JPH0113083B2 - - Google Patents
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- JPH0113083B2 JPH0113083B2 JP56046095A JP4609581A JPH0113083B2 JP H0113083 B2 JPH0113083 B2 JP H0113083B2 JP 56046095 A JP56046095 A JP 56046095A JP 4609581 A JP4609581 A JP 4609581A JP H0113083 B2 JPH0113083 B2 JP H0113083B2
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/28—Systems for automatic generation of focusing signals
- G02B7/36—Systems for automatic generation of focusing signals using image sharpness techniques, e.g. image processing techniques for generating autofocus signals
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスチールカメラ、シネカメラ、顕微鏡
写真撮影装置等における焦点検出を電気的に行な
う合焦検出装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a focus detection device that electrically performs focus detection in still cameras, cine cameras, microphotography devices, and the like.
かかる合焦検出装置は従来種々提案されてお
り、例えば第1図に示す構成のものがある。この
合焦検出装置は、撮影レンズ1によつて形成され
る物体像の少く共一部分を画素単位に配列したN
個の多数の受光素子を有する受光装置2で受光し
て、その各々の光電出力をアナログ−デジタル
(A/D)変換回路3でデジタル信号に変換して
受光素子に対応するN個のメモリ素子を有するデ
ジタルメモリ4に格納し、この格納された各受光
素子に対応するデジタル信号x1〜xNを中央処理
装置5に取込んで例えば隣接する受光素子に対応
するデジタル信号の差の絶対値|xo−xo-1|を演
算してその最大値|xo−xo-1|MAXを求め、こ
れを物体像の鮮明度を表わす値として表示装置6
に表示すると共に、モータ駆動回路7を経てモー
タ8を駆動し、撮影レンズ1を合焦位置に移動さ
せるようにしたものである。 Various such focus detection devices have been proposed in the past, including one having the configuration shown in FIG. 1, for example. This focus detection device uses N
A light receiving device 2 having a large number of light receiving elements receives light, and an analog-to-digital (A/D) conversion circuit 3 converts the photoelectric output of each into a digital signal, which is then transferred to N memory elements corresponding to the light receiving elements. The stored digital signals x 1 to x N corresponding to each light-receiving element are taken into the central processing unit 5 and, for example, the absolute value of the difference between the digital signals corresponding to adjacent light-receiving elements is calculated. |x o −x o-1 | is calculated to find its maximum value |x o −x o-1 |MAX, and this is displayed on the display device 6 as a value representing the sharpness of the object image.
At the same time, the motor 8 is driven via the motor drive circuit 7 to move the photographing lens 1 to the in-focus position.
第2図は第1図に示した受光装置2の回路構成
図である。この受光装置は同一半導体チツプ上に
高密度に形成されたN個の同一構成より成る光電
変換回路11−1〜11−Nを具えるが、ここで
は1つの光電変換回路11−1の構成のみを説明
する。光電変換回路11−1は並列に接続したホ
トダイオード12−1(受光素子)およびコンデ
ンサ13−1と電界効果形トランジスタ(FET)
より成る第1のゲート14−1と、FET15−
1および16−1より成る第1のバツフア17−
1と、FETより成る第2のゲート18−1と、
コンデンサ19−1と、FET20−1および2
1−1より成る第2のバツフア22−1と、
FETより成る第3のゲート23−1とを具える。
ホトダイオード12−1およびコンデンサ13−
1の並列回路は第1のゲート14−1を介して直
流電源(図示せず)のVDD電圧ラインとVSS電圧
ラインとの間に接続する。第1のゲート14−1
を構成するFETのゲートを中央処理装置5から
のチヤージ信号(CHG)を受けるCHG入力端子
24に接続する。ホトダイオード12−1および
コンデンサ13−1と第1のゲート14−1との
接続点Xは第1のバツフア17−1のFET16
−1のゲートに接続する。FET16−1の一端
はVSS電圧ラインに接続し、他端はFET15−1
の一端に接続する。このFET15−1の他端は
VDD電圧ラインに接続し、またゲートはVSS電圧
ラインに接続する。第1のバツフア17−1を構
成するFET15−1とFET16−1との接続点
Yは第2のゲート18−1を介してコンデンサ1
9−1の一端および第2のバツフア22−1の
FET21−1のゲートに接続する。第2のゲー
ト18−1を構成するFETのゲートは制御回路
2からのサンプルホールド信号(S/H)を受け
るS/H入力端子25に接続する。コンデンサ1
9−1の他端およびFET21−1の一端はVSS電
圧ラインに接続し、FET21−1の他端はFET
20−1の一端に接続する。このFET20−1
の他端はVDD電圧ラインに接続し、またゲートは
VSS電圧ラインに接続する。第2のバツフア22
−1を構成するFET20−1とFET21−1と
の接続点Zは第3のゲート23−1を介して出力
端子26−1に接続し、この第3のゲートを構成
するFETのゲートは中央処理装置5からの読出
し信号(RD)を受けるRD1入力端子27−1に
接続する。他の光電変換回路も上記と同様に構成
し、第1のゲート14−1〜14−Nを構成する
FETのゲートはそれぞれCHG入力端子24に共
通に接続し、第2のゲート18−1〜18−Nを
構成するFETのゲートはそれぞれS/H入力端
子25に共通に接続し、出力端子26−1〜26
−NはA/D変換回路3に接続する。また、RD
入力端子27−1〜27−Nはそれぞれ中央処理
装置5に接続する。 FIG. 2 is a circuit diagram of the light receiving device 2 shown in FIG. 1. This light-receiving device includes N photoelectric conversion circuits 11-1 to 11-N having the same configuration formed in high density on the same semiconductor chip, but here, only the configuration of one photoelectric conversion circuit 11-1 is shown. Explain. The photoelectric conversion circuit 11-1 includes a photodiode 12-1 (light receiving element), a capacitor 13-1, and a field effect transistor (FET) connected in parallel.
a first gate 14-1 consisting of a FET 15-1;
1 and 16-1, the first buffer 17-
1, a second gate 18-1 consisting of an FET,
Capacitor 19-1 and FETs 20-1 and 2
a second buffer 22-1 consisting of 1-1;
and a third gate 23-1 made of an FET.
Photodiode 12-1 and capacitor 13-
One parallel circuit is connected between the V DD voltage line and the V SS voltage line of a DC power supply (not shown) through a first gate 14-1. First gate 14-1
The gate of the FET constituting the controller is connected to a CHG input terminal 24 that receives a charge signal (CHG) from the central processing unit 5. The connection point X between the photodiode 12-1 and the capacitor 13-1 and the first gate 14-1 is connected to the FET 16 of the first buffer 17-1.
Connect to the gate of -1. One end of FET16-1 is connected to the V SS voltage line, and the other end is connected to FET15-1.
Connect to one end of the The other end of this FET15-1 is
Connect to the V DD voltage line, and the gate connects to the V SS voltage line. The connection point Y between FET15-1 and FET16-1 constituting the first buffer 17-1 is connected to the capacitor 1 through the second gate 18-1.
9-1 and the second buffer 22-1.
Connect to the gate of FET21-1. The gate of the FET constituting the second gate 18-1 is connected to an S/H input terminal 25 that receives a sample and hold signal (S/H) from the control circuit 2. capacitor 1
The other end of FET 9-1 and one end of FET 21-1 are connected to the V SS voltage line, and the other end of FET 21-1 is connected to the FET
Connect to one end of 20-1. This FET20-1
The other end is connected to the V DD voltage line, and the gate is
Connect to V SS voltage line. Second buffer 22
The connection point Z between FET 20-1 and FET 21-1 that constitutes -1 is connected to the output terminal 26-1 via the third gate 23-1, and the gate of the FET that constitutes this third gate is located at the center. It is connected to the RD 1 input terminal 27-1 which receives the read signal (RD) from the processing device 5. Other photoelectric conversion circuits are configured in the same manner as above, and the first gates 14-1 to 14-N are configured.
The gates of the FETs are commonly connected to the CHG input terminal 24, the gates of the FETs constituting the second gates 18-1 to 18-N are respectively commonly connected to the S/H input terminal 25, and the output terminal 26- 1-26
-N is connected to the A/D conversion circuit 3. Also, R.D.
The input terminals 27-1 to 27-N are connected to the central processing unit 5, respectively.
次に、第2図に示した受光装置の動作を第1図
および第3図を参照して説明する。 Next, the operation of the light receiving device shown in FIG. 2 will be explained with reference to FIGS. 1 and 3.
物体像の積分開始前には第1のゲート14−1
〜14−Nは閉じて(OFF)おり、コンデンサ
13−1〜13−Nの端子間電圧は「0」であ
る。したがつて第1のバツフア17−1〜17−
Nへの入力電位はVDDであり、第1のバツフア1
7−1〜17−Nの出力はこれに対応した所定の
電位V(第3図A)となつている。第2のゲート
18−1〜18−Nは開いて(ON)おり、この
電位がコンデンサ19−1〜19−Nに印加さ
れ、これらのコンデンサは電位Vまで充電され
る。 Before starting the integration of the object image, the first gate 14-1
~14-N are closed (OFF), and the voltage between the terminals of capacitors 13-1 to 13-N is "0". Therefore, the first buffers 17-1 to 17-
The input potential to N is V DD and the first buffer 1
The outputs of 7-1 to 17-N are at a corresponding predetermined potential V (FIG. 3A). The second gates 18-1 to 18-N are open (ON), and this potential is applied to the capacitors 19-1 to 19-N, and these capacitors are charged to the potential V.
この状態ではコンデンサ19−1〜19−Nの
端子電圧Vが第2のバツフア22−1〜22−N
に入力され、これに対応した電位V′(第3図B)
が出力されている。 In this state, the terminal voltage V of the capacitors 19-1 to 19-N is the same as that of the second buffer 22-1 to 22-N.
and the corresponding potential V' (Figure 3B)
is being output.
積分をするには、まず中央処理装置5から第3
図Cに示すような低(L)レベルのCHG信号をCHG
入力端子24に送り、第1のゲート14−1〜1
4−Nを開く。すると、X点の電位がVSSとなり、
コンデンサ13−1〜13−NはVDDまで充電さ
れる。また、これに伴い第1のバツフア17−1
〜17−Nへの入力電位が「VSS」となるから、
これに応じてこれらのバツフアの出力も「VSS」
またはこれに近い小さな値となり、コンデンサ1
9−1〜19−Nは第2のゲート18−1〜18
−Nおよび第1のバツフア17−1〜17−Nを
介して放電する。これにより第2のバツフア22
−1〜22−Nへの入力が下がるから、その出力
も「VSS」又はこれに近い小さな値となる。 To perform integration, first the central processing unit 5
CHG signal of low (L) level as shown in Figure C
to the input terminal 24 and the first gates 14-1 to 1
Open 4-N. Then, the potential at point X becomes V SS ,
Capacitors 13-1 to 13-N are charged to VDD . In addition, along with this, the first buffer 17-1
Since the input potential to ~17-N becomes "V SS ",
Accordingly, the output of these buffers is also “V SS ”.
Or a small value close to this, capacitor 1
9-1 to 19-N are second gates 18-1 to 18
-N and the first buffers 17-1 to 17-N. As a result, the second buffer 22
Since the inputs to -1 to 22-N decrease, their outputs also become "V SS " or a small value close to this.
所定時間t経過後(コンデンサ13−1〜13
−Nが充分に充電された後)、第3図Cに示すよ
うにCHG信号を高(H)レベルにし、第1のゲート
14−1〜14−Nを閉(OFF)じて積分を開
始する。すると、コンデンサ13−1〜13−N
に蓄えられた電荷はホトダイオード12−1〜1
2−Nに入射している光に応じた強さの光電流と
して、各々のホトダイオード12−1〜12−N
を通じて放電され、それにつれて第1のバツフア
17−1〜17−Nへの入力電位が上昇し、その
出力も徐々に大きくなる(第3図A)。これに応
じて、コンデンサ19−1〜19−Nは、第1の
バツフア17−1〜17−Nおよび第2のゲート
18−1〜18−Nを介して充電されるから(第
3図B)、第2のバツフア22−1〜22−Nの
入力電位および出力電位も徐々に大きくなつてく
る。 After the predetermined time t (capacitors 13-1 to 13
-N is sufficiently charged), set the CHG signal to high (H) level as shown in Figure 3C, close (OFF) the first gates 14-1 to 14-N, and start integration. do. Then, capacitors 13-1 to 13-N
The charges stored in the photodiodes 12-1 to 12-1
2-N, each photodiode 12-1 to 12-N
Accordingly, the input potential to the first buffers 17-1 to 17-N increases, and the output thereof gradually increases (FIG. 3A). Accordingly, the capacitors 19-1 to 19-N are charged via the first buffers 17-1 to 17-N and the second gates 18-1 to 18-N (Fig. 3B ), the input potential and output potential of the second buffers 22-1 to 22-N gradually increase.
積分を開始してから、所定時間T経過後、中央
処理装置5から第3図Dに示すようなHレベルの
S/H信号をS/H入力端子25に送り、第2の
ゲート18−1〜18−Nを閉(OFF)じ、そ
のときの積分値をコンデンサ19−1〜19−N
にサンプルホールドする。 After a predetermined time T has elapsed since the start of integration, the central processing unit 5 sends an H level S/H signal as shown in FIG. 3D to the S/H input terminal 25, and the second gate 18-1 ~ 18-N is closed (OFF), and the integral value at that time is connected to capacitors 19-1 ~ 19-N.
Hold the sample.
このようにしてコンデンサ19−1〜19−N
にサンプルホールドした電位に対応する第2のバ
ツフア22−1〜22−Nの出力電圧は、中央処
理装置5から第3のゲート23−1〜23−Nの
RD入力端子27−1〜27−Nにデコーダ3を
介して所要の信号を供給することにより、出力端
子26−1〜26−Nに選択的に取出すことがで
き、これをA/D変換回路3の入力端子に印加す
ることができる。 In this way, capacitors 19-1 to 19-N
The output voltages of the second buffers 22-1 to 22-N corresponding to the sampled and held potentials are output from the central processing unit 5 to the third gates 23-1 to 23-N.
By supplying the required signals to the RD input terminals 27-1 to 27-N via the decoder 3, they can be selectively output to the output terminals 26-1 to 26-N, and these signals are sent to the A/D conversion circuit. It can be applied to three input terminals.
第1図に示す従来の焦点検出装置においては、
上述したようにしてサンプルホールドした光電出
力(積分値)をA/D変換回路3でデジタル信号
に変換してデジタルメモリ4に格納し、このデジ
タル信号を中央処理装置5において所定の評価関
数に基いて演算処理して物体像の焦点状態を検出
している。しかし、このように多数の光電変換回
路11−1〜11−Nを用いる場合にはホトダイ
オード(受光素子)12−1〜12−Nの各々の
感度(光電変換効率)や各ホトダイオードに対応
する周辺回路の電気的特性のばらつき、光学系の
不均一性等による出力のばらつきが、物体像の画
素情報(光電出力)に重畳される。例えば、上記
の光電変換回路11−1〜11−Nに一様な強度
の光を照射し、同一露光時間T後のサンプルホー
ルド電圧を観測すると、各光電変換回路の光電出
力は一定でなく、第4図に示すようにばらついて
いる。なお、第4図において横軸の番号1,2,
……,Nは光電変換回路の配列方向の番号を表わ
す。このような特性のばらつきを有する光電変換
回路を用いると、特にコントラストの低い物体
(被写体)については正確な合焦検出ができない
と共に、ばらつきが大きい場合には合焦検出自体
が不可能になる不具合がある。 In the conventional focus detection device shown in Fig. 1,
The photoelectric output (integral value) sampled and held as described above is converted into a digital signal by the A/D conversion circuit 3 and stored in the digital memory 4, and this digital signal is processed by the central processing unit 5 based on a predetermined evaluation function. The focus state of the object image is detected through calculation processing. However, when using a large number of photoelectric conversion circuits 11-1 to 11-N, the sensitivity (photoelectric conversion efficiency) of each photodiode (light receiving element) 12-1 to 12-N and the surrounding area corresponding to each photodiode are Variations in the output due to variations in the electrical characteristics of the circuit, non-uniformity of the optical system, etc. are superimposed on the pixel information (photoelectric output) of the object image. For example, if the photoelectric conversion circuits 11-1 to 11-N are irradiated with light of uniform intensity and the sample and hold voltages are observed after the same exposure time T, the photoelectric output of each photoelectric conversion circuit is not constant; As shown in Fig. 4, there are variations. In addition, in Fig. 4, the numbers 1, 2, and
..., N represents the number in the arrangement direction of the photoelectric conversion circuit. If a photoelectric conversion circuit with such variations in characteristics is used, it will not be possible to accurately detect focus, especially for objects (subjects) with low contrast, and if the variations are large, focus detection itself will become impossible. There is.
本発明の目的は、上述した不具合を解決し、複
数の光電変換回路の特性のばらつきを有効に補正
でき、したがつてコントラストの低い被写体でも
常に高精度の合焦検出ができるよう適切に構成し
た合焦検出装置を提供しようとするものである。 An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, to effectively correct variations in the characteristics of a plurality of photoelectric conversion circuits, and to provide an appropriately configured system that can always perform high-precision focus detection even for subjects with low contrast. This invention attempts to provide a focus detection device.
本発明は、光学系により形成される物体像の少
く共一部分を受光するそれぞれ受光素子を有する
複数の積分形の光電変換回路から成る受光装置
と、この受光装置からの複数の光電出力の積分値
をデジタル信号に変換するアナログ−デジタル変
換回路と、このアナログ−デジタル変換回路から
の前記物体像の光強度分布に応じた前記複数の光
電変換回路からの積分値にそれぞれ対応するデジ
タル信号を格納するデジタルメモリとを具え、こ
のデジタルメモリに格納された複数のデジタル信
号を所定の評価関数に基いて演算して前記物体像
の合焦状態を検出するようにした合焦検出装置に
おいて、前記受光装置への入射光を選択的に遮光
する遮光手段および受光装置を選択的に一様照明
する照明手段を設けると共に、前記デジタルメモ
リと並列に2個の補正値メモリを接続して設け、
前記遮光手段を作動させた状態での前記受光装置
の複数の光電出力を前記アナログ−デジタル変換
回路でデジタル信号に各々変換してダーク値デー
タとして前記補正値メモリの一方に格納し、前記
照明手段を作動させた状態での前記受光装置の複
数の光電出力をライト値データとして前記補正値
メモリの他方に格納し、これら補正値メモリに格
納したダーク値データおよびライト値データによ
り前記デジタルメモリに格納された前記物体像の
光強度分布に応じたデジタル信号を補正して物体
像の合焦状態を検出するよう構成したことを特徴
とするものである。 The present invention relates to a light receiving device comprising a plurality of integral type photoelectric conversion circuits each having a light receiving element that receives a small common portion of an object image formed by an optical system, and an integral value of a plurality of photoelectric outputs from the light receiving device. an analog-to-digital conversion circuit that converts the image into a digital signal, and stores digital signals corresponding to integral values from the plurality of photoelectric conversion circuits corresponding to the light intensity distribution of the object image from the analog-to-digital conversion circuit. and a digital memory, the focus detection device detects a focused state of the object image by calculating a plurality of digital signals stored in the digital memory based on a predetermined evaluation function, wherein the light receiving device A light shielding means for selectively shielding incident light from the light receiving device and an illumination means for selectively and uniformly illuminating the light receiving device are provided, and two correction value memories are connected in parallel with the digital memory,
A plurality of photoelectric outputs of the light receiving device in a state in which the light blocking means is activated are each converted into digital signals by the analog-to-digital conversion circuit and stored in one of the correction value memories as dark value data, and the illumination means A plurality of photoelectric outputs of the light receiving device in an activated state are stored as light value data in the other of the correction value memories, and dark value data and light value data stored in these correction value memories are stored in the digital memory. The present invention is characterized in that the in-focus state of the object image is detected by correcting a digital signal according to the light intensity distribution of the object image.
以上図面を参照して本発明を詳細に説明する。 The present invention will be described in detail with reference to the drawings.
本発明の好適実施例においては、第2図に示し
たと同様の受光装置を用いる。この場合、各光電
変換回路の光電出力のばらつきの発生は、
() ホトダイオード12−1〜12−Nの感
度の違い、
() 第1のバツフア17−1〜17−Nおよ
び第2のバツフア22−1〜22−Nのしきい
値電圧の違い、
が最も大きい原因として挙げられる。 A preferred embodiment of the invention uses a light receiving device similar to that shown in FIG. In this case, the occurrence of variations in the photoelectric output of each photoelectric conversion circuit is caused by () differences in sensitivity of the photodiodes 12-1 to 12-N, () differences in the sensitivity of the first buffers 17-1 to 17-N and the second buffer 22; The difference in threshold voltage between -1 and 22-N is cited as the biggest cause.
本発明の第1の実施例においては、上記(),
()の原因に基く光電出力のばらつきを同時に
補正する。 In the first embodiment of the present invention, the above (),
At the same time, the variations in photoelectric output due to the causes of () are corrected.
先ず、その補正方法について第5図を参照して
説明する。なお第5図において縦軸は光電出力電
圧を、横軸は露光量をそれぞれ表わす。 First, the correction method will be explained with reference to FIG. In FIG. 5, the vertical axis represents the photoelectric output voltage, and the horizontal axis represents the exposure amount.
最初に、ホトダイオード12−1〜12−N
(第2図参照)に光を全く当てない状態で一定の
露光時間Tの後の各光電出力(ダーク値)の中で
最低の値のものを「0」とする。次に全ホトダイ
オード12−1〜12−Nに一定の強度と一定の
露光時間Tを与え、全露光量をEpにした時の各光
電出力の中で最大の値のものをVS MAXとする。 First, photodiodes 12-1 to 12-N
The lowest value among the photoelectric outputs (dark values) after a certain exposure time T in a state where no light is irradiated to the light source (see FIG. 2) is defined as "0". Next, give a constant intensity and a constant exposure time T to all photodiodes 12-1 to 12-N, and when the total exposure amount is set to E p , the maximum value of each photoelectric output is defined as V S MAX . do.
光電出力「0」とVS MAXを結ぶ感度曲線SMを
持つホトダイオードは必ずしも実在しないが、仮
想的な最大感度を有するホトダイオードと考える
ことができる。一般の実在するホトダイオードは
Soで表わすような感度曲線を持つことになる。す
なわちダーク値がVDoで露光量Epの測定値がVSo
のものである。 Although a photodiode with a sensitivity curve S M connecting photoelectric output "0" and V S MAX does not necessarily exist, it can be considered as a photodiode having a hypothetical maximum sensitivity. The general existing photodiode is
It will have a sensitivity curve as represented by S o . In other words, the dark value is V Do and the measured value of the exposure amount E p is V So
belongs to.
ここで、上述した光電出力のばらつきの原因の
()によるものは感度曲線の傾きの違いSoとし
てあらわれ、()によるものはダーク値の違い
VDoとしてあらわれる。したがつて補正は、傾き
Soと切辺VDoとを持つ直線上の点(E1,Vo)を、
理想的ホトダイオードである傾きSMと切辺0と
を持つ直線(E1,VMAX)に変換することによつ
て行なうことができる。すなわちVMAXをVoおよ
びVDo,VSoの関数として表わす。 Here, the cause of the variation in photoelectric output mentioned above due to () appears as a difference in the slope of the sensitivity curve S o , and the cause due to () is a difference in dark value.
Appears as V Do. Therefore, the correction is based on the slope
The point (E 1 , V o ) on the straight line with S o and the cutting edge V Do is
This can be done by converting to a straight line (E 1 , V MAX ) having a slope S M and an intersecting edge 0, which is an ideal photodiode. That is, V MAX is expressed as a function of Vo , V Do , and V So.
第5図において、2つの直線の傾きをそれぞれ
SM,Soとすると
VS MAX=SME0 …(1)
VSo=SoE0+bo …(2)
VMAX=SME1 …(3)
Vo=SoE1+bo …(4)
(3),(4)式より
VMAX−Vo=(SM−So)E1−bo
VMAX=Vo+(SM−So)E1−bo …(5)
(1)式より
SM=VSMAX/E0 …(6)
(2)式より
So=VSo−bo/E0 …(7)
(6),(7)式より
(SM−So)=VSMAX−Vso+bo/E0=ao+bo/E0 …(8)
(5),(8)式より
VMAX=Vo+(ao+bo)E1/E0−b …(9)
また(2),(4)式より
E0=VSo−bo/So E1=Vo−bo/So
E1/E0=Vo−bo/VSo−bo …(10)
(10)式を(9)に代入して
VMAX=Vo+(ao+bo)/VSo−boVo−(ao+bo)bo/V
So−bo−bo=(1+ao+bo/VSo−bo)Vo−(ao+bo)b
o+(VSo−bo)bo/VSo−bo…(11)
となる。ここでVSo=VSMAX−aoであるから、(11)式
は
VMAX=VSMAX/VSo−boVo−VSMAX/VSo−bobo
=VSMAX/VSo−bo(Vo−bo)
となるが、bo=VDoであるから、
VMAX=VSMAX/VSo−VDo(Vo−VDo) …(12)
の補正式が導かれる。 In Figure 5, the slopes of the two straight lines are
S M and S o , V S MAX = S M E 0 …(1) V So = S o E 0 +b o …(2) V MAX = S M E 1 …(3) V o = S o E 1 +b o …(4) From equations (3) and (4), V MAX −V o = (S M −S o )E 1 −b o V MAX =V o +(S M −S o )E 1 −b o …(5) From formula (1) S M =V SMAX /E 0 …(6) From formula (2) S o =V So −b o /E 0 …(7) (6), (7) formula From (S M −S o )=V SMAX −V so +b o /E 0 =a o +b o /E 0 …(8) From equations (5) and (8), V MAX =V o +(a o +b o ) E 1 /E 0 −b …(9) Also, from equations (2) and (4), E 0 =V So −b o /S o E 1 =V o −b o /S o E 1 /E 0 =V o −b o /V So −b o …(10) Substituting equation (10) into (9), we get V MAX =V o +(a o +b o )/V So −b o V o −( a o + b o ) b o /V
So −b o −b o = (1+a o +b o /V So −b o )V o −(a o +b o )b
o + (V So −b o ) b o /V So −b o …(11). Here, V So = V SMAX −a o , so equation (11) is V MAX = V SMAX /V So −b o V o −V SMAX /V So −b o b o = V SMAX /V So − b o (V o −b o ), but since bo = V Do , the correction formula of V MAX = V SMAX /V So −V Do (V o −V Do ) …(12) is derived. .
次に補正式(12)に基いて光電出力のばらつきを補
正する本実施例の合焦検出装置について説明す
る。 Next, a description will be given of the focus detection device of this embodiment that corrects variations in photoelectric output based on correction formula (12).
第6図はかかる合焦検出装置の構成を示すブロ
ツク図である。本実施例では、撮影レンズ1と受
光装置2との間の撮影光路中に入射光を遮断する
遮光手段31と、入射光を散乱させるか、あるい
は光源を発光させて受光装置2を一様照明する照
明手段32とを設け、これら遮光手段31および
照明手段32を中央処理装置5によつて選択的に
駆動制御する。また、デジタルメモリ4を並列に
それぞれ各光電変換回路に対応するN個のメモリ
素子を有する2個の補正値メモリ33および34
を設ける。その他の構成は第1図と同様である。 FIG. 6 is a block diagram showing the configuration of such a focus detection device. In this embodiment, a light shielding means 31 that blocks incident light in the photographing optical path between the photographing lens 1 and the light receiving device 2, and a light shielding means 31 that scatters the incident light or causes a light source to emit light to uniformly illuminate the light receiving device 2. The light shielding means 31 and the illumination means 32 are selectively driven and controlled by the central processing unit 5. Further, the digital memory 4 is connected in parallel to two correction value memories 33 and 34 each having N memory elements corresponding to each photoelectric conversion circuit.
will be established. The other configurations are the same as in FIG. 1.
以下、第6図に示す合焦検出装置の動作を説明
する。 The operation of the focus detection device shown in FIG. 6 will be explained below.
先ず中央処理装置5は遮光手段31を駆動して
受光装置2への入射光を遮光した後、受光装置
2、A/D変換回路3をそれぞれ駆動し、受光装
置2のN個の光電変換回路11−1〜11−Nか
らの光電出力をA/D変換してダーク値レベル
VD1〜VDNとして補正値メモリ33に記憶させる。 First, the central processing unit 5 drives the light shielding means 31 to block the incident light to the light receiving device 2, and then drives the light receiving device 2 and the A/D conversion circuit 3, respectively, and converts the N photoelectric conversion circuits of the light receiving device 2. The photoelectric output from 11-1 to 11-N is A/D converted to dark value level.
It is stored in the correction value memory 33 as V D1 to V DN .
次に中央処理装置5は照明手段32を駆動し、
受光装置2を一様照明した状態で前述の操作を繰
返し、所定露光量における各光電変換回路11−
1〜11−Nの光電出力をA/D変換してライト
値デークとして補正値メモリ34に格納する。 Next, the central processing unit 5 drives the illumination means 32,
The above-described operation is repeated with the light receiving device 2 uniformly illuminated, and each photoelectric conversion circuit 11- at a predetermined exposure amount is
The photoelectric outputs of 1 to 11-N are A/D converted and stored in the correction value memory 34 as a write value data.
上述したダーク時および所定露光量における光
電出力のA/D変換すなわち補正値の測定が終了
した後は、受光装置2上に被写体像の少く共一部
分を投影し、その強度分布を測定して上述したと
同様にしてA/D変換し、そのデジタル値V1〜
VN(x1〜xN)をデジタルメモリ4に格納する。 After the above-mentioned A/D conversion of the photoelectric output in the dark and at a predetermined exposure amount, that is, the measurement of the correction value, a small common part of the subject image is projected onto the light receiving device 2, and its intensity distribution is measured. A/D conversion is performed in the same manner as above, and the digital value V 1 ~
V N (x 1 to x N ) is stored in the digital memory 4.
なお、上述した補正値の測定は、被写体像の強
度分布の測定毎に行なつても良いし、1度測定し
た補正値を繰返し使用するようにしてもよい。 Note that the measurement of the correction value described above may be performed every time the intensity distribution of the subject image is measured, or the correction value measured once may be used repeatedly.
次に上述したようにして測定した補正データ
VDo,VSoと被写体像の強度分布データxoを用い
て評価値を算出する手法を第7図を参照して説明
する。 Next, the correction data measured as described above
A method of calculating the evaluation value using V Do , V So and the intensity distribution data x o of the subject image will be explained with reference to FIG. 7.
第7図は第6図の中央処理装置5、デジタルメ
モリ4、補正値メモリ33,34および表示装置
6の部分を更に詳細に示すブロツク図である。制
御回路5−1はアドレスレジスタ5−2に補正値
メモリ34のメモリ番地をセツトし、その番地の
補正データVSoを入力バツフア5−3を通してア
キユムレータ5−4にロードする。このロードし
た補正データVSoは内部メモリ5−5を経由して
演算回路5−6の入力ポートAにセツトする。次
に同様の操作により補正データVSoと対応する光
電変換回路のダーク値(デジタル信号)を格納す
る補正値メモリ33の対応する番地から補正デー
タVDoを演算回路5−6の入力ポートBにセツト
し、VSo−VDoを計算し内部メモリ5−5のa)
番地に格納する。次に同様の操作を行なつてVo
−VDoを計算し内部メモリ5−5のc)番地に格
納する。 FIG. 7 is a block diagram showing in more detail the central processing unit 5, digital memory 4, correction value memories 33, 34, and display device 6 shown in FIG. The control circuit 5-1 sets the memory address of the correction value memory 34 in the address register 5-2, and loads the correction data V So at that address into the accumulator 5-4 through the input buffer 5-3. This loaded correction data V So is set to the input port A of the arithmetic circuit 5-6 via the internal memory 5-5. Next, by the same operation, the correction data V Do is input to the input port B of the arithmetic circuit 5-6 from the corresponding address of the correction value memory 33 that stores the dark value (digital signal) of the photoelectric conversion circuit corresponding to the correction data V So. a) in internal memory 5-5 .
Store in address. Next, perform the same operation to create V o
-V Do is calculated and stored at address c) in the internal memory 5-5.
こゝで、上述した補正式(12)では、VSMAXを必要
とするが、これは補正値メモリ34に格納した
VS1〜VSNの中から最大値をさがすという操作に
なる。しかし、もともとSMの感度を持つホトダ
イオードは仮想的なものであるのでVSMAXとして
実在の値を取らなければならない理由はない。そ
こで本実施例ではVSMAXとして考えられるVSoの
最大値を仮想的に設定するものとした。これは例
えばA/D変換回路3において8ビツトのA/D
変換を行なうとすれば、VSMAX=256としておけ
ば実在のVSoは必ずこれよりは小さくなる。 Here, the above correction formula (12) requires V SMAX , which is stored in the correction value memory 34.
The operation is to find the maximum value from V S1 to V SN . However, since a photodiode with a sensitivity of S M is essentially a virtual one, there is no reason to take an actual value as V SMAX . Therefore, in this embodiment, the maximum value of V So that can be considered as V SMAX is virtually set. This is, for example, an 8-bit A/D in the A/D conversion circuit 3.
If we perform conversion, if we set V SMAX = 256, the actual V So will always be smaller than this.
したがつて、本実施例ではVSMAX/VSo−VDoの
計算のかわりに256/VSo−VDoを行ない、これを
内部メモリ5−5のb)番地に格納する。次に内
部メモリ5−5のb)番地の値とc)番地の値の
積を取ることにより補正された強度値xo′が得ら
れ、これを内部メモリ5−5のd)番地に格納す
る。 Therefore, in this embodiment, instead of calculating V SMAX /V So -V Do , 256/V So -V Do is performed, and this is stored at address b) in the internal memory 5-5. Next, the corrected intensity value x o ' is obtained by multiplying the value at address b) and the value at address c) in the internal memory 5-5, and this is stored at address d) in the internal memory 5-5. do.
次に、先に同様の手順で計算され、内部メモリ
5−5のe)番地に格納されているxo′-1と上記
xo′によつて|xo′−xo′-1|を計算し、この値と先
に内部メモリ5−5のf)番地に格納されている
|xo′−xo′-1|MAXとを比較して、大きい方を
新たな|xo′−xo′-1|MAXとして内部メモリ5
−5のf)番地に格納する。 Next, x o ′ -1 , which was previously calculated using the same procedure and stored at address e) in internal memory 5-5, and the above
Calculate |x o ′−x o ′ -1 | by x o ′, and combine this value with |x o ′−x o ′ -1 previously stored at address f) in internal memory 5-5. |Compare with MAX and select the larger one as new|x o ′−x o ′ -1 |Internal memory 5 as MAX
-5 f) address.
以上の操作をN−1回繰り返すことにより補正
された強度分布による評価値|xo′−xo-1|MAX
を求めることができる。 Evaluation value based on the intensity distribution corrected by repeating the above operation N-1 times | x o ′−x o-1 | MAX
can be found.
受光装置2を撮影レンズ1の予定焦平面と共役
な位置に配置した場合には、撮影レンズ1を移動
させながら上述した操作を繰返し行ない、順次の
操作により求めた|xo′−xo′-1|MAXの差の極
性により出力バツフア5−7を介して表示装置6
に前ピンおよび後ピンを表示させると共に、その
差が零となつた時点で焦点合致信号を表示装置6
に出力して適当な手段により表示させることがで
きる。また、受光装置2を2個用意し、これらを
撮影レンズ1の予定焦平面と共役な位置の前後等
しい位置で同一像を受光するように配置した場合
には、各受光装置毎に評価値|xo′−xo′-1|
MAXを求め、これらの差を演算してその極性に
より前ピンおよび後ピンを表示させることができ
ると共に、両受光装置における評価値が零となつ
たときに焦点合致信号を出力することができる。
なお、モータ8は上述した評価値の差が零となる
方向に撮影レンズ1を移動させるよう駆動すれば
よい。 When the light receiving device 2 is placed at a position conjugate with the planned focal plane of the photographic lens 1, the above-mentioned operation is repeated while moving the photographic lens 1, and |x o ′−x o ′ is obtained by sequential operations. -1 |Depending on the polarity of the MAX difference, the display device 6 is output via the output buffer 5-7.
The front focus and rear focus are displayed on the display device 6, and when the difference between them becomes zero, a focus matching signal is displayed on the display device 6.
It can be outputted to and displayed by appropriate means. Furthermore, if two light receiving devices 2 are prepared and placed so that they receive the same image at equal positions before and after a position conjugate with the intended focal plane of the photographic lens 1, then the evaluation value for each light receiving device | x o ′−x o ′ -1 |
MAX is calculated, the difference between them is calculated, and the front focus and rear focus can be displayed based on the polarity, and a focus matching signal can be output when the evaluation values in both light receiving devices become zero.
Note that the motor 8 may be driven to move the photographing lens 1 in a direction in which the difference in the evaluation values described above becomes zero.
上述した実施例では、受光装置2のダーク値お
よび一様照明のときの光電出力をそれぞれA/D
変換して補正値メモリ33および43に格納した
が、同様の補正値は装置の組立段階でプログラマ
ブルROM(PROM)に書込んでおいてもよい。 In the above-described embodiment, the dark value of the light receiving device 2 and the photoelectric output during uniform illumination are each measured by A/D.
Although the converted values are stored in the correction value memories 33 and 43, similar correction values may be written in a programmable ROM (PROM) during the assembly stage of the device.
本発明の第2の実施例においては、上記ダーク
値および一様照明の光電出力をデジタル値として
予じめ書込んだPROMを用いる。 In a second embodiment of the present invention, a PROM is used in which the dark value and the photoelectric output of uniform illumination are written in advance as digital values.
第8図はかゝる合焦検出装置の構成を示すブロ
ツク図であり、第6図との違いは遮光手段31お
よび照明手段32が除かれている点と、補正値メ
モリ33および34の代わりにPROM36およ
び37を用いている点である。このように、所要
の補正データを予じめPROM36および37に
書込んでおけば、上述したように遮光手段および
照明手段を除くことができるから構成を簡単にで
きると共に、ダーク値および一様照明の光電出力
の測定を外部被写体に影響されることなく正確に
行なうことができる。また、特にPROM37の
メモリ容量を補正値メモリ34を用いる場合に比
べ大幅に削減することができる。すなわち、上述
した補正式(12)において、Vo=xo,VDo=boおよび
VSo=VSMAX−aoであるから、この補正式(12)は下記
のように直すことができる。 FIG. 8 is a block diagram showing the configuration of such a focus detection device, and the difference from FIG. This is because PROMs 36 and 37 are used. In this way, by writing the necessary correction data in the PROMs 36 and 37 in advance, it is possible to eliminate the light shielding means and illumination means as described above, which simplifies the configuration, and also enables dark value and uniform illumination. The photoelectric output can be accurately measured without being affected by external objects. Further, in particular, the memory capacity of the PROM 37 can be significantly reduced compared to the case where the correction value memory 34 is used. That is, in the above correction formula (12), V o = x o , V do = b o and
Since V So =V SMAX −a o , this correction formula (12) can be modified as follows.
VMAX=VSMAX/VSMAX−ao−bo(xo−bo) …(13)
こゝで、A/D変換回路3におけるA/D変換
のビツト数を8ビツトとすると、VSoは最高256
まで考えられる。このため、第6図のような補正
値メモリ34を用いるとそのメモリ容量は8XN
ビツト(Nは光電変換回路の数)必要となる。こ
れに対し、aoおよびboは高々5ビツトで済む量で
あるから、PROM37にVSoの代わりにaoの値を
書込むようにすればそのメモリ容量を大幅に削減
することができる。なお、この場合においても上
述した実施例と同様VSMAXは8ビツトの場合には
256に固定しても良いし、実在のVSMAXの値を8
ビツトを用いてPROM37に書込んでおいても
よい。 V MAX =V SMAX /V SMAX -a o -bo (x o -bo )...(13) Here, assuming that the number of bits for A/D conversion in the A/D conversion circuit 3 is 8 bits, V So is up to 256
I can think of up to. Therefore, if a correction value memory 34 as shown in Fig. 6 is used, its memory capacity is 8XN.
bits (N is the number of photoelectric conversion circuits) are required. On the other hand, since a o and b o only require 5 bits at most, if the value of a o is written in the PROM 37 instead of V So , the memory capacity can be significantly reduced. Note that in this case, as in the above embodiment, V SMAX is 8 bits.
You can fix it to 256, or change the actual value of V SMAX to 8.
It may also be written in the PROM 37 using bits.
第9図は第8図の中央処理装置5、デジタルメ
モリ4、PROM36,37および表示装置6の
部分を更に詳細に示すブロツク図であり、
PROM36には前記ダーク時データVD1〜VDN(b1
〜bN)が、PROM37にはVSMAX−VS1〜VSMAX−
VSN(a1〜ao)が予じめ書込んである。これ等補正
データao,boと被写体像の強度分布データxoから
補正強度xo′、評価値|xo′−xo′-1|MAXを求め
る手法は、第7図においてVDo→bo,VSo→ao,
VSo−VDo→256−ao−bo,256/VSo−VDo→256/
256−ao−boとするだけで、その他の操作は第7
図において説明したのと同様である。 FIG. 9 is a block diagram showing in more detail the central processing unit 5, digital memory 4, PROM 36, 37, and display device 6 shown in FIG.
The PROM36 contains the dark time data V D1 to V DN (b 1
~b N ), but PROM37 has V SMAX −V S1 ~V SMAX −
V SN (a 1 -a o ) is written in advance. The method of calculating the correction intensity x o ′ , evaluation value | →b o ,V So →a o ,
V So −V Do →256−a o −b o ,256/V So −V Do →256/
256−a o −b o The other operations are the seventh
This is the same as explained in the figure.
第10図は第8図に示す実施例のPROMの駆
動回路の一例を示す回路図である。PROMは通
常消費電流が大きいため、カメラ等のバツテリー
動作をさせるような装置では、常時通電させてお
くのは得策ではない。そこで本実施例ではトラン
ジスタ38を中央処理装置5からの信号でスイツ
チングさせることにより、PROMデータが必要
な場合のみバツテリー39からの電力をPROM
36,37に通電することによつて消費電力の節
減をはかつている。またバツテリー39から大電
流を引き出すと、内部抵抗による電圧降下が大き
くなるため、通電が短時間であつても動作が不安
定になる。これを防止するため、バツテリー39
と並列にコンデンサ40を接続し、このコンデン
サに予じめ電荷を十分に蓄えておいてその電荷を
用いてPROM36,37を動作させるようにし
た。 FIG. 10 is a circuit diagram showing an example of the PROM drive circuit of the embodiment shown in FIG. 8. Since PROMs usually consume a large amount of current, it is not a good idea to leave them energized all the time in devices that operate on batteries, such as cameras. Therefore, in this embodiment, by switching the transistor 38 using a signal from the central processing unit 5, power from the battery 39 is transferred to the PROM only when PROM data is required.
By energizing 36 and 37, power consumption is reduced. Furthermore, when a large current is drawn from the battery 39, the voltage drop due to the internal resistance becomes large, so that the operation becomes unstable even if the current is supplied for a short time. To prevent this, the battery 39
A capacitor 40 is connected in parallel with the capacitor 40, and a sufficient charge is stored in this capacitor in advance, and the PROMs 36 and 37 are operated using the charge.
なお、第8図に示した実施例ではboおよびaoの
両方を予じめPROM36および37にそれぞれ
書込んだが、中間的方法としてaoのみをPROM
に書込んでおき、撮影レンズ1と受光装置2との
間には遮光手段のみを配置してVDoは使用時に測
定して補正値メモリに格納するようにしてもよ
い。この場合もVDoおよびaoはビツト数が少なく
て済むから全体のメモリ容量を少くすることがで
きる。 In the embodiment shown in FIG. 8, both b o and a o are written in the PROMs 36 and 37, respectively, but as an intermediate method, only a o is written in the PROM 36 and 37, respectively.
, and only a light shielding means is disposed between the photographing lens 1 and the light receiving device 2, and V Do may be measured at the time of use and stored in the correction value memory. In this case as well, since V Do and a O require fewer bits, the overall memory capacity can be reduced.
以上の実施例においては、いずれもダーク値の
データ(VDoまたはbo)および一様照明時のデー
タ(VSoまたはao)を用いて、上述した()お
よび()の原因に基づく光電出力のばらつきを
補正して合焦検出を行なうようにした。しかし、
実際のホトダイオードについて、明時と暗時との
出力のばらつきを測定してみると、第11図に示
すように明時の出力VSおよび暗時の出力VDの形
がほぼ相似していることが多い。これはばらつき
の原因()、()のうち、()の光電変換効
率感度の違いは極く少なく、殆んどの要因が
()の原因によるものと考えられる。この場合、
各ホトダイオードの感度曲線は第12図に示すよ
うにほぼ平行直線で表わすことができる。したが
つて、上述した補正式(12)において、Vso−VDo=
VsMAXとすることができるから、
VMAX=Vo−VDo
すなわち、
xo′=xo−bo …(14)
と単純化することができる。 In each of the above examples, dark value data (V Do or b o ) and data under uniform illumination (V So or a o ) are used to generate photovoltaics based on the causes of () and () described above. Focus detection is now performed by correcting output variations. but,
When measuring the variation in output between bright and dark conditions for an actual photodiode, we found that the output V S during bright conditions and the output V D during dark conditions are almost similar in shape, as shown in Figure 11. There are many things. This is because among the causes of variation () and (), the difference in photoelectric conversion efficiency sensitivity of () is extremely small, and most of the factors are considered to be due to the cause of (). in this case,
The sensitivity curve of each photodiode can be represented by substantially parallel straight lines as shown in FIG. Therefore, in the above correction formula (12), V so −V Do =
Since it can be set as V sMAX , it can be simplified as V MAX =V o −V Do , that is, x o ′=x o −b o (14).
本発明の第3の実施例においては、上記(14)
式に基いて光電出力のばらつきを補正して合焦検
出を行なう。 In the third embodiment of the present invention, the above (14)
Focus detection is performed by correcting variations in photoelectric output based on the formula.
第13図および第14図はかかる実施例の全体
の回路構成および要部の回路構成を示すブロツク
図であり、被写体像の光強度分布データを格納す
るデジタルメモリ4と並列にダーク値データを格
納する補正値メモリ42が接続されている。以
下、本実施例の動作を第2図をも参照して説明す
る。先ず中央処理装置5から受光装置2にチヤー
ジ信号(CHG)を送出した状態、すなわち第1
のゲート14−1〜14−Nを導通させた状態で
各光電変換回路11−1〜11−Nの出力をA/
D変換回路3でデジタル信号に変換して補正値メ
モリ42のそれぞれ所定の番地に格納する。この
ときの、光電変換回路11−1〜11−Nの出力
は、X点の電位がほぼVSSとなるからダークレベ
ルに対応し、これがA/D変換されてVD1〜VDN,
(b1〜bN)として補正値メモリ42に格納される。
なお、この補正値の測定は上述したと同様被写体
の撮影毎行なつてもよいし、一度測定したデータ
を複数回使用するようにしてもよい。 FIGS. 13 and 14 are block diagrams showing the overall circuit configuration and the circuit configuration of essential parts of this embodiment, in which the dark value data is stored in parallel with the digital memory 4 that stores the light intensity distribution data of the subject image. A correction value memory 42 is connected thereto. The operation of this embodiment will be explained below with reference to FIG. First, the state in which the charge signal (CHG) is sent from the central processing unit 5 to the light receiving device 2, that is, the first
With the gates 14-1 to 14-N conductive, the outputs of the photoelectric conversion circuits 11-1 to 11-N are A/
The D conversion circuit 3 converts the signals into digital signals and stores them at respective predetermined addresses in the correction value memory 42. At this time, the outputs of the photoelectric conversion circuits 11-1 to 11-N correspond to the dark level because the potential at the X point is approximately V SS , and this is A/D converted to V D1 to V DN ,
(b 1 to b N ) are stored in the correction value memory 42.
Note that the measurement of this correction value may be performed every time the subject is photographed, as described above, or data measured once may be used multiple times.
次に、通常の動作によりホトダイオード12−
1〜12−Nの光電出力を積分し、その積分値を
A/D変換回路3でデジタル信号に変換してV1
〜VN,(x1〜xN)をデジタルメモリ4の対応する
番地に格納する。 Next, the photodiode 12-
The photoelectric outputs of 1 to 12-N are integrated, and the integrated value is converted into a digital signal by the A/D conversion circuit 3, and V 1
˜V N , (x 1 ˜x N ) are stored in the corresponding addresses of the digital memory 4.
所要のデータがデジタルメモリ4および補正値
メモリ42に格納された後は、制御回路5−1は
アドレスレジスタ5−2を経てデジタルメモリ4
の所要の番地から積分値データxoを入力バツフア
5−3、アキユムレータ5−4および内部メモリ
5−5を経て演算回路5−6の入力ポートAにセ
ツトする。次に補正値メモリ42の対応する番地
の補正データboをアキユムレータ5−4から演算
回路5−6の入力ポートBにセツトする。演算回
路5−6はxo′=xo−boを計算し、その結果をア
キユムレータ5−4にセツトする。 After the required data is stored in the digital memory 4 and the correction value memory 42, the control circuit 5-1 stores the data in the digital memory 4 via the address register 5-2.
Integral value data x o is set from a required address to input port A of arithmetic circuit 5-6 via input buffer 5-3, accumulator 5-4 and internal memory 5-5. Next, the correction data bo at the corresponding address in the correction value memory 42 is set from the accumulator 5-4 to the input port B of the arithmetic circuit 5-6. Arithmetic circuit 5-6 calculates x o '=x o -bo and sets the result in accumulator 5-4.
次に前回の計算結果xo-1−bo-1を内部メモリ5
−5のa)番地から演算回路5−6の入力ポート
Aに移し、アキユムレータ5−4の内容xo−bo=
xoを内部メモリ5−5のa)番地に格納するとと
もにこれを演算回路5−6の入力ポートBにセツ
トし、|xo′−xo′-1|を計算し、アキユムレータ
5−4に一時格納する。次に内部メモリ5−5の
b)番地から演算回路5−6の入力ポートAに|
xo′−x′o-1|MAXを移し、アキユムレータ5−4
の|x′o−x′o-1|と比較して大きな方を内部メモ
リ5−5のb)番地に格納する。 Next, store the previous calculation result x o-1 −b o-1 in the internal memory 5
-5 from address a) to the input port A of the arithmetic circuit 5-6, and the contents of the accumulator 5-4 x o -b o =
x o is stored in address a) of the internal memory 5-5, and is set to the input port B of the arithmetic circuit 5-6, |x o ′−x o ′ -1 | is calculated, and the accumulator 5-4 Temporarily stored in . Next, from address b) of internal memory 5-5 to input port A of arithmetic circuit 5-6 |
x o ′−x′ o-1 | Move MAX , accumulator 5-4
|x′ o −x′ o-1 |, and the larger one is stored at address b) in the internal memory 5-5.
以上の動作をN−1回繰り返すことにより内部
メモリ5−5のb)番地には最終的に補正された
光強度分布データx′1〜x′oによる|x′o−x′o-1|MA
Xが格納されることになる。この評価値|x′o−
x′o-1|MAXに基いて出力バツフア5−7を経て表
示装置6に焦点状態を表示させたり、モータ8を
経て撮影レンズ1を光軸方向に移動させて焦点調
整を行なうことができる。 By repeating the above operation N-1 times, the finally corrected light intensity distribution data x' 1 to x' o is stored at address b) in the internal memory 5-5 | x' o −x' o-1 | MA
X will be stored. This evaluation value | x′ o −
x′ o-1 | Based on MAX , the focus state can be displayed on the display device 6 via the output buffer 5-7, and the focus can be adjusted by moving the photographing lens 1 in the optical axis direction via the motor 8. .
本実施例においては遮光手段や一様照明手段が
必要でないから、構成が簡単になるとともに1つ
の補正値メモリ42にダーク値データのみを格納
すればよいからその容量を極めて少くすることが
できる。また、補正演算が簡単であるから、これ
を高速に行なうことができる。さらに、ダーク値
データをPROMに予じめ格納する場合に比べ、
各光電変換回路の経時変化にも対応できる利点が
ある。 In this embodiment, since no light shielding means or uniform illumination means are required, the configuration becomes simple, and since it is only necessary to store dark value data in one correction value memory 42, its capacity can be extremely reduced. Furthermore, since the correction calculation is simple, it can be performed at high speed. Furthermore, compared to storing dark value data in PROM in advance,
This has the advantage of being able to deal with changes over time in each photoelectric conversion circuit.
上述したように、ダーク値データのみを用いて
光電出力のばらつきを補正して合焦検出を行なう
場合、V1〜VN,(x1〜xN)のデータ長が8ビツ
ドであるのに対し、例えばダーク値データVDoが
最大31であるとすると、補正値メモリ42は5ビ
ツトの入出力ラインを必要とし、内部メモリセル
の構成も5XNビツトとする必要がある。しかし、
現在のメモリー技術あるいはデジタルデータ処理
技術では、5ビツトのデータは極めて扱いにくい
量である。そこで、本発明の第4の実施例におい
ては、ダーク値データVDoが5ビツトのデータ長
を有する場合であつても補正値メモリ42は通常
使用されている4ビツトXNの規模のものを用
い、第15図に示すようにその入力ラインをA/
D変換回路3のLSBを除いて2〜5ビツトに接
続し、出力ラインは1〜4ビツトに接続する。こ
のようにすれば、A/D変換回路3からの出力を
VDoとすると、中央処理装置5に読込まれる値は
VDo/2となる。 As mentioned above, when performing focus detection by correcting variations in photoelectric output using only dark value data, even though the data length of V 1 to V N and (x 1 to x N ) is 8 bits, On the other hand, if, for example, the dark value data V Do is 31 at maximum, the correction value memory 42 requires a 5-bit input/output line, and the internal memory cell configuration also needs to be 5XN bits. but,
Five bits of data is an extremely difficult amount to handle with current memory or digital data processing technology. Therefore, in the fourth embodiment of the present invention, even if the dark value data V Do has a data length of 5 bits, the correction value memory 42 uses a normally used 4-bit XN size memory. , its input line is connected to A/A as shown in FIG.
It is connected to the 2nd to 5th bits of the D conversion circuit 3 except for the LSB, and the output line is connected to the 1st to 4th bits. In this way, the output from the A/D conversion circuit 3 can be
If V Do , the value read into the central processing unit 5 is
V Do /2.
以下、この場合の補正操作について第16図を
参照して説明する。 The correction operation in this case will be described below with reference to FIG. 16.
先ず中央処理装置5は受光装置2をチヤージ状
態にしたまま受光装置2からのN個のダーク出力
をA/D変換回路3でデジタル信号に変換し補正
値メモリ42にVD1/2〜VDN/2として格納す
る。次にチヤージ状態を解除して積分を開始し、
被写体強度に対応した積分値のデジタルデータx1
〜xoをデジタルメモリ4に格納する。 First, the central processing unit 5 converts the N dark outputs from the light receiving device 2 into digital signals with the A/D conversion circuit 3 while keeping the light receiving device 2 in a charge state, and stores them in the correction value memory 42 as V D1 /2 to V DN. /2. Next, release the charge state and start the integration.
Digital data of integral value corresponding to subject intensity x 1
~x o is stored in the digital memory 4.
所要のデータがデジタルメモリ4および補正値
メモリ42に格納された後、制御回路はアドレス
レジスタ5−2を介して補正値メモリ42の所要
のアドレスをアクセスして補正データbn/2
(VD1/2)を入力バツフア5−3アキユムレー
タ5−4を介して演算回路5−6の入力ポートB
にセツトし、左すなわちLSB側に1ビツトシフ
トした後内部メモリ5−5のc)番地に格納す
る。次にデジタルメモリ4の対応するアドレスを
アクセスしてデータxoを読込み、演算回路5−6
の入力ポートBにセツトすると共に内部メモリ5
−5のc)番地から(bo/2)×2を演算回路5
−6の入力ポートAにセツトして、x′o=xo−
(bn/2)×2を計算してアキユムレータ5−4
にセツトする。 After the required data is stored in the digital memory 4 and the correction value memory 42, the control circuit accesses the required address of the correction value memory 42 via the address register 5-2 and stores the correction data bn/2.
(V D1 /2) is input to the input port B of the arithmetic circuit 5-6 via the buffer 5-3 and the accumulator 5-4.
is set, shifted one bit to the left, that is, to the LSB side, and then stored at address c) in the internal memory 5-5. Next, the corresponding address of the digital memory 4 is accessed to read the data x o , and the arithmetic circuit 5-6
input port B of the internal memory 5.
Calculation circuit 5 calculates (b o /2) x 2 from address -5 c)
-6 input port A, x′ o = x o −
(bn/2)×2 and calculate the accumulator 5-4
Set to .
次に、内部メモリ5−5のa)番地から先に求
めたx′o-1を演算回路5−6の入力ポートAにセ
ツトし、x′oを内部メモリ5−5のa)番地に格
納するとともに演算回路5−6の入力ポートBに
セツトして|x′o−x′o-1|を計算して演算回路5
−6の入力ポートBに戻す。その後、内部メモリ
5−5のb)番地の|x′o−x′o-1|MAXを演算回路
5−6の入力ポートAにセツトしてそれらの大小
を比較し、大きい方を内部メモリ5−5のb)番
地は格納する。これをN−1回繰り返すことによ
り、評価値|x′o−x′o-1|MAXを求めることができ
る。 Next, x'o -1 , which was previously obtained from address a) of internal memory 5-5, is set to input port A of arithmetic circuit 5-6, and x'o is set to address a) of internal memory 5-5. At the same time, it is stored in the input port B of the arithmetic circuit 5-6, and the arithmetic circuit 5 calculates |x′ o −x′ o-1 |.
-6 input port B. After that, |x′ o −x′ o-1 | MAX at address b) of the internal memory 5-5 is set to the input port A of the arithmetic circuit 5-6, their magnitudes are compared, and the larger one is stored in the internal memory. The b) address of 5-5 is stored. By repeating this N-1 times, the evaluation value |x′ o −x′ o-1 | MAX can be obtained.
ここで、(bo/2)−2の値は必ずしもbnと一
致せず、例えばbn=5の場合には、(bn/2)×
2は4となる。すなわち、上記のようにVDoを
VDo/2の形で補正値とした場合には、1LSBの
誤差が生じる可能性があるが、全体の補正精度か
らみた場合、その影響はごく少なく、5ビツトの
データを扱う場合に比べて極めて有利である。 Here, the value of (b o /2) - 2 does not necessarily match bn; for example, in the case of bn = 5, (bn/2) ×
2 becomes 4. i.e. V Do as above
When using the correction value in the form of V Do /2, there is a possibility that an error of 1LSB may occur, but from the perspective of the overall correction accuracy, this effect is very small and compared to when handling 5-bit data. Extremely advantageous.
本実施例によれば補正値メモリ42が少容量で
済むとともに、演算語長も短かくて済む利点があ
る。 According to this embodiment, the correction value memory 42 has the advantage of requiring a small capacity and the calculation word length being short.
上述したように本発明では、受光装置を構成す
る複数の光電変換回路の特性のばらつきを補正し
て合焦検出を行なうようにしたから、コントラス
トの低い物体でも合焦検出を高精度に行なうこと
ができる。 As described above, in the present invention, focus detection is performed by correcting variations in the characteristics of the plurality of photoelectric conversion circuits that constitute the light receiving device, so that focus detection can be performed with high precision even for objects with low contrast. Can be done.
第1図は従来の合焦検出装置の構成を示すブロ
ツク図、第2図は第1図に示す受光装置の回路構
成図、第3図はその動作を説明するための信号波
形図、第4図は第1図に示す受光装置を構成する
光電変換回路の特性のばらつきを説明するための
線図、第5図は本発明の合焦検出装置において適
用する補正方法を説明するための線図、第6図は
本発明の合焦検出装置の一例の構成を示すブロツ
ク図、第7図はその動作を説明するための要部の
詳細な構成を示すブロツク図、第8図は本発明の
合焦検出装置の他の例の構成を示すブロツク図、
第9図はその動作を説明するための要部の詳細な
構成を示すブロツク図、第10図は第8図に示す
PROMの駆動回路の一例を示す回路図、第11
図は受光装置を構成する各光電変換回路のダーク
レベルと一様照明時のライトレベルを比較して示
す線図、第12図は同じく各光電変換回路を構成
するホトダイオードの感度特性を示す線図、第1
3図は本発明の合焦検出装置の更に他の例の構成
を示すブロツク図、第14図はその動作を説明す
るための要部の詳細な構成を示すブロツク図、第
15図は本発明の合焦検出装置の更に他の例の要
部の構成を示すブロツク図、第16図はその動作
を説明するための要部の詳細な構成を示すブロツ
ク図である。
1……撮影レンズ、2……受光装置、3……
A/D変換回路、4……デジタルメモリ、5……
中央処理装置、6……表示装置、7……モータ駆
動回路、8……モータ、11−1〜11−N……
光電変換回路、12−1〜12−N……ホトダイ
オード、31……遮光手段、32……照明手段、
33,34……補正値メモリ、36,37……
PROM。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a conventional focus detection device, FIG. 2 is a circuit diagram of the light receiving device shown in FIG. 1, FIG. 3 is a signal waveform diagram for explaining its operation, and FIG. The figure is a diagram for explaining variations in the characteristics of the photoelectric conversion circuit that constitutes the light receiving device shown in Figure 1, and Figure 5 is a diagram for explaining the correction method applied in the focus detection device of the present invention. , FIG. 6 is a block diagram showing the configuration of an example of the focus detection device of the present invention, FIG. 7 is a block diagram showing the detailed configuration of main parts for explaining its operation, and FIG. 8 is a block diagram showing the configuration of an example of the focus detection device of the present invention. A block diagram showing the configuration of another example of the focus detection device,
Figure 9 is a block diagram showing the detailed configuration of the main parts to explain its operation, and Figure 10 is shown in Figure 8.
Circuit diagram showing an example of a PROM drive circuit, No. 11
The figure is a diagram comparing the dark level of each photoelectric conversion circuit that makes up the light receiving device and the light level during uniform illumination. Figure 12 is a diagram that also shows the sensitivity characteristics of the photodiode that makes up each photoelectric conversion circuit. , 1st
FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of still another example of the focus detection device of the present invention, FIG. 14 is a block diagram showing the detailed configuration of the main part for explaining its operation, and FIG. 15 is a block diagram showing the configuration of still another example of the focus detection device of the present invention. FIG. 16 is a block diagram showing the detailed structure of the main part of still another example of the focus detection device, and FIG. 16 is a block diagram showing the detailed structure of the main part for explaining its operation. 1...Photographing lens, 2...Light receiving device, 3...
A/D conversion circuit, 4...Digital memory, 5...
Central processing unit, 6...Display device, 7...Motor drive circuit, 8...Motor, 11-1 to 11-N...
Photoelectric conversion circuit, 12-1 to 12-N... photodiode, 31... light shielding means, 32... lighting means,
33, 34... Correction value memory, 36, 37...
PROM.
Claims (1)
分を受光するそれぞれ受光素子を有する複数の積
分形の光電変換回路から成る受光装置と、この受
光装置からの複数の光電出力の積分値をデジタル
信号に変換するアナログ−デジタル変換回路と、
このアナログ−デジタル変換回路からの前記物体
像の光強度分布に応じた前記複数の光電変換回路
からの積分値にそれぞれ対応するデジタル信号を
格納するデジタルメモリとを具え、このデジタル
メモリに格納された複数のデジタル信号を所定の
評価関数に基いて演算して前記物体像の合焦状態
を検出するようにした合焦検出装置において、 前記受光装置への入射光を選択的に遮光する遮
光手段および受光装置を選択的に一様照明する照
明手段を設けると共に、前記デジタルメモリと並
列に2個の補正値メモリを接続して設け、前記遮
光手段を作動させた状態での前記受光装置の複数
の光電出力を前記アナログ−デジタル変換回路で
デジタル信号に各々変換してダーク値データとし
て前記補正値メモリの一方に格納し、前記照明手
段を作動させた状態での前記受光装置の複数の光
電出力をライト値データとして前記補正値メモリ
の他方に格納し、これら補正値メモリに格納した
ダーク値データおよびライト値データにより前記
デジタルメモリに格納された前記物体像の光強度
分布に応じたデジタル信号を補正して物体像の合
焦状態を検出するよう構成したことを特徴とする
合焦検出装置。 2 光学系により形成される物体像の少く共一部
分を受光するそれぞれ受光素子を有する複数の積
分形の光電変換回路から成る受光装置と、この受
光装置からの複数の光電出力の積分値をデジタル
信号に変換するアナログ−デジタル変換回路と、
このアナログ−デジタル変換回路からの前記物体
像の光強度分布に応じた前記複数の光電変換回路
からの積分値にそれぞれ対応するデジタル信号を
格納するデジタルメモリとを具え、このデジタル
メモリに格納された複数のデジタル信号を所定の
評価関数に基いて演算して前記物体像の合焦状態
を検出するようにした合焦検出装置において、 前記受光装置に光を入射させない状態での複数
の光電出力を各々デジタル化した値をダーク値デ
ータとして予じめ記憶した第1の不揮発性記憶手
段と、前記受光装置を一様照明したときの光電出
力の最大値から各光電出力の差をデジタル化した
値をライト値データとして予じめ記憶した第2の
不揮発性記憶手段とを具え、これら第1および第
2の不揮発性記憶手段に予じめ記憶したダーク値
データおよびライト値データにより前記デジタル
メモリに格納された前記物体像の光強度分布に応
じたデジタル信号を補正して物体像の合焦状態を
検出するよう構成したことを特徴とする合焦検出
装置。 3 前記受光装置を一様照明したときの光電出力
の最大値を前記アナログ−デジタル変換回路にお
けるデジタル信号の最大値に対応させるよう構成
したことを特徴とする特許請求の範囲第2項記載
の合焦検出装置。 4 光学系により形成される物体像の少く共一部
分を受光するそれぞれ受光素子を有する複数の積
分形の光電変換回路から成る受光装置と、この受
光装置からの複数の光電出力の積分値をデジタル
信号に変換するアナログ−デジタル変換回路と、
このアナログ−デジタル変換回路からの前記物体
像の光強度分布に応じた前記複数の光電変換回路
からの積分値にそれぞれ対応するデジタル信号を
格納するデジタルメモリとを具え、このデジタル
メモリに格納された複数のデジタル信号を所定の
評価関数に基いて演算して前記物体像の合焦状態
を検出するようにした合焦検出装置において、 前記受光装置への入射光を選択的に遮光する遮
光手段と、前記デジタルメモリに並列に接続した
補正値メモリと、前記受光装置を一様照明したと
きの光電出力の最大値から各光電出力の差をデジ
タル化した値をライト値データとして予じめ記憶
した不揮発性記憶手段とを具え、前記遮光手段を
作動させた状態での前記受光装置の複数の光電出
力を前記アナログ−デジタル変換回路でデジタル
信号に各々変換してダーク値データとして前記補
正値メモリに格納し、この補正値メモリに格納し
たダーク値データおよび前記不揮発性記憶手段に
予じめ記憶したライト値データにより前記デジタ
ルメモリに格納された前記物体像の光強度分布に
応じたデジタル信号を補正して物体像の合焦状態
を検出するよう構成したことを特徴とする合焦検
出装置。 5 前記受光装置を一様照明したときの光電出力
の最大値を前記アナログ−デジタル変換回路にお
けるデジタル信号の最大値に対応させるよう構成
したことを特徴とする特許請求の範囲第4項記載
の合焦検出装置。 6 光学系により形成される物体像の少く共一部
分を受光するそれぞれ受光素子を有する複数の積
分形の光電変換回路から成る受光装置と、この受
光装置からの複数の光電出力の積分値をデジタル
信号に変換するアナログ−デジタル変換回路と、
このアナログ−デジタル変換回路からの前記物体
像の光強度分布に応じた前記複数の光電変換回路
からの積分値にそれぞれ対応するデジタル信号を
格納するデジタルメモリとを具え、このデジタル
メモリに格納された複数のデジタル信号を所定の
評価関数に基いて演算して前記物体像の合焦状態
を検出するようにした合焦検出装置において、 前記デジタルメモリと並列に補正値メモリを接
続して設け、この補正値メモリに前記受光装置に
物体像を投影したままで積分開始時の直前の複数
の光電出力を前記アナログ−デジタル変換回路で
デジタル信号に各々変換してダーク値データとし
て格納し、この補正値メモリに格納したダーク値
データにより前記デジタルメモリに格納された前
記物体像の光強度分布に応じたデジタル信号を補
正して物体像の合焦状態を検出することを特徴と
する合焦検出装置。 7 光学系により形成される物体像の少く共一部
分を受光するそれぞれ受光素子を有する複数の積
分形の光電変換回路から成る受光装置と、この受
光装置からの複数の光電出力の積分値をデジタル
信号に変換するアナログ−デジタル変換回路と、
このアナログ−デジタル変換回路からの前記物体
像の光強度分布に応じた前記複数の光電変換回路
からの積分値にそれぞれ対応するデジタル信号を
格納するデジタルメモリとを具え、このデジタル
メモリに格納された複数のデジタル信号を所定の
評価関数に基いて演算して前記物体像の合焦状態
を検出するようにした合焦検出装置において、 前記デジタルメモリと並列に該デジタルメモリ
のビツト数よりも少ないビツト数の補正値メモリ
を接続して設け、前記受光装置に物体像を投影し
たままで積分開始時の直前の複数の光電出力を前
記アナログ−デジタル変換回路でデジタル信号に
各々変換し、このデジタル信号の1/2k(kは正の 整数)をダーク値データとして前記補正値メモリ
に格納するようにしてこの補正値メモリに格納し
たダーク値データにより前記デジタルメモリに格
納された前記物体像の光強度分布に応じたデジタ
ル信号を補正して物体像の合焦状態を検出するこ
とを特徴とする合焦検出装置。[Scope of Claims] 1. A light receiving device comprising a plurality of integral type photoelectric conversion circuits each having a light receiving element that receives a small common portion of an object image formed by an optical system, and a plurality of photoelectric outputs from this light receiving device. an analog-to-digital conversion circuit that converts the integral value of into a digital signal;
a digital memory for storing digital signals respectively corresponding to integral values from the plurality of photoelectric conversion circuits according to the light intensity distribution of the object image from the analog-to-digital conversion circuit; A focus detection device that calculates a plurality of digital signals based on a predetermined evaluation function to detect a focused state of the object image, comprising: a light blocking means that selectively blocks incident light to the light receiving device; An illumination means for selectively and uniformly illuminating the light receiving device is provided, and two correction value memories are connected in parallel with the digital memory, and a plurality of correction value memories of the light receiving device are provided when the light blocking means is activated. Each of the photoelectric outputs is converted into a digital signal by the analog-to-digital conversion circuit and stored as dark value data in one of the correction value memories, and the plurality of photoelectric outputs of the light receiving device are detected while the illumination means is activated. The dark value data and light value data stored in the correction value memory are stored as light value data in the other correction value memory, and the digital signal corresponding to the light intensity distribution of the object image stored in the digital memory is corrected. 1. A focus detection device configured to detect a focused state of an object image. 2. A light receiving device consisting of a plurality of integral type photoelectric conversion circuits each having a light receiving element that receives a small common portion of an object image formed by an optical system, and a digital signal representing the integral value of a plurality of photoelectric outputs from this light receiving device. an analog-to-digital conversion circuit that converts the
a digital memory for storing digital signals respectively corresponding to integral values from the plurality of photoelectric conversion circuits according to the light intensity distribution of the object image from the analog-to-digital conversion circuit; In a focus detection device that calculates a plurality of digital signals based on a predetermined evaluation function to detect a focused state of the object image, the plurality of photoelectric outputs are detected in a state where no light is incident on the light receiving device. A first non-volatile storage means that stores each digitized value in advance as dark value data, and a value obtained by digitizing the difference between each photoelectric output from the maximum value of the photoelectric output when the light receiving device is uniformly illuminated. and a second non-volatile storage means in which the data is stored in advance as light value data, and the dark value data and the light value data stored in advance in the first and second non-volatile storage means are used to store the dark value data and the light value data in advance in the digital memory. A focus detection device, characterized in that the device is configured to detect a focused state of an object image by correcting a digital signal according to a light intensity distribution of the stored object image. 3. The combination according to claim 2, characterized in that the maximum value of the photoelectric output when the light receiving device is uniformly illuminated corresponds to the maximum value of the digital signal in the analog-to-digital conversion circuit. Focus detection device. 4. A light receiving device consisting of a plurality of integral type photoelectric conversion circuits each having a light receiving element that receives a small common portion of an object image formed by an optical system, and a digital signal representing the integral value of a plurality of photoelectric outputs from this light receiving device. an analog-to-digital conversion circuit that converts the
a digital memory for storing digital signals respectively corresponding to integral values from the plurality of photoelectric conversion circuits according to the light intensity distribution of the object image from the analog-to-digital conversion circuit; A focus detection device that calculates a plurality of digital signals based on a predetermined evaluation function to detect a focused state of the object image, further comprising: a light blocking means for selectively blocking light incident on the light receiving device; , a correction value memory connected in parallel to the digital memory and a value obtained by digitizing the difference between each photoelectric output from the maximum value of the photoelectric output when the light receiving device is uniformly illuminated is stored in advance as light value data. nonvolatile storage means, each of the plurality of photoelectric outputs of the light receiving device in a state in which the light shielding means is activated is converted into a digital signal by the analog-to-digital conversion circuit, and is stored in the correction value memory as dark value data. and correct a digital signal according to the light intensity distribution of the object image stored in the digital memory using the dark value data stored in the correction value memory and the light value data stored in advance in the nonvolatile storage means. 1. A focus detection device configured to detect a focused state of an object image. 5. The combination according to claim 4, characterized in that the maximum value of the photoelectric output when the light receiving device is uniformly illuminated corresponds to the maximum value of the digital signal in the analog-to-digital conversion circuit. Focus detection device. 6 A light receiving device consisting of a plurality of integral type photoelectric conversion circuits each having a light receiving element that receives a small common portion of an object image formed by an optical system, and a digital signal representing the integral value of a plurality of photoelectric outputs from this light receiving device. an analog-to-digital conversion circuit that converts the
a digital memory for storing digital signals respectively corresponding to integral values from the plurality of photoelectric conversion circuits according to the light intensity distribution of the object image from the analog-to-digital conversion circuit; In a focus detection device configured to detect a focused state of the object image by calculating a plurality of digital signals based on a predetermined evaluation function, a correction value memory is provided connected in parallel with the digital memory, and the correction value memory is connected in parallel with the digital memory. A plurality of photoelectric outputs immediately before the start of integration are converted into digital signals by the analog-to-digital conversion circuit and stored as dark value data in the correction value memory while the object image is projected onto the light receiving device, and the correction value is stored in the correction value memory. 1. A focus detection device for detecting a focused state of an object image by correcting a digital signal corresponding to a light intensity distribution of the object image stored in the digital memory using dark value data stored in the memory. 7 A light receiving device consisting of a plurality of integral type photoelectric conversion circuits each having a light receiving element that receives a small common portion of an object image formed by an optical system, and a digital signal representing the integral value of a plurality of photoelectric outputs from this light receiving device. an analog-to-digital conversion circuit that converts the
a digital memory for storing digital signals respectively corresponding to integral values from the plurality of photoelectric conversion circuits according to the light intensity distribution of the object image from the analog-to-digital conversion circuit; In a focus detection device configured to detect a focused state of the object image by calculating a plurality of digital signals based on a predetermined evaluation function, the focus detection device includes a plurality of bits smaller than the number of bits of the digital memory in parallel with the digital memory. A plurality of correction value memories are connected to each other, and while the object image is projected onto the light receiving device, a plurality of photoelectric outputs immediately before the start of integration are each converted into digital signals by the analog-to-digital conversion circuit, and the digital signals are converted into digital signals. 1/2k (k is a positive integer) of 1/2k (k is a positive integer) is stored in the correction value memory as dark value data, and the light intensity of the object image is stored in the digital memory based on the dark value data stored in this correction value memory. A focus detection device that detects a focused state of an object image by correcting a digital signal according to distribution.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4609581A JPS57161713A (en) | 1981-03-28 | 1981-03-28 | Focusing detector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP4609581A JPS57161713A (en) | 1981-03-28 | 1981-03-28 | Focusing detector |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57161713A JPS57161713A (en) | 1982-10-05 |
JPH0113083B2 true JPH0113083B2 (en) | 1989-03-03 |
Family
ID=12737424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4609581A Granted JPS57161713A (en) | 1981-03-28 | 1981-03-28 | Focusing detector |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPS57161713A (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6086409A (en) * | 1983-10-18 | 1985-05-16 | Canon Inc | Range finder |
Citations (3)
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JPS50159216A (en) * | 1974-06-12 | 1975-12-23 | ||
JPS5145556A (en) * | 1974-10-17 | 1976-04-19 | Ricoh Kk | Kyorikenshutsu hoho oyobi sochi |
JPS5432013A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-09 | Nec Corp | Picture element correction system for image sensor |
-
1981
- 1981-03-28 JP JP4609581A patent/JPS57161713A/en active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50159216A (en) * | 1974-06-12 | 1975-12-23 | ||
JPS5145556A (en) * | 1974-10-17 | 1976-04-19 | Ricoh Kk | Kyorikenshutsu hoho oyobi sochi |
JPS5432013A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-09 | Nec Corp | Picture element correction system for image sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57161713A (en) | 1982-10-05 |
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