JPH01132758A - 冷却部材付きスパッタリング用ターゲット - Google Patents
冷却部材付きスパッタリング用ターゲットInfo
- Publication number
- JPH01132758A JPH01132758A JP29036787A JP29036787A JPH01132758A JP H01132758 A JPH01132758 A JP H01132758A JP 29036787 A JP29036787 A JP 29036787A JP 29036787 A JP29036787 A JP 29036787A JP H01132758 A JPH01132758 A JP H01132758A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cooling member
- brazing filler
- brazing
- target
- filler metals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000000945 filler Substances 0.000 abstract description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はエレクトロニクス、光学、装飾用等の分野にお
ける薄膜成形に用いられるスパッタリング用ターゲット
に関するものである。
ける薄膜成形に用いられるスパッタリング用ターゲット
に関するものである。
一般にスパッタリング用ターゲットは、それに発生する
多量の熱を逃すために、冷却部材付きターゲットとされ
、その製造方法は特公昭６１−２５０１６７号に示され
ているように軟ロウによるロウ付けによって行なわれて
いる。またクロムターゲットにおいては特公昭６１−１
６９１６６号に示されているようにメツキ層を形成して
軟ロウ付けすることにより行なわれている。
多量の熱を逃すために、冷却部材付きターゲットとされ
、その製造方法は特公昭６１−２５０１６７号に示され
ているように軟ロウによるロウ付けによって行なわれて
いる。またクロムターゲットにおいては特公昭６１−１
６９１６６号に示されているようにメツキ層を形成して
軟ロウ付けすることにより行なわれている。
しかしながら、上記方法を用いた場合、ターゲットとそ
れに装着する冷却部材（純銅または銅合金等）との熱膨
張係数が異なるため、ロウ付後の製品に反りが生じると
いう問題点があった。この冷却部材の裏側には冷却水が
通り、水洩れ防止用のシールを行なうために反りは極力
低減させる必要がある。
れに装着する冷却部材（純銅または銅合金等）との熱膨
張係数が異なるため、ロウ付後の製品に反りが生じると
いう問題点があった。この冷却部材の裏側には冷却水が
通り、水洩れ防止用のシールを行なうために反りは極力
低減させる必要がある。
この問題を解決する方法として、プレス等によって矯正
するという方法等がとられているが、力のかけ方が難し
く、ターゲットに割れが生じたり、うまく矯正できたと
してもターゲットと冷却部材との間に剥離が起こるとい
う欠点があった。また。
するという方法等がとられているが、力のかけ方が難し
く、ターゲットに割れが生じたり、うまく矯正できたと
してもターゲットと冷却部材との間に剥離が起こるとい
う欠点があった。また。
切削または研削により反りを除去する場合、冷却部材は
十分な厚みを要し、また、応力が存在する層を切削等に
より除去するものであるから、複数回の切削等を必要と
する。
十分な厚みを要し、また、応力が存在する層を切削等に
より除去するものであるから、複数回の切削等を必要と
する。
本発明は、ロウ付けによる反りの発生を防止したスパッ
タリング用ターゲットを提供することを目的とする。
タリング用ターゲットを提供することを目的とする。
本発明は１本体部と熱膨張係数が異なる冷却部材をロウ
付けしてなる冷却部材付きスパッタリング用ターゲット
において、前記冷却部材は、ビッカース硬さＨＶ５０以
下であることを特徴とする冷却部材付きスパッタリング
用ターゲットである。
付けしてなる冷却部材付きスパッタリング用ターゲット
において、前記冷却部材は、ビッカース硬さＨＶ５０以
下であることを特徴とする冷却部材付きスパッタリング
用ターゲットである。
本発明において、冷却部材は、ビッカース硬さ＋１Ｖ５
０以下の低硬さ、つまり塑性変形を容易とされているか
ら、ロウ付けの際の熱収縮の差を、冷却部材自体が塑性
変形することにより、反りの発生を緩和する。
０以下の低硬さ、つまり塑性変形を容易とされているか
ら、ロウ付けの際の熱収縮の差を、冷却部材自体が塑性
変形することにより、反りの発生を緩和する。
実施例１
第１図に示すように、純Ｃａｒターゲット本体１（６，
３５ｘ １２６ ｘ ４５６）の表裏の一面にＣｕメツ
キ２を施した後、２６０℃に加熱して、融点２５０℃の
ロウ材３をＣｕメツキ上に馴染ませた。また冷却部材と
して、無熱処理の無酸素銅板４ （０，８Ｘ １２６
Ｘ ４５６）の片面にも上記と同様にしてロウ材を馴染
ませた。
３５ｘ １２６ ｘ ４５６）の表裏の一面にＣｕメツ
キ２を施した後、２６０℃に加熱して、融点２５０℃の
ロウ材３をＣｕメツキ上に馴染ませた。また冷却部材と
して、無熱処理の無酸素銅板４ （０，８Ｘ １２６
Ｘ ４５６）の片面にも上記と同様にしてロウ材を馴染
ませた。
これらのロウ材の面を合せ０．１５ｋｇ／ｃｄの圧力で
加圧しながら、２６０℃位まで加熱して、ある程度ロウ
材を排出した後に、そのまま冷却を行なった。
加圧しながら、２６０℃位まで加熱して、ある程度ロウ
材を排出した後に、そのまま冷却を行なった。
また４５０℃Ｘ１．５Ｈｒで加熱後炉冷により、熱処理
を行なった無酸素銅板（０，８ｘ １２６ ｘ ４５６
）を用いて、上記と同様にロウ付けを行なった。それぞ
れの結果を第１表に示す。この場合、銅の線膨張係数が
１６．２ Ｘ １０″′と、Ｃｒの線膨張係数６．７Ｘ
１０−’より大きいため、銅の方がＣｒより冷却時の収
縮が大きく、冷却の際銅板の方が引っ張られる形となる
ため、ここで記す反りは銅板を下にして見た時、上に凸
形のものとなる。
を行なった無酸素銅板（０，８ｘ １２６ ｘ ４５６
）を用いて、上記と同様にロウ付けを行なった。それぞ
れの結果を第１表に示す。この場合、銅の線膨張係数が
１６．２ Ｘ １０″′と、Ｃｒの線膨張係数６．７Ｘ
１０−’より大きいため、銅の方がＣｒより冷却時の収
縮が大きく、冷却の際銅板の方が引っ張られる形となる
ため、ここで記す反りは銅板を下にして見た時、上に凸
形のものとなる。
第 １ 表
実施例２
第２図に示すごとく、無酸素銅板（８Ｘ １４０ Ｘ
４７Ｇ）を実施例１と同様にしてロウ付けした際の結果
を第２表に示す。
４７Ｇ）を実施例１と同様にしてロウ付けした際の結果
を第２表に示す。
第 ２ 表
第１表および第２表から１本発明により冷却部材をビッ
カース硬さＨＶ５０以下とすることにより。
カース硬さＨＶ５０以下とすることにより。
冷却部材のかなり広い厚み範囲において、ロウ付げに伴
う反りを大幅に低減することができることがわかる。
う反りを大幅に低減することができることがわかる。
以上１本発明をＣｒおよびＣｕ板でなるターゲットの例
で述べたが、本発明はこの組み合わせに限定されない。
で述べたが、本発明はこの組み合わせに限定されない。
すなわち、冷却部材を）！Ｖ５０以下の低硬さとする。
つまり、低応力で塑性変形可能とすることにより、熱収
縮差を冷却部材の塑性変形により吸収して、ターゲツト
材側の応力発生を低下させる関係のものであればよい。
縮差を冷却部材の塑性変形により吸収して、ターゲツト
材側の応力発生を低下させる関係のものであればよい。
本発明において、冷却部材の硬さは１（Ｖ５０以下、望
ましくはＩＩ Ｖ ４０以下とする。ＨＶ５０を越える
と、反りの抑制効果が減少し、矯正等の処置を必要とす
ることになる。
ましくはＩＩ Ｖ ４０以下とする。ＨＶ５０を越える
と、反りの抑制効果が減少し、矯正等の処置を必要とす
ることになる。
本発明によれば、従来熱膨張係数の差によりどうしても
発生していた反りを冷却部材に熱処理を施し軟化させる
ことにより、大幅に低減することができる。
発生していた反りを冷却部材に熱処理を施し軟化させる
ことにより、大幅に低減することができる。
第１図、第２図は本発明の実施例を示す斜視図である。
１：ターゲット、２：メツキ層、３：ロウ材、４：冷却
部材。
部材。
Claims (1)
- 本体部と熱膨張係数が異なる冷却部材をロウ付けしてな
る冷却部材付きスパッタリング用ターゲットにおいて、
前記冷却部材は、ビッカース硬さＨＶ５０以下であるこ
とを特徴とする冷却部材付きスパッタリング用ターゲッ
ト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62290367A JP2731152B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 冷却部材付きスパッタリング用ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62290367A JP2731152B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 冷却部材付きスパッタリング用ターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01132758A true JPH01132758A (ja) | 1989-05-25 |
| JP2731152B2 JP2731152B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=17755114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62290367A Expired - Lifetime JP2731152B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 冷却部材付きスパッタリング用ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2731152B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996023085A1 (en) * | 1995-01-25 | 1996-08-01 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Autoclave bonding of sputtering target assembly |
| EP1036859A1 (en) * | 1999-03-18 | 2000-09-20 | Applied Materials, Inc. | Improved copper target for sputter deposition |
| US6315872B1 (en) | 1997-11-26 | 2001-11-13 | Applied Materials, Inc. | Coil for sputter deposition |
| US7632383B2 (en) * | 2002-07-10 | 2009-12-15 | Tecmachine | Vacuum sputtering cathode |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61250167A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-07 | Mitsubishi Metal Corp | 冷却板付きタ−ゲツトの製造方法 |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP62290367A patent/JP2731152B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61250167A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-07 | Mitsubishi Metal Corp | 冷却板付きタ−ゲツトの製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996023085A1 (en) * | 1995-01-25 | 1996-08-01 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Autoclave bonding of sputtering target assembly |
| US6315872B1 (en) | 1997-11-26 | 2001-11-13 | Applied Materials, Inc. | Coil for sputter deposition |
| EP1036859A1 (en) * | 1999-03-18 | 2000-09-20 | Applied Materials, Inc. | Improved copper target for sputter deposition |
| US7632383B2 (en) * | 2002-07-10 | 2009-12-15 | Tecmachine | Vacuum sputtering cathode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2731152B2 (ja) | 1998-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5836506A (en) | Sputter target/backing plate assembly and method of making same | |
| KR960010166B1 (ko) | 확산접합된 스패터링타게트조립체 및 그 제조방법 | |
| JP4672834B2 (ja) | スパッタリングターゲットを受け板に接合する方法 | |
| TWI688667B (zh) | 背板一體型之金屬製濺鍍靶及其製造方法 | |
| US5687600A (en) | Metal sputtering target assembly | |
| US20060046035A1 (en) | Method of producing base plate circuit board, base plate for circuit board, and circuit board using the base plate | |
| EP2573205A2 (en) | Sputter target assembly having a low-temperature high-strength bond | |
| JP3628554B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
| KR100348437B1 (ko) | 스퍼터링타겟어셈블리의제조방법및새로운타겟어셈블리 | |
| JP2022145789A (ja) | 圧延接合体及び圧延接合体の製造方法 | |
| CN103492608A (zh) | 经扩散结合的溅射靶组件及制造方法 | |
| JPH01132758A (ja) | 冷却部材付きスパッタリング用ターゲット | |
| JPH05214518A (ja) | スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合体の矯正方法およびスパッタリングターゲット材 | |
| KR20200108475A (ko) | 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법 | |
| JPH0243362A (ja) | スパッターターゲットとバッキングプレートの接合体 | |
| JPH0230382B2 (ja) | Reikyakuitatsukitaagetsutonoseizohoho | |
| JPH0211759A (ja) | ターゲット材バッキング板接合方法 | |
| KR20040015195A (ko) | 몰리브덴과 알루미늄을 함유한 어셈블리 및타겟/백플레이트 어셈블리 형성 시에 중간층 이용방법 | |
| JPH04168267A (ja) | スパッタリング用接合体 | |
| JPH08218166A (ja) | スパッタリング用ターゲットの接合方法 | |
| CN110788471A (zh) | 一种金属的焊接方法 | |
| JP3199134B2 (ja) | スパッタリング用ターゲット | |
| JPH02200757A (ja) | チタン合金薄板の焼鈍法 | |
| TWI827089B (zh) | 用於擴散接合的氣體淬火 | |
| JP2749903B2 (ja) | カムシャフトの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |