JPH01138446A - Jig and method for inspecting outward appearance of photomask - Google Patents
Jig and method for inspecting outward appearance of photomaskInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体製造工程において使用されるホトマス
クの外観検査を行なうためのホトマスク外観検査治具及
び検査方法に関するものでおる。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a photomask appearance inspection jig and inspection method for inspecting the appearance of photomasks used in semiconductor manufacturing processes.
(従来の技術)
従来のホトマスクの検査装置及びその検査方法について
、第2図及び第3図を用いて説明する。(Prior Art) A conventional photomask inspection apparatus and its inspection method will be described with reference to FIGS. 2 and 3.
第2図はホトマスクの一例を示す平面図であり、第3図
は第2図のパターンにおける1チツプ領域内の一部を拡
大した拡大斜視図である。FIG. 2 is a plan view showing an example of a photomask, and FIG. 3 is an enlarged perspective view of a part of one chip area in the pattern shown in FIG.
従来よりホトマスクを検査するための検査装置としては
、測長機や欠陥検査装置等が用いられている。測長機は
、第2図に示すようにホトマスク1のガラス基板2上に
クロム(Cr)等により形成されたパターン3に対し、
長寸法検査や短寸法検査を行なうためのものである。ま
た、前記欠陥検査装置は、パターン3における形状等の
欠陥を検出するための装置である。2. Description of the Related Art Conventionally, length measuring machines, defect inspection devices, and the like have been used as inspection devices for inspecting photomasks. As shown in FIG.
This is for performing long dimension inspection and short dimension inspection. Further, the defect inspection device is a device for detecting defects such as shapes in the pattern 3.
上記の検査装置を用いたホトマスクの検査は、次のよう
にして行なわれる。Inspection of a photomask using the above inspection apparatus is performed as follows.
先ず、副長機による長寸法検査は、第2図に示すように
、全体のパターン3の外形寸法、例えば寸法Aや寸法B
等を計測し、所定の寸法にパターン3が形成されている
か否かを検査するものである。First, the length dimension inspection using the sub-long machine is performed to check the external dimensions of the entire pattern 3, such as dimension A and dimension B, as shown in FIG.
etc., and inspects whether the pattern 3 is formed with predetermined dimensions.
また、測長機による短寸法検査は、第2図のパターン3
内に含まれる1チツプ領域4内の個々の微細パターンの
幅等を計測するものである。例えば第3図に示すように
、1チツプ領域4内に形成された微細パターンであるゲ
ートパターン5の幅Cが所定寸法通りに形成されている
か否かを検査する。因みにゲートパターン5の幅Cは、
例えば2.2μm程度の寸法を有する。In addition, short dimension inspection using a length measuring machine is performed using pattern 3 in Figure 2.
This is to measure the width, etc. of each fine pattern within one chip area 4 included therein. For example, as shown in FIG. 3, it is inspected whether the width C of a gate pattern 5, which is a fine pattern formed within one chip region 4, is formed according to a predetermined dimension. Incidentally, the width C of the gate pattern 5 is
For example, it has a dimension of about 2.2 μm.
次に、欠陥検査は、例えば第3図におけるゲートパター
ン5のような個々の微細パターンについて、余分なCr
汚染箇所6及び形状上の欠陥箇所7等を調査、検出する
ものである。Next, defect inspection is performed on individual fine patterns such as the gate pattern 5 in FIG.
This is to investigate and detect contaminated areas 6, geometrically defective areas 7, and the like.
前記短寸法検査及び欠陥検査は、一般的にホトマスク1
面上の限定された微小領域から得られる情報を集積、処
理し、定印的なデータ、良否判定及び欠点カウント等の
出力を得るものである。The short dimension inspection and defect inspection are generally carried out using a photomask 1.
Information obtained from a limited micro area on a surface is collected and processed, and outputs such as fixed data, pass/fail judgment, defect count, etc. are obtained.
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上記構成のホトマスクの検査装置及び検
査方法においては、パターン3がガラス基板2に対して
オフセットや回転ずれを生じた場合でも、このホトマス
ク1を不良品として検出できないという問題があった。(Problems to be Solved by the Invention) However, in the photomask inspection apparatus and inspection method having the above configuration, even if the pattern 3 is offset or rotationally misaligned with respect to the glass substrate 2, the photomask 1 cannot be rejected as a defective product. There was a problem that it could not be detected as
以下、その問題について、第4図及び第5図を用いて説
明する。第4図はオフセットを生じたホトマスクの平面
図、及び第5図は回転ずれを生じたホトマスクの平面図
である。The problem will be explained below using FIGS. 4 and 5. FIG. 4 is a plan view of a photomask with an offset, and FIG. 5 is a plan view of a photomask with a rotational shift.
第4図において、ガラス基板2上に形成されたパターン
3は、ガラス基板2の中心りに対するパターン3の中心
Eのずれ、即ちオフセットを生じることがある。このオ
フセットは、パターン3を形成する際にガラス基板2を
装置にセットするためのマスク設置装置において、例え
ばガラス基板2の端部を(X、Y)点Fにセットすべき
ところ、パラメータの設定ミス等により例えば(Xl。In FIG. 4, in the pattern 3 formed on the glass substrate 2, the center E of the pattern 3 may be shifted from the center of the glass substrate 2, that is, offset may occur. This offset is used in the mask setting device for setting the glass substrate 2 in the device when forming the pattern 3. For example, when the end of the glass substrate 2 is to be set at the (X, Y) point F, the parameter setting For example (Xl.
Yl)点Gにセットしてしまうことによって発生する。Yl) This is caused by setting it at point G.
また、回転ずれは、第5図に示すようにガラス基板2と
パターン3のそれぞれの中心り、Eは一致するが、その
回転方向にずれαを生じる現象である。この回転ずれは
、前記マスク設置装置におけるガラス基板2のセットに
際し、回転方向の誤差を生じることによって発生する。Further, rotational deviation is a phenomenon in which, as shown in FIG. 5, the centers of the glass substrate 2 and the pattern 3, E, are the same, but there is a deviation α in the direction of rotation. This rotational shift occurs due to an error in the rotational direction when the glass substrate 2 is set in the mask placement device.
これらのオフセット及び回転ずれを生じた場合、それら
が例えば等倍アライナ及び縮小リピートアライナ等の転
写装置の許容値以下であれば問題はない。しかし、パタ
ーン3の高集積化に伴い転写装置が高精度化したり、自
動化の進展により、その許容値は小さくなる傾向にある
。When these offsets and rotational deviations occur, there is no problem as long as they are below the allowable value of a transfer device such as a full size aligner and a reduction repeat aligner. However, as the pattern 3 becomes more highly integrated, the precision of the transfer device becomes higher, and as automation progresses, the permissible value tends to become smaller.
したがって、ホトマスクの検査時に前記オフセット及び
回転ずれを検出する必要があるが、前述のホトマスクの
検査装置及び検査方法においては、これらの検出を的確
に行なうことができないという問題があった。それ故、
オフセット及び回転ずれを生じたホトマスクが転写装置
に投入され、これによって製造された半導体素子はパタ
ーンずれを生じて正常に動作しない。Therefore, it is necessary to detect the offset and rotational deviation when inspecting a photomask, but the above-described photomask inspection apparatus and method have a problem in that these cannot be detected accurately. Therefore,
A photomask with offset and rotational deviations is put into a transfer device, and semiconductor devices manufactured thereby have pattern deviations and do not operate normally.
本発明は、前記従来技術がもっていた問題点として、ホ
トマスクのオフセットや回転ずれを検出できない点につ
いて解決したホトマスク外観検査治具及び検査方法を提
供するものである。The present invention provides a photomask appearance inspection jig and inspection method that solves the problem of the prior art in that offset and rotational deviation of the photomask cannot be detected.
(問題点を解決するための手段)
第1の発明は、前記問題点を解決するために、被検査ホ
トマスクに形成されたパターンに対応した基準パターン
が板面に形成された基準板と、前記基準板の端部を固定
して支持すると共に前記被検査ホトマスクを該基準板の
前記板面に対向する位置に支持する支持部材とで、ホト
マスク外観検査治具を構成したものである。(Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the first invention provides a reference plate having a reference pattern formed on a plate surface corresponding to a pattern formed on a photomask to be inspected; A photomask appearance inspection jig is constituted by a support member that fixes and supports the end of the reference plate and supports the photomask to be inspected at a position facing the plate surface of the reference plate.
また、第2の発明は、パターンが形成された被検査ホト
マスクと該パターンに対応した基準パターンが板面に形
成された基準板とを対向配置し、前記パターンと前記基
準パターンとの相対位置関係を比較対照することにより
、前記パターンの外観を検査するホトマスク外観検査方
法としたものである。Further, the second invention is such that a photomask to be inspected on which a pattern is formed and a reference plate on which a reference pattern corresponding to the pattern is formed are placed facing each other, and the relative positional relationship between the pattern and the reference pattern is determined. This is a photomask appearance inspection method for inspecting the appearance of the pattern by comparing and contrasting the patterns.
、(作 用)
第1の発明によれば、以上のようにホトマスク外観検査
治具を構成したので、被検査ホトマスクのパターンに対
応した基準パターンが形成された基準板は、前記パター
ンと基準パターンにおける比較対照を容易に可能とする
働きをする。また、支持部材は前記被検査ホトマスクと
基準板とを平行に対向配置させ、前記比較対照を正確か
つ容易に行なわしめる働きをする。(Function) According to the first invention, since the photomask appearance inspection jig is configured as described above, the reference plate on which the reference pattern corresponding to the pattern of the photomask to be inspected is formed can be connected to the pattern and the reference pattern. It serves to facilitate comparison and contrast between the two. Further, the support member serves to arrange the photomask to be inspected and the reference plate in parallel and facing each other, thereby allowing the comparison to be performed accurately and easily.
また、第2の発明の検査方法では、被検査ホトマスクの
パターンと基準板の基準パターンとの相対位置関係を比
較対照する外観検査は、前記パターンのオフセット及び
回転ずれの容易かつ確実な検出を可能にし、検査の信頼
性を高める働きをする。Further, in the inspection method of the second invention, the visual inspection that compares and contrasts the relative positional relationship between the pattern of the photomask to be inspected and the reference pattern of the reference plate enables easy and reliable detection of offset and rotational deviation of the pattern. It works to increase the reliability of the test.
したがって、前記問題点を除去することができる。Therefore, the above-mentioned problem can be eliminated.
(実施例)
第1図は9、第1の発明の実施例を示すホトマスク外観
検査治具の斜視図、及び第6図は第1図の基準板の平面
図である。(Embodiment) FIG. 1 is a perspective view of a photomask appearance inspection jig showing an embodiment of the first invention, and FIG. 6 is a plan view of the reference plate of FIG. 1.
第1図において、このホトマスク外観検査治具は支持部
材11を有゛している。支持部材11は1字形状を成し
ており、その内側には2条の溝12゜13が平行に形成
されている。In FIG. 1, this photomask appearance inspection jig has a support member 11. As shown in FIG. The support member 11 has a single-letter shape, and two parallel grooves 12 and 13 are formed inside the support member 11.
前記溝12.13の一方の溝12には、基準板14がそ
の2辺を固定されて垂直に支持されている。また、他方
の溝13は、被検査ホトマスク15を基準板14に平行
に支持すると共に、被検査ホトマスク15の取り外しが
容易に可能な構造となっている。なお、前記支持部材1
1は、前記基準板14を正確に固定すると共に被検査ホ
トマスク15を精度良く支持し、しかもガラス基板等か
ら成る被検査ホトマスク15の損傷を防ぐために、精密
加工が可能で衝撃吸収材となり得るフッ素樹脂等で形成
することが望ましい。In one of the grooves 12 and 13, a reference plate 14 is vertically supported with its two sides fixed. The other groove 13 supports the photomask 15 to be inspected parallel to the reference plate 14 and has a structure that allows the photomask 15 to be inspected to be easily removed. Note that the support member 1
In order to accurately fix the reference plate 14, support the photomask 15 to be inspected with high accuracy, and prevent damage to the photomask 15 to be inspected, which is made of a glass substrate or the like, fluorine material 1 can be precisely processed and can be used as a shock absorbing material. It is desirable to form it with resin etc.
前記基準板14の表面には、第6図に示すように基準パ
ターン16が形成されている。この基準パターン16は
、被検査ホトマスク15のパターンに対応した多数の目
盛線17と目盛補助線18とによって構成されている。A reference pattern 16 is formed on the surface of the reference plate 14, as shown in FIG. This reference pattern 16 is composed of a large number of scale lines 17 and scale auxiliary lines 18 corresponding to the pattern of the photomask 15 to be inspected.
これらの目盛線17及び目盛補助線18の間隔は、例え
ば1/2〜1/4M程度に形成されているが、これは人
間が目視検査をする際に見易い間隔としたものである。The interval between the scale line 17 and the scale auxiliary line 18 is, for example, approximately 1/2 to 1/4 m, which is an interval that is easy for humans to see during visual inspection.
目盛線17及び目盛補助線18の形成は、スクリーン印
刷法等により行なうことができる。The scale lines 17 and the scale auxiliary lines 18 can be formed by a screen printing method or the like.
以上のように構成されたホトマスク外観検査治具を使用
し、支持部材11上に互いに平行支持された基準板14
と被検査ホトマスク15のそれぞれのパターンを比較対
照することにより、被検査ホトマスク15パターンのオ
フセット及び回転ずれを容易かつ確実に検出することが
できる。Using the photomask appearance inspection jig configured as described above, the reference plates 14 supported parallel to each other on the support member 11 are used.
By comparing and contrasting the patterns of the photomask 15 to be inspected with the pattern of the photomask 15 to be inspected, offsets and rotational deviations of the patterns of the photomask 15 to be inspected can be easily and reliably detected.
第7図は第1の発明における他の実施例を示すホトマス
ク外観検査治具の基準板の平面図、第8図は第7図の基
準板に対応した被検査ホトマスクの平面図、及び第9図
は第7図の基準板と第8図の被検査ホトマスクを重ねた
ときの一部拡大図で市る。7 is a plan view of a reference plate of a photomask appearance inspection jig showing another embodiment of the first invention, FIG. 8 is a plan view of a photomask to be inspected corresponding to the reference plate of FIG. 7, and FIG. The figure is a partially enlarged view of the reference plate of FIG. 7 and the photomask to be inspected of FIG. 8 superimposed.
この実施例が第1図及び第6図の実施例と異なる点は、
基準パターンとして基準板14の上下2箇所にテストパ
ターン19を形成したことと、これに対応して被検査ホ
トマスク15におけるパターン20の上下2箇所にテス
トパターン21を形成するようにしたことである。テス
トパターン19.21の形状は、それぞれ大小2つの四
辺形状、と十字形状となっている。This embodiment differs from the embodiments shown in FIGS. 1 and 6 as follows:
The test pattern 19 is formed as a reference pattern at two locations above and below the reference plate 14, and the test pattern 21 is correspondingly formed at two locations above and below the pattern 20 on the photomask 15 to be inspected. The shapes of the test patterns 19 and 21 are respectively two large and small quadrilateral shapes and a cross shape.
このような構成とすれば、第1図及び第6図の実施例と
ほぼ同様の作用、利点が得られると共に、被検査ホトマ
スク15のオフセット及び回転ずれの検出をより容易に
行なうことができる。即ち、第7図の基準板14と第8
図の被検査ホトマスク15が平行配置されたとき、第9
図のように重なって見える双方のテストパターン19.
21を2箇所において比較対照することにより、容易に
オフセット及び回転ずれを検出することができる。With such a configuration, substantially the same functions and advantages as those of the embodiments shown in FIGS. 1 and 6 can be obtained, and offsets and rotational deviations of the photomask 15 to be inspected can be detected more easily. That is, the reference plate 14 in FIG.
When the photomasks 15 to be inspected in the figure are arranged in parallel, the ninth
Both test patterns 19. overlap as shown in the figure.
By comparing and contrasting 21 at two locations, offset and rotational deviation can be easily detected.
次に第2の発明の実施例について、第1図及び第6図を
用いて説明する。Next, an embodiment of the second invention will be described using FIG. 1 and FIG. 6.
先ず、ホトマスク外観検査治具の支持部材11の所定位
置に被検査ホトマスク15を取付け、基準板14に平行
に対向配置させる。。First, the photomask 15 to be inspected is attached to a predetermined position on the support member 11 of the photomask appearance inspection jig, and is placed parallel to and facing the reference plate 14 . .
次いで、被検査ホトマスク15側から目視により基準板
14に形成された基準パターン16と被検査ホトマスク
15のパターンとを比較対照する。Next, the reference pattern 16 formed on the reference plate 14 and the pattern of the photomask 15 to be inspected are visually compared and contrasted from the side of the photomask 15 to be inspected.
このとき、被検査ホトマスク15の基板はガラス等の透
明材料によって形成されているので、基準パターン16
を容易に透視することができる。At this time, since the substrate of the photomask 15 to be inspected is made of a transparent material such as glass, the reference pattern 16
can be easily seen through.
前記比較対照は、基準パターン16の目盛線17及び目
盛補助線18と、被検査ホトマスク15のパターンとの
相対位置関係を調べることによってなされ、容易にオフ
セット及び回転ずれが検出される。例えば、横方向に平
行な目盛線17−1と被検査ホトマスク15のパターン
の長寸法とを比較することにより、回転ずれが検査され
る。The comparison is made by examining the relative positional relationship between the scale lines 17 and scale auxiliary lines 18 of the reference pattern 16 and the pattern of the photomask 15 to be inspected, and offsets and rotational deviations are easily detected. For example, rotational deviation is inspected by comparing the horizontally parallel scale lines 17-1 with the long dimension of the pattern of the photomask 15 to be inspected.
また目盛線17の端部に付された目盛17−2と被検査
ホトマスク15のパターンの外形線とを比較することに
よって、オフセット量を検出できる。Further, by comparing the scale 17-2 attached to the end of the scale line 17 with the outline of the pattern of the photomask 15 to be inspected, the amount of offset can be detected.
以上のようなホトマスク外観検査方法とすれば、簡単な
構造のホトマスク外観検査治具を用いて、被検査ホトマ
スク15におけるパターンのオフセット及び回転ずれの
有無を容易に検査することができる。また、オフセット
量及び回転ずれ最の概略値を検出することも可能である
。ざらに、゛基準板14と被検査ホトマスク15の双方
のパターンの相対関係において基準を定めておけば、被
検査ホトマスク15の良否の判定手段とすることもでき
る。With the photomask appearance inspection method as described above, the presence or absence of pattern offset and rotational shift in the photomask 15 to be inspected can be easily inspected using a photomask appearance inspection jig with a simple structure. It is also possible to detect the approximate value of the offset amount and rotational deviation. Roughly speaking, if a standard is determined based on the relative relationship between the patterns of both the reference plate 14 and the photomask 15 to be inspected, it can also be used as a means for determining the quality of the photomask 15 to be inspected.
以上のホトマスク外観検査方法の他に、第7図〜第9図
に示すホトマスク外観検査治具を用いての検査も、はぼ
同様に行なうことができる。In addition to the photomask appearance inspection method described above, inspection using the photomask appearance inspection jig shown in FIGS. 7 to 9 can also be carried out in the same manner as in Habo.
この検査方法は、基準板14及び被検査ホトマスク15
の双方の上下2箇所にそれぞれ形成されたテストパター
ン19.21を利用して行なうもので、外観検査を前記
実施例に比較して容易かつ迅速に行なうことができる。This inspection method includes a reference plate 14 and a photomask 15 to be inspected.
This is carried out using test patterns 19 and 21 formed at two locations, upper and lower, respectively, on both sides, and the appearance inspection can be carried out more easily and quickly than in the previous embodiment.
なお、第1.第2の発明のホトマスク外観検査治具及び
検査方法は、図示の実施例に限定されず種々の変形が可
能であり、例えば次のような変形例が挙げられる。In addition, 1. The photomask appearance inspection jig and inspection method of the second invention are not limited to the illustrated embodiments and can be modified in various ways, including the following modifications.
(1) 第1図と第6図、及び第7図〜第9図における
ホトマスク外観検査治具及び検査方法では、いずれも目
視によるものとしたが、これを発受光素子を使用して行
なうこともできる。例えば、第1図の基準板14側及び
被検査ホトマスク15側にそれぞれ発光ダイオード及び
ホトトランジスタを配置し、これらを走査させることに
より、自動的に検査することも可能である。(1) Although the photomask appearance inspection jig and inspection method in Figures 1 and 6 and Figures 7 to 9 are based on visual inspection, this must be done using a light emitting/receiving element. You can also do it. For example, it is also possible to automatically inspect by arranging a light emitting diode and a phototransistor on the reference plate 14 side and on the inspected photomask 15 side in FIG. 1, respectively, and scanning these.
但し、この場合には、基準板14は透明な材質と□する
必要がある。また、目盛線17及び目盛補助線18の間
隔は、例えば1/10#程度の細かい間隔とした方が有
利である。このような細かい間隔の目盛線17等は、−
ホトマスクのパターン形成と同様な方法によればよい。However, in this case, the reference plate 14 needs to be made of a transparent material. Further, it is advantageous for the interval between the scale line 17 and the scale auxiliary line 18 to be as small as, for example, 1/10 #. Such finely spaced scale lines 17 etc. are -
A method similar to that used for patterning a photomask may be used.
(2) 第6図の基準パターン16は図示のものに限定
されず、被検査ホトマスク15のパターン形状に応じて
自由に形成することができる。例えば、目盛線17、目
盛補助線18によって格子状に形成してもよいし、放射
線状の補助線を加えてもよい。(2) The reference pattern 16 in FIG. 6 is not limited to what is shown in the figure, and can be freely formed according to the pattern shape of the photomask 15 to be inspected. For example, the scale lines 17 and scale auxiliary lines 18 may be formed in a grid pattern, or radial auxiliary lines may be added.
(3) 第7図の基準板14には、テストパターン19
に加えて目盛線17等を形成してもよい。(3) The reference plate 14 in FIG. 7 has a test pattern 19.
In addition, scale lines 17, etc. may be formed.
また、テストパターン19は上下2箇所に限定されず、
例えば左右にも形成することができる。Further, the test pattern 19 is not limited to two locations, upper and lower,
For example, they can be formed on both the left and right sides.
(4) ホトマスク外観検査治具の構造、形状及び材質
等は第1図のものに限定されない。例えば、支持部材1
1は基準板14及び被検査ホトマスク1.5の2辺を完
全に支持する構造ではなく、部分的に支持するような構
造としてもよい。(4) The structure, shape, material, etc. of the photomask appearance inspection jig are not limited to those shown in FIG. For example, support member 1
1 does not have a structure that completely supports the two sides of the reference plate 14 and the photomask 1.5 to be inspected, but may have a structure that partially supports them.
(発明の効果)
以上詳細に説明したように、第1の発明のホトマスク外
観検査治具によれば、極めて簡単な構造により検査治具
を構成し、被検査ホトマスクのオフセット及び回転ずれ
の検査を容易かつ短時間に行なうことができる。(Effects of the Invention) As explained in detail above, according to the photomask appearance inspection jig of the first invention, the inspection jig has an extremely simple structure and can inspect the offset and rotational deviation of the photomask to be inspected. It can be done easily and in a short time.
また、第2の発明の検査方法によれば、前記オフセット
及び回転ずれの有無を容易かつ確実に検査できると共に
、オフセット量や回転ずれ量をも検出できる。したがっ
て、従来の検査工程を乱すことなく、信頼性の高い検査
を実施することができる。Further, according to the inspection method of the second invention, the presence or absence of the offset and rotational deviation can be easily and reliably tested, and the amount of offset and rotational deviation can also be detected. Therefore, a highly reliable test can be performed without disturbing the conventional test process.
第1図は第1.第2の発明の実施例を示すホトマスク外
観検査治具の斜視図、第2図はホトマスクの一例を示す
平面図、第3図は第2図のパターンにおける1チツプ領
域内の一部を拡大した拡大斜視図、第4図はオフセット
を生じたホトマスクの平面図、第5図は回転ずれを生じ
たホトマスクの平面図、第6図は第1図の基準板の平面
図、第7図は第1.第2の発明における他の実施例を示
すホトマスク外観検査治具の基準板の平面図、第8図は
第7図に対応した被検査ホトマスクの平面図、第9図は
第7図の基準板と第8図の被検査ホトマスクを重ねたと
きの一部拡大図である。
11・・・・・・支持部材、14・・・・・・基準板、
15・・・・・・被検査ホトマスク、16・・・・・・
基準パターン、19゜21・・・・・・テストパターン
、20・・・・・・パターン。
出願人代理人 柿 本 恭 成本発明のホトマ
スクタト観治具
第1図
ホトン又りの平面図
第2図
1子ツ7il11或内の一部拡大斜視図第3図
第8図
第7図と第8図の一部拡大図
第9図Figure 1 is 1. A perspective view of a photomask appearance inspection jig showing an embodiment of the second invention, FIG. 2 is a plan view showing an example of a photomask, and FIG. 3 is an enlarged view of a part of one chip area in the pattern of FIG. 4 is a plan view of the photomask with an offset, FIG. 5 is a plan view of the photomask with a rotational shift, FIG. 6 is a plan view of the reference plate in FIG. 1, and FIG. 7 is a plan view of the photomask with rotational deviation. 1. A plan view of a reference plate of a photomask appearance inspection jig showing another embodiment of the second invention, FIG. 8 is a plan view of a photomask to be inspected corresponding to FIG. 7, and FIG. 9 is a plan view of the reference plate of a photomask appearance inspection jig shown in FIG. FIG. 8 is a partially enlarged view of the photomasks to be inspected shown in FIG. 11...Supporting member, 14...Reference plate,
15...Photomask to be inspected, 16...
Standard pattern, 19°21...Test pattern, 20...Pattern. Applicant's agent: Takashi Kakimoto The photomasks of the present invention are shown in Figure 1. A plan view of the photon mat. Partially enlarged view Figure 9
Claims (1)
基準パターンが板面に形成された基準板と、前記基準板
の端部を固定して支持すると共に前記被検査ホトマスク
を該基準板の前記板面に対向する位置に支持する支持部
材とを、 備えたことを特徴とするホトマスク外観検査治具。 2、パターンが形成された被検査ホトマスクと該パター
ンに対応した基準パターンが板面に形成された基準板と
を対向配置し、 前記パターンと前記基準パターンとの相対位置関係を比
較対照することにより前記パターンの外観を検査するこ
とを特徴とするホトマスク外観検査方法。[Scope of Claims] 1. A reference plate on which a reference pattern corresponding to a pattern formed on a photomask to be inspected is formed, and an end portion of the reference plate is fixed and supported, and the photomask to be inspected is A photomask appearance inspection jig comprising: a support member that supports the reference plate at a position opposite to the plate surface. 2. By arranging a photomask to be inspected on which a pattern is formed and a reference plate on which a reference pattern corresponding to the pattern is formed to face each other, and comparing and contrasting the relative positional relationship between the pattern and the reference pattern. A method for inspecting the appearance of a photomask, comprising inspecting the appearance of the pattern.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62296415A JPH01138446A (en) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | Jig and method for inspecting outward appearance of photomask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62296415A JPH01138446A (en) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | Jig and method for inspecting outward appearance of photomask |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01138446A true JPH01138446A (en) | 1989-05-31 |
Family
ID=17833249
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62296415A Pending JPH01138446A (en) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | Jig and method for inspecting outward appearance of photomask |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01138446A (en) |
-
1987
- 1987-11-25 JP JP62296415A patent/JPH01138446A/en active Pending
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