JPH01124938A - ガス放電パネル - Google Patents
ガス放電パネルInfo
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- JPH01124938A JPH01124938A JP62284885A JP28488587A JPH01124938A JP H01124938 A JPH01124938 A JP H01124938A JP 62284885 A JP62284885 A JP 62284885A JP 28488587 A JP28488587 A JP 28488587A JP H01124938 A JPH01124938 A JP H01124938A
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Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は交流駆動形ガス放電パネルの改良に関し、特に
セルフシフト方式ガス放電パネルの電極構造に関する。
セルフシフト方式ガス放電パネルの電極構造に関する。
表示放電に関与する誘電体層上の過剰蓄積電荷を電極材
料の移動なしに電極へ排出することにより、放電表示動
作の安定化および長寿命化を目的とし、 基板上に作成された複数の電極の表面を、該電極毎に分
離されてあり、基板上に少なくとも延在するかたちに導
電性金属保護層で被覆し、さらにその上を誘電体層で覆
って放電ガスと接しせしめると共に、前記導電性金属保
護層が放電ガスに一部露出するように、前記誘電体層を
、電極上の放電局部外において１部分的に欠除させた構
造のパネルである。
料の移動なしに電極へ排出することにより、放電表示動
作の安定化および長寿命化を目的とし、 基板上に作成された複数の電極の表面を、該電極毎に分
離されてあり、基板上に少なくとも延在するかたちに導
電性金属保護層で被覆し、さらにその上を誘電体層で覆
って放電ガスと接しせしめると共に、前記導電性金属保
護層が放電ガスに一部露出するように、前記誘電体層を
、電極上の放電局部外において１部分的に欠除させた構
造のパネルである。
本発明は交流駆動形ガス放電パネルの改良に関し、特に
セルフシフト方式ガス放電パネルの電極構造に関する。
セルフシフト方式ガス放電パネルの電極構造に関する。
特に過剰電荷の存在によって引き起こされる誤放電を防
止すると共に、同時に起こり易い電極材料の拡散防止を
実施するものである。
止すると共に、同時に起こり易い電極材料の拡散防止を
実施するものである。
本発明を適用する交流駆動形ガス放電パネルは、電極上
に誘電体層を有したパネルであり、ここでは本発明を最
も良く使用するセルフシフト方式ガス放電パネルの例を
挙げて説明する。
に誘電体層を有したパネルであり、ここでは本発明を最
も良く使用するセルフシフト方式ガス放電パネルの例を
挙げて説明する。
セルフシフト方式ガス放電パネルとは、既に特開昭５７
−１０７５３６等で開示されているシフト機能付き表示
パネルであるが、重複して少し説明すると本パネルは表
示自体に記憶機能を持った交流駆動形ガス放電パネルに
分類され、放電スポットの形で書き込まれた情報をその
ままのパターンでシフトして所定の位置に静止表示を行
う機能を備えている。そこで当該パネルの電極はメモリ
機能達成のために誘電体層で電極を被覆されたパネルで
あり、このパネルにおける表示の移動と共に放電によっ
て発生した電荷の移動もその誘電体層上で行われ、表示
開始部位と表示終焉部との間に電荷の集積による大きな
電位の差が現れる。
−１０７５３６等で開示されているシフト機能付き表示
パネルであるが、重複して少し説明すると本パネルは表
示自体に記憶機能を持った交流駆動形ガス放電パネルに
分類され、放電スポットの形で書き込まれた情報をその
ままのパターンでシフトして所定の位置に静止表示を行
う機能を備えている。そこで当該パネルの電極はメモリ
機能達成のために誘電体層で電極を被覆されたパネルで
あり、このパネルにおける表示の移動と共に放電によっ
て発生した電荷の移動もその誘電体層上で行われ、表示
開始部位と表示終焉部との間に電荷の集積による大きな
電位の差が現れる。
これを防ぐために両端部に集積する電荷を放電ガスに露
出した電極で逃がすことが従来から行われていた０例え
ば特開昭４９−４３５３５号（ＵＳＰ ３７８１６００
）に示された形式のガス放電パネルにおいては、シフト
路両端部の電極全体をガス放電空間に直接露出させて電
荷の蓄積が無いようにしていた。この他シフト路両端部
の電極対応誘電体層に電荷排出のためのピンホールや亀
裂或いは高抵抗性の被覆を与える等の考え方も先に一連
の特開昭５６−８６４４０或いは特開昭５７−１０７３
６等によって提案されている。
出した電極で逃がすことが従来から行われていた０例え
ば特開昭４９−４３５３５号（ＵＳＰ ３７８１６００
）に示された形式のガス放電パネルにおいては、シフト
路両端部の電極全体をガス放電空間に直接露出させて電
荷の蓄積が無いようにしていた。この他シフト路両端部
の電極対応誘電体層に電荷排出のためのピンホールや亀
裂或いは高抵抗性の被覆を与える等の考え方も先に一連
の特開昭５６−８６４４０或いは特開昭５７−１０７３
６等によって提案されている。
第３図は従来例によるセルフシフト方式ガス放電パネル
の電極部断面図である０図は理解を助けるため直線を多
用して誇張して描いである。ガラス等の基板３１の上に
下地層３２をクロム金属で作成し、その上に銅の導電層
３３を電極として固着させる。銅電極３３の肩端部Ｎは
エツチング手段によってテーパを付け、端部の角度Ｋを
小さくしておく、このように加工した基板上を蒸着また
はスパッタリングによってアルミナ等の誘電体を層３５
として堆積させる。すると前記誘電体層３５の段差が残
っている肩端部Ｎの立ち上がり部分で必然的に亀裂■が
発生する。こ−のようにすると過剰電荷は亀裂Ｖを通っ
て電極３２に流れ、電荷漏洩の目的を達成できる。この
とき亀裂Ｖから電極材料が拡散等で誘電体層表面へ出て
こぬ対策として前記角度には小さく加工し、出来る亀裂
の大きさが狭いようにしていた。
の電極部断面図である０図は理解を助けるため直線を多
用して誇張して描いである。ガラス等の基板３１の上に
下地層３２をクロム金属で作成し、その上に銅の導電層
３３を電極として固着させる。銅電極３３の肩端部Ｎは
エツチング手段によってテーパを付け、端部の角度Ｋを
小さくしておく、このように加工した基板上を蒸着また
はスパッタリングによってアルミナ等の誘電体を層３５
として堆積させる。すると前記誘電体層３５の段差が残
っている肩端部Ｎの立ち上がり部分で必然的に亀裂■が
発生する。こ−のようにすると過剰電荷は亀裂Ｖを通っ
て電極３２に流れ、電荷漏洩の目的を達成できる。この
とき亀裂Ｖから電極材料が拡散等で誘電体層表面へ出て
こぬ対策として前記角度には小さく加工し、出来る亀裂
の大きさが狭いようにしていた。
蓄積電荷を漏洩すべく電極をガス空間に小さな亀裂Ｖを
通して露出せしめるだけでも、活性なイオンによって電
極材料が誘電体層３５の表面ににじみ出し、または電極
材料を直接スパッタリングして清浄であった誘電体層表
面を局部的に電極材 料で汚染し、放電特性を変化させ
てしまう。
通して露出せしめるだけでも、活性なイオンによって電
極材料が誘電体層３５の表面ににじみ出し、または電極
材料を直接スパッタリングして清浄であった誘電体層表
面を局部的に電極材 料で汚染し、放電特性を変化させ
てしまう。
しかし蓄積電荷の漏洩は実施しておかないと、異常放電
などを起こして表示品質が損なわれる。
などを起こして表示品質が損なわれる。
このように、上記電極の露出が無ければ残留電荷が溜り
すぎるし、露出があると電極材料が拡散してパネルの動
作電圧が経時変化してしまうという二つの問題によって
、電極表面の誘電体層上に蓄積する電荷量をうまく一定
にすることは難しかった。
すぎるし、露出があると電極材料が拡散してパネルの動
作電圧が経時変化してしまうという二つの問題によって
、電極表面の誘電体層上に蓄積する電荷量をうまく一定
にすることは難しかった。
本発明は表示放電に関与する誘電体層上の過剰蓄積電荷
を電極材料の移動なしに電極へ排出することにより、放
電表示動作の安定化および長寿命化を目的とする。
を電極材料の移動なしに電極へ排出することにより、放
電表示動作の安定化および長寿命化を目的とする。
本発明は、パネル基板上の電極部てを誘電体層で覆う前
に、電極形成後、電極表面に導電性金属保護層として効
果が大きく、衝突イオンによって構成原子が移動しに（
い例えばクロム層で電極側面を含めて覆い、誘電体層表
面の対ガス放電特性を銅等の導電物質の拡散によって変
えないようにした上で、誘電体層の電極露出部分を放電
電荷の漏洩路として従来より大きく作成する。
に、電極形成後、電極表面に導電性金属保護層として効
果が大きく、衝突イオンによって構成原子が移動しに（
い例えばクロム層で電極側面を含めて覆い、誘電体層表
面の対ガス放電特性を銅等の導電物質の拡散によって変
えないようにした上で、誘電体層の電極露出部分を放電
電荷の漏洩路として従来より大きく作成する。
このようなパネルの構成であると放電動作が持続してイ
オンが電極表面に継続して衝突しても、電極表面に形成
した保護層であるクロム層がイオン衝突に強い緻密物質
であるため電極導電物質の拡散を防止し、したがって誘
電体層表面の対ガス放電性を変えることがなく、表示駆
動電圧が変化しない。
オンが電極表面に継続して衝突しても、電極表面に形成
した保護層であるクロム層がイオン衝突に強い緻密物質
であるため電極導電物質の拡散を防止し、したがって誘
電体層表面の対ガス放電性を変えることがなく、表示駆
動電圧が変化しない。
この拡散防止を行った丈夫な保護層つき電極により、該
電極を大きく放電空間に露出させることができる。これ
により電極材料の拡散なしに余剰電荷の中和が可能とな
り、その結果セルフシフト方式ガス放電パネルの特性を
一定に保つので、長寿命を全うすることができる。
電極を大きく放電空間に露出させることができる。これ
により電極材料の拡散なしに余剰電荷の中和が可能とな
り、その結果セルフシフト方式ガス放電パネルの特性を
一定に保つので、長寿命を全うすることができる。
さて第１図に本発明を実施したセルフシフト方式ガス放
電パネルの一電極断面図を示す。
電パネルの一電極断面図を示す。
第１図において、２１は一方の基板、２２は下地層、２
３は導電層である電極、２４は拡散防止を行う保護層、
２５は誘電体層、Ｇは新たに亀裂をより広く形成した電
荷漏洩空間である。
３は導電層である電極、２４は拡散防止を行う保護層、
２５は誘電体層、Ｇは新たに亀裂をより広く形成した電
荷漏洩空間である。
本発明の上記電極の作成方法を第２図で記述すると、第
２図（ａ）に示すように、基板２１上にクロムからなる
下地層２２を約数ミクロン厚蒸着またはスパッタリング
した後、銅の導電層２３を約１ミクロン厚付けて前記下
地層となるクロム層と共にエツチングを行い電極のパタ
ーンに整形する。
２図（ａ）に示すように、基板２１上にクロムからなる
下地層２２を約数ミクロン厚蒸着またはスパッタリング
した後、銅の導電層２３を約１ミクロン厚付けて前記下
地層となるクロム層と共にエツチングを行い電極のパタ
ーンに整形する。
このとき銅の端面２９の基板２１に対する傾斜は前記し
た従来例と異なり垂直に近くすなわち角度Ｊを約９０度
とし、この後第２図（ｂ）に示すように、前記電極の上
を再びクロムからなる保護層２４で前記工程で作成した
電極の幅より数〜数十ミクロン広（マスクを置いて、厚
さは千〜二千オングストロームに蒸着またはスパッタリ
ングする。このとき電極側部にも十分クロムが付着する
ようにする。
た従来例と異なり垂直に近くすなわち角度Ｊを約９０度
とし、この後第２図（ｂ）に示すように、前記電極の上
を再びクロムからなる保護層２４で前記工程で作成した
電極の幅より数〜数十ミクロン広（マスクを置いて、厚
さは千〜二千オングストロームに蒸着またはスパッタリ
ングする。このとき電極側部にも十分クロムが付着する
ようにする。
このようにして出来上がった電極２３上にアルミナ等の
誘電体層材料を数十〜数百ミクロン厚蒸着またはスパッ
タリングをすると、該誘電体層２５に第２図（Ｃ）にお
いてＧで示すような従来例より大きい亀裂が、前記した
電極角部の角度Ｊを従来例で述べた小さい角度によりも
大きい角度約９０度とすることで、形成できる。この角
度による薄膜亀裂幅制御技術は半導体の分野で良く知ら
れた技術である。
誘電体層材料を数十〜数百ミクロン厚蒸着またはスパッ
タリングをすると、該誘電体層２５に第２図（Ｃ）にお
いてＧで示すような従来例より大きい亀裂が、前記した
電極角部の角度Ｊを従来例で述べた小さい角度によりも
大きい角度約９０度とすることで、形成できる。この角
度による薄膜亀裂幅制御技術は半導体の分野で良く知ら
れた技術である。
ここに作成したより大きな電荷漏洩空間Ｇと、表面を緻
密なりロム層２４で保護した電極２３によって過剰電荷
の中和と電極材料のスパッタリングの防止とを共に達成
し得た。
密なりロム層２４で保護した電極２３によって過剰電荷
の中和と電極材料のスパッタリングの防止とを共に達成
し得た。
本発明では拡散防止層２４として、クロム金属層を使用
したがクロムの他にチタン、ニッケルが同等の効果を示
すものであり、そのチタン、ニッケル等で電極を被覆し
ても良い。
したがクロムの他にチタン、ニッケルが同等の効果を示
すものであり、そのチタン、ニッケル等で電極を被覆し
ても良い。
本発明を適用するパネルはここで例を挙げたセルフシフ
ト方式ガス放電パネルのみで無く、表面電荷によるメモ
リ効果を使用する全ガス放電パネルにあてはまるもので
ある。なかでも書き込み専用電極を持つ、例えば特開昭
６０−４７３４１等で提案し−ている三電極面放電形ガ
ス放電パネルにおいては、書き込み電極の周辺での電荷
処理に本発明の方法がよく適合する。すなわち対となっ
ている表示電極と該表示電極を放電させる書き込み電極
とからなる三電極面放電形ガス放電パネルの書き込み電
極では、書き込みだけに働き一定極性の電圧で動作させ
る関係から該電極壁に集積する電荷の極性が一定となり
、電荷が溜りすぎて動作が不安定になると言う電荷集積
の弊害が発生するので、そのようなパネルでは該電荷を
漏洩させる手段として本発明の方法が使用でき、この場
合も本発明の電極構造および誘電体層を形成する技術が
そのまま適用される。
ト方式ガス放電パネルのみで無く、表面電荷によるメモ
リ効果を使用する全ガス放電パネルにあてはまるもので
ある。なかでも書き込み専用電極を持つ、例えば特開昭
６０−４７３４１等で提案し−ている三電極面放電形ガ
ス放電パネルにおいては、書き込み電極の周辺での電荷
処理に本発明の方法がよく適合する。すなわち対となっ
ている表示電極と該表示電極を放電させる書き込み電極
とからなる三電極面放電形ガス放電パネルの書き込み電
極では、書き込みだけに働き一定極性の電圧で動作させ
る関係から該電極壁に集積する電荷の極性が一定となり
、電荷が溜りすぎて動作が不安定になると言う電荷集積
の弊害が発生するので、そのようなパネルでは該電荷を
漏洩させる手段として本発明の方法が使用でき、この場
合も本発明の電極構造および誘電体層を形成する技術が
そのまま適用される。
本発明の方法によると、電荷漏洩空間Ｇが大きいので、
蓄積電荷の漏洩が十分に行われ、表示に不都合が起こら
ぬばかりでなく、電荷漏洩空間Ｇが大きいときしばしば
問題になった電極材料の拡散の問題も、拡散防止層とな
る保護層を作成したおかげで起こり得な（なった、そこ
で誘電体層の対ガス放電特性が初期のままに保たれ、再
現性良くメモリ表示が可能となる。
蓄積電荷の漏洩が十分に行われ、表示に不都合が起こら
ぬばかりでなく、電荷漏洩空間Ｇが大きいときしばしば
問題になった電極材料の拡散の問題も、拡散防止層とな
る保護層を作成したおかげで起こり得な（なった、そこ
で誘電体層の対ガス放電特性が初期のままに保たれ、再
現性良くメモリ表示が可能となる。
第１図は本発明のセルフシフト方式ガス放電パネル電極
部断面図、 第２図は本発明の電極部製造方法を説明する基板断面図
、 第３図は従来のセルフシフト方式ガス放電パネル電極部
断面図である。 図において、 ２１は一方の基板、 ２２は下地層、 ２３は導電性の良い電極、 ２４は拡散防止を行う保護層、 ２５は誘電体層、 Ｇは拡幅された電荷漏洩空間となる割れ目である。
部断面図、 第２図は本発明の電極部製造方法を説明する基板断面図
、 第３図は従来のセルフシフト方式ガス放電パネル電極部
断面図である。 図において、 ２１は一方の基板、 ２２は下地層、 ２３は導電性の良い電極、 ２４は拡散防止を行う保護層、 ２５は誘電体層、 Ｇは拡幅された電荷漏洩空間となる割れ目である。
Claims (2)
- （１）基板上に配した複数の電極（２３）を有し、該電
極の表面を誘電体層（２５）で覆ってなる基板（２１）
を用いて放電ガス空間を形成した交流駆動形ガス放電パ
ネルにおいて、 基板（２１）上に作成された複数の電極（２３）の表面
を、該電極毎に分離されてあり、基板（２１）上に少な
くとも延在するかたちに導電性金属保護層（２４）で被
覆し、さらにその上を誘電体層（２５）で覆って放電ガ
スと接しせしめると共に、前記導電性金属保護層（２４
）が放電ガスに一部露出するように、前記誘電体層（２
５）を、電極上の放電局部外において部分的に欠除させ
たことを特徴とするガス放電パネル。 - （２）前記電極（２３）を被覆する導電性金属保護層（
２４）をクロム金属層としたことを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項記載のガス放電パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62284885A JPH01124938A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | ガス放電パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62284885A JPH01124938A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | ガス放電パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01124938A true JPH01124938A (ja) | 1989-05-17 |
Family
ID=17684295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62284885A Pending JPH01124938A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | ガス放電パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01124938A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4841147A (en) * | 1986-06-30 | 1989-06-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Image read-out and recording apparatus |
| US4975580A (en) * | 1987-01-13 | 1990-12-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiation image read-out and reproducing apparatus |
| JPH07199826A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | カラー・プラズマ・ディスプレイ・パネル |
| US6242860B1 (en) | 1996-06-11 | 2001-06-05 | Fujitsu Limited | Plasma display panel and method of manufacturing same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60262331A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-25 | Fujitsu Ltd | セルフシフト型ガス放電パネル |
-
1987
- 1987-11-10 JP JP62284885A patent/JPH01124938A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
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