JPH01120834A - 半導体素子のダイボンディング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体ペレットをリードフレームのペレット
取付部（以下、アイランドという）に固定する半導体素
子のダイボンディング装置に関し、特に、半導体ペレッ
トを吸着コレットに対して位置合わせするプリサイサス
テージを改良した半導体素子のダイボンディング装置に
関する。

［従来の技術］ 第３図（ａ＞乃至（ｅ）は従来のダイボンデ４イング装
置を示す模式図である。第３図（ａ）に示すように、シ
ート２１上には完全に切断された複数個の半導体ペレッ
ト２が連続的に固着されている。そして、シート２１側
から突き上げ棒２２によりシート２１を突き上げ、コレ
ット吸着口２４を有する表面吸着コレット２３によりシ
ート２１上の半導体ペレット２を吸着する。そして、第
３図（ｂ）の平面図及び第３図（Ｃ）の縦断面図に示す
ように、この表面吸着コレット２３により、半導体ペレ
ット２を中間ステージ２５上に載置する。

この中間ステージ２５には、４個のプリサイサ２６が配
設されており、このプリサイサ２６を中間ステージ２５
上でスライドさせることにより、中間ステージ２５上の
半導体ペレッｌ−２を所定位置に位置させる。そして、
コレット吸着口３を有する二面又は四面コレット１によ
り半導体ペレット２を吸着し、この半導体ペレット２を
リードフレームのアイランドに移し、半導体ペレット２
をアイランドに載置する。

［発明が解決しようとする問題点］ ところで、従来のグイボンディング装置においては、第
３図（Ｃ）に示すように、吸着コレット１を半導体ペレ
ット２の直上に位置させた後、吸着口３を介して半導体
ペレット２を真空吸引する。

この場合に、コレット１及び中間ステージ２５が剛体で
あるため、吸着コレット１により半導体ペレット２を破
損させないようにするため、吸着コレット１を所定位置
に位置させたときに、コレット１と半導体ペレット２と
の間に、０．１乃至０．２開の間隙２７が設けられるよ
うにする必要がある。しかしながら、このような間隙２
７を設けるためのプリサイサ２６の調整が極めて困難で
ある。

また、この調整が不良であった場合には、第３図（ｄ）
に示すように、半導体ペレット２がコレット１にズレが
生じた状態で吸着されたり、第３Ｖ　（ｅ　）に示すよ
うに、コレット１と中間ステージ２５との間に挾まれて
半導体ペレット２にクラックが発生したり、半導体ペレ
ット２のコーナー部２８が欠損してしまうという問題点
がある。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
半導体ペレットをクラック及び欠損を生じさせることな
く、確実に吸着することができる半導体素子のダイボン
ディング装置を提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ 本発明に係る半導体素子のダイボンディング装置は、凹
所が形成された第１のステージと、前記凹所内に配設さ
れた第２のステージと、この第２のステージを前記第１
のステージに対して弾性的に支持する弾性支持手段と、
第２のステージ上に載置された半導体ペレットを所定位
置に位置合わせするプリサイサと、第２のステージ上の
半導体ペレットを吸着する吸着コレッ、トと、を有する
ことを特徴とする。

［作用コ 本発明においては、半導体ペレットが載置される第２の
ステージは弾性支持手段により第１のステージに弾性的
に支持されている。従って、プリサイサにより位置合わ
せした後、半導体ペレットの位置が所定位置から若干ず
れていても、吸着コレットが半導体ペレットに接触する
と、第２のステージが弾性的に動くので、半導体ペレッ
トは吸着コレットに確実に正常な状態で吸着される。従
って、半導体ペレットのクラック及び欠損等の不良発生
が回避される。

［実施例］ 次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して具
体的に説明する。

第１図は本発明の第１の実施例に係るグイボンディング
装置を示す断面図である。第１のステージ４は固定的に
設置されており、このステージ４の上面には凹所５が設
けられている。この凹所５の中央には凹所５とステージ
４の下面とを連通ずる孔６が形成されている。

凹所５内には、凹所５の深さより薄い厚さを有する平板
状のプリサイサスチーシフ（第２のステージ）が遊嵌さ
れており、このプリサイサスチーシフと凹所５の底面と
の間には複数本のスプリングバネ８が介装されている。

このバネ８によりプリサイサスチーシフはステージ４に
対して弾性的に支持される。

このステージ７の中央にはステージ吸着孔９が設けられ
ており、この吸着孔９は孔６を挿通してステージ４内に
挿入されたパイプを介して適宜の真空吸引源（図示せず
）に連結されている。

半導体ペレット２が載置された状態でプリサイサスチー
シフはステージ４と面一になっており、このステージ４
，７の上面をスライドして移動可能のプリサイサ１０が
設けられている。このプリサイサ１０は、ステージ４．
７の上面に沿って移動することにより、ステージ７上に
載置された半導体ペレット２を押し出して、所定位置に
位置させる。

この所定位置の上方には、二面コレット１が配設されて
おり、コレット１にはコレット吸着口３が設けられてい
る。この吸着口３は適宜の真空吸引源に連結されており
、コレット１を半導体ペレット２の直上まで下降させた
後、吸着口３を介して半導体ペレット２を吸引すること
により、このペレット２を吸着することができる。

次に、このように構成されたダイボンディング装置の動
作について説明する。先ず、半導体ペレット２をプリサ
イサスチーシフ上に載置する。そして、プリサイサ１０
を進出移動させて半導体ペレット２をステージ７上の所
定位置に位置させる。

次いで、プリサイサ１０を退避移動させた後、二面コレ
ット１を下降させてペレット２の直上に位置させる。そ
して、吸着口３を介してペレット２を真空吸引すると、
ペレット２がコレット１に吸着される。

この場合に、ペレット２がステージ７上の所定位置から
若干ずれていても、吸着コレット１が下降してきたとき
に、その縁部がペレット２と接触し、スプリングバネ８
により弾性支持されたステージ７の姿勢を若干変化させ
る。これにより、ペレット２はコレット１に正常な状態
で吸着される。

また、コレット１がペレット２に接触〔ても、ステージ
７が弾性支持されているので、ペレット２にクラック又
は欠損が生じることはない。コレット１に吸着支持され
たペレット２はコレット１に搬送されてリードフレーム
のアイランド（いずれも図示せず）に移送される。

次に、第２図を参照して本発明の第２の実施例について
説明する。第２図において第１図と同一物には同一符号
を付して説明を省略する。この実施例が第１の実施例と
異なる点は弾性支持手段として、スプリングバネ８の替
りに、ゴム板１１を使用したことにある。つまり、プリ
サイサスチーシフの下面にはゴム板１１が貼り付けられ
ており、このゴム板１１の両端部はステージ４の凹所５
の側面にて支持されている。

このような構造においても、プリサイサスチーシフをゴ
ム板１１により弾性支持することができるので、第１の
実施例と同様の効果を奏する。

なお、弾性支持手段としては、スプリングバネ８及びゴ
ム板１１に限らず、例えば、空気バネによりステージ７
を支持してもよい。また、コレット１は二面コレットに
限らず、四面コレット等種々のものを使用することがで
きる。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、半導体ペレットを
リードフレームのアイランドへ固定するダイボンディン
グ装置において、位置決め用の第２のステージをスプリ
ングバネ又はゴム板等の弾性支持手段により弾性的に支
持するから、半導体ペレットと吸着コレットとの間の位
置調整が容易になり、半導体ペレットはコレットに対し
て位置ズレして吸着されることがなく確実に正常の状態
に吸着されるので、ペレットにクラックが生じにくく、
また半導体ペレットを吸着した状態で第２のステージが
上下動可能であるため、コレットの接触によるペレット
の欠損も生じにくくなり、歩留が向上する。また、コレ
ットに対するペレットの位置調整が容易であるから、品
種交換時の調整時間を短縮することができ、装置の稼働
率が向上するという効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図、第２図は
本発明の第２の実施例を示す断面図、第３図（ａ）及び
（ｃ）乃至（ｅ）は従来の半導体素子のダイボンディン
グ装置を示す断面図、第３図（ｂ）は半導体ペレットと
プリサイサとの配置関係を示す平面図である。 １；二面コレット、２：半導体ペレット、３；コレット
吸着口、４；ステージ、５；凹所、７；プリサイサステ
ージ、８；スプリングバネ、９；ステージ吸着口、１０
．２６．プリサイサ、１１；ゴム板、２１；シート、２
２；突き上げ棒、２３；表面吸着コレット、２７；間隙
、２８；コーナ一部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　凹所が形成された第１のステージと、前記凹所内に配
   設された第２のステージと、この第２のステージを前記
   第１のステージに対して弾性的に支持する弾性支持手段
   と、第２のステージ上に載置された半導体ペレットを所
   定位置に位置合わせするプリサイサと、第２のステージ
   上の半導体ペレットを吸着する吸着コレットと、を有す
   ることを特徴とする半導体素子のダイボンディング装置
   。