JPH01107144A - イオンセンサまたは膜の評価用治具 - Google Patents
イオンセンサまたは膜の評価用治具Info
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- JPH01107144A JPH01107144A JP62265629A JP26562987A JPH01107144A JP H01107144 A JPH01107144 A JP H01107144A JP 62265629 A JP62265629 A JP 62265629A JP 26562987 A JP26562987 A JP 26562987A JP H01107144 A JPH01107144 A JP H01107144A
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオンセンサまたは膜の評価治具に関するもの
である。
である。
イオンセンサの特性評価、或いはこのイオン感応部に膜
（無機膜、有機膜、酵素膜等いわゆる機能性膜）を形成
し、このイオンセンサを用いて膜の特性評価を行う場合
に、従来、イオンセンサをチップ毎に切断し、リード線
等をつけ、測定可能な形に成形した後、１つずつイオン
センサ、或いは膜の特性評価を行ったり、ウェハ上のイ
オン感応部のみに水滴を落とし、ブローバ、を用いて特
性評価を行っていた。
（無機膜、有機膜、酵素膜等いわゆる機能性膜）を形成
し、このイオンセンサを用いて膜の特性評価を行う場合
に、従来、イオンセンサをチップ毎に切断し、リード線
等をつけ、測定可能な形に成形した後、１つずつイオン
センサ、或いは膜の特性評価を行ったり、ウェハ上のイ
オン感応部のみに水滴を落とし、ブローバ、を用いて特
性評価を行っていた。
ところが以上述べた方法では、イオンセンサ或いは膜の
特性評価に多大な時間を要し、切断してしまったイオン
センサを再利用できなかった。すなわち、特性評価後の
膜をイオン感応部から剥離し、別の種類或いは組成の膜
を形成し、この評価を行うことができなかった。
特性評価に多大な時間を要し、切断してしまったイオン
センサを再利用できなかった。すなわち、特性評価後の
膜をイオン感応部から剥離し、別の種類或いは組成の膜
を形成し、この評価を行うことができなかった。
本発明の目的は、このような従来の欠点を克服し、迅速
に、かつ再利用可能なイオンセンサ評価用ウェハを用い
るイオンセンサ、膜の評価用治具を提供することにある
。
に、かつ再利用可能なイオンセンサ評価用ウェハを用い
るイオンセンサ、膜の評価用治具を提供することにある
。
本発明は評価用試料の設置板と、該設置板上に置かれた
試料の測定部分に接するようにその上部に配置されるプ
ローブと、試料上に配置され、試料の被測定部分に対応
する個所に貫通孔を備えた薄板と、該薄板上に設置され
、流体の導入部及び導出部を備えたフローセルとを有す
ることを特徴とするイオンセンサまたは膜の評価用治具
である。
試料の測定部分に接するようにその上部に配置されるプ
ローブと、試料上に配置され、試料の被測定部分に対応
する個所に貫通孔を備えた薄板と、該薄板上に設置され
、流体の導入部及び導出部を備えたフローセルとを有す
ることを特徴とするイオンセンサまたは膜の評価用治具
である。
本発明のイオンセンサまたは膜評価用治具は、少なくと
も１つのイオンセンサとして作動する素子を有し、該素
子の外部との電気的接続部がウェハの一端に位置するイ
オンセンサ評価用ウェハ上の素子のイオン感応部に膜を
形成し、該素子部に圧力をかけて接触せしめることによ
って流体を通過させる流路を形成させるものである。
も１つのイオンセンサとして作動する素子を有し、該素
子の外部との電気的接続部がウェハの一端に位置するイ
オンセンサ評価用ウェハ上の素子のイオン感応部に膜を
形成し、該素子部に圧力をかけて接触せしめることによ
って流体を通過させる流路を形成させるものである。
本発明においては、素子の外部との電気的接続部がウェ
ハの一端に設置することにより、この−端のみを液体か
ら出た状態で素子の特性評価を行う。すなわち、素子を
切断することなく、ウェハ状態での評価が可能になる。
ハの一端に設置することにより、この−端のみを液体か
ら出た状態で素子の特性評価を行う。すなわち、素子を
切断することなく、ウェハ状態での評価が可能になる。
従って、膜の形成、剥離の繰返しによって１つのウェハ
で何回もの膜の評価が可能になる。また、素子部に流路
を形成させることにより、フロ一方式による連続測定が
できる。
で何回もの膜の評価が可能になる。また、素子部に流路
を形成させることにより、フロ一方式による連続測定が
できる。
次に図を参照して本発明の実施例について説明する。
第２図はイオンセンサまたは膜評価用ウェハの一実施例
を示す平面図である。図において、サファイア基板２１
上に島状に形成されたシリコンによって１４個のイオン
感受性電界効果型トランジスタ（ＩＳＦ［ＥＴ）２２が
形成されている。このｌ５ＦＥＴ２２のイオン感応部に
は酵素膜２５が形成され、ウェハの一端にｌ５ＦＥＴ
２２のソース２３及びドレイン２４電極が集められてい
る。従って、このソース２３及びドレイン２４電極部だ
けを液体から出しておきさえすれば、ｌ５ＦＥ７２２に
よって酵素膜２５の特性評価が可能になり、これを切断
する必要がない。さらに、−度測定した酵素膜２５を硝
酸中煮沸、剥離し、再度酵素膜を形成し、その評価を行
うことが容易に可能である。
を示す平面図である。図において、サファイア基板２１
上に島状に形成されたシリコンによって１４個のイオン
感受性電界効果型トランジスタ（ＩＳＦ［ＥＴ）２２が
形成されている。このｌ５ＦＥＴ２２のイオン感応部に
は酵素膜２５が形成され、ウェハの一端にｌ５ＦＥＴ
２２のソース２３及びドレイン２４電極が集められてい
る。従って、このソース２３及びドレイン２４電極部だ
けを液体から出しておきさえすれば、ｌ５ＦＥ７２２に
よって酵素膜２５の特性評価が可能になり、これを切断
する必要がない。さらに、−度測定した酵素膜２５を硝
酸中煮沸、剥離し、再度酵素膜を形成し、その評価を行
うことが容易に可能である。
第１図（ａ）はイオンセンサまたは膜評価用治其の一実
施例を示す図である０図において、設置板としてのアル
ミ板３１上に試料としてイオンセンサまたは膜評価用ウ
ェハ３２を置き、このウェハ３２上のｌ５ＦＨＴのイオ
ン感応部のみに流体を通過させるため、上下に貫通した
一つの透溝３３を形成したシリコーンバッキング３４を
あてがい、その上面をアクリルのフローセル３５でおさ
える。フローセル３５はシリコーンバッキング３４の透
溝３３へ流体を送り込む導出入部として流入口３６と流
体を送り出す流出口３７とを有している。被測定液はポ
ンプによって流入口３６からシリコーンバッキング３４
の透溝３３へ送り込まれ、第２図に示すイオンセンサま
たは膜評価用ウェハ３２上のｌ５ＦＥ７２２によって測
定される。
施例を示す図である０図において、設置板としてのアル
ミ板３１上に試料としてイオンセンサまたは膜評価用ウ
ェハ３２を置き、このウェハ３２上のｌ５ＦＨＴのイオ
ン感応部のみに流体を通過させるため、上下に貫通した
一つの透溝３３を形成したシリコーンバッキング３４を
あてがい、その上面をアクリルのフローセル３５でおさ
える。フローセル３５はシリコーンバッキング３４の透
溝３３へ流体を送り込む導出入部として流入口３６と流
体を送り出す流出口３７とを有している。被測定液はポ
ンプによって流入口３６からシリコーンバッキング３４
の透溝３３へ送り込まれ、第２図に示すイオンセンサま
たは膜評価用ウェハ３２上のｌ５ＦＥ７２２によって測
定される。
測定廃液は出口３７から送り出される。ｌ５ＦＥ７２２
の測定は、評価用ウェハ３２上の一端に集められたソー
ス２３及びドレイン２４の電極に第１図（ｂ）に示すプ
ローブカード３８の針状突起３９を接触させて行う。
の測定は、評価用ウェハ３２上の一端に集められたソー
ス２３及びドレイン２４の電極に第１図（ｂ）に示すプ
ローブカード３８の針状突起３９を接触させて行う。
以上のように本発明によれば、イオンセンサをチップに
切断することなく、ウェハ状態で迅速、かつフロ一方式
で膿の評価を行うことができる。
切断することなく、ウェハ状態で迅速、かつフロ一方式
で膿の評価を行うことができる。
また膜の形成・剥離を繰り返すことによって何回もの膜
評価が可能になる。
評価が可能になる。
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示すイオンセンサま
たは膜評価用治其の概略図、（ｂ）は（ａ）のＢ部拡大
図、第２図はイオンセンサまたは膜評価用ウェハの平面
図である。 ２１・・・サファイア基板 ２２・・・ｌ５ＦＥＴ２３
・・・ソース ２４・・・ドレイン２５・・・
酵素膜 ３１・・・アルミ板３２・・・イオン
センサまたは膜評価用ウェハ３３・・・透溝
３４・・・シリコーンバッキング３５・・・フローセ
ル ３６・・・流入口３７・・・流出口
３８・・・プローブカード３９・・・針状突起
たは膜評価用治其の概略図、（ｂ）は（ａ）のＢ部拡大
図、第２図はイオンセンサまたは膜評価用ウェハの平面
図である。 ２１・・・サファイア基板 ２２・・・ｌ５ＦＥＴ２３
・・・ソース ２４・・・ドレイン２５・・・
酵素膜 ３１・・・アルミ板３２・・・イオン
センサまたは膜評価用ウェハ３３・・・透溝
３４・・・シリコーンバッキング３５・・・フローセ
ル ３６・・・流入口３７・・・流出口
３８・・・プローブカード３９・・・針状突起
Claims (1)
- （１）評価用試料の設置板と、該設置板上に置かれた試
料の測定部分に接するようにその上部に配置されるプロ
ーブと、試料上に配置され、試料の被測定部分に対応す
る個所に貫通孔を備えた薄板と該薄板上に設置され、流
体の導入部及び導出部を備えたフローセルとを有するこ
とを特徴とするイオンセンサまたは膜の評価用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62265629A JPH01107144A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | イオンセンサまたは膜の評価用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62265629A JPH01107144A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | イオンセンサまたは膜の評価用治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01107144A true JPH01107144A (ja) | 1989-04-25 |
| JPH0547067B2 JPH0547067B2 (ja) | 1993-07-15 |
Family
ID=17419790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62265629A Granted JPH01107144A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | イオンセンサまたは膜の評価用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01107144A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1392860A1 (en) * | 2001-04-23 | 2004-03-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Molecular detection chip including mosfet, molecular detection device employing the chip, and molecular detection method using the device |
-
1987
- 1987-10-20 JP JP62265629A patent/JPH01107144A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1392860A1 (en) * | 2001-04-23 | 2004-03-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Molecular detection chip including mosfet, molecular detection device employing the chip, and molecular detection method using the device |
| EP1392860A4 (en) * | 2001-04-23 | 2006-11-29 | Samsung Electronics Co Ltd | MOLECULAR PROOF CHIP, INCLUDING A MOSFET, MOLECULAR ESTABLISHMENT DEVICE WHICH USES THIS CHIP AND METHOD FOR THE MOLECULAR DETECTION OF WHICH USES THIS DEVICE |
| US7863140B2 (en) | 2001-04-23 | 2011-01-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of making a molecular detection chip having a metal oxide silicon field effect transistor on sidewalls of a micro-fluid channel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0547067B2 (ja) | 1993-07-15 |
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