JPH01111332A - マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、マイクロ波プラズマ処理方法及び装置に係り
、特にマイクロ波電界と磁場との相乗効果によりガスプ
ラズマを発生させて半導体素子基板や液晶等の試料をプ
ラズマ処理するマイクロ波プラズマ処理方法及び装置に
関するものである。

〔従来の技術〕

従来１例えば、特開昭６０−１３４４２３号公報に紀戟
のように、マイクロ波電界と磁場との相乗効果によりガ
スプラズマを発生させて試料をプラズマ処理するものが
知られている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術では、試料の被処理面と略平行方向の磁場
分布の中心軸と試料の被処理面中心とは一致させられて
おり、試料の被処理面に対する磁場分戸の不均一性につ
いては配慮がされていない。

つまｅハ磁場分布は、試料の被処理面と略平行方向で中
心部で大きく周辺部で小さい分布となっており、磁場勾
配も一様ではない。従って、上記従来技術においては、
このような磁場の不均一分布が試料の被処理面に対応し
て存在し、このため。

試料のプラズマ処理の均一化を図ることが困難であると
いった問題がある。

本発明の目的は、試料の被処理面に対する磁場分布の均
一化を図ることで、試料を均一性良くプラズマ処理でき
るマイクロ波プラズマ処理方法および装置を提供するこ
とにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、マイクロ波電界と磁場との相乗効果により
ガスプラズマを発生させ試料をプラズマ処理する方法に
おいて、ｇａ記試料の被処理面と略平行方向の前記磁場
の分布の中心軸と前記試料の被処理面中心とを偏心させ
、前記試料のプラズマ処理中に前記磁場とｌｌ＋前記試
料の被処理面とを相対回動させる方法とし、マイクロ波
電界と磁場発生手段で発生された磁場との相乗効果によ
りガスプラズマを発生させ試料をプラズマ処理する装置
において、ｔｊ前記試料の被処理面と略平行方向の前記
磁場の分布の中心軸が前記試料の被処理面中心と偏心可
能で試料の被処理面中心と偏心した前記磁場の分布の中
心軸まわりに回転可能に前記磁場発生手段を設けたもの
とすることにより、達成される。

〔作　　　用〕

試料の被処理面と略平行方向の磁場の分布の中心軸と試
料の被処理面中心とは偏心させられる。

マイクロ波電界と磁場との相乗効果により発生させられ
たガスプラズマによる試料のプラズマ処理中に、この状
態で、磁場と試料の被処理面とは相対回動させられる。

これにより、試料の被処理面に対する磁場分布は均一化
される・ 〔実　施　例〕 以下１本発明の一実施例を第１図により説明する。

第１図で、試料ｌはプラズマ室２の下方底部で試料台３
の上に被処理面の中心をプラズマ室２の軸心と略一致さ
せて配置される。プラズマ室２の周囲には、磁場を発生
させる。この場合、電磁コイル４が導波管６を介して設
けられる。電磁コイル４の中心軸とプラズマ室２の中心
軸とは一致せず、電磁コイル４は偏心した位置に配置さ
れる。

また、マイクロ波はマグネトロン５から放射され導波管
６により導かれてプラズマ室２へ入射される。プラズマ
室２へは処理ガスがガス供給装置７を介して供給され、
また、プラズマ室２は真空排気袋５ｉ８により真空下で
一定圧力に保持される。

この状態で、プラズマ室２内の処理ガスはマイクロ波電
界と磁場との相乗効果によりプラズマ化される。また、
試料１をガスプラズマ処理した場合に生成する反応生成
物や未反応ガスは真空排気袋５！８で除去される。

試料１のプラズマ処理中に、電磁コイル４は回転機構１
１により外周部から駆動され、プラズマ室２の軸心と偏
心した位置で回転する。なお、電磁コイル４とプラズマ
室２を設置するベース９との間・こはマイクロ波漏洩防
止用の７ランジｌＯが設けられる。

本実施例で３．工、試料の被処理面に対する磁場分布、
つまり、この場合、試料の被処理面と略平行な面内での
分布と垂直方向の分布の均一化を図る二とができるため
、試料の被処理面を均一性ｆｉ＜プラズマ処理する二と
ができる。

なお、上記一実施例の他に、次のような場合においても
上記一実施例での効果と同様の効果を得ることができる
。

（１）電磁コイルを偏心させ、この状態で、試料を回転
させる。

（２）試料の被処理面中心を偏心させ、この状態で試料
を回転させる。

（３）試料の被処理面中心を偏心させ、この状態で電磁
コイルを回転させろ。

（４）電磁コイル又は試料の被処理面中心を偏心させ、
この状態で、電磁石と試料とを異なる速度で同一方向に
又は異なる方向に回転させる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、試料の被処理面に対する磁場分布の均
一化を図ることができるので、試料を均一性良くプラズ
マ処理できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例のマイクロ波プラズマ処理
装置の縦断面図である。 ！・・・・・・試料、２・・・・・・プラズマ室、３・
・・・・・試料台、４・・・・・・電磁コイル、５・・
・・・・マグネトロン、６・・・・・・導波管、７・・
・・・・ガス供給装置、８・・・・・・真空排気装置、
９・・・・・・ベース、１１・・・・・・回転機構、１
２・・・・・・ベアリング 代理人　弁理士　　小　川　勝　５ ４１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、マイクロ波電界と磁場との相乗効果によりガスプラ
   ズマを発生させ試料をプラズマ処理する方法において、
   前記試料の被処理面と略平行方向の前記磁場の分布の中
   心軸と前記試料の被処理中心とを偏心させ、前記試料の
   プラズマ処理中に前記磁場と前記試料の被処理面とを相
   対回動させることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理
   方法。 ２、前記試料のプラズマ処理中に該試料の被処理面中心
   と偏心した前記磁場の分布の中心軸まわりに該磁場を回
   転させる特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波プラズ
   マ処理方法。 ３、前記試料のプラズマ処理中に前記磁場の分布の中心
   軸と被処理面の中心が偏心した試料を該中心まわりに回
   転させる特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波プラズ
   マ処理方法。 ４、マイクロ波電界と磁場発生手段で発生された磁場と
   の相乗効果によりガスプラズマを発生させ試料をプラズ
   マ処理する装置において、前記試料の被処理面と略平行
   方向の前記磁場の分布の中心軸が前記試料の被処理面中
   心と偏心可能で該試料の被処理面中心と偏心した前記磁
   場の分布の中心軸まわりに回転可能に前記磁場発生手段
   を設けたことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置
   。