's research has revealed that even when non-overlapping two-phase clock pulses are used as described above, the following problems occur. That is, when the switch element provided between the input-side capacitor and the inverting input terminal, which is the virtual ground of the operational amplifier circuit, is turned on, in other words, the charge on the input-side capacitor is transferred to the operational amplifier circuit. When transmitting information to the output side (integration) capacitor provided between the inverting input terminal and the output terminal, there are some cases in which other switching elements are also controlled at the same time, and due to the small phase shift, it is difficult to control the switch. The clock pulse passes through the parasitic capacitance between the gate and channel or source and drain of the transmission gate MO8FET that constitutes the switching element, and switching noise is transmitted to the output side.

これにより、例えばスイッチドキャパシタ回路を利用し
てD/A変換回路を構成する場合、上記フィードスルー
やノイズによって直線性が劣化やS/N(信号対雑音比
)が劣化してしまう。
As a result, when a D/A conversion circuit is configured using a switched capacitor circuit, for example, linearity and S/N (signal-to-noise ratio) deteriorate due to the feedthrough and noise.

この発明の目的は、簡単な構成で出力特性の改善を実現
したスイッチドキャパシタ回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a switched capacitor circuit that achieves improved output characteristics with a simple configuration.

この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は
、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、スイッチドキャパシタ回路を構成する複数か
らなるスイッチ素子のうち、演算増幅回路の仮想接地入
力に結合されるスイッチ素子がオン状態のとき、他のス
イッチ素子のスイッチング制御を行わないようにする。
That is, when a switch element coupled to a virtual ground input of an operational amplifier circuit is in an on state among a plurality of switch elements constituting a switched capacitor circuit, switching control of other switch elements is not performed.

(作 用〕 上記した手段によれば、入力側キャパシタの信号電荷を
出力側キャパシタに伝えるスイッチ素子がオン状態にさ
れたとき、他のスイッチ素子のスイッチ制御が行われな
いから、スイッチ制御の際に生じるフィードスルーやス
イッチングノイズが出力側キャパシタに伝えられること
がない。これによって、特性の改善を図ることができる
(Function) According to the above means, when the switch element that transmits the signal charge of the input side capacitor to the output side capacitor is turned on, switch control of other switch elements is not performed. Feedthrough and switching noise generated in the output capacitor are not transmitted to the output capacitor, thereby improving characteristics.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は、この発明をD/A変換回路に適用した場合の
一実施例の回路図が示されている。
FIG. 1 shows a circuit diagram of an embodiment in which the present invention is applied to a D/A conversion circuit.

同図の各回路素子及び回路ブロックは、公知の0MO3
(相補型MO3)集積回路の製造技術によって、特に制
限されないが、単結晶シリコンのような1個の半導体基
板上において形成される。
Each circuit element and circuit block in the figure is a well-known 0MO3
(Complementary MO3) Depending on the integrated circuit manufacturing technology, it is formed on a single semiconductor substrate such as, but not limited to, single crystal silicon.

同図において、PチャンネルMOSFETは、そのチャ
ンネル(バックゲート)部に矢印が付加されることによ
ってNチャンネルMOSFETと区別される。
In the figure, a P-channel MOSFET is distinguished from an N-channel MOSFET by an arrow added to its channel (back gate) portion.

特に制限されないが、集積回路は、単結晶P型シリコン
からなる半導体基板に形成される。NチャンネルMOS
FETは、かかる半導体基板表面に形成されたソース領
域、ドレイン領域及びソース領域とドレイン領域との間
の半導体基板表面に薄い厚さのゲート絶縁膜を介して形
成されたポリシリコンからなるようなゲート電極から構
成される。PチャンネルMOSFETは、上記半導体基
板表面に形成されたN型ウェル領域に形成される。
Although not particularly limited, the integrated circuit is formed on a semiconductor substrate made of single-crystal P-type silicon. N channel MOS
The FET has a source region, a drain region formed on the surface of the semiconductor substrate, and a gate made of polysilicon formed on the surface of the semiconductor substrate between the source region and the drain region with a thin gate insulating film interposed therebetween. Consists of electrodes. The P-channel MOSFET is formed in an N-type well region formed on the surface of the semiconductor substrate.

これによって、半導体基板は、その上に形成された複数
のNチャンネルMOSFETの共通の基板ゲートを構成
する。N型ウェル領域は、その上に形成されたPチャン
ネルMOSFETの基板ゲートを構成する。特に制限さ
れないが、上記半導体基板には回路の接地電位が与えら
れ、PチャンネルMOSFETの基板ゲートすなわちN
型ウェル領域には、正の電源端子VCCに結合される。
Thereby, the semiconductor substrate constitutes a common substrate gate for a plurality of N-channel MOSFETs formed thereon. The N-type well region constitutes the substrate gate of the P-channel MOSFET formed thereon. Although not particularly limited, the semiconductor substrate is given a circuit ground potential, and the substrate gate of the P-channel MOSFET, that is, N
The type well region is coupled to a positive power supply terminal VCC.

基準電圧VRと入力側キャパシタC1の一方の電極との
間には、PチャンネルMOSFETQIとNチャンネ7
1zMOSFETQ2からなるCMOSスイッチ回路が
設けられる。NチャンネルMOSFETQ2のゲートに
クロックパルスφ□が供給され、PチャンネルMOSF
ETQIのゲートに上記クロックパルスφAlがインバ
ータ回路N1により反転されて供給される。これにより
、クロックパルスφA+がハイレベルのとき、上記MO
SFETQIとQ2が共にオン状態になって、基準電圧
VRをキャパシタCIの一方の電極に伝える。
A P-channel MOSFET QI and an N-channel MOSFET 7 are connected between the reference voltage VR and one electrode of the input capacitor C1.
A CMOS switch circuit consisting of a 1zMOSFETQ2 is provided. Clock pulse φ□ is supplied to the gate of N-channel MOSFET Q2, and P-channel MOSFET
The clock pulse φAl is inverted and supplied to the gate of ETQI by an inverter circuit N1. As a result, when the clock pulse φA+ is at a high level, the MO
SFETs QI and Q2 are both turned on and transmit the reference voltage VR to one electrode of the capacitor CI.

上記キャパシタC1の一方の電極と回路の接地電位点と
の間には、PチャンネルMOSFETQ3とNチャンネ
ルMOS F ETQ 4とからなるCMOSスイッチ
回路が設けられる。NチャンネルMOSFETQ4のゲ
ートにクロックパルスφ31が供給され、Pチャンネル
MOSFETQ3のゲートに上記クロックパルスφ□が
インバータ回路N2により反転されて供給される。これ
により、クロックパルスφ、1がハイレベルのとき、上
記MOSFETQ3とQ4が共にオン状態になって、回
路の接地電位をキャパシタC1の一方の電極に伝える。
A CMOS switch circuit including a P-channel MOSFET Q3 and an N-channel MOSFET Q4 is provided between one electrode of the capacitor C1 and the ground potential point of the circuit. A clock pulse φ31 is supplied to the gate of the N-channel MOSFET Q4, and the clock pulse φ□ is inverted and supplied to the gate of the P-channel MOSFET Q3 by an inverter circuit N2. As a result, when the clock pulse φ,1 is at a high level, the MOSFETs Q3 and Q4 are both turned on, and the ground potential of the circuit is transmitted to one electrode of the capacitor C1.

キャパシタC1の他方の電極と回路の接地電位点との間
には、PチャンネルMOSFETQ5とNチャンネルM
OSFETQ6とからなるCMOSスイッチ回路が設け
られる。NチャンネルMOSFETQ6のゲートにクロ
ックパルスφ。が供給され、PチャンネルMO5FET
Q5のゲートに上記クロックパルスφ、がインバータ回
路N3により反転されて供給される。これにより、クロ
ックパルスφ。がハイレベルのとき、上記MOSFET
Q5とQ6が共にオン状態になって、回路の接地電位を
キャパシタCIの一方の電極に伝える。
A P-channel MOSFET Q5 and an N-channel MOSFET Q5 are connected between the other electrode of the capacitor C1 and the ground potential point of the circuit.
A CMOS switch circuit consisting of an OSFETQ6 is provided. Clock pulse φ is applied to the gate of N-channel MOSFET Q6. is supplied, P-channel MO5FET
The clock pulse φ is inverted and supplied to the gate of Q5 by an inverter circuit N3. This causes the clock pulse φ. When is at high level, the above MOSFET
Q5 and Q6 are both turned on, transmitting the circuit's ground potential to one electrode of capacitor CI.

キャパシタC1の他方の電極と、演算増幅回路OPの反
転入力端子−(仮想接地端子)との間には、Pチャンネ
ルMOSFETQ7とNチャンネルMOSFETQBと
からなるCMOSスイッチ回路が設けられる。Nチャン
ネルMOSFETQ8のゲートにクロックパルスφ、が
供給され、PチャンネルMOSFETQ7のゲートに上
記クロックパルスφ。がインバータ回路N4により反転
されて供給される。これにより、クロックパルスφ、が
ハイレベルのとき、上記MOSFETQ7とQ8が共に
オン状態になって、入力側キャパシタと次に説明する出
力側キャパシタCOとを接続してキャパシタ間の電荷の
授受を行う。
A CMOS switch circuit including a P-channel MOSFET Q7 and an N-channel MOSFET QB is provided between the other electrode of the capacitor C1 and the inverting input terminal - (virtual ground terminal) of the operational amplifier circuit OP. A clock pulse φ is supplied to the gate of N-channel MOSFET Q8, and the clock pulse φ is supplied to the gate of P-channel MOSFET Q7. is inverted and supplied by an inverter circuit N4. As a result, when the clock pulse φ is at a high level, the MOSFETs Q7 and Q8 are both turned on, and the input side capacitor and the output side capacitor CO, which will be explained next, are connected to transfer charge between the capacitors. .

上記演算増幅回路OPの非反転入力端子+は、回路の接
地電位点が与えられ、上記反転入力端子−と出力端子V
outとの間には、出力側(積分用)キャパシタCOが
設けられる。このキャパシタCOには、並列形態にPチ
ャンネル間O3FETQ9とNチャンネルMOSFET
QIOからなるリセット用のCMOSスイッチ回路が設
けられる。NチャンネルMOSFETQI Oのゲート
にリセットパルスφえが供給され、Pチャンネル間O3
FETQ9のゲートに上記リセットパルスφぇがインバ
ータ回路N5により反転されて供給される。これにより
、リセットパルスφえがハイレベルのとき、上記MOS
FETQ9とQIOが共にオン状態になって、出力側キ
ャパシタCOの電荷を放電(リセット)させる。
The non-inverting input terminal + of the operational amplifier circuit OP is given the ground potential point of the circuit, and the inverting input terminal - and the output terminal V
An output side (integration) capacitor CO is provided between the output side and the output side (integration) capacitor CO. This capacitor CO includes a P-channel inter-channel O3FETQ9 and an N-channel MOSFET in parallel.
A CMOS switch circuit for reset consisting of QIO is provided. A reset pulse φ is supplied to the gate of the N-channel MOSFET QIO, and the voltage between the P-channels O3
The reset pulse φ is inverted and supplied to the gate of FETQ9 by an inverter circuit N5. As a result, when the reset pulse φ is at a high level, the above MOS
Both FETQ9 and QIO are turned on to discharge (reset) the charge in the output side capacitor CO.

ディジタル/アナログ変換動作を行わせるため、上記類
似の入力回路が複数個設けられる。すなわち、上記MO
SFETCIないしQ8及びインバータ回路N1〜N4
からなるスイッチ回路と、キャパシタC1と類似の回路
が複数(n)個設けられる。同図では、上記キャパシタ
C1に対応した回路と、第n番目の回路とが代表として
例示的に示されている。第n番目の回路に供給されるク
ロックパルスは、φAn、φllnのようにされる。た
だし、第n番目のスイッチ回路を構成するMOSFET
及びインバータ回路の回路記号は省略されている。
A plurality of input circuits similar to those described above are provided to perform digital/analog conversion operations. That is, the above MO
SFETCI to Q8 and inverter circuits N1 to N4
A plurality (n) of circuits similar to the capacitor C1 and the capacitor C1 are provided. In the figure, a circuit corresponding to the capacitor C1 and an n-th circuit are exemplarily shown as representatives. The clock pulses supplied to the nth circuit are as follows: φAn, φlln. However, the MOSFET constituting the n-th switch circuit
The circuit symbols of the inverter circuit and the inverter circuit are omitted.

キャパシタCIないしCnの容量値は、上記出力側キャ
パシタCOの容量値を基準にして、ディジタル値に対応
した重み付けがなされている。例えば、キャパシタC1
の容量値をキャパシタc。
The capacitance values of the capacitors CI to Cn are weighted in accordance with the digital values based on the capacitance value of the output side capacitor CO. For example, capacitor C1
The capacitance value of capacitor c.

と等しく設定すると、第n番目のキャパシタCnの容量
値は、C0X2’のような容量値に設定される。これに
より、nビットからなるディジタル信号をアナログ信号
に変換するディジタル/アナログ変換回路となる。
, the capacitance value of the n-th capacitor Cn is set to a capacitance value such as C0X2'. This results in a digital/analog conversion circuit that converts a digital signal consisting of n bits into an analog signal.

この実施例回路の動作を、第2図の動作波形図を参照し
て次に説明する。
The operation of this embodiment circuit will now be described with reference to the operational waveform diagram of FIG.

ディジタル/アナログ変換動作に先立って、リセットパ
ルスφ8がハイレベルにされる。これにより、MOSF
ETQ9とQIOがオン状aにされ、出力側キャパシタ
COがリセットされる。
Prior to the digital/analog conversion operation, the reset pulse φ8 is set to high level. This allows MOSF
ETQ9 and QIO are turned on and the output side capacitor CO is reset.

入力信号電荷の取り込みは、次のようにして行われる。Input signal charge is taken in as follows.

入力信号電荷の取り込みの間、クロックパルスφ0はハ
イレベルにされ、これに対応したCMOSスイッチ回路
がオン状態になるため、キャパシタ01〜Cnの他方の
電極側には回路の接地電位が与えられる。このとき、ク
ロックパルスφ。はロウレベルにされ、これに対応した
CMOSスイッチ回路がオフ状態になり、入力側のキャ
パシタC1〜Cnと出力側キャパシタCOとは切り離さ
れている。上記のクロックパルスφ。とφ。は、ノンオ
ーバーラツプのクロックパルスとされ9両りロックパル
スφCとφ。に対応したCMOSスイッチ回路が共にオ
ン状態になることはない。
While the input signal charge is being taken in, the clock pulse φ0 is set to a high level and the corresponding CMOS switch circuit is turned on, so that the ground potential of the circuit is applied to the other electrode side of the capacitors 01 to Cn. At this time, the clock pulse φ. is set to a low level, the corresponding CMOS switch circuit is turned off, and the input side capacitors C1 to Cn and the output side capacitor CO are separated. The above clock pulse φ. andφ. are non-overlapping clock pulses, and both lock pulses φC and φ. Both CMOS switch circuits corresponding to the above are not turned on.

例えば最下位ビットが論理“O”なら、クロックパルス
φ4.はロウレベルに、クロックパルスφ1はハイレベ
ルにされる。したがって、MOSFETQlと02がオ
フ状態に、MOSFETQ3とQ4がオン状態になるた
め、それに対応したキャパシタC1の画電極には回路の
接地電位が供給されることによって、キャパシタC1は
ディスチャージされる。
For example, if the least significant bit is logic "O", clock pulse φ4. is set to low level, and clock pulse φ1 is set to high level. Therefore, since MOSFETs Ql and 02 are turned off and MOSFETs Q3 and Q4 are turned on, the ground potential of the circuit is supplied to the corresponding picture electrode of the capacitor C1, thereby discharging the capacitor C1.

これに対して、最上位ビットが論理“1”なら、クロッ
クパルスφA、lはロウレベルに、クロックパルスφh
はハイレベルにされる。したがって、上記MOSFET
QIとQ2に対応したCMOSスイッチ回路がオン状態
に、上記MOS F ETQ 3とQ4に対応したCM
OSスイッチ回路がオフ状態になるため、それに対応し
たキャパシタCnには基準電圧VRがチャージアップさ
れる。
On the other hand, if the most significant bit is logic "1", clock pulse φA,l goes to low level and clock pulse φh
is raised to a high level. Therefore, the above MOSFET
The CMOS switch circuits corresponding to QI and Q2 are turned on, and the CM corresponding to the above MOS FETQ3 and Q4 is turned on.
Since the OS switch circuit is turned off, the corresponding capacitor Cn is charged up with the reference voltage VR.

そして、上記のようにの入力ディジタル信号に対応して
キャパシタ01〜Cnに取り込まれた電荷を出力側のキ
ャパシタCOに伝える際、クロックパルスφ。のロウレ
ベルへの変化に同期して、上記ハイレベルにされたクロ
ックパルスφ6.及びφA、1がハイレベルからロウレ
ベルに変化される。
Then, when transmitting the charges taken into the capacitors 01 to Cn in response to the input digital signal as described above to the output side capacitor CO, a clock pulse φ is applied. In synchronization with the change of clock pulse φ6. to low level, the clock pulse φ6. and φA,1 is changed from high level to low level.

すなわち、クロックパルスφ。と入力信号の取り込み用
のクロックパルス(上記の例ではφ3.とφA、、)と
は同相の信号にされる。
That is, the clock pulse φ. and the clock pulse for taking in the input signal (in the above example, φ3. and φA, . . . ) are made to be signals in the same phase.

出力用のクロックパルスは、2つに分けられる。The clock pulse for output is divided into two.

すなわち、入力電荷の取り込みに用いるクロックパルス
φAlとφ□ないしφAnとφ、とは、ノンオーバーラ
ツプの逆相の信号とされ、上記の例ではクロックパルス
φ□がクロックパルスφ□に対応してノンオーバーラツ
プの後にハイレベルに立ち上がり、クロックパルスφl
lr+がクロックパルスφ口に対応してノンオーバーラ
ツプの後にハイレベルに立ち上がる。
That is, the clock pulses φAl and φ□ or φAn and φ used to capture input charges are non-overlapping signals with opposite phases, and in the above example, the clock pulse φ□ corresponds to the clock pulse φ□. After non-overlap, the clock pulse φl rises to high level.
lr+ rises to high level after non-overlap in response to clock pulse φ.

このように、クロックパルスφ□〜φ□とφ□〜φ、と
は、対応する入力ディジタル信号の論理“O”と論理“
1”に応じて、その位相が入れ換わるクロックパルスと
される。そして、クロックパルスφ、は、上記のように
ハイレベルにされるべきクロックパルスφ1〜ψB7が
変化した後に一定の時間経過の後にハイレベルにされる
In this way, the clock pulses φ□~φ□ and φ□~φ are the logic “O” and logic “O” of the corresponding input digital signals.
The clock pulse φ changes its phase according to the change in the clock pulse φ1 to φB7, which should be set to high level as described above, after a certain period of time has elapsed. be brought to a high level.

これによっ°ζ、上記のクロックパルスφDのハイレベ
ルに対応してオン状態にされるCMOSスイッチ回路を
介してキャパシタ01〜Cnは、仮想接地の演算増幅回
路OPの反転入力端子−に結合されるため、キャパシタ
01〜C11とC○との間で電荷の授受が行われる。
As a result, the capacitors 01 to Cn are coupled to the inverting input terminal - of the operational amplifier circuit OP of virtual ground via the CMOS switch circuit which is turned on in response to the high level of the clock pulse φD. Therefore, charges are exchanged between the capacitors 01 to C11 and C○.

キャパシタC1は、上記のように電荷が無い状態で、ク
ロックパルスφ4.のハイレベルに応じて一方の電極に
基準電圧VRが供給されるから、そこに−VR−CIの
ような電荷を必要とする。キャパシタCnには、VRX
Cn (=VRxC1x2″)の電荷が蓄積されている
。他のビットも論理“O”により上記キ、ドパシタCI
と同様に電荷が無い状態であるとすると、それぞれが上
記キャパシタC1のように電荷を必要とするから、出力
電圧Voutは、前記のような各キャパシタCIないし
Cnにおける電荷の合成から求められ、C1=GOであ
るからVout =VR(2°−21−・・・−2n−
1+2m)となる。このようにして、出力信号Vout
は、全入力ディジタル信号の論理10″に応じたVR(
−2’ −2’  −・・・−2”−’−2”)のよう
な最低電圧から、全て論理″l”に応じたVR(+2°
+21 +・・・+21%−1+211)ような最高電
圧まで変化するアナログ電圧とされる。
When the capacitor C1 has no charge as described above, the clock pulse φ4. Since the reference voltage VR is supplied to one electrode in response to the high level of , a charge such as -VR-CI is required there. Capacitor Cn has VRX
A charge of Cn (=VRxC1x2'') is accumulated.The other bits are also connected to the above-mentioned Q and dopasitor CI due to the logic “O”.
Assuming that there is no charge in the same manner as above, each of the capacitors requires a charge like the above-mentioned capacitor C1, so the output voltage Vout is obtained from the combination of the charges in each of the capacitors CI to Cn as described above, and C1 =GO, so Vout =VR(2°-21-...-2n-
1+2m). In this way, the output signal Vout
is the VR (
-2'-2'-...-2"-'-2") to VR (+2°
+21 +...+21%-1+211), which is an analog voltage that changes up to the maximum voltage.

なお、次の電荷取り込み期間に入るとき、先にクロック
パルスφDがハイレベルからロウレベルに変化した後に
、上記ハイレベルにされたクロックパルスφAlとφ、
がロウレベルにされる。そして、上記アナログ変換され
た信号に、次のディジタル/アナログ変換信号を加算し
て出力するならば、入力信号電荷の取り込みを行うよう
クロックパルスφ、のハイレベルへの変化に同期して、
入力のディジタル信号に対応して例えばクロックパルス
φ□やφ□等がハイレベルに変化される。
Note that when entering the next charge capture period, after the clock pulse φD changes from high level to low level, the clock pulses φAl and φ, which have been set to high level,
is set to low level. Then, if the next digital/analog converted signal is added to the analog converted signal and output, synchronize with the change of the clock pulse φ to high level to capture the input signal charge.
For example, clock pulses φ□, φ□, etc. are changed to high level in response to the input digital signal.

第3図には、上記クロックパルスを形成するためのクロ
ックパルス発生回路の一実施例の回路図が示されている
。このクロックパルス発生回路を第4図に示した動作波
形図を参照して説明する。
FIG. 3 shows a circuit diagram of an embodiment of a clock pulse generation circuit for forming the above-mentioned clock pulses. This clock pulse generation circuit will be explained with reference to the operational waveform diagram shown in FIG.

基本クロックパルスφは、一方のナンド(NAND)ゲ
ート回路G1の一方の入力に供給される。
The basic clock pulse φ is supplied to one input of one NAND gate circuit G1.

上記クロックパルスφは、インバータ回路N6を介して
他方のナントゲート回路G2の一方の入力に供給される
。上記一方のナントゲート回路G1の出力信号は、直列
形態の遅延回路DLI及びDL2を通して上記他方のナ
ントゲート回路G2の他方の入力に供給される。上記他
方のナントゲート回路G2の出力信号は直列形態の遅延
回路DL3及びDL4を通して上記一方のナントゲート
回路G1の他方の入力に供給される。これにより、上記
ナントゲート回路G1と02は、一種のフリツブフロッ
プ回路を構成する。
The clock pulse φ is supplied to one input of the other Nant gate circuit G2 via an inverter circuit N6. The output signal of the one Nant gate circuit G1 is supplied to the other input of the other Nant gate circuit G2 through series delay circuits DLI and DL2. The output signal of the other Nant gate circuit G2 is supplied to the other input of the one Nant gate circuit G1 through series delay circuits DL3 and DL4. Thereby, the Nant gate circuits G1 and 02 constitute a type of flip-flop circuit.

基本タロツクパルスφがロウレベル(論理“O”)のと
き、一方のナントゲート回路G1の出力信号Aはハイレ
ベルにされる。他方のナントゲート回路G2は、インバ
ータ回路N6の出力がハイレベルであること及び遅延回
路DLI及びDL2を通した上記ナントゲート回路Gl
の出力のハイレベルであるために、ロウレベルの出力信
号Bを形成する。
When the basic tarock pulse φ is at a low level (logic "O"), the output signal A of one Nant gate circuit G1 is set at a high level. The other Nant's gate circuit G2 has the output of the inverter circuit N6 at a high level and the above-mentioned Nant's gate circuit Gl through the delay circuits DLI and DL2.
Since the output is at a high level, an output signal B at a low level is formed.

この状態で、クロックパルスφがロウレベルからハイレ
ベルに変化すると、それに応じてインバータ回路N6の
出力信号がハイレベルからロウレベル変化する。それ故
、ナントゲート回路G2の出力信号Bがロウレベルから
ハイレベルに変化する。そして、このナントゲート回路
G2のロウレベルからハイレベルへの変化は、遅延回路
DL3゜DL4により遅延されてナントゲート回路G1
の他方の入力に伝達される。したがって、ナントゲート
回路G1の出力信号Aは、上記遅延回路DL3、DL4
の遅延時間(DL3+DL4)の後にハ・イレベルから
ロウレベルに変化する。
In this state, when the clock pulse φ changes from low level to high level, the output signal of inverter circuit N6 changes from high level to low level accordingly. Therefore, the output signal B of the Nant gate circuit G2 changes from low level to high level. The change from the low level to the high level of the Nant gate circuit G2 is delayed by the delay circuits DL3 and DL4.
is transmitted to the other input. Therefore, the output signal A of the Nant gate circuit G1 is output from the delay circuits DL3 and DL4.
After a delay time (DL3+DL4), the level changes from high to low.

また、上記状態でクロックパルスφがハイレベルからロ
ウレベルに変化すると、それに応じてナントゲート回路
G1の出力信号Aがロウレベルからハイレベルに変化す
る。上記クロックパルスφのロウレベルに応じてインバ
ータ回F、FN6の出力信号がロウレベルからハイレベ
ル変化する。しかしながら、上記ナントゲート回路G1
の出力信号、へのハイレベルは遅延回路DLI、DL2
を通して遅れて伝達されるため、ナントゲート回路G2
の出力信号はハイレベルのままに維持される。そして、
上記遅延回路T)Lj、、r)L2の遅延時間(DL 
l−1−T)L ?、)後に上記信号へのハイレベルが
ナントゲート回路G2の他方の入力に伝達されると、ナ
ントゲート回路G2の出力信号Bはハイレベルからロウ
レベルに変化する。
Furthermore, when the clock pulse φ changes from high level to low level in the above state, the output signal A of the Nant gate circuit G1 changes from low level to high level accordingly. In response to the low level of the clock pulse φ, the output signals of the inverter circuits F and FN6 change from low level to high level. However, the above Nant gate circuit G1
The high level output signals to the delay circuits DLI and DL2
Since the transmission is delayed through the Nant gate circuit G2
The output signal of is maintained at a high level. and,
Delay time (DL) of the above delay circuit T)Lj,,r)L2
l-1-T)L? , ) Later, when the high level of the above signal is transmitted to the other input of the Nant gate circuit G2, the output signal B of the Nant gate circuit G2 changes from high level to low level.

これによって、ナントゲート回路G1と62の出力信号
AとBの変化に着目すれば、クロックパルスφがロウレ
ベルからハイレベルに変化するとき、先にナントゲート
回路C2の出力信号Bがハイレベルに変化して上記遅延
時間(DL3+DL4)の経過後にナントゲート回路G
1の出力信号Aがロウレベルに変化し、クロックパルス
φがハイレベルからロウレベルに変化するとき、先にナ
ントゲート回路G1の出力信号Aがハイレベルからロウ
レベルに変化して上記遅延時間(DL1+DL2)の経
過の後にナントゲート回路G2の出力信号Bがロウレベ
ルに変化する。このことは、ロウレベルを論理“1′″
とする負論理でみれば、出力信号AとBは上記遅延回路
DLL、DL2及びDL3.DL4の遅延時間(DLL
+DL2)、(DL3+DL4)をノンオーバーランプ
時間とする2相のクロックパルスとなる。
By this, if we pay attention to the changes in the output signals A and B of the Nant gate circuits G1 and 62, when the clock pulse φ changes from low level to high level, the output signal B of the Nant gate circuit C2 changes to high level first. After the above delay time (DL3+DL4) has elapsed, the Nant gate circuit G
When the output signal A of the Nant gate circuit G1 changes to low level and the clock pulse φ changes from high level to low level, the output signal A of Nant gate circuit G1 changes from high level to low level and the delay time (DL1+DL2) is increased. After the elapse of time, the output signal B of the Nant gate circuit G2 changes to low level. This means that the low level is a logic "1'"
In terms of negative logic, the output signals A and B are output from the delay circuits DLL, DL2, DL3 . DL4 delay time (DLL
+DL2) and (DL3+DL4) are two-phase clock pulses with non-overramp times.

この実施例では、前記第2図に示すような実質的に3相
のクロックパルスφ1.φ。及びφ。とφ8を形成する
ために、次のようなゲート回路を通して各クロックパル
スが形成される。
In this embodiment, substantially three-phase clock pulses φ1 . φ. and φ. and φ8, each clock pulse is formed through a gate circuit as follows.

上記ナントゲート回路G1の出力信号を受ける遅延回路
DLLの入力側と出力側の信号は、特に制限されないが
、それぞれインバータ回路NilとN12を介してナン
トゲート回路G5に入力され、インバータ回路N13を
介してクロックパルスφ4.φ。が出力される。上記ナ
ントゲート回路G5とインバータ回路N13は、実質的
にアンド(AND)ゲート回路を構成するから、クロッ
クパルスφ^とφ。は、上記出力信号への反転信号の立
ち下がりに対して遅延回路D L Lの遅延時間(DL
I)だけ遅れて立ち上がり、上記出力信号Aの立ち上が
りに同期して立ち下がるクロックパルスとされる。この
構成に代えて、」二記インバータ回路Nilの出力から
直接的に上記クロックパルスφ、、φ、を出力するもの
としてもよい。
The signals on the input and output sides of the delay circuit DLL that receive the output signal of the Nant gate circuit G1 are input to the Nant gate circuit G5 via the inverter circuits Nil and N12, respectively, and the signals are input to the Nant gate circuit G5 via the inverter circuit N13, although they are not particularly limited. clock pulse φ4. φ. is output. Since the Nant gate circuit G5 and the inverter circuit N13 substantially constitute an AND gate circuit, the clock pulses φ^ and φ. is the delay time (DL
This is a clock pulse that rises with a delay of I) and falls in synchronization with the rise of the output signal A. Instead of this configuration, the clock pulses φ, φ, may be output directly from the output of the inverter circuit Nil.

この場合、クロックパルスφ4.φ0は、上記信号Aの
反転信号とされる。
In this case, clock pulse φ4. φ0 is an inverted signal of the signal A described above.

上記ナントゲート回路G2の出力信号Bを受ける遅延回
路DLIの入力端と出力側の信号は、上記クロックパル
スφ。とφ、との間に前述のような位相差を持たせて3
相のクロックパルスとするために、それぞれインバータ
回路N7とN8を介してノア(NOR)ゲート回路G3
とナントゲート回路G4に入力され、それぞれインバー
タ回路N9とNIOを介してクロックパルスφ3.φD
が出力される。上記ノアゲート回路G3とインバータ回
路9は、実質的にオア(OR)ゲート回路を構成し、上
記ナントゲート回路G4とインバータ回路NIOは、実
質的にアンドゲート回路を構成する。それ故、クロック
パルスφ、は、出力信号Bの立ち下がりに同期して立ち
上がり、その立ち上がりに対して遅延回路DL3の遅延
時間(DL3)だけ遅れて立ち下がるクロックパルスと
される。これに対して、クロックパルスφ。は、上記出
力信号Bの立ち下がり、言い換えるならば、上記クロッ
クパルスφ、の立ち上がりに対して遅延回路DL3の遅
延時間(DL3)だけ遅れて立ち上がり、出力信号Bの
立ち上がりに同期して、言い換えるならば、上記クロッ
クパルスφ、の立ち下がりに対して遅延時間(DL3)
だけ先行して立ちさがるり′ロックパルスとされる。こ
れにより、クロックパルスφ。がハイレベルの期間、こ
のクロックパルスφ。と同相関係にあるクロックパルス
φ、は変化しない。また、他のクロックパルスφ1とφ
、も、上記のようなノンオーバーラフ1時間の設定によ
って変化しない。
The input and output signals of the delay circuit DLI which receives the output signal B of the Nant gate circuit G2 are the clock pulse φ. 3 with the above-mentioned phase difference between and φ.
NOR gate circuit G3 through inverter circuits N7 and N8, respectively, to provide phase clock pulses.
are input to the Nant gate circuit G4, and the clock pulses φ3 . φD
is output. The NOR gate circuit G3 and the inverter circuit 9 substantially constitute an OR gate circuit, and the NOR gate circuit G4 and the inverter circuit NIO substantially constitute an AND gate circuit. Therefore, the clock pulse φ is a clock pulse that rises in synchronization with the fall of the output signal B and falls with a delay of the delay time (DL3) of the delay circuit DL3 with respect to the rise. In contrast, the clock pulse φ. In other words, rises with a delay of the delay time (DL3) of the delay circuit DL3 with respect to the falling edge of the output signal B, in other words, with respect to the rising edge of the clock pulse φ, and is synchronized with the rising edge of the output signal B. In other words, For example, the delay time (DL3) with respect to the falling edge of the clock pulse φ,
It is considered as a lock pulse if the signal falls in front of the pulse. This causes the clock pulse φ. While this clock pulse φ is at high level. The clock pulse φ, which is in phase with , does not change. Also, other clock pulses φ1 and φ
, are also not changed by the non-overrough setting of 1 hour as described above.

上記のようにして形成されたクロックパルスφ1とφ8
は、前記のようなディジタル/アナログ変換のために、
次のような選択回路を通して上記第1図に示したクロッ
クパルスφAlとφ□に変換される。
Clock pulses φ1 and φ8 formed as above
For digital/analog conversion as mentioned above,
The clock pulses are converted into the clock pulses φAl and φ□ shown in FIG. 1 through the following selection circuit.

上記クロックパルスφ1は、アンドゲート回路G6の一
方の入力に供給される。上記クロックパルスφ、は、ア
ンドゲート回路G7の一方の入力に供給される。上記ア
ンドゲート回路G6の他方の入力には前記最下位ビット
に対応したディジタル信号2°が供給され、上記アンド
ゲート回路G7の他方の入力には上記ディジタル信号2
°がインバータ回路N13により反転されて供給される
The clock pulse φ1 is supplied to one input of the AND gate circuit G6. The clock pulse φ is supplied to one input of the AND gate circuit G7. The other input of the AND gate circuit G6 is supplied with the digital signal 2° corresponding to the least significant bit, and the other input of the AND gate circuit G7 is supplied with the digital signal 2°.
° is inverted and supplied by an inverter circuit N13.

上記アンドゲート回路G6とG7の出力信号は、オアゲ
ート回路を介して上記ディジタル信号20に対応したク
ロックパルスφ、、として出力される。
The output signals of the AND gate circuits G6 and G7 are outputted as clock pulses φ corresponding to the digital signal 20 through the OR gate circuit.

クロックパルスφ11に対応して前記同様なアンドゲー
ト回路とオアゲート回路(回路記号を省略した)からな
る選択回路が設けられる。ただし、ディジタル信号20
は、上記の場合とは逆に供給される。
A selection circuit consisting of an AND gate circuit and an OR gate circuit (circuit symbols omitted) similar to those described above is provided corresponding to clock pulse φ11. However, the digital signal 20
is supplied in reverse to the above case.

これにより、例えばディジタル信号2°がハイレベル(
論理″1”)のとき、アンドゲート回路G6がゲートを
開き、クロックパルスφ^が上記クロックパルスφ、、
として出力される。また、ディジタル信号2°のハイレ
ベルに対応してクロックパルスφ、を受けるアンドゲー
ト回路がゲートを開き、オアゲート回路を通してクロッ
クパルスφ、lとして出力される。
As a result, for example, the digital signal 2° becomes high level (
When the logic is "1"), the AND gate circuit G6 opens the gate, and the clock pulse φ^ becomes the clock pulse φ, .
is output as Further, in response to the high level of the digital signal 2°, the AND gate circuit that receives the clock pulse φ opens its gate, and the clock pulse φ, l is outputted through the OR gate circuit.

逆に、ディジタル信号2”がロウレベル(論理“0”)
のときには、前記第2図のディジタル/アナログ変換の
動作波形図に示したように、アンドゲート回路G7がゲ
ートを開き、クロックパルスφ、が上記クロックパルス
φAlとして出力される。また、ディジタノリ信号2°
のロウレベルに対応してクロックパルスφ1を受けるア
ンドゲート回路がゲートを開き、オアゲート回路を通し
てクロックパルスφ1として出力される。このように、
ディジタル信号2°の論理“1”又は論理″O”に対応
して、クロックパルスφえは、クロックパルスφ□又は
φ□として切り換えられて出力され、クロックパルスφ
8は、クロックパルスφ□又はφ□として切り換えられ
て出力される。このことは、他のビットのディジタル信
号2′ないし2”に対応したクロックパルスφ^2、φ
B!ないしφk1%、φ、についても同様である。
Conversely, digital signal 2" is low level (logic "0")
At this time, as shown in the operational waveform diagram of digital/analog conversion in FIG. 2, the AND gate circuit G7 opens the gate and the clock pulse φ is outputted as the clock pulse φAl. Also, digital signal 2°
The AND gate circuit that receives the clock pulse φ1 opens its gate in response to the low level of the clock pulse φ1, and the clock pulse φ1 is outputted through the OR gate circuit. in this way,
Corresponding to the logic “1” or logic “O” of the digital signal 2°, the clock pulse φ is switched and output as the clock pulse φ□ or φ□, and the clock pulse φ
8 is switched and output as a clock pulse φ□ or φ□. This means that the clock pulses φ^2, φ corresponding to the digital signals 2' to 2'' of other bits
B! The same applies to φk1% and φ.

このようにして、クロックパルスφ1は、状態に応じて
、言い換えるならば、入力のディジタル信号に応じてク
ロックパルスφ、又はφ。と同相関係になり、クロック
パルスφ□は、上記のクロックパルスφA1に対して常
に逆相関係にある。ただし、クロックパルスφ。と同相
関係となるクロックパルスφI又はφ^、は、前記のよ
うな遅延時間(DL3)に従った位相をもって変化させ
られる。また、クロックパルスφ□とφ3.は、前記ノ
ンオーバーラツプを持った2相のクロックパルスにされ
る。上記のようなゲート回路に代えて、第1図に示すよ
うなCMOSスイッチ回路により、入力のディジタル信
号2°に対応して前記同様にクロックパルスの切り換え
を行うようにしてもよい。この場合には、回路素子数を
低減することができる。
In this way, clock pulse φ1 becomes clock pulse φ, or φ, depending on the state, in other words, depending on the input digital signal. The clock pulse φ□ always has a negative phase relationship with the clock pulse φA1. However, the clock pulse φ. The clock pulse φI or φ^, which has an in-phase relationship with , is changed with a phase according to the delay time (DL3) as described above. In addition, clock pulses φ□ and φ3. is made into the two-phase clock pulse with non-overlap. Instead of the gate circuit as described above, a CMOS switch circuit as shown in FIG. 1 may be used to switch the clock pulse in the same manner as described above in response to the input digital signal 2°. In this case, the number of circuit elements can be reduced.

上記のように、スイッチドキャパシタ回路を構成する演
算増幅回路の仮想接地となる反転入力端子−に結合され
るスイッチ素子がオン状態にあるとき、他のスイッチ素
子のスイッチ制御が行われないから、フィードスルーや
スイッチングノイズが出力信号Voutに現れることが
防止できる。これによって、出力信号Voutの直線性
やS/Nの改善を図ることができるものとなる。
As mentioned above, when the switch element coupled to the inverting input terminal - which is the virtual ground of the operational amplifier circuit constituting the switched capacitor circuit is in the on state, switch control of other switch elements is not performed. It is possible to prevent feedthrough and switching noise from appearing in the output signal Vout. This makes it possible to improve the linearity and S/N of the output signal Vout.

上記の実施例から得られる作用効果は、下記の通りであ
る。すなわち、 (1)スイッチドキャパシタ回路を構成する複数からな
るスイッチ素子のうち、演算増幅回路の仮想接地入力に
結合されるスイッチ素子がオン状態のとき、他のスイッ
チ素子のスイッチング制御を行わないようにする。これ
により、入力側キャパシタの信号電荷・を出力側キャパ
シタに伝えるスイッチ素子がオン状態にされたとき、他
のスイッチ素子のスイッチ制御が行われないから、スイ
ッチ制御の際に生じるフィードスルーやスイッチングノ
イズが出力側キャパシタに伝えられることがなく、特性
の改善を図ることができるという効果が得られる。
The effects obtained from the above examples are as follows. That is, (1) Among the plurality of switching elements constituting the switched capacitor circuit, when the switching element coupled to the virtual ground input of the operational amplifier circuit is in the on state, switching control of other switching elements is not performed. Make it. As a result, when the switch element that transmits the signal charge of the input capacitor to the output capacitor is turned on, switch control of other switch elements is not performed, so feedthrough and switching noise occur during switch control. is not transmitted to the output side capacitor, resulting in the effect that the characteristics can be improved.

(2)上記のスイッチドキャパシタ回路によりアナログ
/ディジタル変換回路を構成した場合、上記のようなフ
ィードスルやスイッチングノイズの発生を防止できるか
ら、精度及び直線性の改善を図ることかできるという効
果が得られる。
(2) When an analog/digital conversion circuit is constructed using the above-mentioned switched capacitor circuit, it is possible to prevent the generation of feedthrough and switching noise as described above, so that the accuracy and linearity can be improved. can get.

(3)2相のノンオーバーラツプのクロックパルスを形
成するクロックパルス発生回路における遅延回路を2つ
に分けて、その入力側の遅延回路における入力と出力の
信号を用い、それを実質的にアンドゲート回路とオアゲ
ート回路に供給するという簡単な構成により(上記(1
1のような条件を満足する実質的に3相のクロックパル
スを形成することができるという効果が得られる。
(3) Divide the delay circuit in the clock pulse generation circuit that forms two-phase non-overlapping clock pulses into two, and use the input and output signals of the input-side delay circuit to effectively With a simple configuration of supplying to the AND gate circuit and the OR gate circuit ((1)
The effect is that substantially three-phase clock pulses satisfying conditions such as 1 can be formed.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本願発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、スイソチドキ
ャパシタ回路の構成は、前記のようなディジタル/アナ
ログ変換回路の他、電荷の形態の入力信号を入力側のキ
ャパシタに取り込み、言い換えるならば、入力電圧をサ
ンプリングして電荷の形態で取り込み、それを出力側の
キャパシタに伝えること又は出力側のキャパシタとの授
受を行うようなスイッチドキャパシタ回路であれば何で
あってもよい。また、上記ディジタル/アナログ変換回
路を用いて、アナログ/ディジタル変換回路を構成する
ものとしてもよい。また、第3図において、ナントゲー
ト回路G1と02は、ノアゲート回路等地のゲート回路
に置き換えることができる。これに応じて、インバータ
回路N7ないしN12は省略可能となる。このように、
クロックパルスφ4ないしφカを形成する回路は、種々
の実施形態を採ることができるものである。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained based on Examples above, the present invention is not limited to the above-mentioned Examples, and it goes without saying that various changes can be made without departing from the gist thereof. Nor. For example, in addition to the above-mentioned digital/analog conversion circuit, the configuration of a swissotide capacitor circuit is to input an input signal in the form of a charge into the input capacitor, in other words, to sample the input voltage and convert it into the form of a charge. Any switched capacitor circuit may be used as long as it captures the signal and transmits it to a capacitor on the output side or exchanges it with the capacitor on the output side. Furthermore, the digital/analog conversion circuit described above may be used to configure an analog/digital conversion circuit. Further, in FIG. 3, the Nant gate circuits G1 and 02 can be replaced with gate circuits such as NOR gate circuits. Accordingly, inverter circuits N7 to N12 can be omitted. in this way,
The circuit for forming clock pulses φ4 to φ can take various embodiments.

この発明は、スイッチドキャパシタ回路とじて広く利用
できる。
This invention can be widely used as a switched capacitor circuit.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。すなわち、スイッチドキャパシタ回路を構成する複数
からなるスイッチ素子のうち、演算増幅回路の仮想接地
入力に結合されるスイッチ素子がオン状態のとき、他の
スイッチ素子のスイッチング制御を行わないようにする
。これにより、入力側キャパシタの信号電荷を出力側キ
ャパシタに伝えるスイッチ素子がオン状態にされたとき
、他のスイッチ素子のスイッチ制御が行われないから、
スイッチ制御の際に生じるフィードスルーやスイッチン
グノイズが出力側キャパシタに伝えられることがなく特
性の改善を図ることができる。
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows. That is, when a switch element coupled to a virtual ground input of an operational amplifier circuit is in an on state among a plurality of switch elements constituting a switched capacitor circuit, switching control of other switch elements is not performed. As a result, when the switch element that transmits the signal charge of the input side capacitor to the output side capacitor is turned on, switch control of other switch elements is not performed.
Feedthrough and switching noise generated during switch control are not transmitted to the output side capacitor, making it possible to improve characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、この発明が適用されたディジタル/アナログ
変換回路の一実施例を示す回路図、第2図は、その動作
の一例を説明するための波形図、 第3図は、クロックパルス発生回路の一実施例を示す回
路図、 第4図は、その動作の一例を説明するための波形図、 第5図は、入力ディジタル信号に対応したクロックパル
スの変換回路の一実施例を示す回路図である。
Fig. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a digital/analog conversion circuit to which the present invention is applied, Fig. 2 is a waveform diagram for explaining an example of its operation, and Fig. 3 is a clock pulse generation A circuit diagram showing an example of the circuit; FIG. 4 is a waveform diagram for explaining an example of its operation; FIG. 5 is a circuit showing an example of a clock pulse conversion circuit corresponding to an input digital signal. It is a diagram.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、クロックパルスに従い入力側キャパシタに信号電荷
を取り込み、その信号電荷を演算増幅回路の仮想接地入
力と出力との間に設けられた出力側キャパシタに転送さ
せる複数からなるスイッチ素子を含み、上記複数からな
るスイッチ素子のうち、上記仮想接地入力に結合される
スイッチ素子がオン状態のとき、他のスイッチ素子のス
イッチング制御を行わないようにしたことを特徴とする
スイッチドキャパシタ回路。 2、上記複数からなるスイッチ素子は、基準電圧を入力
側キャパシタの一方の電極に伝える第1のスイッチ素子
と、上記入力側キャパシタの一方の電極と回路の接地電
位点との間に設けられる第2のスイッチ素子と、上記入
力側キャパシタの他方の電極と回路の接地電位点との間
に設けられる第3のスイッチ素子と、上記入力側キャパ
シタの他方の電極と上記演算増幅回路の仮想接地入力と
の間に設けられる第4のスイッチ素子とからなり、上記
第3と第4のスイッチ素子は、ノンオーバーラップのク
ロックパルスによりスイッチ制御され、上記第1のスイ
ッチ素子は動作状態に応じて上記第3又は第4のスイッ
チ素子と同相関係となり、上記第2のスイッチ素子は上
記第1のスイッチ素子と逆相関係になるようスイッチ制
御されるものであることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載のスイッチドキャパシタ回路。 3、上記各スイッチ素子は、並列形態にされたNチャン
ネルMOSFETとPチャンネルMOSFETとからな
るCMOSスイッチ回路からなるものであることを特徴
とする特許請求の範囲第1又は第2項記載のスイッチド
キャパシタ回路。
[Claims] 1. A switch consisting of a plurality of devices that captures a signal charge into an input-side capacitor in accordance with a clock pulse and transfers the signal charge to an output-side capacitor provided between a virtual ground input and an output of an operational amplifier circuit. A switched capacitor comprising a plurality of switch elements, wherein when a switch element coupled to the virtual ground input is in an on state, among the plurality of switch elements, switching control of other switch elements is not performed. circuit. 2. The plurality of switch elements described above include a first switch element that transmits a reference voltage to one electrode of the input capacitor, and a first switch element that is provided between one electrode of the input capacitor and the ground potential point of the circuit. a third switch element provided between the other electrode of the input capacitor and a ground potential point of the circuit; a virtual ground input of the operational amplifier circuit and the other electrode of the input capacitor; and a fourth switch element provided between the third and fourth switch elements, the third and fourth switch elements are switch-controlled by non-overlapping clock pulses, and the first switch element Claim 1, characterized in that the switch is controlled so that the second switch element has an in-phase relationship with the third or fourth switch element, and the second switch element has an opposite phase relationship with the first switch element. The switched capacitor circuit according to item 1. 3. The switched device according to claim 1 or 2, wherein each of the switch elements is a CMOS switch circuit consisting of an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET arranged in parallel. capacitor circuit.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014060489A (en) * 2012-09-14 2014-04-03 Asahi Kasei Electronics Co Ltd D/a converter and a/d converter using the d/a converter

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