JPH01130566U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01130566U JPH01130566U JP2713188U JP2713188U JPH01130566U JP H01130566 U JPH01130566 U JP H01130566U JP 2713188 U JP2713188 U JP 2713188U JP 2713188 U JP2713188 U JP 2713188U JP H01130566 U JPH01130566 U JP H01130566U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicone rubber
- light emitting
- field effect
- effect transistor
- mos field
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
第１図は、本考案の一実施例の一部破断斜視図
、第２図は第１図のＡ―Ａ線断面図、第３図は本
考案の一実施例の回路図である。 １……発光ダイオード素子、２……光起電力ダ
イオードアレー素子、２，３……ＭＯＳ電界効果
トランジスタ素子、４……内部リード、５……透
明シリコンゴム、６……白色シリコンゴム、７…
…光結合部、８……金線、９……モールド樹脂、
１２……制御回路、１７……シリコンゴム。
、第２図は第１図のＡ―Ａ線断面図、第３図は本
考案の一実施例の回路図である。 １……発光ダイオード素子、２……光起電力ダ
イオードアレー素子、２，３……ＭＯＳ電界効果
トランジスタ素子、４……内部リード、５……透
明シリコンゴム、６……白色シリコンゴム、７…
…光結合部、８……金線、９……モールド樹脂、
１２……制御回路、１７……シリコンゴム。
Claims (1)
- 発光ダイオード素子と光起電極ダイオードアレ
ー素子とＭＯＳ電界効果トランジスタ素子とがそ
れぞれ分離した内部リード上に接合され、前記発
光ダイオードと前記光起電力ダイオードアレー素
子とが光通路としての透明シリコンゴムで覆われ
、前記各素子がモールド樹脂で封止された固体リ
レーにおいて、前記ＭＯＳ電界効果トランジスタ
素子は、シリコンゴムで該トランジスタ素子が接
合されている内部リードの上面部に達するまで完
全に複われていることを特徴とする固定リレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2713188U JPH01130566U (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2713188U JPH01130566U (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01130566U true JPH01130566U (ja) | 1989-09-05 |
Family
ID=31249372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2713188U Pending JPH01130566U (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01130566U (ja) |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP2713188U patent/JPH01130566U/ja active Pending