JPH01132158A - イメ−ジ光メモリデバイス、光記録方法および光メモリの製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はイメージ光メモリデバイス、光記録方法および
光メモリの製法に関する。さらに詳しくは、デバイスに
バイアスを印加することでメモリの消去を行なうことが
できる書換形光メモリデバイス、光照射により第１の電
気特性から第２の電気特性へ変化させることにより書き
込みを行ない、デバイスの両端にバイアスを印加するこ
とで第２の電気特性から第１の光学特性へ戻すことによ
り記録を消去する光記録方法および光メモリの製法に関
する。

［従来の技術］ 従来より、画像人力、画像形成用材料などに光メモリが
用いられている。

かかる光メモリのうち、Ｃｄ５５ｅｓ　Ｓなどのカルコ
ゲン原子の化合物を利用した光メモリは、書き込みおよ
び消去が可能であり多用されている。このカルコゲン化
合物からなる光メモリは、レーザによりデータの書き込
みを行ない、またレーザによりデータの消去を行うもの
である。

また、基板上に、非品質半導体ドーピングモデュレーテ
ィッド多層膜を形成し、その上面に電極を設けたコブラ
ナー型の光メモリも提案されている。

［発明が解決しようとする問題点コ しかしながら、カルコゲン化合物を利用した光メモリは
、レーザ装置を機械的にスキャンさせなければならない
という問題や、レーザによる加熱により光メモリを構成
する材料自体が疲労してしまうという問題や、さらには
書き込み状態を長時間保つことができないといった問題
がある。

またコプラナー型の光メモリは、面に対し垂直方向のポ
テンシャルバリアーを外部から制御できないためデバイ
スを加熱する以外にメモリを消去することができないと
いう問題があり、さらに面に対し水平方向に電極が配置
されているので記録密度がサンドイッチ型電極に比べて
低いという問題がある。

本発明は前記従来例の有する欠点を解消するとともにデ
バイス中の任意の点の情報を読みとることを可能ならし
めるためになされたもので、レーザを用いなくともデー
タの書き込み、消去を行なうことができるので全面同時
データ書き込みができ、また書き込み状態を長時間維持
することができ、さらに大面積化、高密度化の可能なイ
メージ光メモリデバイスを提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ 本発明のイメージ光メモリデバイスは、特定の周波数を
有する光の照射によって第１の電気特性から第２の電気
特性へ変化し、かつバイアスを印加することで第２の電
気特性から第１の電気特性へ戻るメモリ媒体と該メモリ
媒体をはさむよう設けられてなる電極対群とを含む記録
手段、画像からメモリ媒体への光入射を制御する手段お
よび前記メモリ媒体と外部とのあいだの電気信号の通信
を可能ならしめるインターフェースとからなることを特
徴としている。また、本発明の光記録録方法は、特有の
光学エネルギーギャップを有し、電気的に独立しかつ一
様に配置された電極対からなる電極対群がその両面に連
結されてなる、非品質半導体からなる光メモリにデータ
を記憶、消去させる方法であって、半導体に光を照射す
ることで半導体の電気特性を変化させることで記憶を行
ない、半導体にバイアスを印加することでデータの消去
を行なうことを特徴としている。さらに、本発明の光メ
モリの製法は、基板上に第１の電極を形成する工程と、
第１の面が該第１の電極と電気的に接触するよう、非品
質半導体ドーピング超格子を形成する工程と、該半導体
上に第１の電極を前記第１の面と反対側の第２の面と電
気的に接触するよう形成する工程とからなることを特徴
としている。

［実施例］ つぎに図面にもとづき本発明の光メモリデバイスを説明
する。

第１図は本発明の光メモリデバイスの一実施例の概略断
面説明図、第２図は第１図に示される実施例のメモリ部
の部分拡大平面図、第３図は本発明の光メモリデバイス
のメモリユニットの一実施例の概略断面説明図、第４図
はデバイスを光照射するときの様子を示す説明図、第５
図は書き込みによる電気特性の変化を示す図、第６図は
光書込状態の電流増加率と測定バイアスとの関係を示す
図、第７図はバイアス印加による消去の様子を示す図で
ある。

第１〜２図において（１）は記録手段であるメモリ部で
あり、該メモリ部（１）は基板（２と、該基板（′２Ｊ
上に順に形成されてなる下部電極（第１の電極）（３）
、メモリ媒体（４）および上部電極（第２の電極）（５
）とから構成されている。メモリ媒体（４）は、特定の
周波数を有する光の照射によって第１の電気特性から第
２の電気特性へ変化し、またバイアスを印加することで
第２の電気特性から第１の電気特性へ変化する部分であ
る。ここで特定の周波数を有する光とは、それによって
メモリ媒体を一様に照射できるエネルギーを有する光で
あって紫外光から赤外光の範囲から選ばれる。本発明に
おいては水素化アモルファスシリコンドーピング超格子
膜などの、非品質半導体ドーピング超格子膜を好適に用
いることができる。なお、本明細書において第１の電気
特性とは光照射を行なわないときのメモリ媒体の電気特
性（具体的にはコンダクタンス）のことをいい、また第
２の電気特性とは光照射後のメモリ媒体の電気特性のこ
とをいう。

本発明の光メモリデバイスにおいては、少なくとも一方
の電極（第２図における電極（３）および／または電極
（５））は透光性電極である。電極（３）、（５）はメ
モリ媒体（４）を両側からはさむようにしてメモリ媒体
（４）に結合されており、電気的に独立した電極対群を
形成している。

（６）は光しゃ所用シャッターであり、画像がらの光入
射側に電極（３）、（５）の二次元面と平行に配置され
ている。このシャッター（６）の面積は、前記二次元面
の面積と略同−である。第１図に示される実施例では、
シャッター（６）として液晶シャッターが用いられてい
るが、機械的に光をしゃ断するものを採用することも可
能である。液晶シャッターは、液晶の両端の電極に電圧
を印加することで液晶を制御し、液晶部の変化によって
光を透過させたり、しゃ断したりするものであり、機械
的にプレートなどを移動させることで光の透過およびし
ゃ断を行なう機械的シャッターに比較して、可動部分が
ないため、デバイスのコンパクト化を図ることができる
。シャッター（６）は液晶（７）と該液晶（刀の両面に
それぞれ設けられている透明電極（８ａ）、（８ｂ）、
ガラス板（９ａ）、（９ｂ）および偏光板（１０ａ）　
、（１０ｂ）とからなっており、液晶（刀の側部にはシ
ール０１）が施されている。メモリ部（１）とシャッタ
ー（６）とは積層された状態で凹状のパッケージ０２）
の四部にはめこまれている。このパッケージ０２）は、
シャッターａ′２Ｊ以外の部分からの前記メモリ部分（
さらに詳しくはメモリ媒体）への光照射を防止する遮蔽
手段としての機能とともに、メモリ部（１）およびシャ
ッター（６）を保護する機能を果たす部分である。には
、図示されていないが、メモリ媒体（４）と外部とのあ
いだの電気信号の通信を可能ならしめるインターフェー
スとメモリ媒体（４）とを電気的に結合するための配線
である。また、第１図では図示されていないが、液晶シ
ャッターの透明電極からの配線もパッケージ０２）の適
宜の箇所（たとえば前記配線■と同じ箇所）に形成され
る。

本発明の光メモリデバイスは、メモリ媒体の温度を上昇
させるのに充分な強度を有し、かつ、メモリ媒体の光学
エネルギーギャップの実質的に２分の１以下の光エネル
ギーを有する光をメモリ媒体に照射する、レーザなどの
光発生手段を有していてもよい。

第３図は、本発明におけるメモリユニットの一実施例の
概略断面説明図であり、本発明の光メモリデバイスのメ
モリ部は第３図に示されるごときメモリユニットが同一
面内に多数配列された構成を有するものである。第３図
に示される実施例においては、メモリ媒体（３）はドー
ピング超格子膜であり、ｐ層とｎ層とが交互にかつ周期
的に積層されたものである。

ここでドーピング超格子膜とは、たとえばジエイ・力カ
リオス（Ｊ、Ｋａｋａｌｉｏｓ）およびエイチ・フリッ
チェ（Ｈ，Ｆｒ１ｔｚｓｃｈｅ）両博士の論文である「
パージステント・フォトコンダクティビティ・イン・ド
ーピング・モデュレーテッド・アモルファス・セミコン
ダクター（ＰｅｒｓｉｓｔｅｎｔＰｈｏｔｏｃｏｎｄｕ
ｃｔｌｖｉｔｙ　　ｉｎ　　Ｄｏｐｉｎｇ−Ｍｏｄｕｌ
ａｔｅｄＡｌｌｏｒｐｈｏｕｓ　５ｅ１ｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒ）Ｊフィジカルｅレビュー〇レターズｒＰｈｙｓｌ
ｃａｌ　Ｒｅｖｌｅｖ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　Ｊ、５３．１
８０２　（１９８４））や、エム・フントハウゼン（Ｍ
、Ｈｕｎｄｈａｕｓｅｎ）　、エル・レイ（Ｌ、Ｌｅｙ
）およびアール・カリ７ス（ｌｉ、ＣＨｒｌｕｓ）三博
士の論文である「キャリア・リコンビネイション・タイ
ムズ・イン・アモルファス・シリコン・ドーピング・ス
ーパーラティシイズ（ＣａｒｒｉｅｒＲｅｃｏｍｂｉｎ
ａｔｉｏｎ　Ｔｉｎｇｅｓ　ｉｎ　Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ
−３ｉｌｉｃｏｎＤｏｐｉｎｇ　５ｕｐｅｒｌａｔｔｉ
ｃｉｅｓ）Ｊ　　（フィジカル・レビュー・レターズｒ
Ｐｈｙｓｊｃａｌ　Ｒｅｖｉｅｗ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　Ｊ
、５３．１５９ｇ（１９８４））などにおいて使われて
いる非常に薄い（たとえば５０人〜ｔｏｏｏ人）ｐ層お
よびｎ層の周期的積層構造を意味している。

本発明の超格子膜に用いる、非品質半導体には、ＨとＳ
ｔ　、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｃなどの１ｖ族元素の少なくとも１
種とからなる、非品質半導体や、微結晶を含む、非品質
半導体があげられる。またこれらの、非品質半導体や微
結晶を含む、非品質半導体にＮなどのＶ族元素を含ませ
たものを用いることができる。

本発明の超格子膜に用いることのできる、非品質半導体
としては、具体的にａ−３１：Ｈ，ａ−８ＩＣ：Ｈ。

ａ−８ＩＧｅ：Ｈ，ａ−８ＩＳｎ：Ｈ，ａ−９ｉＮ：Ｈ
やこれらのマイクロクリスタル化したものなどがあげら
れる。

超格子膜の構成はｐｎｐｎ・・・・・・・・・ｐの組み
合せでもよいし、ｐｌｎｐｌｎ・・・・・・・・・ｐｌ
ｎの組み合せでもよいし、その他の適宜の組み合せでも
よい。ｐ層およびｎ層の厚さは材料によるバンドギャッ
プ、ギャップ間の密度状態、フェルミレベルなどが異な
るので一概にはいえない。

たとえばａ−８ｉ　：　Ｈを用いてガス比がＰ）＋３　
／　ＳｉＨ＋　−Ｂ２Ｈ６／　５ＩＨ４−１０−’のば
あいは、厚さは５０〜２５００人が好ましく、とくに２
００〜１０００Ａが好ましい。

厚さが５０人未満ではｐｎ界面のポテンシャルバリアー
が極めて少なくなりチャージセパレーションの効果が低
下することがあり、一方５０００人をこえるばあいはメ
モリの書き込み、消去の効果が低下したり、製造時間が
長くなるなどの不都合が生じることがある。またｉ層の
厚さは３〜１０００人が好ましい。

ｐ層とｎ層を用いるばあい、合計３〜１０３層の範囲が
好ましい。３層未満だとポテンシャル井戸の形成ができ
ないためメモリ効果が期待できない。

超格子膜の性質を出すためには、それぞれ５層程度以上
堆積しポテンシャル井戸の数を増やすのが好ましい。

また。バラツキの少ない電導度ａ１定を可能とするため
には適切な膜厚が必要であり、この点から全体の膜厚と
しては概ね１０００人〜ｌＯ虜であるのが好ましい。一
方、ｐ層、ｉ層およびｎ層を用いるばあいは合計５〜１
０００層の範囲が好ましい。５層未満だと充分なポテン
シャル井戸を形成することができない。一方１０００層
を超えると製造時間がかかるという欠点がある。そして
、膜厚は全体として１０００〜１０００００人であるの
が好ましい。

基板（２）の材料は、本発明においてはとくに限定され
るものではない。基板（２として用いることのできる具
体例としては、ガラス、サファイア、ポリイミド樹脂、
セラミックスなどがあげられる。

電極（３）、（５）のうち少なくとも一方は透光性を有
している。このような透光性を有する電極の例としては
、５ｎ０２、Ｆ：５ｎ０２、ＺｎＯなどがあげられる。

また、透光性を有しない電極の例としては、Ａｕ５Ｐｔ
ｑ　Ｐｂ１Ｎ１−　Ｃｒ−Ｃｏ１Ｍｇ％ＡＩ、Ａｇ、　
Ｎｏ。

Ｔａ％Ｐｅ、およびそれらの合金（たとえばステンレス
、ニクロムなど）がある。本発明においては、これらの
電極を適宜組み合わせて（ただし少くとも一方が透光性
を有するように）用いればよい。また、特開昭８１−２
８２６８号公報、特開昭８１−９１９７３号公報、特開
昭８１−９１９７４号公報に記載されているように、メ
モリ媒体である半導体と少なくとも一方の電極のあいだ
に透光性および／または導電性の拡散ブロック属を設け
ることによりデバイスの寿命を長くすることができる。

以上の電極のうち、透光性を有する電極としてはＩＴＯ
、５ｎ０２．５ｎ０２　（半導体側）　−ＩＴＯ複合が
好ましく、また透光性を有しない電極としては反射率の
点からＡｇｓ　Ｃｕ、ｋＱが好ましい。

電極（３）、（５）の厚さはとくに限定されないが機械
的安定性の点より概ね５００〜ｔｏｏｏｏ入の範囲が好
ましい。

つぎに、本発明の光メモリデバイスのメモリ部の製法に
ついて第３図をもとに説明する。

基板（ａ側の電極（３）はスパッタ法、電子ビーム法、
抵抗加熱法などにより基板（２上設けられる。

メモリ媒体である超格子膜（４）は、ｐ層用としてたと
えばＳｉＨ＋とＢ２Ｈｓからなる混合ガ°スをＲＰグロ
ー放電分解法、スパッタリング法、光ＣＶＤ法などによ
り形成し、ｎ層用としてたとえば５ＩＨ４とＰＨ３から
なる混合ガスをｐ層と同様に形成する。以下、これを繰
り返し、各ｐ層および各ｎ層の厚さがそれぞれ実質的に
同一となるようｐｎｐｎ・・・・・・・・・ｐｎｐ層を
周期的に形成し超格子膜とする。ドーピングレベルは、
非品質半導体の種類により異なるが、通常１０−５〜５
　ａｔＩｍ％である。

ドーピングレベルが１０’ａｔａ１％未満だとメモリ効
果が低下する。これは界面でのポテンシャルバリアが小
さく、充分な井戸ができにくいためと考えられる。また
５　ａｔｍ％を超えるときも、メモリ効果が低下する。

これは、ｐｎ界面での再結合およびフォトコンダクティ
ビティの低下により充分なキャリアコンファイメントが
難しくなると考えられる。つぎに、超格子膜（４）上に
スパッタ法、電子ビーム法、抵抗加熱法などにより電極
（５）を形成する。これによって、超格子膜と該超格子
膜をサンドイッチする電極とからなる多数のメモリユニ
ットが基板上に形成される。

前記電極対はそれぞれ電気的に独立しており、電極（３
）、（５）はいわば電気的に独立した電極対群を形成し
ている。

以上のようにして製造された光メモリ部にシャッターを
設け、これをパッケージすることで本発明の光メモリデ
バイスをうろことができる。

つぎに前述したごとき方法で製造された本発明の光メモ
リデバイスの書き込み法、消去法について説明する。

書き込みは、デバイスを短絡状態にして、好ましくは赤
外光から紫外線の範囲から選ばれた周波数を有する光（
ｈν）を照射して行なわれる（第４図参照）。この光の
強度はとくに限定されないが、０．１１ＩＷ／ｃｄ以下
だと書込に時間がかかるという問題がある。光源は半導
体材料に応じて光の入射側と反対側とで光吸収の差が少
なくなるように選択する。

照射後、コンダクタンスは約１００〜１０００倍に上昇
し、本発明の光メモリはこの電気特性が第１の電気特性
から第２の電気特性へと変化することを利用するもので
ある。前記書き込みの状態は、従来品のばあいは約１時
間で消えてしまうのに対して、本発明の光メモリは室温
で１週間以上も安定している。デバイスにバイアス（Ｖ
ｅ）を印加した状態で書き込みをしたばあい、Ｊ−Ｊｏ
ｅ　ｅＸｐ　　（−Ｗｅ　１０．３４）にしたがって書
き込み後のコンダクタンス（２ｖ）の増加率は低下する
。ここで、ｊＯｅは０バイアスで書き込みをしたばあい
の２ｖで測定した電流密度、Ｖｅはジャンクションあた
りの電圧である。したがってバイアスをＯとしたときに
前記電気特性の変化割合は最大となり、バイアスを印加
した状態で光照射を行なうと、バイアス印加部分のみメ
モリ媒体の電気特性の変化を禁することが可能となり、
これによりメモリ媒体の所望の部分のみ書込みをすると
かできる。

デバイスへの書き込みは、レーザーを用いて行なうこと
もできる。

つぎに、メモリの消去法について説明する。

メモリはデバイスを好ましくは３０〜１００℃程度温度
上昇せしめて加熱することで消去したり、１００〜２０
０℃程度温度上昇せしめる（消去バイアスは０ボルドと
する）ことで消去することも可能であるが、加熱により
消去することは本発明のメモリデバイスを他のシステム
に組み込んだばあい、その他のエレクトロニクスを破壊
するおそれがあるので注意を要する。本発明の光メモリ
は、デバイスにバイアスを印加す□ることで、該デバイ
スを加熱することなく　（加熱と併用することも可能で
ある。加熱すると、メモリ媒体の第２の電気特性から第
１の電気特性へ戻る速度が増大される）低温でメモリを
消去することができる。このばあい、ジャンクションあ
たり０，３ｖ以上のバイアスを印加するのが効果的であ
る。

別の消去方法としては、バイアスを印加しながら材料の
光学エネルギーギャップの実質的に２分の１以下のエネ
ルギーを有する光を照射する方法がある。

本発明の光メモリは、前記した書き込み法、消去法を適
宜採用する書き込み、消去自在の光メモリであるが、光
キヤリアセパレーション効果を最大にするためにバイア
スがゼロの状態で書込する。そして、バイアスゼロで光
照射により書き込みを行ない、ジャンクションあたり１
ｖ程度のバイアスを印加し４０〜１００℃、好ましくは
６０層程度に加熱することで消去するのが好ましい。バ
イアスはジャンクションを破壊しない程度に高くする方
がよい。

つぎに本発明の光メモリを実施例にもとづき説明するが
本発明はもとよりかかる実施例に限定されるものではな
い。

実施例１ 厚さ１■のガラス基板（コーニングガラス７０５９にＩ
ＴＯをつけたもの）上に、ＩＴＯからなる厚さ　８００
人の線状の透明電極を８／ＩＩＩＩ本設けた。

各透明電極は幅５０」、長さｔｏｏｓｓの線状の電極で
あって、これらを互いに平行となるように設けた。透明
電極上に、基板温度２５０℃、圧力０、ＬＴｏｒｒにて
、５ｉ１４とＢ２Ｈｓからなる混合ガス（Ｂ２Ｈｓ　／
　５ＩＨ４−ｔｏ−’　）および５ＩＨ４と　ＰＨ３か
らなる混合ガス（ＰＨ３／　ＳＩＨ＜　−１０−’　）
をこの順に用いてＲＦグロー放電分解法にてそれぞれア
モルファスタイプのｐ層を５００人、ｎ層を５００人の
厚さによるように堆積させた。そして、同様の操作によ
り順次ｐ層とｎ層を堆積させ、合計１７層（ｐ層：９層
、ｎ層：８層）からなる超格子膜（ｐｎｐｎ・・・・・
・・・・ｐ’ｎｐ層）を形成した。成層はシャツター付
チャンバ内に行った。このシャッターは反応ガスを交換
する際に、クロスコンタミネーションからサンプルを守
る働きをする。

超格子膜形成後、該超格子膜の上に旧Ｃｒからなる厚さ
１０００人の金属電極を８／■本設けた。

各金属電極は、幅５０−１長さ１００■−の線状の電極
であって、これらを互いに平行となるように、しかも前
述した透明電極とは直交するように設けた。

えられたデバイスメモリ１ユニツトについて、書き込み
特性、メモリの保持能力および消去特性の測定を行った
。

書き込みはデバイスを短絡状態下で約５０ｍＶ／ｃｌＩ
２の強さの赤色光を照射して行った。一定時間（１分、
２分または１２分）照射したのちシャーターを閉じて光
照射を止め、デバイスを短絡状態で暗箱の中に保った（
第４図参照）。光照射後の暗電流の変化を、照射後１分
経過したのちに測定バイアス２ｖと１０、Ｖを印加して
測定した。

光照射および暗電流の測定は室温（２９０Ｋ）で行なわ
れた。結果を第５図に示す。第５図中には、参考のため
に光照射前の暗電流値が併せて示されている。

また、光書逆状態の電流増加率Ｊ／Ｊｏ　（Ｊ：光照射
後の電流値、」０：光照射前の電流値）−１１′Ｐ１定
バイアス特性を調べた。全過程は室温（２９８ｋ）にて
行なわれた。結果を第６図に示す。第６図においてＶｅ
値（ＯＶ、　５Ｖ、　ｌｏｇ）は光書適時にデバイスに
与えたバイアス値である。特定バイアス２、ＯＶ、すな
わちジャンクションあたり　Ｏ，１３Ｖで最大の変化を
示す。

また、バイアス印加によるメモリ消去特性を調べた。メ
モリ消去時に印加したバイアスはＩＢＶであり、暗電流
は２．Ｏｖにて測定した。結果を第７図に示す。第７図
において、横軸は１６ｖのバイアスの印加蓄積時間、横
軸は１６ｖのバイアスの印加を開始した時刻における値
で規格化した暗電流の増加率をあられしている。３つの
カーブは、上からそれぞれ２９３に、　３３３におよび
３５３にの温度で消去および測定されたデータである。

第５図より本発明の光メモリデバイスの光書き込み状態
が安定しており、長期間その状態が保持されていること
がわかる。第６図より光書適時にはバイアスを印加しな
い方がすぐれたメモリ効果（光照射による電気特性の変
化がもっとも大きい）をうることができることがわかる
。

バイアス０のときの電流増加率は約１４０倍にも達した
。

また、第７図よりデバイスにバイアスを印加することで
メモリを消去できることがわかる。

このばあい、デバイスを加熱すると一層短時間にしかも
効果的にメモリを消去できる。

［発明の効果］ 本発明の光メモリは、非品質半導体ドーピング超格子膜
などからなるメモリ媒体を少なくとも一方が透光性であ
る電極対群ではさんだ構成となっており、光照射による
状態変化を電気特性（具体的にはコンダクタンス）の変
化として読みとるものである。その書込状態は室温にお
いて一週間以上も安定している。しかも、本発明の光メ
モリはバイアスを印加することでメモリを消去すること
ができ、デバイスを加熱しなくともよいので、デバイス
が疲労することがなく長時間にわたり光メモリとして利
用することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光メモリデバイスの一実施例の概略断
面説明図、第２図は第１図に示される実施例のメモリ部
の部分拡大平面図、第３図は本発明の光メモリデバイス
のメモリユニットの一実施例の概略断面説明図、第４は
デバイス光照射するときの様子を示す説明図、第５図は
書き込みによる電気特性の変化を示す図、第６図は光書
逆状態の電流増加率と測定バイアスとの関係を示す図、
第７図はバイアス印加による消去の様子を示す図である
。 （図面の主要符号） （１）：メモリ部 ［２１：基　板 （３）、（５）：電　極 （４）：メモリ媒体 （６）：シャッター （１２）　、パッケージ 特許出願人　　鐘淵化学工業株式会社 オ″：Ｊ図 第４　図 暗箱 第５図 時間（分） 第６図 Ｌｏｇ　Ｂｉａｓ　（Ｖ） オフ図 時間（分） 手続補正書動式） １事件の表示 昭和６２年特許願第２０８９７２号 ２発明の名称 イメージ光メモリデバイス、光記録方法および光メモリ
の製法 ３補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住　所　　大阪市北区中之島三丁目２番４号名　称　　
（０９４）鐘淵化学工業株式会社代表者新納　真人 ４代理人　〒５４０ 住　所　　大阪市東区谷町２丁目３７番地はか１名 ６捕正の対象 （１）　　明細書の「図面の簡単な説明」の欄７補正の
内容 （１）　　明細書３０頁１２〜１３行の「第４はデノ（
イス光照射するときの様子を示す説明図」を「第４図は
デバイスを光照射するときの様子を示す説明図」と補正
する。 以　　上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、特定の周波数を有する光の照射によって第１の電気
   特性から第２の電気特性へ変化し、かつバイアスを印加
   することで第２の電気特性から第１の電気特性へ戻るメ
   モリ媒体と該メモリ媒体をはさむよう設けられてなる電
   極対群とを含む記録手段、画像からメモリ媒体への光入
   射を制御する手段および前記メモリ媒体と外部とのあい
   だの電気信号の通信を可能ならしめるインターフェース
   とからなる画像を記憶するためのイメージ光メモリデバ
   イス。 ２、前記メモリ媒体が加熱によって第２の電気特性から
   第１の電気特性へ変化する特許請求の範囲第１項記載の
   メモリデバイス。 ３、メモリ媒体の電気特性がコンダクタンスである特許
   請求の範囲第１項記載のメモリデバイス。 ４、少なくともひとつの電極とメモリ媒体とのあいだに
   透光性の拡散ブロック層が設けられてなる特許請求の範
   囲第１項記載のメモリデバイス。 ５、すべての電極が透光性である特許請求の範囲第１項
   記載のメモリデバイス。 ６、照射する光が赤外光から紫外光の範囲から選ばれた
   周波数を有する特許請求の範囲第１項記載のメモリデバ
   イス。 ７、メモリ媒体が非晶質半導体ドーピング超格子膜であ
   る特許請求の範囲第１項記載のメモリデバイス。 ８、非品質半導体ドーピング超格子膜が水素化アモルフ
   ァスシリコンドーピング超格子膜である特許請求の範囲
   第７項記載のメモリデバイス。 ９、光照射下でバイアスを印加することによりメモリ媒
   体を第１の電気特性から第２の電気特性へ変化させるこ
   とが禁じられた特許請求の範囲第１項記載のメモリデバ
   イス。 １０、バイアス印加中にメモリ媒体を加熱することで、
   メモリ媒体の第２の電気特性から第１の電気特性へ戻る
   速度が増大されてなる特許請求の範囲第１項記載のメモ
   リデバイス。 １１、メモリ媒体が特有の光学エネルギーギャップを有
   してなり、該光学エネルギーギャップの実質的に２分の
   １以下の光エネルギーを有する光を照射することにより
   、第２の電気特性から第１の電気特性へ変化する特許請
   求の範囲第１項記載のメモリデバイス。 １２、メモリ媒体に光を照射するレーザ手段をさらに有
   してなる特許請求の範囲第１項記載のメモリデバイス。 １３、メモリ媒体の温度を上昇させるのに充分な強度を
   有し、かつ、メモリ媒体の光学エネルギーギャップの実
   質的に２分の１以下の光エネルギーを有する光をメモリ
   媒体に照射する光発生手段をさらに有してなる特許請求
   の範囲第１１項記載のメモリデバイス。 １４、光発生手段がレーザである特許請求の範囲第１３
   項記載のメモリデバイス。 １５、温度上昇が３０〜１００℃のあいだである特許請
   求の範囲第１０項記載のメモリデバイス。 １６、温度上昇が１００〜２００℃のあいだであり、消
   去バイアスが０ボルトである特許請求の範囲第２項記載
   のメモリデバイス。 １７、前記に光入射を制御する手段が機械的に開閉され
   てなる特許請求の範囲第１項記載のメモリデバイス。 １８、前記に光入射を制御する手段が液晶シャッターで
   ある特許請求の範囲第１項記載のメモリデバイス。 １９、液晶シャッターがメモリ媒体の基板である特許請
   求の範囲第１８項記載のメモリデバイス。 ２０、前記電極対群が、等間隔にかつ平行に配置された
   線状の複数の電極からなる第１の電極と、等間隔にかつ
   平行に配置された線状の複数の電極からなる第２の電極
   とからなり、該第１の電極と第２の電極がお互いに直交
   するようにメモリ媒体をはさんで設けられており、二次
   元面にそれぞれが電極的に独立したメモリユニットが一
   様に形成されてなる特許請求の範囲第１項記載のメモリ
   デバイス。 ２１、基板が透光性である特許請求の範囲第１項記載の
   メモリデバイス。 ２２、非晶質半導体ドーピング超格子膜と該メモリ媒体
   をはさむよう設けられてなる電極対群とを含む記録手段
   、画像からメモリ媒体への光入射を制御する手段および
   前記メモリ媒体と外部とのあいだの電気信号の通信を可
   能ならしめるインターフェースとからなる画像を記憶す
   るための光メモリ。 ２３、透光性電極が上面に設けられてなる透光性基板を
   さらに有する特許請求の範囲第２２項記載の光メモリ。 ２４、少なくともひとつの電極と非晶質半導体ドーピン
   グ超格子膜とのあいだに設けられてなる導電性の拡散ブ
   ロック層をさらに有する特許請求の範囲第２２項記載の
   光メモリ。 ２５、導電性の拡散ブロック層が透光性であり、超格子
   膜と少なくともひとつの非透光性電極とのあいだに設け
   られてなる特許請求の範囲第２４項記載の光メモリ。 ２６、特有の光学エネルギーギャップを有し、電気的に
   独立しかつ一様に配置された電極対からなる電極対群が
   その両面に連結されてなる非晶質半導体からなる光メモ
   リにデータを記憶、消去させる方法であって、半導体に
   光を照射することで半導体の電気特性を変化させること
   で記憶を行ない、半導体にバイアスを印加することでデ
   ータの消去を行なうデータの記憶および消去方法。 ２７、半導体がドーピング超格子膜であり、少なくとも
   ひとつの電極対群が透光性であり、かつデータの記憶が
   半導体を前記透光性電極対群を通過した光により照射す
   ることで行なわれる特許請求の範囲第２６項記載の方法
   。 ２８、半導体に光を照射しているあいだ、選ばれた電極
   対間に禁止バイアスを印加することでデータ記憶をする
   ことを禁じた特許請求の範囲第２７項記載の方法。 ２９、データを消去するに際し、バイアスを印加してい
   るあいだ、室温より所定の温度だけ高く半導体を加熱す
   る特許請求の範囲第２７項記載の方法。 ３０、データを消去するに際し、半導体の光学エネルギ
   ーギャップの２分の１以下の光エネルギーを有する光を
   半導体に照射する特許請求の範囲第２６項記載の方法。 ３１、特有の光学エネルギーギャップを有し、電気的に
   独立しかつ一様に配置された電極対からなる電極対群が
   その両面に連結されてなる非晶質半導体からなる光メモ
   リにデータを記憶、消去させる方法であって、実質的に
   前記半導体の光学エネルギーギャップ以上の光エネルギ
   ーを有する光を半導体に照射することで半導体の電気特
   性を変化させ、実質的に前記半導体の光学エネルギーギ
   ャップの２分の１以下の光エネルギーを有する光を照射
   することで半導体の電気特性を記憶することからなるデ
   ータの記憶、消去方法。 ３２、基板上に第１の電極を形成する工程と、第１の面
   が該第１の電極と電気的に接触するよう非晶質半導体ド
   ーピング超格子を形成する工程と、該半導体上に第１の
   電極を前記第１の面と反対側の第２の面と電気的に接触
   するよう形成する工程とからなる光メモリの製法。