JPH01128996A - ヌクレオシド誘導体、特に2′−デオキシシチジン及びオリゴヌクレオチド合成へのそれらの使用 - Google Patents
ヌクレオシド誘導体、特に2′−デオキシシチジン及びオリゴヌクレオチド合成へのそれらの使用Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07H—SUGARS; DERIVATIVES THEREOF; NUCLEOSIDES; NUCLEOTIDES; NUCLEIC ACIDS
- C07H19/00—Compounds containing a hetero ring sharing one ring hetero atom with a saccharide radical; Nucleosides; Mononucleotides; Anhydro-derivatives thereof
- C07H19/02—Compounds containing a hetero ring sharing one ring hetero atom with a saccharide radical; Nucleosides; Mononucleotides; Anhydro-derivatives thereof sharing nitrogen
- C07H19/04—Heterocyclic radicals containing only nitrogen atoms as ring hetero atom
- C07H19/06—Pyrimidine radicals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なヌクレオシド誘導体及びオリゴヌクレオ
チド合成へのそれらの使用に関する。
チド合成へのそれらの使用に関する。
より特定的には、特にオリゴヌクレオチド、中でもシト
シンすなわち環外Nl2基を有するピリミジン塩基のひ
とつから形成されるオリゴヌクレオチドの合成に有用な
ヌクレオシド誘導体に関する。
シンすなわち環外Nl2基を有するピリミジン塩基のひ
とつから形成されるオリゴヌクレオチドの合成に有用な
ヌクレオシド誘導体に関する。
オリゴヌクレオチド合成は、ヌクレオシド間をリン酸基
で結合してDNA (デオキシリポ核M)鎖又はRNA
(リボ核酸)鎖を形成することからなる。この組立反
応では、ヌクレオチド間のリン酸基によって1つのヌク
レオシドの3′位のヒドロキシル基ともう1つのヌクレ
オシドの5′位のヒドロキシル基とが結合される。従っ
て、この合成反応中は、ヌクレオシドの3′及び5′末
端のみが反応に関与し、使用した核酸塩基(プリン又は
ピリミジン塩基)はこの反応に関与してはならない。
で結合してDNA (デオキシリポ核M)鎖又はRNA
(リボ核酸)鎖を形成することからなる。この組立反
応では、ヌクレオチド間のリン酸基によって1つのヌク
レオシドの3′位のヒドロキシル基ともう1つのヌクレ
オシドの5′位のヒドロキシル基とが結合される。従っ
て、この合成反応中は、ヌクレオシドの3′及び5′末
端のみが反応に関与し、使用した核酸塩基(プリン又は
ピリミジン塩基)はこの反応に関与してはならない。
塩基が環外Nl2基を有しているときには、矛蝉≠喘用
オリゴヌクレオチドの合成中これらのNl2基を保護す
る必要がある。これは、このようなオリゴヌクレオチド
が反応性でありすぎ、合成反応を妨害するかもしれない
からである。
オリゴヌクレオチドの合成中これらのNl2基を保護す
る必要がある。これは、このようなオリゴヌクレオチド
が反応性でありすぎ、合成反応を妨害するかもしれない
からである。
環外Nl2基の保護はいくつかの要件に従わなければな
らない。すなわち: (a)選択的かつl容易に実施できなければならない: (b)ヌクレオシドの他の部位の反応性を変化させlて
はならず、オリゴヌクレオチド合成の全段階/を通じて
ずつと安定でなくてはならない;そして(C)合成後オ
リゴヌクレオチドを破壊することなく緩和な条件下で除
去可能でなければならない。
らない。すなわち: (a)選択的かつl容易に実施できなければならない: (b)ヌクレオシドの他の部位の反応性を変化させlて
はならず、オリゴヌクレオチド合成の全段階/を通じて
ずつと安定でなくてはならない;そして(C)合成後オ
リゴヌクレオチドを破壊することなく緩和な条件下で除
去可能でなければならない。
ヌクレオシドの環外N82Mは、例えば、11゜5ch
allcrらがJ、 Amer、 Chel、 Soc
、、 1963.第85巻、 3821〜3821ペー
ジに記載したようにアデニン及びシトシンの場合にはベ
ンゾイル又はアニソイル基により、そしてtl、 Bu
c旧及びI+、にh Or a n aがJ、 Mol
Riot、、 1972.第r23 、 251〜2
88ページに記載したようにグアニンの場合にはイソブ
ブーリル基により、アミドの形で保I!されることが最
も多い。
allcrらがJ、 Amer、 Chel、 Soc
、、 1963.第85巻、 3821〜3821ペー
ジに記載したようにアデニン及びシトシンの場合にはベ
ンゾイル又はアニソイル基により、そしてtl、 Bu
c旧及びI+、にh Or a n aがJ、 Mol
Riot、、 1972.第r23 、 251〜2
88ページに記載したようにグアニンの場合にはイソブ
ブーリル基により、アミドの形で保I!されることが最
も多い。
これらの保護基は、合成の最後に60℃で17時間、2
8%アンモニアを作用させることにより除去することが
できる。しかしながら、プロトンのNMRによって示さ
れるように、これらの条件下ではグアニンの全てのイソ
ブチリル基が除去されることはない。従って、この場合
は反応時間を60℃で72時間に延長するのが好ましい
。
8%アンモニアを作用させることにより除去することが
できる。しかしながら、プロトンのNMRによって示さ
れるように、これらの条件下ではグアニンの全てのイソ
ブチリル基が除去されることはない。従って、この場合
は反応時間を60℃で72時間に延長するのが好ましい
。
この保護基除去法の使用条件は、例えば5.6−シヒド
ロチミジンの場合のようにアルカリ性媒質中ではあまり
安定でない修飾ヌクレオチドが使用できるほどには十分
緩和ではなく、そのためこの方法の欠点となっている。
ロチミジンの場合のようにアルカリ性媒質中ではあまり
安定でない修飾ヌクレオチドが使用できるほどには十分
緩和ではなく、そのためこの方法の欠点となっている。
更に、支持体上での合成法により不安定なヌクレオシド
からオリゴヌクレオチドを合成するために特に使用でき
る、より容易に除去しうる他のアシル基の使用の可能性
に関連した研究もなされてきている。この場合の合成法
は、−殻内にはシリカから出来ている支持体に鎖の第一
のヌクレオシドを固定し、次に、第一のヌクレオシドに
他のヌクレオシドを所望の順序で固定するために順次縮
合サイクルを実施することからなる。より容易に除去し
うるアシル基を使用すると脱保護収量もより良くなりつ
るが、不完全に脱保護した塩基の存在は得られた産物の
使用にとって不利になるので、このことは非常に重要で
ある。
からオリゴヌクレオチドを合成するために特に使用でき
る、より容易に除去しうる他のアシル基の使用の可能性
に関連した研究もなされてきている。この場合の合成法
は、−殻内にはシリカから出来ている支持体に鎖の第一
のヌクレオシドを固定し、次に、第一のヌクレオシドに
他のヌクレオシドを所望の順序で固定するために順次縮
合サイクルを実施することからなる。より容易に除去し
うるアシル基を使用すると脱保護収量もより良くなりつ
るが、不完全に脱保護した塩基の存在は得られた産物の
使用にとって不利になるので、このことは非常に重要で
ある。
これらの研究の間に、ピリミジン石塁(シトシン)又は
プリン塩基(アデニン、グアニン)から形成したヌクレ
オシドの環外NH21は式:[式中、Rは水素原子又は
アルキル基を表わし、Rbは水素原子、アルキル基、ア
ルコ1キシ基又はアリールオキシ基を表わし、これらは
置換されていてもよい]のアシル基で保護しうろことが
発見された。特にこの基はグアニン及びアデニンがら形
成したヌクレオシドに対してはフェノキシアセデル基で
あり、シトシンから形成したヌクレオシドに対してはイ
ソブチリル基でありうる。これらの新しい保護基を使用
すると、室温で2時間のアンモニア処理によって完全な
脱保護が得られ、脱保護操作条件は顕著に緩和される。
プリン塩基(アデニン、グアニン)から形成したヌクレ
オシドの環外NH21は式:[式中、Rは水素原子又は
アルキル基を表わし、Rbは水素原子、アルキル基、ア
ルコ1キシ基又はアリールオキシ基を表わし、これらは
置換されていてもよい]のアシル基で保護しうろことが
発見された。特にこの基はグアニン及びアデニンがら形
成したヌクレオシドに対してはフェノキシアセデル基で
あり、シトシンから形成したヌクレオシドに対してはイ
ソブチリル基でありうる。これらの新しい保護基を使用
すると、室温で2時間のアンモニア処理によって完全な
脱保護が得られ、脱保護操作条件は顕著に緩和される。
□
しかしながら、(N−6−フエツキシアセチル)=2゛
−デオキシアデノシン誘導体及び(N−2−)1ノキシ
アセヂル)−2゛−デオキシグアノシン誘導体と比べる
とN−4−イソブチリル−2°−デオキシシチジンは安
定であり過ぎるために、シトシンから形成したヌクレオ
シドについてはある種の特別な問題点が存在する。実際
、2°−デオキシグアノシン誘導体では15分、2°−
デオキシアデノシン誘導体ではたった7分で充分である
のに対し、シヂジン誘導体を半分脱保護覆るのには30
分が必要である。
−デオキシアデノシン誘導体及び(N−2−)1ノキシ
アセヂル)−2゛−デオキシグアノシン誘導体と比べる
とN−4−イソブチリル−2°−デオキシシチジンは安
定であり過ぎるために、シトシンから形成したヌクレオ
シドについてはある種の特別な問題点が存在する。実際
、2°−デオキシグアノシン誘導体では15分、2°−
デオキシアデノシン誘導体ではたった7分で充分である
のに対し、シヂジン誘導体を半分脱保護覆るのには30
分が必要である。
更に、N−4−イソブチリル−2°−デオキシシチジン
誘導体の製造にはいくつかの難点があった。
誘導体の製造にはいくつかの難点があった。
実際、この誘導体は塩化イソブチリルと2°−デオキシ
シチジンとの反応によって製造するのであるが、これら
の条件下では出発ヌクレオシドの三保″:a誘導体、す
なわち、イソブチリル基が環外N11□基のみでなくデ
オキシリボース残基の(2つの)ヒトOキシル基をも保
護している誘導体が得られる。そして、この三保護誘導
体を加水分解し、次に、加水分解後に得たー保護誘導体
を反応媒質及びそれが含有する多くの塩から分離しなけ
ればならない。これは適当な有機溶媒による抽出によっ
て実施しうるが、明らかにイソ酪酸及び所望の誘導体の
各々の水に対する溶解度によりこの段階には再現性がな
い。又、水相に残存する不純物は結晶化による保護ヌク
レオシド誘導体の精製にとって有害である。
シチジンとの反応によって製造するのであるが、これら
の条件下では出発ヌクレオシドの三保″:a誘導体、す
なわち、イソブチリル基が環外N11□基のみでなくデ
オキシリボース残基の(2つの)ヒトOキシル基をも保
護している誘導体が得られる。そして、この三保護誘導
体を加水分解し、次に、加水分解後に得たー保護誘導体
を反応媒質及びそれが含有する多くの塩から分離しなけ
ればならない。これは適当な有機溶媒による抽出によっ
て実施しうるが、明らかにイソ酪酸及び所望の誘導体の
各々の水に対する溶解度によりこの段階には再現性がな
い。又、水相に残存する不純物は結晶化による保護ヌク
レオシド誘導体の精製にとって有害である。
更に、これらの欠点を除去しつるようにする、2−デオ
キシシチジンの環外NH2基の他の保護基を発見すると
いう観点で研究が続けられてきた。
キシシチジンの環外NH2基の他の保護基を発見すると
いう観点で研究が続けられてきた。
本発明は特に、イソ酪酸基よりも除去が容易な保護基を
有し、又、良好な純度での製造がより容易な、シトシン
から形成された新規なヌクレオシド誘導体に関する。
有し、又、良好な純度での製造がより容易な、シトシン
から形成された新規なヌクレオシド誘導体に関する。
これらのヌクレオシド誘導体は式:
[式中、R1は式ニ
ーCo−CH−C(R2R3)−R’
[式中 R2とR3とは同じでも異っていてもよく、水
素原子又はアルキル基を表わし、R4は非置換の又はN
o2.CN、アルコキシ、アリールル及びSR(但し、
Rはアルキル又はアリール基を表わす)の群から選択し
た1つ以上の基で置換されたアリール基である1の基を
表わし、R5は水素原子、酸性媒質中で不安定な基又は
式R1の拮を表わし、R6は水素原子、リン含有基又は
基Rを表わし、R7は水素原子又は(保護又は非保護)
OH基を表わす1に従う。
素原子又はアルキル基を表わし、R4は非置換の又はN
o2.CN、アルコキシ、アリールル及びSR(但し、
Rはアルキル又はアリール基を表わす)の群から選択し
た1つ以上の基で置換されたアリール基である1の基を
表わし、R5は水素原子、酸性媒質中で不安定な基又は
式R1の拮を表わし、R6は水素原子、リン含有基又は
基Rを表わし、R7は水素原子又は(保護又は非保護)
OH基を表わす1に従う。
本発明に従い前記の式のm R1を使用すると、オリゴ
ヌクレオチド合成に使用した後にヌクレオシド誘導体を
R1基から脱保護するに要する11.1間を短縮するこ
とができる。更に、前記基R1により、良好な条件下で
、高純度、70%以上の収率で2°−デオキシシチジン
の一保護誘導体を得ることができる。
ヌクレオチド合成に使用した後にヌクレオシド誘導体を
R1基から脱保護するに要する11.1間を短縮するこ
とができる。更に、前記基R1により、良好な条件下で
、高純度、70%以上の収率で2°−デオキシシチジン
の一保護誘導体を得ることができる。
実際、前記基Rでは、置換基R、R及びRが存在するこ
とにより環外Nl2基が保護されているヌクレオシドと
基R1に相当する炭酸ととの間の溶解度の差を広げるこ
とができる。従りて、保護ヌクレオシドは水相中に保持
するに十分極性のままである一方、エーテル相によりカ
ルボン酸をより容易に抽出できる。
とにより環外Nl2基が保護されているヌクレオシドと
基R1に相当する炭酸ととの間の溶解度の差を広げるこ
とができる。従りて、保護ヌクレオシドは水相中に保持
するに十分極性のままである一方、エーテル相によりカ
ルボン酸をより容易に抽出できる。
更に、カルボニル基のβ位に置換基R、R及びR4が存
在することは、加水分解速度の増加を限定し、従ってヌ
クレオシド誘導体が不安定になりすぎるのを防ぐに充分
大きい、活性中心と置換基との間の距離に対応する。実
際、同じ保1基で保護されていると、2°−デオキシシ
チジン誘導体はプリン同類体より20〜50倍速く脱保
護される。
在することは、加水分解速度の増加を限定し、従ってヌ
クレオシド誘導体が不安定になりすぎるのを防ぐに充分
大きい、活性中心と置換基との間の距離に対応する。実
際、同じ保1基で保護されていると、2°−デオキシシ
チジン誘導体はプリン同類体より20〜50倍速く脱保
護される。
本発明Cは、ヌクレオシドの脱保護時間を減少させて、
N −6−(フェノキシアセチル)−2′ −デオキ
シアデノシンのような他のヌクレオシド誘導体を脱保護
するに必要な時間に匹敵させられるように置換基及びそ
の位置を選択する。
N −6−(フェノキシアセチル)−2′ −デオキ
シアデノシンのような他のヌクレオシド誘導体を脱保護
するに必要な時間に匹敵させられるように置換基及びそ
の位置を選択する。
従って、本発明により、70%以上の収率で保護誘導体
を迅速に得ることができ、標準条件下での本発明ヌクレ
オシド誘導体の平服保護時間は8分、すなわち、同じ条
件下でN −6−(フェノキシアセチル)−2°−デオ
キシアデノシン(7分)及びN−2−フェノキシアセチ
ル−2°−デオキシグアノシン(15分)について得る
時間と近い値であり得る。
を迅速に得ることができ、標準条件下での本発明ヌクレ
オシド誘導体の平服保護時間は8分、すなわち、同じ条
件下でN −6−(フェノキシアセチル)−2°−デオ
キシアデノシン(7分)及びN−2−フェノキシアセチ
ル−2°−デオキシグアノシン(15分)について得る
時間と近い値であり得る。
従って、N−4−イソブチリル−2°−デオキシシチジ
ンで以前に必要であった30分間と比較すると顕著な改
善である。
ンで以前に必要であった30分間と比較すると顕著な改
善である。
本発明のヌクレオシド誘導体のR1基中で、R2とR3
は水素原子又はアルキル基を表わしてよく、R4は適宜
置換されているアリール基である。
は水素原子又はアルキル基を表わしてよく、R4は適宜
置換されているアリール基である。
使用しうるアルキル基は分校でも直鎖でもよく、一般に
1〜4個の炭素原子を有している。
1〜4個の炭素原子を有している。
使用するアリール基は特にフェニル基であるが、水素原
子を除去することにより核から誘導される他の基、例え
ばナフチル、アンスラセニル及び同様の基も使用しうる
。このアリール基はNO2゜ON、アルコギシ、アリー
ルオキシ、CJ)、F。
子を除去することにより核から誘導される他の基、例え
ばナフチル、アンスラセニル及び同様の基も使用しうる
。このアリール基はNO2゜ON、アルコギシ、アリー
ルオキシ、CJ)、F。
C(0)OR,C(0)R,5o2R,S (0)R,
PO3R2、アルキル及びSR(但し、Rはアルキル又
はアリール括を表わす)から選択した1つ以上の基を有
してもよい。置換基として使用するアルキル基はR及び
R3と同じ型でありうる。置換基として使用しつるアル
コキシ基は一般に1〜4個の炭素原子を有しており、分
校でも直鎖でもよい。
PO3R2、アルキル及びSR(但し、Rはアルキル又
はアリール括を表わす)から選択した1つ以上の基を有
してもよい。置換基として使用するアルキル基はR及び
R3と同じ型でありうる。置換基として使用しつるアル
コキシ基は一般に1〜4個の炭素原子を有しており、分
校でも直鎖でもよい。
置換基として使用するアリール基はフェニル。
ナフチル又はアンスラセニル基でありうる。
好ましくは、本発明により、R及びR2は水素原子を表
わし・、R4はフェニル基を表わす。
わし・、R4はフェニル基を表わす。
本発明のヌクレオシド読導体では R5を形成するのに
使用しつる酸性媒質中で不安定な基は特に、式: [式中、R、R及びR10は同じでも責っていてもよく
、水素原子、アルキル基又はアルコキシ基を表わす]の
トリチル基例えばモノメトキシトリチル基又は式(V)
[式中、R及びR9はメトキシ基を表わし、R10は
水素原子を表わす]のトリチル基、ビキシル(Pixy
l) M及び9−フェニル−キサンテニル基のようなオ
リゴヌクレオチド合成に使用しうる基である。
使用しつる酸性媒質中で不安定な基は特に、式: [式中、R、R及びR10は同じでも責っていてもよく
、水素原子、アルキル基又はアルコキシ基を表わす]の
トリチル基例えばモノメトキシトリチル基又は式(V)
[式中、R及びR9はメトキシ基を表わし、R10は
水素原子を表わす]のトリチル基、ビキシル(Pixy
l) M及び9−フェニル−キサンテニル基のようなオ
リゴヌクレオチド合成に使用しうる基である。
本発明ヌクレオシド誘導体中、式(I)の化合物中でR
6を形成するのに使用されうるリン含有基も又、例えば
式: %式%) 式: 式: のリン酸基のようなオリゴヌクレオチド合成に使用しう
る基である。一般に、式(IV )の基を使用する。
6を形成するのに使用されうるリン含有基も又、例えば
式: %式%) 式: 式: のリン酸基のようなオリゴヌクレオチド合成に使用しう
る基である。一般に、式(IV )の基を使用する。
本発明によれば、R7が保101−1 基を表ねずとき
には、OHの保護基はりボヌクレオチド合成に慣用され
る基からなる。
には、OHの保護基はりボヌクレオチド合成に慣用され
る基からなる。
従って、本発明ヌクレオシド誘導体は、(1)シトシン
により形成された塩基及び■リボース又はデオキシリボ
ースの結合産物であり、ヌクレオシドは少なくともR基
によりシトシンの環外NH2基上が修飾されている。こ
れらは、又、前記の同じ基によりデオキシリボースの3
゛及び5゛位又はリボースの2゛、3°及び5゛位玉で
修飾されえ、あるいは、リボース又はデオキシリボース
の3°及び5°位は他の基、すなわちリボース又はデオ
キシリボースの5°位については不安定なR5基及び3
°−位についてはR6リン含有基で修飾されうる。
により形成された塩基及び■リボース又はデオキシリボ
ースの結合産物であり、ヌクレオシドは少なくともR基
によりシトシンの環外NH2基上が修飾されている。こ
れらは、又、前記の同じ基によりデオキシリボースの3
゛及び5゛位又はリボースの2゛、3°及び5゛位玉で
修飾されえ、あるいは、リボース又はデオキシリボース
の3°及び5°位は他の基、すなわちリボース又はデオ
キシリボースの5°位については不安定なR5基及び3
°−位についてはR6リン含有基で修飾されうる。
本発明に使用する式:
%式%)
のアシル基は、例えば、支持体上での合成法を使用した
ときに、オリゴヌクレオチドをその上に合成した支持体
からのオリゴヌクレオチドの遊離も同時に行いつる、室
温で2時間のアンモニア処理により、操作の最後に容易
に除去できるのでオリゴヌクレオチド合成に特に遊離で
ある。この時間は基: で保護したヌクレオシドに必要な時間に匹敵する。
ときに、オリゴヌクレオチドをその上に合成した支持体
からのオリゴヌクレオチドの遊離も同時に行いつる、室
温で2時間のアンモニア処理により、操作の最後に容易
に除去できるのでオリゴヌクレオチド合成に特に遊離で
ある。この時間は基: で保護したヌクレオシドに必要な時間に匹敵する。
また、室温で脱保護するため、緩和な反応条件下で操作
することが可能であり、この容易に除去しうる保贋基を
使用することにより、オリゴヌクレオチド合成の間に、
例えば抗体に感受性のリガンドを含有するDNA断片合
成のためのより過酷なアルカリ性条件に感受性の修飾し
た核酸塩基を取り込むことが可能となる。
することが可能であり、この容易に除去しうる保贋基を
使用することにより、オリゴヌクレオチド合成の間に、
例えば抗体に感受性のリガンドを含有するDNA断片合
成のためのより過酷なアルカリ性条件に感受性の修飾し
た核酸塩基を取り込むことが可能となる。
本発明はリボース由来のヌクレオシド及びデオキシリボ
ース由来のヌクレオシドに適用されるが、デオキシリボ
ース由来のヌクレオシド、すなわち、R7が水素原子で
ある式(I)の誘導体に使用するのが好ましい。
ース由来のヌクレオシドに適用されるが、デオキシリボ
ース由来のヌクレオシド、すなわち、R7が水素原子で
ある式(I)の誘導体に使用するのが好ましい。
本発明のヌクレオシド誘導体は、主としてアデニン又は
シトシンから成るヌクレオシドにベンゾイル及びアニソ
イル基を固定するのに使用する方法と似た慣用法により
製造できる。これらの方法では、先ず、式R1C1の酸
クロリド又は式:の酸無水物とシトシンのヌクレオシド
を反応させる。この反応中に酸クロリド又は酸無水物が
リボース又はデオキシリボースの3′及び5′位のヒド
ロキシル基とは反応しないことを確実にするたメニ・コ
レラノヒドロキシル基をピリジンのような適切な溶媒中
で、トリメチルシリルクロリドでありうる適切な化合物
と反応させることにより先ず保護する。シトシンのヌク
レオシドと酸クロリドR’C1l又は酸無水物(R’)
20とを反応させた侵、例えばアンモニア溶液を使用す
る加水分解により、リボース又はデオキシリボースの3
′及び5′位のヒドロキシル基の保;l!を除去する。
シトシンから成るヌクレオシドにベンゾイル及びアニソ
イル基を固定するのに使用する方法と似た慣用法により
製造できる。これらの方法では、先ず、式R1C1の酸
クロリド又は式:の酸無水物とシトシンのヌクレオシド
を反応させる。この反応中に酸クロリド又は酸無水物が
リボース又はデオキシリボースの3′及び5′位のヒド
ロキシル基とは反応しないことを確実にするたメニ・コ
レラノヒドロキシル基をピリジンのような適切な溶媒中
で、トリメチルシリルクロリドでありうる適切な化合物
と反応させることにより先ず保護する。シトシンのヌク
レオシドと酸クロリドR’C1l又は酸無水物(R’)
20とを反応させた侵、例えばアンモニア溶液を使用す
る加水分解により、リボース又はデオキシリボースの3
′及び5′位のヒドロキシル基の保;l!を除去する。
R1基により保護した誘導体の製造の変法によれば、リ
ボース又はデオキシリボースの3′及び5′位のヒドロ
キシル基を保護せずに反応を行い、その後に三保蹟した
ヌクレオシド誘導体を選択的に加水分解する。
ボース又はデオキシリボースの3′及び5′位のヒドロ
キシル基を保護せずに反応を行い、その後に三保蹟した
ヌクレオシド誘導体を選択的に加水分解する。
R5が式(I)のトリチル基、例えばジメトキシトリチ
ル基を表わし、R6が水素原子を表わす式(I)のヌク
レオシド誘導体は、適当な溶媒中で予め得られたヌクレ
オシド誘導体と対応の塩化トリデルとを反応させること
により製造することができる。
ル基を表わし、R6が水素原子を表わす式(I)のヌク
レオシド誘導体は、適当な溶媒中で予め得られたヌクレ
オシド誘導体と対応の塩化トリデルとを反応させること
により製造することができる。
R5がジメトキシトリチル基又はメトキシトリチル基を
表わし、R6が式(III)の基1式(IV )の基又
は式: [式中、R、R及びR13は同じでも異っていでもよく
、アルキル暴、例えばエチル基を表わす]のいずれかを
表わす式(I)の本発明ヌクレオシド誘導体は、R5が
ジメトキシトリチル又はメトキシトリチル基を表わし、
R6が水素原子を表わす式(I)のヌクレオシド誘導体
から慣用法で製造できる。
表わし、R6が式(III)の基1式(IV )の基又
は式: [式中、R、R及びR13は同じでも異っていでもよく
、アルキル暴、例えばエチル基を表わす]のいずれかを
表わす式(I)の本発明ヌクレオシド誘導体は、R5が
ジメトキシトリチル又はメトキシトリチル基を表わし、
R6が水素原子を表わす式(I)のヌクレオシド誘導体
から慣用法で製造できる。
R6が例えば式(I[[)の基を表わす誘導体を製造す
るためには、前記ヌクレオシド誘導体を適当な溶媒中で
4−クロロフェニルホスホリルピストリン゛ アゾリゾートと反応させる。IIAキサン中のトリアゾ
ールとトリエチルアミンの懸濁液に4−クロロフエニル
ジクロロホスフェートを加えることにより4−クロロフ
ェニルホスホリルビストリアシリデートを製造できる。
るためには、前記ヌクレオシド誘導体を適当な溶媒中で
4−クロロフェニルホスホリルピストリン゛ アゾリゾートと反応させる。IIAキサン中のトリアゾ
ールとトリエチルアミンの懸濁液に4−クロロフエニル
ジクロロホスフェートを加えることにより4−クロロフ
ェニルホスホリルビストリアシリデートを製造できる。
R6が例えば式(IV)の基を表わす誘導体を製造する
ためには、ジイソプロピルエチルアミンの存在下に適当
な溶媒中でβ−シアンエチル−モノクロローN、N−ジ
イソプロピルアミノホスホロアミダイトと、又はテトラ
ゾール及びジイソプロピルアミンの存在下でβ−シアノ
ニブル−ビス−(N、N−ジイソプロピルアミノ)−ホ
スファイトとヌクレオシド誘導体とを反応させることが
できる。
ためには、ジイソプロピルエチルアミンの存在下に適当
な溶媒中でβ−シアンエチル−モノクロローN、N−ジ
イソプロピルアミノホスホロアミダイトと、又はテトラ
ゾール及びジイソプロピルアミンの存在下でβ−シアノ
ニブル−ビス−(N、N−ジイソプロピルアミノ)−ホ
スファイトとヌクレオシド誘導体とを反応させることが
できる。
R3が例えば式:
%式%
[式中、R、R及びR13は同じでも異っていてもよく
、アルキル基である]の基を表わ寸ヌクレオシド誘導体
を製造するためには、ヌクレオシド誘導体を2−クロロ
ベンゾ−(5,6−a)−[1,3−ジオキソ−2−ホ
スホル−4−イノン]と反応させ、次にトリエチルアン
モニウムアレテートのJ、うなトリアルキルアンモニウ
ム塩と反応させることができる。
、アルキル基である]の基を表わ寸ヌクレオシド誘導体
を製造するためには、ヌクレオシド誘導体を2−クロロ
ベンゾ−(5,6−a)−[1,3−ジオキソ−2−ホ
スホル−4−イノン]と反応させ、次にトリエチルアン
モニウムアレテートのJ、うなトリアルキルアンモニウ
ム塩と反応させることができる。
これらの3つの方法で得たヌクレオシド誘導体は Re
が式(I[r)の基の場合のホスホトリエステル合成に
よる、又はR6が式(IV)の基の場合のホスホ[17
ミダイト合成による、又はR6が式のすの場合のH−ホ
スホネート合成によるオリゴヌクレオチド合成に使用で
き、この際、例えば他のヌクレオシドのオリゴヌクレオ
ヂド鎖を組立てるには、チミジン又は2゛−デ第4ニジ
ウリジンに対応するヌクレオシド又はアルカリ性溶媒中
で不安定な塩基を有しているヌクレオシド又はアルカリ
性溶媒中で不安定な他のヌクレオシドを同時に使用する
。
が式(I[r)の基の場合のホスホトリエステル合成に
よる、又はR6が式(IV)の基の場合のホスホ[17
ミダイト合成による、又はR6が式のすの場合のH−ホ
スホネート合成によるオリゴヌクレオチド合成に使用で
き、この際、例えば他のヌクレオシドのオリゴヌクレオ
ヂド鎖を組立てるには、チミジン又は2゛−デ第4ニジ
ウリジンに対応するヌクレオシド又はアルカリ性溶媒中
で不安定な塩基を有しているヌクレオシド又はアルカリ
性溶媒中で不安定な他のヌクレオシドを同時に使用する
。
本発明のオリゴヌクレオチド合成法は、(1) ヌク
レオシド誘導体上又はオリゴヌクレオヂド上に式: [式中、R1は式ニ ーGo−CH−C(R” R3)−R’[式中、R2と
R3とは同じでも異っていてもよく、水素原子又はアル
キル基を表わし、R1′は非 ′打換又はNo2.CN
、アルコキシ、アリールオアルキル及びSR(但し、R
はアルキル又はアリ−塩基を表わす)から選択した1つ
以上の基で置換されたアリール基を表わす]の基を表わ
し、ヌクレオシド誘導体を縮合する少なくとも1つの綜
合サイクル、 ■ 式R1の保1gを除去する段階 とからなる。
レオシド誘導体上又はオリゴヌクレオヂド上に式: [式中、R1は式ニ ーGo−CH−C(R” R3)−R’[式中、R2と
R3とは同じでも異っていてもよく、水素原子又はアル
キル基を表わし、R1′は非 ′打換又はNo2.CN
、アルコキシ、アリールオアルキル及びSR(但し、R
はアルキル又はアリ−塩基を表わす)から選択した1つ
以上の基で置換されたアリール基を表わす]の基を表わ
し、ヌクレオシド誘導体を縮合する少なくとも1つの綜
合サイクル、 ■ 式R1の保1gを除去する段階 とからなる。
この段階は例えば室温でオリゴヌクレオチドとアンモニ
アとを接触させて実施しうる。
アとを接触させて実施しうる。
オリゴヌクレオチド合成は溶液中での方法又は支持体上
での合成法のいずれかにより実施できる。
での合成法のいずれかにより実施できる。
場葭4 ≠隼ν
間に収量を偏iLとなくより不安定な
ヌクレオシドの使用により適しているので支持体上での
合成法の方が好ましい。
合成法の方が好ましい。
従って、本発明ヌクレオシドはDNA又はRNΔ断片断
片用成用基生成物として有利に応用しうる。又、DNA
のγ−放射線分解産物及び光分解産物に特に関係しつる
もろい修飾塩基を合成オリゴヌクレオチドに取り込むに
も好適であり得る。
片用成用基生成物として有利に応用しうる。又、DNA
のγ−放射線分解産物及び光分解産物に特に関係しつる
もろい修飾塩基を合成オリゴヌクレオチドに取り込むに
も好適であり得る。
本発明ヌクレオシドを利用すると抗ウィルス活性を有す
る新規な分子及び新規なりNAプローブも入手しつる。
る新規な分子及び新規なりNAプローブも入手しつる。
本発明のヌクレオシドの製造及び使用に関する以下の実
施例は、明らかに、本発明を説明するために非限定的に
提供するものである。
施例は、明らかに、本発明を説明するために非限定的に
提供するものである。
20ミリモルのデオキシシチジンを乾燥させ、次に10
0dの無水ピリジンに溶解させる。次いで、この溶液に
塩化トリメチルシリル1O−(80ミリモル)を加え、
常温で25分間反応させる。次に無水フェニルプロピオ
ン酸14.69 (50ミリモル)を加え、4℃で17
時間反応を続ける。
0dの無水ピリジンに溶解させる。次いで、この溶液に
塩化トリメチルシリル1O−(80ミリモル)を加え、
常温で25分間反応させる。次に無水フェニルプロピオ
ン酸14.69 (50ミリモル)を加え、4℃で17
時間反応を続ける。
こうして、ヌクレオシドが形成されるが、この3′及び
5′位のアルコール官能基はトリメチルシリル基で保護
されており、環外アミン基はアミドの形である。
5′位のアルコール官能基はトリメチルシリル基で保護
されており、環外アミン基はアミドの形である。
pH8となるまで20mの水と濃アンモニア溶液を加え
て3′及び5′のヒドロキシル基をTi餠させる。次に
白色沈殿が得られ、これを濾過して溶液から除く。次に
減圧下で溶媒を蒸発させる。次に、得られたオレンジ色
の油状残渣を5GOdの水に入れ、この水相をエチルエ
ーテルと酢酸エチルとの80%/20%混合物(3x5
00IIIl)で洗浄する。次いで、軽い混濁が生ずる
まで水相を濃縮し、4℃に17時間置く。濾過により、
N−4−(3−フェニルプロピオニル)−2゛−デオキ
シシチジン3.8gを回収する。母アルカリ液を次に再
度濃縮し、冷所に放置して1,3gの生成物の新らしい
両分を得るが、これは全収率71%に相当する。
て3′及び5′のヒドロキシル基をTi餠させる。次に
白色沈殿が得られ、これを濾過して溶液から除く。次に
減圧下で溶媒を蒸発させる。次に、得られたオレンジ色
の油状残渣を5GOdの水に入れ、この水相をエチルエ
ーテルと酢酸エチルとの80%/20%混合物(3x5
00IIIl)で洗浄する。次いで、軽い混濁が生ずる
まで水相を濃縮し、4℃に17時間置く。濾過により、
N−4−(3−フェニルプロピオニル)−2゛−デオキ
シシチジン3.8gを回収する。母アルカリ液を次に再
度濃縮し、冷所に放置して1,3gの生成物の新らしい
両分を得るが、これは全収率71%に相当する。
薄層クロマトグラフィー質聞分析及び200MH2での
プロトンの核磁気共鳴により、生成物を特性化する。得
られた結果は次の通りである。
プロトンの核磁気共鳴により、生成物を特性化する。得
られた結果は次の通りである。
[:0.70(クロロホルム−メタノール泳動混合物(
80/20) 中) 質flu析(M−H):分子ピー
ク(m/e= 359〜18%)重水素含有アセトン中
200MH2T”(7)プロトンノ核磁気共鳴: 8.
55ppm(d、 111.115 )、 7.44p
pm(d、 III、 H6) 、 G、 33Dpm
(t、 111 。
80/20) 中) 質flu析(M−H):分子ピー
ク(m/e= 359〜18%)重水素含有アセトン中
200MH2T”(7)プロトンノ核磁気共鳴: 8.
55ppm(d、 111.115 )、 7.44p
pm(d、 III、 H6) 、 G、 33Dpm
(t、 111 。
+11’ ) 、 2.57E)pll(8木、
1H,+12’ )、2.30pp層(6本。
1H,+12’ )、2.30pp層(6本。
IH,H2” )、4.60pDl(6本、IH,+1
3’ )、4.13ppm(q。
3’ )、4.13ppm(q。
111、 114’ )、3.98E11)−(Q、
111. 115’ )、3.911)I)l(Q、
1+l。
111. 115’ )、3.911)I)l(Q、
1+l。
H5“)、3.20−2.90ppn+(m、4H,プ
ロピオニルエヂル)、 7.42−7.38ppm(m
、 sll、フェニル)。
ロピオニルエヂル)、 7.42−7.38ppm(m
、 sll、フェニル)。
8ミリモルの化合物1 (3g)を乾燥させ、50In
iの無水ピリジン中に入れる。0℃に冷却し、4゜4′
−ジメトキシトリチルクロリド3 g(8,8ミリモ
ル)を加える。5℃で17時間、反応を展開させ、2I
dのメタノールを加える。30分後に、ロータリーエバ
ポレータでμ媒を排除し、油状残渣を300dの酢酸エ
チルに入れ、重炭酸ナトリウムの5%水溶液150d及
び150#11!の水で2回洗浄する。次に、有機相を
硫酸ナトリウムで乾燥させ、混合物をシリカゲルカラム
で分画する。化合物2を収率40%で単離する。この化
合物の物理化学的特性は次の通りである: Rf:0.25(クロロホルム−メタノール混合物(9
0/1o) =0.25中)’Bm分析(M −H)
: 分子ピークm/e=660〜8%、500M Hz
でのプロトンの核磁気共鳴: 8.39ppm (d、
111. H5)、 7.70−6、90ppm(m
、 1911. H5+芳香族)、 6.31ppa+
(t、 IH。
iの無水ピリジン中に入れる。0℃に冷却し、4゜4′
−ジメトキシトリチルクロリド3 g(8,8ミリモ
ル)を加える。5℃で17時間、反応を展開させ、2I
dのメタノールを加える。30分後に、ロータリーエバ
ポレータでμ媒を排除し、油状残渣を300dの酢酸エ
チルに入れ、重炭酸ナトリウムの5%水溶液150d及
び150#11!の水で2回洗浄する。次に、有機相を
硫酸ナトリウムで乾燥させ、混合物をシリカゲルカラム
で分画する。化合物2を収率40%で単離する。この化
合物の物理化学的特性は次の通りである: Rf:0.25(クロロホルム−メタノール混合物(9
0/1o) =0.25中)’Bm分析(M −H)
: 分子ピークm/e=660〜8%、500M Hz
でのプロトンの核磁気共鳴: 8.39ppm (d、
111. H5)、 7.70−6、90ppm(m
、 1911. H5+芳香族)、 6.31ppa+
(t、 IH。
)11’ )、2.621)l)11(8本、 18
.112’ )、2.35ppm(8木。
.112’ )、2.35ppm(8木。
Ill、 H2“ )、4.68ppm(m、111
. 113’ )、4.23ppm(q、1tl。
. 113’ )、4.23ppm(q、1tl。
H’ 4)、 3.57ppm(d、2H,85’
、 t15” )、3.92ppm(S、6N
、メトキシル)。
、 t15” )、3.92ppm(S、6N
、メトキシル)。
50sd!の無水ジクロロメタンを添加し蒸発させて1
.6gの化合物2を乾燥させ、アミレーン上に安定化さ
せて、ジクロロメタン50−に入れる。これをジクロロ
メタン5〇−中のジイソプロピルアミン0、1qIII
!、テトラゾール851119及びビス−(ジイソプロ
ピルアミノ)−シアノエチルホスフィン1.059を含
有するもう1つの丸底フラスコに加える。常温で3時間
反応させた後、前記有機相を重炭酸ナトリウムの5%水
溶液100m (2回)と水100Iniで洗浄する。
.6gの化合物2を乾燥させ、アミレーン上に安定化さ
せて、ジクロロメタン50−に入れる。これをジクロロ
メタン5〇−中のジイソプロピルアミン0、1qIII
!、テトラゾール851119及びビス−(ジイソプロ
ピルアミノ)−シアノエチルホスフィン1.059を含
有するもう1つの丸底フラスコに加える。常温で3時間
反応させた後、前記有機相を重炭酸ナトリウムの5%水
溶液100m (2回)と水100Iniで洗浄する。
次に溶媒を蒸発させ、混合物をシリカゲルカラムで分画
し、60%クロロホルム、35%ヘキサン及び5%トリ
エチルアミンの3成分混合物で溶離する。所望の純粋な
生成物を含有する画分を合せ、溶媒を蒸発させ、無色の
油状残渣をトルエン15−に入れる。これを、予め一8
0℃に冷却した250dのヘキサンに滴加する。次いで
、化合物3の沈殿を集める(1.3g、62%)。次の
物理化学的データで特性化される: Rf:2つのジアステレオ異性体に対応する2つのスポ
ット0,57及び0.064、 質量分析(M+H):分子ピークm/e−862−1,
2%200M HZでの核磁気共鳴:このような生成物
の混合物の複合スペクトルの分析は非常に難しい。次の
プロトンの信号のみが確実に特性化できた: H1’
6.33+1E)II (Q)、83’ 4.859t
)l(1m)、 +14’4.351)I)l(1)、
85’及び■5“3.601)I)l(II)、 H
2“2゜491)pm(1)、 858.40ppm(
dd)、メトキシル3.90ppm(m)、メチル1.
2−1.4 ppm(m)。
し、60%クロロホルム、35%ヘキサン及び5%トリ
エチルアミンの3成分混合物で溶離する。所望の純粋な
生成物を含有する画分を合せ、溶媒を蒸発させ、無色の
油状残渣をトルエン15−に入れる。これを、予め一8
0℃に冷却した250dのヘキサンに滴加する。次いで
、化合物3の沈殿を集める(1.3g、62%)。次の
物理化学的データで特性化される: Rf:2つのジアステレオ異性体に対応する2つのスポ
ット0,57及び0.064、 質量分析(M+H):分子ピークm/e−862−1,
2%200M HZでの核磁気共鳴:このような生成物
の混合物の複合スペクトルの分析は非常に難しい。次の
プロトンの信号のみが確実に特性化できた: H1’
6.33+1E)II (Q)、83’ 4.859t
)l(1m)、 +14’4.351)I)l(1)、
85’及び■5“3.601)I)l(II)、 H
2“2゜491)pm(1)、 858.40ppm(
dd)、メトキシル3.90ppm(m)、メチル1.
2−1.4 ppm(m)。
史[4
この実施例は次の配列ニ
ー 5′ ^へT CAG ATCTACGAA
TTCT 3’ (19mer)−5′^TC
AGT GCA GGG ACCGAG ATG TG
CTCC^^GGAGTGTTTATCGGCTGCT
丁 3’ (49mar) 。
TTCT 3’ (19mer)−5′^TC
AGT GCA GGG ACCGAG ATG TG
CTCC^^GGAGTGTTTATCGGCTGCT
丁 3’ (49mar) 。
−5’ TGCAGT CGG CTT TCG TC
A CGT CCCTGGGTG TACACG
AGG TTCCTCAG^ 八AT AGCCG
A CGAAAG 丁CT ATG C1丁3’
(72mer) 、をもつオリゴヌクレオチドを合成す
るための化合物3の使用を説明している。
A CGT CCCTGGGTG TACACG
AGG TTCCTCAG^ 八AT AGCCG
A CGAAAG 丁CT ATG C1丁3’
(72mer) 、をもつオリゴヌクレオチドを合成す
るための化合物3の使用を説明している。
これらの配列中、Aはアデニンから形成されるヌクレオ
チドを表わし、王はチミンから形成されるヌクレオチド
を表わし、Cはシトシンから形成されるヌクレオチドを
表わし、Gはグアニンから形成されるヌクレオチドを表
わす。これらの合成を実施するために、化合物3をシト
シンに対応するシントン(5ynthon)として使用
する。アデニン。
チドを表わし、王はチミンから形成されるヌクレオチド
を表わし、Cはシトシンから形成されるヌクレオチドを
表わし、Gはグアニンから形成されるヌクレオチドを表
わす。これらの合成を実施するために、化合物3をシト
シンに対応するシントン(5ynthon)として使用
する。アデニン。
グアニン及びチミンに対応するシントンは次の方法で製
造する。
造する。
A)アデニンに対応するシントン
このシントンは次の式:
に従うアデニンのフェノキシアセデル化誘導体である。
これは次の段階を行うことにより2゛−デオキシアデノ
シンから製造する。
シンから製造する。
!lN−6−フエツキシアセヂル)−2°−−オキシア
ー1025j!g(4ミリモル)のデオキシアデノシン
を乾燥させた債、無水蒸留ピリジン20dに溶解し、次
に氷水浴中に置いた丸底フラスコに入れる。0℃で、ピ
リジン20d中に溶解した無水フェノキシ酢酸8当MA
(9,5g; 32ミリモル)をゆっくりと加える。
ー1025j!g(4ミリモル)のデオキシアデノシン
を乾燥させた債、無水蒸留ピリジン20dに溶解し、次
に氷水浴中に置いた丸底フラスコに入れる。0℃で、ピ
リジン20d中に溶解した無水フェノキシ酢酸8当MA
(9,5g; 32ミリモル)をゆっくりと加える。
室温で90分間反応を続けると、黄色が徐々に現われる
。この途中で三保護された誘導体が形成される。
。この途中で三保護された誘導体が形成される。
次に過剰の酸無水物を0℃で3dの蒸溜水を加えること
により破壊し、次に100idのクロロホルムで反応溶
媒を希釈する。クロロホルム相を5%の重炭酸ナトリウ
ム水溶液50al!で4回洗い、溶媒を蒸発させると黄
色の残渣が得られる。これをピリジン100dに溶かし
、溶液を氷水浴中に置いた後、0℃で0.2Nンーダ1
(ladを加えて15分間アデノシンの3′及び5′位
を選択的に加水分解する。次に媒質を、ピリジニウムの
形のQowex50W−X8カチオン交換樹脂により中
和する。樹脂を濾過し、すすいでからP液を蒸発乾固す
る。
により破壊し、次に100idのクロロホルムで反応溶
媒を希釈する。クロロホルム相を5%の重炭酸ナトリウ
ム水溶液50al!で4回洗い、溶媒を蒸発させると黄
色の残渣が得られる。これをピリジン100dに溶かし
、溶液を氷水浴中に置いた後、0℃で0.2Nンーダ1
(ladを加えて15分間アデノシンの3′及び5′位
を選択的に加水分解する。次に媒質を、ピリジニウムの
形のQowex50W−X8カチオン交換樹脂により中
和する。樹脂を濾過し、すすいでからP液を蒸発乾固す
る。
これによりN−6−(フェノキシアセチル)−2’−デ
オキシアデノシン(化合物4)が得られ、これを、クロ
ロホルム−メタノール勾配(10G−0−96−4)を
使ったシリカカラムクロマトグラフィー(直径4cIi
、長さ10α)で精製する。次に、所望の生成物を含有
する両分を蒸発させ、この方法で1010ηの白色粉末
を得る。これは65%収率に相当する。
オキシアデノシン(化合物4)が得られ、これを、クロ
ロホルム−メタノール勾配(10G−0−96−4)を
使ったシリカカラムクロマトグラフィー(直径4cIi
、長さ10α)で精製する。次に、所望の生成物を含有
する両分を蒸発させ、この方法で1010ηの白色粉末
を得る。これは65%収率に相当する。
次にこの生成物を薄層クロマトグラフィー、質量分析及
び250M HZでの核磁気共鳴により特性化する。得
られた結果は次の通りである:Rf:0.66(クロロ
ホルム−メタノール泳乃混合物(80/ 20容畿比)
250MH7t’の核磁気共鳴:’II−NHR(ピリ
ジンd5): 2.7−3.3(at、2H,If、、
。
び250M HZでの核磁気共鳴により特性化する。得
られた結果は次の通りである:Rf:0.66(クロロ
ホルム−メタノール泳乃混合物(80/ 20容畿比)
250MH7t’の核磁気共鳴:’II−NHR(ピリ
ジンd5): 2.7−3.3(at、2H,If、、
。
H2): 4.1−4.35(18,2H,+151+
5): 4.6(Ill。
5): 4.6(Ill。
H4);5.25(m、113);5.65(S、21
1.CH2); 7.0(m。
1.CH2); 7.0(m。
Hl): 6.9−7.4 (III、511. C
6H3);8.75及び9.05(s、If2及びH8
)。
6H3);8.75及び9.05(s、If2及びH8
)。
質量分析: (M+H):分子ピーク(m/e :38
6−16%):フエノキシアセチル化アデニン(m /
e : 27G−66%)。
6−16%):フエノキシアセチル化アデニン(m /
e : 27G−66%)。
無水ピリジンを連続して加えて蒸発さけることにより2
.5ミリモルの化合物4を乾燥させた後、ピリジン25
mに入れ、0℃に冷却し、0℃でピリジン25Id中の
4.4′ −ジメトキシトリチルクロリド2.15ミ
リモル(1,1当吊)を加える。5℃で17時間反応を
続け、反応inにメタノール2aeを加える。30分侵
に、ロータリーエバポレータで溶媒を除去し、油状残渣
を100mの酢酸エチルに入れ、5%N a HCO3
水溶液50mで3回、2回蒸留した水50dで1回洗う
。次に有機相を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濃縮する
。シリカゲルカラム上での分画により化合物5を単離す
る。
.5ミリモルの化合物4を乾燥させた後、ピリジン25
mに入れ、0℃に冷却し、0℃でピリジン25Id中の
4.4′ −ジメトキシトリチルクロリド2.15ミ
リモル(1,1当吊)を加える。5℃で17時間反応を
続け、反応inにメタノール2aeを加える。30分侵
に、ロータリーエバポレータで溶媒を除去し、油状残渣
を100mの酢酸エチルに入れ、5%N a HCO3
水溶液50mで3回、2回蒸留した水50dで1回洗う
。次に有機相を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濃縮する
。シリカゲルカラム上での分画により化合物5を単離す
る。
ピリジン、トルエン及びテトラヒドロフラン(THF)
の共蒸発により3ミリモルの化合物5を乾燥させる。残
渣を12ミリモルのN、N、N−ジイソプロピルエチル
アミンの存在下にTHF15dに入れた後、シアノエチ
ル−モノクロローN。
の共蒸発により3ミリモルの化合物5を乾燥させる。残
渣を12ミリモルのN、N、N−ジイソプロピルエチル
アミンの存在下にTHF15dに入れた後、シアノエチ
ル−モノクロローN。
N−ジイソプロピルアミノホスホロアミダイト6ミリ
後、アミン塩化物の沈殿形成が観察される。35分間反
応を続け、反応の1&後には沈殿をe遇する。
応を続け、反応の1&後には沈殿をe遇する。
次に、P液を蒸発乾固させて、酢酸エチル150id中
に入れる。10%N82C03氷水溶液で洗浄する。次
に有機相を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、蒸発乾固させ
る。
に入れる。10%N82C03氷水溶液で洗浄する。次
に有機相を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、蒸発乾固させ
る。
(7られた化合物は、CH CI −ヘキサン−ト
リエチルアミン混合物( 70/ 20/ 10容聞比
)を溶出に使用し、大きさBのMerk ” L o
bar” h −7ム上での低圧クロマトグラフィで精
製する。1!7られた化合物を最少間のジクロロメタン
又は]:チルアセテートに入れ、−80℃でへ↑サン中
で沈殿させる。これにより、アデニンに対応するシント
ン(化合物6)が(りられる。
リエチルアミン混合物( 70/ 20/ 10容聞比
)を溶出に使用し、大きさBのMerk ” L o
bar” h −7ム上での低圧クロマトグラフィで精
製する。1!7られた化合物を最少間のジクロロメタン
又は]:チルアセテートに入れ、−80℃でへ↑サン中
で沈殿させる。これにより、アデニンに対応するシント
ン(化合物6)が(りられる。
(以下余白)
B)グアニンに対応するシントン
このシントンは式:
のフェノキシアセチル化誘導体である。
これは、アデニンに対応するシントンの合成の手順と同
じ手順を行って2゛−デオキシグアノシンから製造する
。
じ手順を行って2゛−デオキシグアノシンから製造する
。
C)アミンに対応するシントン
チミジンを出発物質として前記したと同じ手順を行い、
段階(a)は行わずにこのシントンを得る。
段階(a)は行わずにこのシントンを得る。
D)オリゴヌクレオチドの合成
これらの合成はA pplied [3 iosys
tems A B S380A装置を使用し、製造者に
よるプロトコールに従い、製造者から供給された化学試
桑と次の品のシントンとを使用して実施するニ ーアデノシン シントン(化合物6 ) :400WJ
(無水アセトニトリル4. 48dに溶解)−グアニン
シントン(化合物7 ) :400■(無水アセトニ
゛トリル4. 64+d!に溶解)−シトシン シント
ン(化合物3 ) :400■(無水アセトニトリル4
. 72dに溶解)−アミン シントン+400■(
jj!,(水アセトニトリル5.28m溶解)。
tems A B S380A装置を使用し、製造者に
よるプロトコールに従い、製造者から供給された化学試
桑と次の品のシントンとを使用して実施するニ ーアデノシン シントン(化合物6 ) :400WJ
(無水アセトニトリル4. 48dに溶解)−グアニン
シントン(化合物7 ) :400■(無水アセトニ
゛トリル4. 64+d!に溶解)−シトシン シント
ン(化合物3 ) :400■(無水アセトニトリル4
. 72dに溶解)−アミン シントン+400■(
jj!,(水アセトニトリル5.28m溶解)。
チミジン(0,2マイクロモル)をグラフトした支持体
カートリッジを装置に載置し、製造者の指示す るプロトコールに従って縮合サイクルを連続的に実施す
ることによりオリゴヌクレオチド配列を組立てる。
カートリッジを装置に載置し、製造者の指示す るプロトコールに従って縮合サイクルを連続的に実施す
ることによりオリゴヌクレオチド配列を組立てる。
操作の最後に、オリゴヌクレオチド含有カートリッジを
室温で2時間園アンモニアの作用下におくことによりオ
リゴヌクレオチドを脱保護する。
室温で2時間園アンモニアの作用下におくことによりオ
リゴヌクレオチドを脱保護する。
この処理により支持体からオリゴヌクレオチド又はDN
A断片も離す。次に液相を蒸発乾固した侵、排除ゲルカ
ラム上で生成物の混合物の塩を除去する。
A断片も離す。次に液相を蒸発乾固した侵、排除ゲルカ
ラム上で生成物の混合物の塩を除去する。
T4−ポリヌクレオチドキナーゼを用いるリン32放射
活性ラベルにより、合成したDNA断片が所望の長さを
有することをポリアクリルアミドゲル上での電気泳動に
より確認される。
活性ラベルにより、合成したDNA断片が所望の長さを
有することをポリアクリルアミドゲル上での電気泳動に
より確認される。
Claims (11)
- (1)式: ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) [式中、R^1は式: −CO−CH_2−C(R^2R^3)−R^4[式中
、R^2とR^3とは同じでも異っていてもよく、水素
原子又はアルキル基を表わし、R^4はアリール基を表
わし、該アリール基は非置換又はNO_2、CN、アル
コキシ、アリールオキシ、Cl、F、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、SO_2R、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、アルキル及びSR (但し、Rはアルキル又はアリール基を表わす)から選
択した1つ以上の基で置換されている]の基を表わし、
R^5は水素原子、酸性媒質中で不安定な基又はR^1
基をあらわし、R^6は水素原子、リン含有基又はR^
1基を表わし、R^7は水素原子又は(保護された又は
されていない)OH基を表わす]に従うヌクレオシド誘
導体。 - (2)R^1が基−CO−CH_2−CH_2−C_6
H_5を表わす請求項1のヌクレオシド誘導体。 - (3)酸性媒質中で不安定な基R^5を式:▲数式、化
学式、表等があります▼(II) [式中、R^8、R^9及びR^1^0は同じでも異っ
ていてもよく、水素原子、アルキル基又はアルコキシ基
を表わす]のトリチル基、ピキシル基及び9−フェニル
キサンアニル基の群から選択する請求項1のヌクレオシ
ド誘導体。 - (4)リン含有基R^6を 式: ▲数式、化学式、表等があります▼(III) 式: ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) 又は 式: ▲数式、化学式、表等があります▼ の基の群から選択する請求項1のヌクレオシド誘導体。
- (5)R^5及びR^6が水素原子を表わす請求項1及
び2のいずれかのヌクレオシド誘導体。 - (6)R^5が基: ▲数式、化学式、表等があります▼ を表わし、 R^6が水素原子を表わす請求項1及び2のいずれかの
ヌクレオシド誘導体。 - (7)R^7が水素原子を表わす請求項1のヌクレオシ
ド誘導体。 - (8)R^5が基: ▲数式、化学式、表等があります▼ を表わし、 R^6が基: ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) を表わす 請求項2のヌクレオシド誘導体。
- (9)R^7が水素原子を表わす請求項8のヌクレオシ
ド誘導体。 - (10)(a)式: ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) [式中、R^1は式: −CO−CH_2−C(R^2R^3)−R^4[式中
、R^2とR^3とは同じでも異つていてもよく、水素
原子又はアルキル基を表わし、R^4はアリール基を表
わし、前記アリール基は置換されていないか又は NO_2、CN、アルコキシ、アリールオキシ、Cl、
F、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
式、表等があります▼、SO_2R、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、アルキル及び SR(但し、Rはアルキル又はアリール基を表わす)か
ら選択した1つ以上の基で置換されている]の基を表わ
し、 R^5は酸性媒質中で不安定な基を表わし、R^6はリ
ン含有基を表わし、 R^7は水素原子を表わす]のヌクレオシド誘導体をヌ
クレオシド誘導体又はオリゴヌクレオチド縮合する少な
くとも1つの縮合サイクルと (b)式R^1の保護基を除去する段階とからなるオリ
ゴヌクレオチドの合成方法。 - (11)R^1が基−CO−CH_2−CH_2−C_
6H_5である請求項10の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8713911 | 1987-10-08 | ||
FR8713911A FR2621591B1 (fr) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | Derives de nucleosides, notamment de desoxy-2' cytidine et leur utilisation pour la synthese d'oligonucleotides |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01128996A true JPH01128996A (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=9355631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63253624A Pending JPH01128996A (ja) | 1987-10-08 | 1988-10-07 | ヌクレオシド誘導体、特に2′−デオキシシチジン及びオリゴヌクレオチド合成へのそれらの使用 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5179200A (ja) |
EP (1) | EP0315499B1 (ja) |
JP (1) | JPH01128996A (ja) |
DE (1) | DE3880083D1 (ja) |
FR (1) | FR2621591B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007097446A1 (ja) * | 2006-02-27 | 2007-08-30 | Nippon Shinyaku Co., Ltd. | オリゴ核酸のキャッピング法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5623068A (en) * | 1994-03-07 | 1997-04-22 | Beckman Instruments, Inc. | Synthesis of DNA using substituted phenylacetyl-protected nucleotides |
FR2748275B1 (fr) * | 1996-05-03 | 1998-08-14 | Cis Bio Int | Derives de nucleosides, et leur utilisation pour la synthese d'oligonucleotides |
CN100424091C (zh) * | 2002-06-05 | 2008-10-08 | 三井化学株式会社 | 保护化2’-脱氧胞苷类的精制法 |
US7160537B2 (en) * | 2003-12-15 | 2007-01-09 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Method for preparing radiolabeled thymidine having low chromophoric byproducts |
US20050131224A1 (en) * | 2003-12-15 | 2005-06-16 | Cti Pet Systems, Inc. | Method for preparing radiolabeled thymidine |
JP2024511706A (ja) * | 2021-02-27 | 2024-03-15 | アジレント・テクノロジーズ・インク | ヌクレオシドホスホロアミダイトのn-環外アミノ環式炭化水素保護基の急速脱保護 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4458066A (en) * | 1980-02-29 | 1984-07-03 | University Patents, Inc. | Process for preparing polynucleotides |
EP0090789A1 (en) * | 1982-03-26 | 1983-10-05 | Monsanto Company | Chemical DNA synthesis |
FR2596761B1 (fr) * | 1986-04-08 | 1988-05-20 | Commissariat Energie Atomique | Derives de nucleosides et leur utilisation pour la synthese d'oligonucleotides |
-
1987
- 1987-10-08 FR FR8713911A patent/FR2621591B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-10-06 DE DE8888402530T patent/DE3880083D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-10-06 EP EP88402530A patent/EP0315499B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1988-10-07 JP JP63253624A patent/JPH01128996A/ja active Pending
- 1988-10-07 US US07/255,021 patent/US5179200A/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007097446A1 (ja) * | 2006-02-27 | 2007-08-30 | Nippon Shinyaku Co., Ltd. | オリゴ核酸のキャッピング法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0315499A1 (fr) | 1989-05-10 |
DE3880083D1 (de) | 1993-05-13 |
EP0315499B1 (fr) | 1993-04-07 |
FR2621591A1 (fr) | 1989-04-14 |
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