JPH01111740A - ガラス成形体の成形型 - Google Patents

ガラス成形体の成形型

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JPH01111740A
JPH01111740A JP27090887A JP27090887A JPH01111740A JP H01111740 A JPH01111740 A JP H01111740A JP 27090887 A JP27090887 A JP 27090887A JP 27090887 A JP27090887 A JP 27090887A JP H01111740 A JPH01111740 A JP H01111740A
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JP
Japan
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mold
carbide
surface layer
glass
platinum
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Pending
Application number
JP27090887A
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English (en)
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Chiharu Ishikura
千春 石倉
Shinichiro Hirota
慎一郎 広田
Tatsuro Nakajima
達郎 中島
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Hoya Corp
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
Original Assignee
Hoya Corp
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B11/00Pressing molten glass or performed glass reheated to equivalent low viscosity without blowing
    • C03B11/06Construction of plunger or mould
    • C03B11/08Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses
    • C03B11/084Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor
    • C03B11/086Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor of coated dies
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2215/00Press-moulding glass
    • C03B2215/02Press-mould materials
    • C03B2215/08Coated press-mould dies
    • C03B2215/14Die top coat materials, e.g. materials for the glass-contacting layers
    • C03B2215/26Mixtures of materials covered by more than one of the groups C03B2215/16 - C03B2215/24, e.g. C-SiC, Cr-Cr2O3, SIALON

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ガラスをプレス成形するための成形型に関し
、特に、プレス成形後に研磨を必要としない高精度のガ
ラス成形体に成形するための成形型に関する。
(従来の技術) −iに、プレス成形によるガラスの成形では、所定の表
面形状(例えば球面または非球面)に仕上げた表面層を
存する成形型内に、予め軟化させた被成形ガラスを入れ
(または被成形ガラスを成彫型に入れてから加熱・軟化
させ)、この成形型に所定の圧力を加えることによって
、成形型の表面層が被成形ガラスに転写される。したが
って、成形型は、その表面層の形状がガラス成形体の表
面形状としてそのまま転写されることから、その表面層
に気孔等の欠陥がなく、緻密で鏡面状に精密加工するこ
とができ、かつ高温において十分な硬度および強度を保
てる等の要件を満たすことが求められる。
このような成形型の材料としては、従来、シリコンカー
バイド(S i C)やシリコンナイトライド(313
N4)(特開昭52−45613号公報)、タングステ
ンカーバイド(特開昭56−59641号公報)、ジル
コニウムオキサイド(ZrCh)を基盤材料とし、その
上に白金−ロジウム(Pt−Rh)合金または白金−イ
リジウム(Pt−1r)合金のコーテイング膜を形成し
たもの(特開昭60−176930号公報)が提案され
ている。
(発明が解決しようとする問題点) しかし、シリコンカーバイドやシリコンナイトライドを
表面層とする成形型は、緻密で、かつ硬度および強度の
点ですぐれているものの、被成形ガラスに鉛を多量に含
有する重フリント系光学ガラスを使用した場合、鉛との
化学反応性が高く、高精度のガラス成形体に成形するこ
とが困難となる。
次に、タングステンカーバイドの成形型は、加工性にす
ぐれるが、高温下で酸化しやすく、型表面が肌荒れを起
こし、光学表面を保持することができない。また、被成
形ガラスと反応しやすい問題もあった。
また、白金−ロジウムまたは白金−イリジウムの合金の
コーテイング膜を形成したものは、被成形ガラスとの化
学作用を起こさないことが利点として挙げられているが
、本発明者らの実験によれば、ガラス成形体との離型性
がプレス成形開始当初から悪いという問題があった。
(問題点を解決するための手段) 本発明によるガラス成形体の成形型は、成形型の表面層
を白金(Pt)とコバル) (Co)の少なくとも2成
分からなる物質に炭化物が分散されて形成されているも
のである。
なお、好ましくは白金(Pt)とコバルI−(Co)の
少なくとも2成分から成る前記物質がコバルト(Co)
を5〜45−t%含み、前記炭化物がTic、TaC,
B4C5S iC,Hf C,ZrC,VCから選ばれ
た少なくとも一つからなり、その分散量が0.02〜3
Qvol%であり、さらに前記表面層と下地の基盤との
間に、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、クロム(C
r)、モリブデン(Mo)、コバルト(Co)、チタン
ナイトライド(T i N)、チタンカーバイド(Ti
C)、シリコンカーバイド(S i C)およびこれら
の混合物のうちから選択された少なくとも一つを含む中
間層を介在させたものである。
これらの表面層や中間層は、所定形状に加工された基盤
上にスパッタリング法、イオンブレーティング法などに
より形成される。膜厚は0.05〜10μm程度が好ま
しい。薄すぎると均一な膜が得に(り、厚すぎると成膜
時間を長くするのみならず、膜の表面状態が荒れてくる
なお、表面層材料として、コバルトの他に、イリジウム
(Ir)、ロジウム(Rh)、および金(Au)などを
加えた白金合金に炭化物を分散させれば、−層高温のプ
レスでの使用に耐えるようになる。
成形型の基盤材料については、基盤として一般に要求さ
れる硬度、強度および耐熱性等を満足するものであれば
特に限定されず、ステンレス鋼、タングステンカーバイ
ド(WC)、ジルコニウムオキサイド(ZrO□)、サ
ーメット、シリコンカーバイド(StC)およびシリコ
ンナイトライド(StzN4)などが使用可能である。
また、プレス成形時の圧力が基盤の変形に問題にならな
い程度であれば、この基盤材料は、上述した表面層や中
間層の各物質と同一の合金等を用いてもよい。
(作用) 本発明の成形型の表面層は、緻密性、硬度、強度、加工
性および耐化学反応性のそれぞれにおいて良好であるば
かりでなく、プレス成形されたガラス成形体との離型性
も良好になり、さらに結晶成長を抑え膜の荒れを抑える
。すなわち、白金−コバルト合金(白金50w t%以
上、コバルト5〜45wt%)中に炭化物、具体的には
T iC% T a C1B a C1S iCSHf
 CSZ r C1V Cなどを分散させることにより
、特にガラス成形体との離型性を向上させるとともに、
面精度を保持することができる。その分散を0.02〜
30vol%としたのは、炭化物が0.02vol%未
満では硬度が低くなり傷が発生しやすく、また分散効果
により結晶成長を抑え、膜の荒れを抑える効果が十分に
得られにくく、一方、30vol%を越えると、ガラス
成形体との離型性が悪くなるためである。
また、中間層は基盤と表面層との親和性を高め、型寿命
を長くする作用を有する。
(実施例) 第1図は本発明の一実施例を示す成形型の断面図である
。成形型は、上型1と下型2とから構成される。上型1
と下型2とは、それぞれその外周面が案内型3の内周面
上を滑動するように、案内型3の内部に配置されている
。これらの上型1および下型2は、それぞれ基盤1aと
表面Jilbおよび基盤2aと表面層2bからなり、表
面層1b。
2bを相互に対向させて配置しである。
基11a、2aは、焼結時にHIP処理を施して緻密に
したタングステンカーバイドを用い、これを円柱状(直
径18龍、高さ28fl)に加工し、その一端面を凹球
面状に研削し、最終仕上げとしてダイヤモンド砥石によ
り高精度の光学鏡面に研磨し、それぞれ所定の曲率半径
(32m)の凹球面に加工した。この凹球面の面粗さは
100Å以下であった。
この基盤1a、2aの凹球面に対し、スパッタリング装
置を用い、表に示した実施例1〜21の物質組成のター
ゲットを使用し、所定の成膜条件で所定の厚さの表面層
1b、2bを形成した。なお、その際、基盤1a、2a
と表面層1b、2bとの密着性を一層強固にするために
、表面FJ1b、2bの成膜に先立って、逆スパツタリ
ングにより基盤1a、2aの各表面を清浄化することは
有効である。
例えば、実施例1ではアルゴンガス圧lXl0−3To
rr、白金−コバルト5wt%ミD CI KW、 5
00人/1Ilin1チタンカーバイド、RF 400
W、5人/min  (分散1vol%)、電極間距離
1001m、回転数20rpmで行い、膜厚は0.5μ
mであった。
また、本実施例では白金−コバルト、チタンカーバイド
別々のターゲットを同時にスパッタを行う二元スパッタ
リングについて述べたが2種のターゲットをモザイク状
に配置してその面積比で分散を調整する複合ターゲット
を使用しても良いものである。またターゲットそのもの
が分散型になっているものでもかまわない。いずれにし
ても各々のスパッタ率を考慮して組合わせる。
なお、案内型3は本実施例では上型・下型の基盤1a、
2aと同様のタングステンカーバイドで構成されている
第2図は、本発明の他の実施例を示す成形型の断面図で
ある。本実施例の上型1′および下型2′は、それぞれ
基盤1aと表面層1bとの間および基盤2aと表面11
2bとの間に、第1中間層ICと第2中間lidおよび
第1中間層2Cと第2中間層2dが介在させである点で
、第1図の上型1および下型2と相違するが、その他は
構造上同一である。中間層は、2N図示したが、1層の
みまたは3層以上にしてもよい。表に、中間層をiiの
みとした例を実施例11〜13.16〜19および21
として示し、中間層を2Nとした例を実施例14.15
および20として示した。
これらの中間層および表面層は、例えば実施例11では
、基盤1a、2aをイオンエツチングした後、イオンブ
レーティング法により、所定の成膜条件(真空度5 x
lo−”r o r r、成膜速度300人/min、
基盤電圧−300V )でチタンからなる第1巾間Nl
c、2c(膜厚0.05.crm)を成膜した後、その
上にスパッタリング法により白金(95wt%)−コバ
ルト5wt%とチタンカーバイド(T i C)をター
ゲットとし、所定の成膜条件(前記)で表面層1b、2
b(膜厚3.0μm)を成膜することにより形成した。
また、実施例20においては、基盤1a、2aをイオン
エツチングした後、その凹球面上にイオンブレーティン
グ法により、所定の成膜条件(チッ素ガス圧5 xto
−”r o r r 、成膜速度300人/min。
基盤電圧−300V )でチタンナイトライドからなる
第2中間層1d、2d(膜厚0.3μm)を成膜した。
次いで、スパッタリング法により所定の成膜条件(アル
ゴンガス圧I Xl0−’T o r r 、成膜速度
400人/m1n)でニッケルからなる第1中間層lc
、2c(膜厚0.05μm)を成膜し、引続き同様の方
法により、白金(80wt%)−コバルト(10wt%
)−イリジウム(10wt%)合金とチタンカーバイド
(TiC)をターゲットとし、所定の成膜条件(前記)
で表面層1b、2b(膜厚1.0μm)を成膜した。
その他の実施例もこれらとほぼ同様の方法により中間層
および表面層を形成した。
(以下余白) 次にこのような成形型の使用方法を、第1図の成形型を
例に説明する。
第3図は、プレス成形機の主要部を示す断面図である。
このプレス成形機は上述した上型1.下型2および案内
型3を備え、下型2の上に被成形ガラス4が置かれる。
これらの型1,2.3は、断面H字状のステンレス鋼か
らなる保持具5を介して、同じくステンレス鋼からなる
支持台6で支持されている。7はステンレス鋼からなる
押し棒で、これらを石英管8の内部に収容し、外周に配
置した誘導加熱コイル9により型1,2.3および被成
形ガラス4を加熱し、押し棒7を上型1の頭部に下降さ
せて、被成形ガラス4をプレス成形する。温度制御は、
下型2の内部に配設した熱電対10により型温度を測定
して行なう。次に、その具体例を説明する。
被成形ガラス4として、ガラス組成が−t%でS i 
Ot:27.8.AltOz:2.0+NatO:1.
8.Kt。
:1.2. P b O:65.2. T i O□:
2.0である重フリント系光学ガラス(転移温度435
℃)を直径10龍の球状のガラス塊に加工したものを使
用し、N2ガス雰囲気中、型温度500℃で圧力40k
g/cfflを30秒間加えた。その後、圧力を解き、
プレス成形されたガラス成形体を、上型1および下型2
と接触させた状態のまま上記転移温度まで徐冷し、次い
で室温まで急冷して、両凸球面レンズに成形されたガラ
ス成形体を成形型から取出す。
以上のプレス成形法は、第2図に示した成形型でも同様
に行なわれる。そして、第3図のプレス成形機において
、実施例1〜21の表面層ないし中間層を有する上・下
型を用いて、上述したと同様の条件で上記重フリント系
ガラスの成形をそれぞれ1ooo回ずつ繰り返して行な
った。その結果、いずれの実施例の型についても、ガラ
ス成形体は型との離型性が良好で、型との接触面におい
て化学反応した様子が認められず、ガラス成形体と上・
下型表面層の面精度および鏡面は当初の状態が維持され
、ガラス成形体の面精度は100Å以下であり、透明度
も良好であった。
比較のため、表面層として白金−ロジウムおよび白金−
イリジウムの各合金のコーテイング膜をそれぞれ形成し
た成形型を使用し、上述した実施例と同様にプレス成形
を行なったところ、最初のプレス成形時からガラス成形
体と成形型との離型性が悪く、相互の接触面において化
学反応した様子が認められた。
以上、成形型の表面層形状が凹球面のものについて示し
たが、本発明はこのような形状に制限を加えるものでは
なく、凸球面、非球面、平面等、何でもよい。
また、中間層は、上述した各実施例において用いた物質
を主成分とするものであれば、その効果を奏し、他の物
質として例えば白金、イリジウム、ロジウム、金、モリ
ブデンもしくはコバルト等を含有したものであってもよ
い。
さらに、被成形ガラスとしては、比較的化学反応を起こ
しやすい重フリント系光学ガラスを使用して良好な結果
が得られたことから、他の光学ガラスについても、本発
明の型を用いた成形が行なえることはいうまでもない。
なお、本発明の型の表面層は成膜およびプレス成形時に
おいて酸化されることがあるが、酸化されても使用に支
障はない。
また、表面層上にさらに何らかの被覆層を形成し、表面
層と被成形ガラスとの間に被覆層を介在させるようにし
てもよい。
(発明の効果) 本発明によれば、成形型の表面層を、白金とコバルトの
少なくとも2成分からなる物質に炭化物が分散されて形
成されていることにより、緻密性、硬度および強度、耐
化学反応性ならびに、結晶成長を抑える事による面積度
の保持性のそれぞれにおいて良好な結果が得られるとと
もに、ガラス成形体との離型性も向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す成形型の断面図、第2
図は本発明の他の実施例を示す断面図、第3図はプレス
成形機の構成例を示す断面図である。 1.1”−・上型、1a、2a−・−基盤、1b、2b
−・−表面層、Ic、ld、2c、2d−・−中間層、
2.2′−・・下型。 出願人  田中貴金属工業株式会社 ホーヤ株式会社 第1図      第2図 第3図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基盤および表面層を備え、表面層の形状がプレス
    成形により被成形ガラスに転写されてガラス成形体を成
    形する成形型において、表面層が、白金(Pt)とコバ
    ルト(Co)の少なくとも2成分からなる物質に炭化物
    が分散されて形成されていることを特徴とするガラス成
    形体の成形型。
  2. (2)表面層が白金(Pt)を主成分とし、コバルト(
    Co)を5〜45wt%含有する少なくとも2成分から
    なる物質に炭化物が分散されて形成されていることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項に記載の成形型。
  3. (3)炭化物がTiC、TaC、B_4C、SiC、H
    fC、ZrC、VCより選ばれた少なくとも一つからな
    るもので、0.02〜30vol%分散されて形成され
    ていることを特徴とする特許請求の範囲第1項または第
    2項に記載の成形型。
  4. (4)基盤と表面層との間に中間層を備え、その中間層
    が、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、クロム(Cr
    )、モリブデン(Mo)、コバルト(Co)、チタンナ
    イトライド(TiN)、チタンカーバイド(TiC)、
    シリコンカーバイド(SiC)およびこれらの混合物か
    ら選ばれた少なくとも一つを含む物質で形成されている
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項〜第3項に記載
    の成形型。
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