JPH01117024A - 異物検出方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、試料上の微／Ｊ％異物を検出する方法及・び
装置に係り、特に製品（パターン付）ウェハ上・の異物
を検出するのに好適な異物検出方法及び装置５［Ｋ関す
る。

〔従来の技術〕

パターン付ウェハ上異物検査を例にとると、従。

米の技術は例えば、特開昭５４−５７１２６に代表され
。

るように、ウェハ上の回路パターン及び異物に直ゎ線偏
光レーザ光を照射した際の、各々の反射光の。

偏光解消度の違いに着目したものである。すなわ。

ち、第５図に示すように、レーザ７ｏα及び７０６か′
ら出射したＳ偏光ビームでウェハ１上を斜方照明゛スル
。一般に、ウェハ上の回路パターン７１は概ね５規則的
な直線段差パターンで構成されているため、゛レーザ光
の偏光解消は少なく、パターン７１のうちζレーザビー
ム１０３の元軸と直交する直載エツジか“らの反射光７
４にはＳ偏光成分がそのまま保存され・る。一方、異物
はその形状に規則性がなく、入射１゜レーザ光に対して
様々な入射角を有する微小面で・構成されていると考え
られ、レーザ光は散乱され・る。その結果、偏光が解消
し、散乱光７５にはＳ偏・光及びＰ偏光成分が混在する
。そこで、対物レン・ズ７の上方にＳ偏光成分（実線で
示す）を遮断す１５るように偏光板７６を配置すれば、
光電に換素子７７゜では異物散乱光７５の中のＰ偏向成
分のみが７９の。

ように検出される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

第６図（α）は上記従来方式における偏光板通過前、。

・　３　・ の、また同図［ｈｌは同じ（通過後の異物散乱光の偏。

元状態を各々示したものである。図から明らかな゛よう
に、従来方式においては、偏光板を通過でき′るＰ偏光
成分は全異物散乱光のごく一部であり、゛最小検出異物
は３〜５μｍ程度が限界である。すな５わち、従来方式
は、試料上のパターンからの反射。

元を除去するために、偏光板を用いているわけで。

あるが、そのために異物散乱光の多くをも除去す。

る結果になっている。従って第７図に示すように、。

さらに微小な１〜２μｍ異物８４の場合は、全散乱光１
Ｇそのものの光量低下と偏光板による光量低下のだ・め
、検出が極めてむつかしくなる。検出光量を増・加させ
るため、レーザ光の強度を増加させると、・それまであ
まり光らなかったパターン・コーナ部・での散乱光が偏
光板を通過してしまい、異物との１５弁別が困難になる
。また、異物の材質及び形状に。

よっては偏光解消が小さいものがあり、その場合。

は、異物散乱光にＰ偏光成分がほとんど含まれず。

ますます検出か困難になる。

本発明の目的は、上記従来技術の問題点に鑑み、。

・　４　・ 偏光解消に依存せず、高い効率で異物散乱光を検。

出できる異物検出方法及び装置を提供することに。

ある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、試料上を、試料上のパターンを構５成する
主要な直線群に対し試料平面上で所望の限。

られた回転角を成す方向から、指向性の高い照明。

元で斜方照明し、試料からの散乱光を検出する目゛的で
照明領域の垂直上方に設けた検出光学系内の。

空間周波数領域において、試料上のパターンを構１Ｇ成
する他の直載群からの規則的散乱光を遮光し、。

上記遮光手段を通過してきた試料上の異物からの・散乱
光を上記検出光学系を介して、光検出器で検出すること
により、達成される。

〔作用〕１５ 従来技術の問題点は、異物散乱光に影響を与え。

ることなくζくターンからの反射光のみを除去し、。

異物散乱光を可能な限り高い効率で検出すること。

により解決できる。その手段としては、試料平面。

上でパターンの直線部と照明光の光軸とが成す回、。

、６　。

転角がある一定値以上になると、パターンからの。

反射回折光が検出光学系に入射しなくなることを゛利用
する。上記手段によれば少なくとも試料上の。

互いに直交する２組の直線パターン群を完全に除゛去で
きる。一方、上記手段で除去しきれない直線５パタ一ン
群については、検出光学系の空間周波数。

領域、すなわちフーリエ変換面において、上記残。

存直線パターン群のフーリエ変換像を空間フィル。

りにより遮光することにより、これを除去するこ。

とができる。以上の手段によれば、異物散乱光に１０大
きな影響を与えることな（パターンからの反射・元を除
去でき、異物散乱光を高い効率で検出する。

ことができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を第１図〜第４図により■５説明
する。

まず、本発明の基本原理を、パターン付ウェハ。

異物検査を例にとり、第２図により説明する。第。

２図（α）は異物検出光学系の原理図を示したもので。

ある。ウェハ１は、対物レンズ７、リレーレンズ。。

９及び１２により光電変換素子１３上に結像している。

。 一方、対物レンズ７内の空間周波数領域、すなわ。

ち７一リエ変換面（射出瞳に相当する）８は、す。

レーレンズ９により２０の位置に結像している。本。

発明は、同図（ｂ）に示すように、ウェハ上に形成さ５
れている回路パターンが、概ね互いに直交する２゜組の
直線群と、ごく一部に存在する上記直線群に。

対して４５°の角度を成す直線群の、計６組の直線扉か
ら構成されていることに層目したものである。。

今、第２図（α）に示すように、Ｘ軸及びｙ軸に平行】
０な直線エツジ部から成るパターン１８を想定し、こ・
れを斜方照明するレーザ１９のビーム１０２と一軸と・
がウェハ平面上で成す回転角をψとする。回転角・ψに
応じて、パターン１８のうちのｙ軸方向の直線・エツジ
部からの反射回折光、すなわちフーリエ変１５換像は、
２０の位置、すなわち対物レンズ７の７−。

リエ変換面（空間周波数領域＝射出瞳）８の結像。

位置（２１が射出瞳の像である）において、２２の。

ように変化する。すなわち、回転角ψがある一定。

値勉以上になると、もはやパターンの＠巌エツジ、。

、７　。

部からの反射回折光は対物レンズに入射しないこ。

とが判る。例えば、Ａ’　Ａ　（ＮｔｂｍｇｒｉｃａＩ
　Ａｐｇｒｔ′ｔＬｒｇ：’開口数）０．４の対物レン
ズの場合、ψｍ＝２０°であ。

る。従って、検出光学系にＮ　Ａ　Ｏ，４の対物レンズ
。

を使う場合は、斜方照明用レーザビームの回転角５ψを
Ｘ軸及びｙ軸に対して２０°を越える値に設定゛すれば
、Ｘ軸及びｙ軸と平行な直線エツジ部から。

の反射光を完全に除去することができる。この回゛転角
ガは対物レンズのＮＡにより異なる値となる。。

ＮＡが大きいほどその値は大きい。この際、異物１Ｇ散
乱光は全（影響を受けない。第２図１ｂ＋は、余裕・を
みて回転角ψを４５°とした時のパターン及び異・物か
らの反射光を示したものである。パターン２・のうもＸ
軸及びｙ軸と平行な直線エツジ部からの・反射回折光は
対物レンズ７に入射しないから、検１５出画像２６に示
すように、これらのパターン情報は。

完全に除去できる。一方、パターン２のうちＸ軸。

及びｙ＠Ｊｆｃ対し４５°方向を成す直線エツジ部から
。

の反射回折光は、対物レンズ７に入射し、２ｏの位。

置、すなわちフーリエ変換面におい℃、細長（巣。

、　８　。

光したフーリエ変換像となり、また検出画像２６に。

おいてもそのパターン情報２７が得られている。２５゜
は異物のフーリエ変換像であり、その形状の不規。

則性のためフーリエ変換面で太き（広がっている。“そ
こで、両者のフーリエ変換像の形状の違いに看５目して
、遮光部３１を有する空間フィルタ２９を、。

２０の位置、すなわちフーリエ変換面に設置するこ。

とにより、４５°方向の直線エツジ部のフーリエ変。

換像を遮光することができる。その結果、検出面。

像６２に示すように異物情報３３のみを抽出すること１
０ができる。尚、この４５°方向のパターンはウェハ。

上でわずかに存在するものであり、フーリエ変換。

像２４は極めて細いため、空間フィルタ２９の遮光部・
３１もかなり細くすることができる。従って、この・遮
光部３１による異物散乱光の遮光量は極めて少な１５い
。

以上述べたように、本発明の基本原理は、Ｘ軸。

及びｙ軸方向の反射回折光が対物レンズに入射し。

ないある回転角でウェハ上を斜方照明することに。

より、ウェハ上の回路パターンの大半を占める”　２０
軸及びｙ軸方向のパターン情報を除去し、残りの。

他の方向のパターン情報については、対物レンズ。

もしくは検出光学系のフーリエ変換面に設けた空。

間フィルタにより、これを除去することにより、。

異物散乱光を太き（損なうことなく、異物情報の５みな
抽出するものである。

以下、本発明の第１の実施例を第１図にまり説・明する
。

第１図は第１の実施例における異物検出光学系・を示す
図である。本光学系は、ｘｙステージＣ図１０示せず）
、レーザ斜方照明光学系２００α、　２００ｂ、　　・
対物レンズ７、リレーレンズ９、空間フィルタ１０、・
リレーレンズ１２．２次元固体撮像素子９０より構・成
される。同図において、試料は回路パターンが。

形成された製品ウェハである。レーザ照方照明元、。

学系２００α、　２ｏｏｂは、それぞれ、半導体レーザ
４α、。

４ｂ、ビーム補正光学系５α、５ｂ、集光レンズ６α、
。

６ｂから成り、半導体レーザ４α、　４ｂから出射した
。

楕円形ビームを、ビーム補正光学系５α、　５ｂによ。

り円形ビームに整形した後、集光レンズ６α１６ｂ２０
により、傾斜角ｒ％Ｘ軸及びｙ軸より４５°の回転。

角でもって、２方向からウエノ１上に照射する。つ。

エバ１は、対物レンズ７、リレーレンズ９．１２に。

より２次元固体撮像素子９０上に結像している。−。

方、対物レンズ７のフーリエ変換ｌ（空間＠波数３領域
＝射出瞳）８は、リレーレンズ９により１１の。

位置に　結像している。本実施例においては、つ・エバ
１上の回路パターン２を構成する主要な２組・の直線エ
ツジ群が、それぞれＸ＠及びｙ＠に平行・になるように
ウェハを配置している。従って、ｘ＋０軸及びｙ軸に対
して４５°の回転角で斜方照明する・ことにより、上記
Ｘ軸及びｙ＠に平行な厘祿エツ・ジ群からの反射回折光
は対物レンズに入射しない。

から、これらのパターン情報を除去することがで。

きる。一方、パターン２のうち、ｘ＠Ｕ及びｙ４ｆｉに
１５対して４５°方向を成す直線エツジ群はレーザビー
。

ムに対し直交となるから、その反射回折光は、フ。

−リエ変換面１１において、第２図［ｂｌに示すような
。

測長く集光したフーリエ変換像となる。従って、。

遮光９１５を有する空間フィルタ１０を１１の位置に、
。

・１１　・ 設けることにより、このパターン情報を除去する。

ことができる。尚、この際、レーザビーム１０２と゛平
行な４５°方向からの反射回折光は対物レンズ７゜Ｋ入
射しない。以上のようにして、ウェハ上の回。

路パターン情報を総て除去することができ、その５結果
、２次元固体撮像素子９０の検出画像１６に示す。

ように、異物情報１７のみを抽出することができる。。

本実施例においては、原理説明のところでも述。

べたように、４５°回転斜方照明により、異物散乱・光
に影響を与えることな（、ウェハ上の回路メタ１〇−ン
の大半を占めるＸ軸及びｙ軸方向のパターン・情報を除
去でき、また残りの他の方向のパターン・情報を除去す
るための空間フィルタ１０の還元部１５゜の幅をかなり
小さくすることができるため、異物・散乱光を太き（損
な１つ、ことな（、異物情報のみを、５抽出することが
できる。

以下、本発明の第２の実施例を第３図により説。

明する。

第３図は第２の実施例における異物検出光学系。

を示す図である。本光学系は、第１図に示した第、。

・１２　・ １の実施例の異物検出光学系において、既にある。

レーザ斜方照明光学系と直交する方向に、新たに。

レーザ斜方照明光学系２００Ｃ，２００ｄ　（図示せず
）。

を追加し、計４方向から斜方照明する構成とし、゛かつ
それに対応して、遮光部４２及び４３を有する５゛空間
フィルタ４０をフーリエ変換面１１に配置した。

他は、総て第１の実施例の異物検出光学系と同じ。

構成及びａ能を有する。Ｘ軸及びｙ軸に対して４５°。

の回転角で４方向から斜方照明した場合でも、ツク゛タ
ーン２のうちＸ＠及びｙ軸に平行な直線エツジ１０群か
らの反射回折光は対物レンズに入射しないか・ら、これ
らの情報を除去することができる。一方Ｃパターン２の
うち、Ｘ軸及びｙ軸に対して４５°方・向を成す直線エ
ツジ群は４方向からのレーザピー・ムに対し、直交とな
るから、その反射回折光は、１５フ一リエ変換面１１に
おいて、細長く集光した中文。

字状のフーリエ変換像となる。従って、遮光部４２゜及
び４６を有する空間フィルタ４０を１１の位置に設。

けることにより、このパターン情報を除去するこ。

とができる。以上のようにして、ウエノ為上の回路。。

、１４　。

パターン情報を総て除去することができ、その結。

果、２次元固体撮像素子９０の検出画像４４に示す。

ように、異物情報４５のみを抽出することができる。゛
本実施例においては、第１の実施例と同様の効゛果があ
るだけでなく、さらに以下の効果を有するＪすなわち、
異物によってはその形状に方向性をも。

つものがあり、限られた方向から照明した場合、゛その
散乱光の指向性が高（なり、最悪の場合、散。

乱光が対物レンズに入射しないケースも生じて（。

る。本実施例では４方向から斜方照明しているた１゜め
、上記の場合でも、異物散乱光の指向性を低減・するこ
とができ、異物検出光量の低下を防ぐこと・ができる。

また、パターン段差部に何層し、２方・向照明では段差
の隘になり検出が困難な異物も、・４方照明により十分
な照明光量が得られ、異物見１５逃しを防ぐことができ
る。

以下、本発明の第３の実施例を′＠４図により説。

明する。

第４図は、第３の実施例における異物検出光学。

系を示す図である。本光学系は、ｘｙステージ（２゜図
示せず）、レーザ斜方照明光学系２００α、　２００ｂ
、　’２００Ｃ，２００ｄ（図示せず）、対物レンズ７
、リレ。

物レンズ９、成長分離ミラー５０、空間フィルタ　。

５１α、５１，６．　　ミラー５２α、５２ｂ、成長合
成ミラー。

５３、リレーレンズ５４．２次元固体像像累子５４と、
５さらに信号処理系としてメモリ６０．比較回路１５０
゜より構成される。同図において、試料は前述の２゜つ
の実施例と同様、回路パターンが形成された製。

品ウェハである。４つのレーザ斜方照明光学系　。

２００α、２００ｂ、　２０ＤＣ，２０Ｏｃｔの構成、
配ｔｉｔｔ惚龍は１０第２の実施例と全く同様であるが
半導体レーザ４ａ、。

４ｂは波長８４０ｒＬｍのものを、４ｃ　、　４ｄは波
長７８０ｒｂｍ　−のものをそれぞれ使用している。ウ
ェハ１′は、対・物レンズ７、リレーレンズ９．５４に
より、２次元。

固体ｍ像累子９０上に結像している。−万、対物し１５
ンズ７のフーリエ変換面（空間周波数憤域＝射出・謙）
８は、リレーレンズ９により、５５及び５６の。

位置に結像している。成長分離ミラー５ｏ及び波長。

合成ミラー５３は、ＶＬ艮８４０ｎｍの元を透通させ、
阪・長７ＢＯｎｍの光を反射する。

・１５・ 以下、本異物検出光学系の機能を説明する。Ｘ・軸及び
ｙ軸に対して４５°の回転角で４方向から斜・方照明し
た場合は、第２の実施例と同様、パター・ン１４０のう
ちＸ軸及びｙ軸に平行な直線エツジ群・からの反射回折
光は対物レンズに入射しないからζこれらの情報を除去
することができる。一方、バ・ターン１４０のうち、Ｘ
軸及びｙ＠に対して４５°方・向を成す直線エツジ群は
４方向のレーザビームに・対し、直交を成す。波長８４
０ｒＬ７７Ｌの半導体レーザ　・４α、　４ｂから出射
したビームによって照明された。。

同ビームに対して直交する４５°方向の直線エツジ。

群からの反射回折光は、板長分離ミラー５０を透過。

し、フーリエ変換面５５において、第２図ｔＡｌに示す
。

ような、ビームと平行に細長く集光したフーリエ。

変換像となる。従って遮光部５８αを有する空間フ、。

イルタ５１αを５５の位置に設けることにより、この。

パターン情報を除去することができる。一方、波長７８
０ｎｍの半導体レーザ４ｃ　、　４ｄから出射したビ。

−ムによって照明された同ビームに対して直交す。

る４５°方向の直線エツジ群からの反射回折光は、２゜
・１６　・ 波長分離ミラー５０により反射され、フーリエ変換・面
５６において、第２図（ｈ）に示すような、ビームと・
平行に細長（集光したフーリエ変換像となる。従・って
、上記と同様に、遮光部５８ｂを有する空間）・イルタ
５１，６を５６の位置に設けることにより、この５パタ
ーン情報を除去することができる。以上のよ・うにして
、回路パターンの情報が除去された２つ。

の波長のウェハ１′からの反射光は、波長合成ミラ。

−５６により合成された後、リレーレンズ５４により、
２次元固体蕩像素子９０上に結像する。一方、ウニ１゜
ハ１′は、前述の２つの実施例におけるウェハ１よ。

りもパターン段差が大きいＣＡＩ配勝工程のように。

半導体製造プロセスの後工程においては、前工程。

に比ヘハターン段差が大きくなる）ため、パター。

ン１４０のコーナ部での光の散乱状態が異物のそれ、５
に近くなり、空間フィルタ５１α及び５１．６を通過し
。

てしまう。その結果、２次元固体熾像素子９ｏの検。

出画像６１には、異物情報６３と共にパターンのコーナ
部の情報６２が混在している。そこで、検出側。

像６１と、予じめメモリ６０に格納しておいた隣接チッ
プの同一場所での記憶画像６４とを、比較回路・１５０
において比較し、共通部分であるパターンの・コーナ部
の情報を除去すれば、その差画像６６に示・すよ５に異
物情報６６のみを抽出することができる６以上、本実施
例においては、第１及び第２の実５施例と同様な効果を
有するだけでなく、さらに以・下の効果を有する。すな
わち、本実施例において・は、ウェハからの反射光を２
つの波長成分に分離・することにより、本来ならば８ｇ
２の実施例に示す・ように十文字状のフーリエ変換像に
なるものを、１゜それぞれ１本の＠巌状の７−リエ変換
像に成らし。

め、空間フィルタの遮光部分の面積が小さくてす。

むよ５にしている。その結果、異物散乱光の遮光。

量が減少し、異物検出光景が増加する。また、隣。

接チップ比較方式との併用により、従来、その性、５能
が低下していたパターン段差の大きいウェハ上。

の異物検出能力が向上する。

尚、以上の実施例では、試料として半導体ウェハを用い
ているが、本発明はレチクルやマスク、あるいは、他の
何らかの規則性のあるパターン上２゜の異物検出、さら
に全（パターンのない試料上の゛異物検出にも十分適用
できる。

また、第３の実施例では、ウエノ１からの反射光・を成
長分離ミラーを用いて２つの波長に分離して・いたが、
これを偏向ビームスプリッタにおきかえψ互いに直交す
る２つの偏向成分に分離することも（もちろん可能であ
る。その除は、互いに圓父する・直線偏光レーザで斜方
照明する。

また、以上の実施例ではレーザビームの回転角。

ヲ４５°としているが、対物レンズにパターンエラ１゜
ジ部の反射回折光が入射しない角度であるならば。

回転角は他の値でもかまわない。上記角度は、対。

物レンズのＮＡによって決まるものである。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれは、Ｘ＠及、５びｙ
軸方向の反射回折光が対物レンズに入射しな。

いある回転角で、ウェハ上を斜方照明するという。

極めて簡単な俗成により、異物散乱光を損なうこ。

となく、ウェハ上の回路パターンの大半を占める。

Ｘ軸及びｙ軸方向のパターン情報を除去すること。。

、１９゜ ができ、また残りの他の方向のパターン情報は空“間フ
ィルタを用いて除去することにより、従来方。

式に比べ異物検出光景が大幅に増加する。また、。

パターンや異物の形状によって異物検出能力が左。

右されないため、上記異物検出光景の増力口と併せ５て
、より微小な異物の検出が可能となり、半導体。

の信頼性向上及び歩留向上に貢献できるとい５効。

果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例における興り検１０出光
学系を示す斜視図、第２図は本発明の原理を。 示す図、第３図は本発明の第２の実施例における・異物
検出光学系を示す斜視図、第４図は不発明の・第３の実
施例における異物検出光学系を宗す斜視図、第５図は従
来の異物検出方式を示す図、第６１５図は最物散乱光の
偏光状態を示す図、第７図は従。 釆方式による微小異物の検出状態を示す図である。 １．１′・・・ウェハ ２．１８．１７　、１４０　ｌ・・パターン６、７２．
８４・−・異物 、９１　　。 ・　２０・ ４α、４ｂ、４ｃ、４Ｌ：ｔ・・・半導体レーザ１９．
７０α、７０ｂ・・・レーザ ７・・・対物レンズ ８　、１１，２０，５５，５（Ｓ・・・フーリエ変換面
　　　　　　。 １０　、２９，４０，５１α、５１ｂ・・・空間フィル
タ　　　　　５２２．２４・・・直腺エツジ部のフーリ
エ変換像　　　。 ２５　　・・・異物のフーリエ変換像 ９０　　・・・２次元固体撮・誠素子 ．２２　。 第５図 ｒ７Ｑ 第６図　　　　　　　第ｒ７図 ワ８ ７７光電変換素子 ８３　異生り考宴舌す光の偏ゲ６があ夕Ｙ（ブ１ｆｆｉ
ｉｊｌｌ′／＆） ＼ ＼ （ｂ）　　　　　　　　　　　　　　ワ１＼

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、試料上を、試料上のパターンを構成する主要な直線
   群に対し試料平面上で所望の限られた回転角を成す方向
   から、指向性の高い照明光で斜方照明し、試料からの散
   乱光を検出する目的で照明領域の垂直上方に設けた検出
   光学系内の空間周波数領域において、試料上のパターン
   を構成する他の直線群からの規則的散乱光を遮光し、上
   記遮光手段を通過してきた試料上の異物からの散乱光を
   上記検出光学系を介して、光検出器で検出することを特
   徴とする異物検出方法。 ２、所望の限られた回転角は、上記主要な直線群からの
   反射回折光が上記検出光学系に入射しない回転角である
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の異物検出
   方法。 ３、所望の限られた回転角は、上記検出光学系のＮＡ（
   ＮｕｍｅｒｉｃａｌＡｐｅｒｔｕｒｅ：開口数）によつ
   て定まる値であることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の異物検出方法。 ４、所望の限られた回転角は、概ね４５°であることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の異物検出方法。 ５、試料上を、試料上のパターンを構成する主要な直線
   群に対し試料平面上で所望の限られた回転角を成す方向
   から、指向性の高い照明光で斜方照明する照明手段と、
   試料からの散乱光を検出する目的で照明領域の垂直上方
   に設けた検出光学系と、該検出光学系内の空間周波数領
   域において、試料上のパターンを構成する他の直線群か
   らの規則的散乱光を遮光する遮光手段と、上記遮光手段
   を通過してきた試料上の異物からの散乱光を上記検出光
   学系を介して検出する光検出器から構成されることを特
   徴とする異物検出装置。 ６、所望の限られた回転角は、上記主要な直線群からの
   反射回折光が上記検出光学系に入射しない回転角である
   ことを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の異物検出
   装置。 ７、所望の限られた回転角は、上記検出光学系のＮＡ（
   ＮｕｍｅｒｉｃａｌＡＰｅｒｔｔｒｅ：開口数）によっ
   て定まる値であることを特徴とする特許請求の範囲第５
   項記載の異物検出装置。　 ８、所望の限られた回転角は、概ね４５°であることを
   特徴とする特許請求の範囲第５項記載の異物検出装置。 ９、試料は半導体ウェハであることを特徴とする特許請
   求の範囲第５項記載の異物検出装置。