JPH01109721A - X線露光装置における位置検出装置 - Google Patents

X線露光装置における位置検出装置

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JPH01109721A
JPH01109721A JP62267955A JP26795587A JPH01109721A JP H01109721 A JPH01109721 A JP H01109721A JP 62267955 A JP62267955 A JP 62267955A JP 26795587 A JP26795587 A JP 26795587A JP H01109721 A JPH01109721 A JP H01109721A
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JP
Japan
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mask
wafer
alignment mark
chromatic aberration
objective lens
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JP62267955A
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English (en)
Inventor
Tsutomu Miyatake
勤 宮武
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Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
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  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、半導体の製造に使用するX線露光装置にお
いて、露光X線とは干渉せずにアライメ)ドパターンを
検出するX線露光装置における位置検出装置に関する。
[従来の技術] X線露光?t21では、スループットとアライメント精
度の向上かその課題として挙げられているが、これを満
足するアライメント方式としては、露光フィールド内の
アライメントパターンを検出しながら露光可能な検出が
一番望ましい。
現在公表されているアライメント方式は大別すれば次の
2つに分類される。即ち、 (135M光中もアライメントマークが検出可能で露光
中もサーボが可衡となっている。
(2)露光中はアライメントマークの検出か不可能で、
カートリッジ方式や露光中に検出系の対物レンズを露光
エリアから後退させる。
上記(1)の方式が(2)の方式に比べて優れている点
をスループットとアライメント精度の点から説明する。
上記(2)の場合、X11露光時にはカートリッジや対
物レンズの検出装置かウェハー露光領域から退避させな
ければならず、その移動時間によるタイムラグが必ず必
要となり、このため当然スループットの低下の原因とな
る。
また、上記(2)の場合、露光中にアライメントマーク
の検出ができないということは、検出装置の退避時間と
露光時間中にはマスクとウェハーの位置関係は補償され
ておらず、この時間の長さに比例してマスクとウェハー
の位置は振動や環境条件の変化により当初アライメント
により補償された位aから変動していってしまう。
現在、X線による露光時間は最も強力なシンクロトロン
放射光(SOR)を使用した場合であっても10秒前後
必要とされており、光露光の場合に比べてかなり長いも
のとなっている。その間にマスクとウェハーの位置関係
を一定に保つことは、機構的にも制御的にも極めて困難
である。これに加えて、検出装置の駆動装置は振動源と
なるため、さらに精度を低下させる原因となっている。
このように、露光中においてもアライメントマークを検
出するということは、スループットとアライメント精度
の向上という点からX線露光装置においては必要不可欠
な条件となりつつある。
また、上記(1)の方式においては、■回折格子法(リ
ニアフレネル、円形フレネル、回折格子)と■パターン
計測法(2重焦点光学顕微鏡。
斜方検出)が挙げられる。
この発明は、上記■のパターン計測法に関するものであ
るので、以下、この検出方法について詳しく説明する。
a、斜方検出方法(例えば、特開昭61−193448
号公報参照) これは、検出系の対物レンズをウェハーの露光領域外に
その光軸なウェハー面に斜めに配置して検出を行なうも
ので、次の2つの問題点を解決している優れたものであ
る。即ち、■マスクとウェハーのギャップの克服、■露
光X線と干渉せずに露光中においてもアライメントマー
クを検出することができる。
b、二重焦点光学顕微鏡による検出方法(精密機械 V
ol 、 51. NO,5(1985) PP。
156〜162) これは、複屈折を利用した2重焦点を有する対物レンズ
をウェハーの露光領域に近接させてマスクとウェハーの
位置を同時に検出する方法である。
[発明が解決しようとする問題点] ところで、上記すの2重焦点光学顕微鏡を使用する検出
系ては、アライメントマークの位置が露光領域からかな
り離れてしまい、ウェハーの露光領域に不必要に余分な
スペースが必要となってしまう。そのスペースの幅は基
本的には次式で表わ例えば、対物レンズ鏡筒の直径を3
0 m mとすると、余分スペースは15mmと非常に
大きなものになる。一方、ウェハーの露光エリアは最大
でも25mm角であることから、如何に余分スペースが
過大であるものかが分る。半導体の生産においてはこの
余分スペースはスループットの低下に対して最大の障害
となる。
次に、aの斜方検出方法は、露光X線と干渉することな
しにアライメントマークを検出することができる点にお
いて優れたものであるが、アライメント精度の点におい
て技術的に極めて困難な問題をかかえている。即ち、原
理的に斜方結像方式なので、像ボケの問題が常に生じて
しまう。第3図に示すように、ウェハーの露光面20に
対して垂直にX線で照射する露光装置において、対物レ
ンズObが角度θの斜め方向から検出するものであると
し、対物レンズの焦点深度をapmとすると、結像範囲
はウェハー上のマーク面において2asinθであって
非常に狭く、アライメントに十分な映像情報を得ること
は極めて困難である。
特にプロセス形成マークを検出する場合には、S/N比
を高くとるためにできるだけ多くの情報を得る必要があ
るため、レジスト形成マークで得られる精度と同程度の
検出精度では不十分であると推測される。
ちなみに、対物レンズの開口比N、A=0.32とすれ
ば、その焦点深度はレーリーの式より約±31Lmであ
り、斜方角度θを25度とすれば結像範囲は2X3IL
mXs 1n25” =2.51Lmと極めて狭い範囲
となる。
次に、第4図に示すように、ウェハーまたはマスク面A
Bに対し結像面A’B”は傾斜して生じるためAHA 
”の倍率β、 、 B−+B ”の倍率β3とすると、
1βA1く1βI%1の関係が常に生じ、この関係を十
分考慮してウェハーまたはマスク上のパターンを作成し
なければならない繁雑さがある。
そして、クエへ−上のX線露光領域の外方斜めの位置に
検出用の対物レンズを配置しなければならず、必然的に
対物レンズの焦点距離が長くなり、したがって開口数N
Aが低下しがちになるので、ウェハーまたはマスク面上
のパターンを十分精細に検出することができにくいこと
になる。
また、検出用の対物レンズの設計上から、マスクとクエ
へ−間の設定可能なギャップは限定されてしまうことに
なる。
このように、通常の対物レンズを斜めに配置するという
極めて単純なアイデアだけではアライメント精度の向上
は克服できない不利な条件を持ワている。
[問題点を解決するための手段] この発明では、位置検出装置の検出用光学系として色収
差対物レンズと反射鏡の組合せを使用し、上記反射鏡は
X線を透過し可視光を反射する薄膜反射鏡であり、露光
パターンの四隅上に望ませて微小間隔離れて位置するマ
スクとウェハ上のアライメントマークを上記色収差対物
レンズに反射させて同時に位置検出することかできるよ
うにしたX線露光装置における位置検出装置である。
[作 用] したがって、ウェハーをX線で露光中においてもアライ
メントが可能であり1色収差対物レンズによりマスクお
よびウェハー上のアライメントマークを同時に垂直に検
出することが可能となる。
[実 施 例] まず、この発明のX線露光装置における位置検出装置に
ついて説明する。対物レンズは波長の異なる光線に対し
、色収差を有し、例えばg線(λ=435nm)、e線
(入=546nm)の2種の光線に対し異なる焦点距離
をもっている。したがって、同一物点上にあるマークを
g線を使用して結像させた像点とe線を使用したときに
生ずる像点は異なることになる0例えば、開口@NA=
0.42倍率n=1O倍の対物レンズの焦点距離はe線
9g線に対しそれぞれFe=12.5mm、Fg=12
.741mmとなり、物点距離Sを13.75mmとし
たときに生ずる像点距離s ”はそれぞれS” g=1
37.5mm、S″e=137.615mmとなる。こ
のような対物レンズを使用して微小間隔S離れた物点例
えばマスクとウェハーが第5図に示すようにそれぞれM
M′にあるとすると、g線、e線の焦点距離Fg s 
F eが異なるため、二つの光線によるマスク上のマー
クの像はり、B点に生じ、ウェハー上のマークの像はB
、C点にそれぞれ生じることになる。つまり対物レンズ
系の色収差によってB点にはマスク上のマークとウェハ
ー上のマークの像が同一位置に生じている。ただし、マ
スク上のマークはg線により形成された像であり、ウニ
へ−上のマークはeiiにより形成された像である。
今、B点に例えばテレビカメラ等の検出系を置いてUX
Sするとすると、マスク上のマークとウェハー上のマー
クを同時に観察することができるが、色収差のためにそ
れぞれにじみの像を伴って観察される。このにじみの像
をg線をカットしてeiiを透過するフィルタおよび逆
にg線を透過しe線をカットするフィルタを組み合せた
フィルタを使用することにより、それぞれの色収差のに
じみを除去することによって同一のB点においてそれぞ
れ異なった位置におけるマスクとウェハー上のマークの
像を同時にa察することが回部となる。
(特願昭62−196174号参照) この発明で使用する対物レンズは、このように色収差を
積極的に生じさせ、かつ収差をよく補正した色収差対物
レンズである。以下、その光学系スペックの一例を第1
表に示す。
(以下余白) 、  i    、+114、スベ・・り(対物レンズ
フィールドレンズ、リレーレンズを含む)以下、第1図
、第2図に基づいてこの発明の詳細な説明する。第1図
は位置検出光学系の一部を拡大して示した側面図で、第
2図はその平面図である。検出光学系は色収差対物レン
ズlと薄膜ミラー2を組合せて使用する。この薄膜ミラ
ー2はX線に対して透過度が良好であり、可視光(40
0〜800nm)に対しては透過度が極めて低い、即ち
1反射率の高い、例えば、ベリリウム等の原子番号が低
い金属等が適当である。この薄膜ミラー2は片面を泣面
研磨して、鏡面の平面度を色収差対物レンズlの大きさ
の半分以下の大きささであることが望ましい。
色収差対物レンズlの光学スペックとしては、例えば、
開口数N、A、==Q、35 (開口角=20.5” 
)作動距離= 11 m mのものである。
また、薄膜ミラー2の仕様は大きさ=10mm角(内反
射領域=6.5mmφ)、D傾斜角度=60″である。
この薄膜ミラー2はマスク3の四隅の1隅以上の上側に
45°〜80°の角度で配置し、マスク3上のアライメ
ントマーク4を反射して色収差対物レンズlをその反射
方向に位置させて可視光にて検出するものである。この
薄膜ミラー2をマスク3の四隅に配置するのは、薄膜ミ
ラー2の製造技術上の難易度からできるだけ小面積のも
のを使用することが望ましいためである。上記の例では
マスク3上のアライメントマーク4を検出するものにつ
いて説明したが、微小間隔マスク3から離れて位置する
ウェハー上のアライメントマークについても同様に同時
に観察されることになる。そして色収差対物レンズlに
より光学的に拡大されたマスクとウェハー上のアライメ
ントマークの像は、例えば、テレビカメラで撮影され、
電気信号の映像信号と成9てデジタル量子化され、これ
を信号処理することにによりそれぞれの位置が検出され
る。
この方式の短所は、薄膜ミラーのX線透過度が30〜5
0%と低いため、スループット低下の原因となることで
ある。しかしながらこの短所は、X線源として強力なシ
ンクロトロン放射光(S。
R)を採用することにに始まり、X線に対して高感度な
レジストの開発やベリリウムに代わる優れたxi透過率
を有する材質による薄膜ミラーの出現およびベリリウム
膜の薄膜化等のX線露光装置の量産化に伴う技術開発に
より解決されることが十分期待できる。
[発明の効果] 以上説明したように、この発明によればマスクおよびウ
ェハーに設けるスクライブスペースを従来のものより少
なくすることかでき、かつ色収差対物レンズによりxm
露光領域外からマスクおよびウェハー上のアライメント
マーク等を同時に観察することが可能であり、露光中に
おいてもサーボ制御を行なうことが可能となる。また、
斜方検出方式に比べ像ボケSよび倍率誤差を発生させず
鮮明で広い範囲を検出することが可能となり、マスクと
ウェハーとの正確な位置合せを行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例の位置検出装置の光学系の一
部を拡大して示した側面図、 第2図は、上記第1図の平面図、 第3図は、斜方検出法における焦点深度の説明図。 第4図は、像ボケおよび倍率誤差の説明図、第5図は、
色収差対物レンズの説明図である。 1 、−−−−−・ 色収差対物レンズ2 、−・・・
・・ 薄膜ミラー 3 、−−−−−−  マスクおよびウェハー4、・・
・・・・  アライメントマーク特許出願人 住友重機
械工業株式会社 代  理  人   小  山  1) 光  夫第2
図 第3図 第4図 第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  X線露光装置におけるマスクとウェハーとの位置検出
    装置において、 検出用光学系として色収差対物レンズと反射鏡の組合せ
    を使用し、上記反射鏡はX線を透過し可視光を反射する
    薄膜反射鏡であり、マスクおよびウェハー上の露光パタ
    ーンの四隅上に望ませてアライメントマークを上記色収
    差対物レンズに反射させて位置を検出するようにしたこ
    とを特徴とする露光装置における位置検出装置。
JP62267955A 1987-10-22 1987-10-22 X線露光装置における位置検出装置 Pending JPH01109721A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007247975A (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Mitsubishi Electric Corp 空気調和機

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6055624A (ja) * 1983-09-07 1985-03-30 Hitachi Ltd X線露光装置

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