JPH01134913A - 気相結晶成長装置 - Google Patents
気相結晶成長装置Info
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- JPH01134913A JPH01134913A JP29351187A JP29351187A JPH01134913A JP H01134913 A JPH01134913 A JP H01134913A JP 29351187 A JP29351187 A JP 29351187A JP 29351187 A JP29351187 A JP 29351187A JP H01134913 A JPH01134913 A JP H01134913A
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Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 17
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 5
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 5
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005494 condensation Effects 0.000 abstract 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は気相法による結晶成長装置に関するものであ
る。
る。
第２図は例えば、 Ｊｎｓｔ、 Ｐｈｙｓ、 Ｃｏｎｆ
、 Ｓｅｒ、、 ５６゜３３７ （１９８０） 、に示
された従来の気相結晶成長装置（ＭＯＣＶＤ法）の反応
管付近を示す断面図で１図において、（ｌ）は各原料気
体の反応管への導入口、（２）は反応管、（４）は基板
、（５）は基板保持台、（６）は高周波コイルである。
、 Ｓｅｒ、、 ５６゜３３７ （１９８０） 、に示
された従来の気相結晶成長装置（ＭＯＣＶＤ法）の反応
管付近を示す断面図で１図において、（ｌ）は各原料気
体の反応管への導入口、（２）は反応管、（４）は基板
、（５）は基板保持台、（６）は高周波コイルである。
第３図はもう１つ別の従来例を示すＪ、 Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ、 Ｍａｔｅｒ、 ８．２０１ （１９７９） 、
に示された従来の気相結晶成長装置ＣＭＯＣＶＤ法〕の
反応管付近を示す断面図であり４図において、（１）は
各原料気体の反応管への導入口、（２）は反応管、（４
）は基板、（Ｓ）は基板保持台、（６）は高周波コイル
、（７）はミキシングバッフルである。
ｏｎ、 Ｍａｔｅｒ、 ８．２０１ （１９７９） 、
に示された従来の気相結晶成長装置ＣＭＯＣＶＤ法〕の
反応管付近を示す断面図であり４図において、（１）は
各原料気体の反応管への導入口、（２）は反応管、（４
）は基板、（Ｓ）は基板保持台、（６）は高周波コイル
、（７）はミキシングバッフルである。
第２図における従来例では原料気体導入口【１）より導
入された原料気体は、高周波コイル（６）により加熱さ
れた基板（４）の付近で加熱９分解２反応を行なって、
基板（４）上に結晶として析出し成長する。
入された原料気体は、高周波コイル（６）により加熱さ
れた基板（４）の付近で加熱９分解２反応を行なって、
基板（４）上に結晶として析出し成長する。
第３図における従来例では原料気体は６反応管（２）に
導入後、加熱されたミキシングバッフル（７）で加熱さ
れ反応した後、基板（４）付近でさらに加熱され分解１
反応を行なって基板（４）上に結晶として析出する。こ
の時、ミキシングバッフル（７）は原料ガスを加熱し反
応を起こさせる他に、原料ガスの混合にも役立っている
。
導入後、加熱されたミキシングバッフル（７）で加熱さ
れ反応した後、基板（４）付近でさらに加熱され分解１
反応を行なって基板（４）上に結晶として析出する。こ
の時、ミキシングバッフル（７）は原料ガスを加熱し反
応を起こさせる他に、原料ガスの混合にも役立っている
。
第２図における従来例では複数の原料気体は別々に反応
管（２）内に導入され、そのまま基板上（４）に運ばれ
るので、気体同士は混合されに＜（、析出結晶が不均質
になるなどの問題点があった。また。
管（２）内に導入され、そのまま基板上（４）に運ばれ
るので、気体同士は混合されに＜（、析出結晶が不均質
になるなどの問題点があった。また。
この時１反応管の入口から基板までの距離を長（すれば
、気体の混合は、ある程度促進されるが。
、気体の混合は、ある程度促進されるが。
そのスペース部分に気体が溜るために、気体の切り替わ
りが悪くなるという問題点もあった。また。
りが悪くなるという問題点もあった。また。
第３図における従来例では、原料気体の混合は確実に良
くなるが、一方、気体の流れが妨げられ。
くなるが、一方、気体の流れが妨げられ。
気体の切り替わりは非常に悪く、異なる組成の薄膜を積
層する時に組成が思う様に切り替わらないという問題点
があった。
層する時に組成が思う様に切り替わらないという問題点
があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、原料気体の混合を良くすると同時に、気体の
切り替わりも良くすることが出来る気相結晶成長装置を
得ることを目的とする。
たもので、原料気体の混合を良くすると同時に、気体の
切り替わりも良くすることが出来る気相結晶成長装置を
得ることを目的とする。
この発明は反応管内の気体導入口付近の部分に。
圧電素子を設置したものである。
この発明における圧電素子はゎそれに通電することによ
り反応管内に疎密波を発生させ、原料気体の混合を促進
することができる。
り反応管内に疎密波を発生させ、原料気体の混合を促進
することができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）は原料気体導入口、（２）は反応管
、（３）は圧電素子、（４）は基板、（５）は基板保持
台、（６）は高周波コイルである。
図において、（１）は原料気体導入口、（２）は反応管
、（３）は圧電素子、（４）は基板、（５）は基板保持
台、（６）は高周波コイルである。
まず１反応管（２）内に設置された圧電素子（３）（例
えばＢａＴｉＯ３など〕に適当な電圧を印加することに
よって、反応管内に疎密波を発生させる。原料気体導入
口（１）より反応管（２）内に導入された原料気体にも
、上記疎密波に従って密度に大小が出来るため、気体分
子の移動を生じ、ある程度混合される。
えばＢａＴｉＯ３など〕に適当な電圧を印加することに
よって、反応管内に疎密波を発生させる。原料気体導入
口（１）より反応管（２）内に導入された原料気体にも
、上記疎密波に従って密度に大小が出来るため、気体分
子の移動を生じ、ある程度混合される。
この場合、第３図の従来例と異なり、気体の流れを直接
妨げるものが無いので、気体の切り替わりも悪くなる事
はない。この様に導入された原料気体は混合された後、
加熱された基板（４）の付近で高周波コイル（６）によ
って加熱され、分解９反応して基板（４）上に析出され
る。したがって、析出した結晶の均質性は良好となる。
妨げるものが無いので、気体の切り替わりも悪くなる事
はない。この様に導入された原料気体は混合された後、
加熱された基板（４）の付近で高周波コイル（６）によ
って加熱され、分解９反応して基板（４）上に析出され
る。したがって、析出した結晶の均質性は良好となる。
以上のようにこの発明によれば１反応管内の原料気体導
入口付近に圧電素子を設け、疎密波を発生できるように
したので、複数の原料気体は充分に混合され、得られた
結晶の均質性が向上する効果がある。
入口付近に圧電素子を設け、疎密波を発生できるように
したので、複数の原料気体は充分に混合され、得られた
結晶の均質性が向上する効果がある。
第１図はこの発明の一実施例である気相結晶成長装置の
反応管付近の断面図、第２図および第３図は従来の気相
結晶成長装置の反応管付近の断面図である。図において
、（１）は各原料気体の導入口。 （２）は反応管、（３）は圧電素子、（４）は基板、（
５）は基板保持１（６）は高周波コイルである。なお１
図中。 同一符号は同一、又は相当部分を示す。
反応管付近の断面図、第２図および第３図は従来の気相
結晶成長装置の反応管付近の断面図である。図において
、（１）は各原料気体の導入口。 （２）は反応管、（３）は圧電素子、（４）は基板、（
５）は基板保持１（６）は高周波コイルである。なお１
図中。 同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）気相結晶成長装置において、複数の原料気体を、
反応管の中で充分混合した後に加熱分解することを特徴
とする気相結晶成長装置。 - （２）反応管の中に圧電素子を設置し、疎密波を発生さ
せることによつて、原料気体の混合を行なうことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の気相結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29351187A JPH01134913A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 気相結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29351187A JPH01134913A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 気相結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01134913A true JPH01134913A (ja) | 1989-05-26 |
Family
ID=17795686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29351187A Pending JPH01134913A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 気相結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01134913A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6574060B2 (en) | 1997-12-09 | 2003-06-03 | Hitachi, Ltd. | Magnetic storage apparatus |
-
1987
- 1987-11-19 JP JP29351187A patent/JPH01134913A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6574060B2 (en) | 1997-12-09 | 2003-06-03 | Hitachi, Ltd. | Magnetic storage apparatus |
| US7050253B2 (en) | 1997-12-09 | 2006-05-23 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic storage apparatus using the same |
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