JPH01106602A - マイクロストリップ線路とその製造方法 - Google Patents
マイクロストリップ線路とその製造方法Info
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- JPH01106602A JPH01106602A JP62264081A JP26408187A JPH01106602A JP H01106602 A JPH01106602 A JP H01106602A JP 62264081 A JP62264081 A JP 62264081A JP 26408187 A JP26408187 A JP 26408187A JP H01106602 A JPH01106602 A JP H01106602A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
マイクロ波およびミリ波など高周波領域における回路素
子の特性測定に使用するマイクロストリップ線路に関し
、 今まで熟練が必要であった回路素子のリード端子の位置
合わせと接続とを簡易化すると共に、測定精度を上げる
ことを目的とし、 誘電体基板の上面に信号線路を、また裏面に基準電位面
となる導体層を設けてなるマイクロストリップ線路にお
いて、前記誘電体基板上の縦方向に直線上−の凹部を形
成し、該凹部内に信号線路を設けてマイクロストリップ
線路を構成する。
子の特性測定に使用するマイクロストリップ線路に関し
、 今まで熟練が必要であった回路素子のリード端子の位置
合わせと接続とを簡易化すると共に、測定精度を上げる
ことを目的とし、 誘電体基板の上面に信号線路を、また裏面に基準電位面
となる導体層を設けてなるマイクロストリップ線路にお
いて、前記誘電体基板上の縦方向に直線上−の凹部を形
成し、該凹部内に信号線路を設けてマイクロストリップ
線路を構成する。
本発明は位置合わせと回路接続−とを簡易化したマイク
ロストリップ線路に関する。
ロストリップ線路に関する。
従来、マイクロ波およびミリ波用伝送線路としては同軸
ケーブルや導波管が使用されていたが、ストリップ線路
は構造が簡単で且つ小形軽量であり、また量産に適する
などの理由から主に受動回路に使用されていた。
ケーブルや導波管が使用されていたが、ストリップ線路
は構造が簡単で且つ小形軽量であり、また量産に適する
などの理由から主に受動回路に使用されていた。
然し、半導体素子の進歩と共に、ストリップ線路の広帯
域性、半導体素子の搭載の容易さなどの理由から能動素
子回路にも広く利用されるようになった。
域性、半導体素子の搭載の容易さなどの理由から能動素
子回路にも広く利用されるようになった。
こ＼で、ストリップ線路は少なくとも一枚の薄いストリ
ップ導体と接地導体との間に低損失な誘電体平板が挟ま
れる構造をとっている。
ップ導体と接地導体との間に低損失な誘電体平板が挟ま
れる構造をとっている。
そして、導体の配置の仕方や誘電体の有無によりマイク
ロストリップ線路、遮蔽形ストリップ線路、スロット線
路などに分類されている。
ロストリップ線路、遮蔽形ストリップ線路、スロット線
路などに分類されている。
本発明はマイクロストリップ線路の改良に関するもので
ある。
ある。
第３図は従来使用されているマイクロストリップ線路の
斜視図（Ａ）と正面図（Ｂ）であって、低損失の誘電体
材料からなる誘電体基板１の上に信号線路２を、また裏
面に基準電位面となる導電層３を備えて形成されている
。
斜視図（Ａ）と正面図（Ｂ）であって、低損失の誘電体
材料からなる誘電体基板１の上に信号線路２を、また裏
面に基準電位面となる導電層３を備えて形成されている
。
こ−で、誘電体基板１は誘電正接が少なく、高周波特性
の優れた誘電材料であれば有機材料であっても無機材料
であっても差支えないが、一般には特性的な面゛からア
ルミナ（α−ａｇｚｏ３）基板が用いられており、真空
蒸着、スパッタ、メツキなどの′ｒＲ膜形成技術を用い
て信号線路２や導電層３が形成されている。
の優れた誘電材料であれば有機材料であっても無機材料
であっても差支えないが、一般には特性的な面゛からア
ルミナ（α−ａｇｚｏ３）基板が用いられており、真空
蒸着、スパッタ、メツキなどの′ｒＲ膜形成技術を用い
て信号線路２や導電層３が形成されている。
次に、マイクロストリップ線路の特性インピーダンス（
Ｚｃ）として５０Ω、７５Ω、１００Ωなどが使用され
ているが、 このＺｃは、 分布定数回路の単位長当たりの分布直列インピーダンス
をｚｄ１分布アドミッタンスをＹ、とすると、 Ｚｃ −（Ｚａ ／ Ｙａ ） ”” ・・・（１
）の関係式で表すことができる。
Ｚｃ）として５０Ω、７５Ω、１００Ωなどが使用され
ているが、 このＺｃは、 分布定数回路の単位長当たりの分布直列インピーダンス
をｚｄ１分布アドミッタンスをＹ、とすると、 Ｚｃ −（Ｚａ ／ Ｙａ ） ”” ・・・（１
）の関係式で表すことができる。
ここで
Ｚａ ”’ｊ ωＬ＋Ｒ・・・（２）
Ｙｄ”ｊ ωＣ＋Ｇ ・・・（３）但し、
Ｌ （Ｈ／ａ ）は分布直列インダクタンス、Ｒ〔Ω）
ｌｌ〕は抵抗、 Ｃ（Ｆ／ｍ ）は分布並列キャパシタンス、Ｇ （Ｓ／
ｎ＋ ）はコンダクタンス、である。
ｌｌ〕は抵抗、 Ｃ（Ｆ／ｍ ）は分布並列キャパシタンス、Ｇ （Ｓ／
ｎ＋ ）はコンダクタンス、である。
それ故に、Ｒ−０，０＝０と置けるときは、ＺＣ＝ （
Ｌ／Ｃ）”” ・（４）となり、特性インピー
ダンスＺｃの値は、第３図（Ｂ）に示すように、信号線
路２の断面における幅（Ｗ）と高さ（ｈ）および信号線
路２と導電層３との間隔（１）及び誘電体基板１の誘電
率（ε）とにより決めることができる。
Ｌ／Ｃ）”” ・（４）となり、特性インピー
ダンスＺｃの値は、第３図（Ｂ）に示すように、信号線
路２の断面における幅（Ｗ）と高さ（ｈ）および信号線
路２と導電層３との間隔（１）及び誘電体基板１の誘電
率（ε）とにより決めることができる。
さて、半導体素子について高周波遮断周波数などを測定
するに当たっては二個のマイクロストリップ線路の信号
線路２の一方の端部をテスタの出力端子にそれぞれ回路
接続した後、測定すべき回路素子例えば半導体素子のリ
ード端子で二個のマイクロストリップ線路の信号線路の
端部を回路接続するよう配置して測定が行われている。
するに当たっては二個のマイクロストリップ線路の信号
線路２の一方の端部をテスタの出力端子にそれぞれ回路
接続した後、測定すべき回路素子例えば半導体素子のリ
ード端子で二個のマイクロストリップ線路の信号線路の
端部を回路接続するよう配置して測定が行われている。
そして、半導体素子を順次に置き換え、それぞれの半導
体素子について高周波特性の測定を行っている。
体素子について高周波特性の測定を行っている。
然しなから、信号線路２の幅はＩＷＩＡ程度と狭く、ま
た誘電体基板１よりも隆起して設けられているために信
号線路２より半導体素子のリード端子は滑落し易く、そ
のために半導体素子の位置合わせと固定には熟練を必要
としている。
た誘電体基板１よりも隆起して設けられているために信
号線路２より半導体素子のリード端子は滑落し易く、そ
のために半導体素子の位置合わせと固定には熟練を必要
としている。
以上記したようにマイクロストリップ線路はマイクロ波
・ミリ波の周波数領域における伝送線路として使用され
ているが、信号線路の幅が狭いために、この上にセット
して測定する回路素子の端子が滑落し易く、また固定が
不完全で反射が起こり易いなど作業性の面と測定精度の
面で対策が必要であった。
・ミリ波の周波数領域における伝送線路として使用され
ているが、信号線路の幅が狭いために、この上にセット
して測定する回路素子の端子が滑落し易く、また固定が
不完全で反射が起こり易いなど作業性の面と測定精度の
面で対策が必要であった。
上記の問題は誘電体基板の上面に信号線路を、また裏面
に基準電位面となる導体層を設けてなるマイクロストリ
ップ線路において、前記誘電体基板上の縦方向に直線上
の凹部を形成し、該凹部内に信号線路を設けた構造のマ
イクロストリップ線路の使用により解決することができ
る。
に基準電位面となる導体層を設けてなるマイクロストリ
ップ線路において、前記誘電体基板上の縦方向に直線上
の凹部を形成し、該凹部内に信号線路を設けた構造のマ
イクロストリップ線路の使用により解決することができ
る。
本発明は信号線路を従来のように誘電体基板上に隆起し
て形成するのではなく、誘電体基板よりも低く凹部状に
形成するものである。
て形成するのではなく、誘電体基板よりも低く凹部状に
形成するものである。
第１図と第２図はそれぞれ本発明に係るマイクロストリ
ップ線路の斜視図（Ａ）と正面図（Ｂ）であって、信号
線路４．５はそれｉれ誘電体基板６．７よりも低く凹部
状に形成することにより回路部品のリード端子の滑落を
無くするこ≧ができ、また信号線路４．５の幅は１日程
度と狭いために位置決めと固定が確実にできるようにな
る。
ップ線路の斜視図（Ａ）と正面図（Ｂ）であって、信号
線路４．５はそれｉれ誘電体基板６．７よりも低く凹部
状に形成することにより回路部品のリード端子の滑落を
無くするこ≧ができ、また信号線路４．５の幅は１日程
度と狭いために位置決めと固定が確実にできるようにな
る。
こ−で、第１図は信号線路４を誘電体基板６の底面に設
けである導体層３と平行に設けるもので、また第２図は
信号線路を楔状の傾斜を備えて設けるものである。
けである導体層３と平行に設けるもので、また第２図は
信号線路を楔状の傾斜を備えて設けるものである。
さて、このように誘電体基板上の縦方向に直線状の凹部
を形成するには、種々な方法がある。
を形成するには、種々な方法がある。
例えば、
■ 誘電体基板がアルミナのような磁器からなる場合は
グリンシートの状態で成形加工する。
グリンシートの状態で成形加工する。
■ 誘電体基板が合成樹脂からなる場合は切削加工して
形成する。
形成する。
■ 二層構造をとり、例えばアルミナ基板の上にガラス
ペーストをスクリーン印刷して凹部を形成する。
ペーストをスクリーン印刷して凹部を形成する。
■ 二層構造をとり、写真蝕刻技術（フォトリソグラフ
ィ）を用いて上層に凹部を形成する。
ィ）を用いて上層に凹部を形成する。
などの方法がある。
第４図は上記■の方法を用いて第１図に示した構造をと
り、特性インピーダンスが５０Ωのマイクロストリップ
線路の形成を示す工程図である。
り、特性インピーダンスが５０Ωのマイクロストリップ
線路の形成を示す工程図である。
こ−で、第１の誘電体基板８はアルミナ（α−Ａｌｔｏ
ｗ）からなっており、この上に焼付は法によりポリイミ
ドからなる第２の誘電体層９を形成した。
ｗ）からなっており、この上に焼付は法によりポリイミ
ドからなる第２の誘電体層９を形成した。
こ＼で、第１の誘電体基板８は０．５ ｍの厚さのもの
を用い、また第２の誘電体層９は０．３ｍｍの厚さに形
成した。（以上同図Ａ） 次に、第２の誘電体層９の上にスピンコード法によりフ
ォトレジスト層ｌＯを被覆した後、選択露光と現像を行
い、フォトレジスト層１０の縦方向の中央部に０．８ｆ
ｉの幅で直線状の窓開けを行い、第２の誘電体層９を露
出させた。（以上同図Ｂ）次に、酸素ガスをエッチャン
トとしてドライエツチングを行い、第２の誘電体層９を
第１の誘電体基板８に達するまでエツチングした。
を用い、また第２の誘電体層９は０．３ｍｍの厚さに形
成した。（以上同図Ａ） 次に、第２の誘電体層９の上にスピンコード法によりフ
ォトレジスト層ｌＯを被覆した後、選択露光と現像を行
い、フォトレジスト層１０の縦方向の中央部に０．８ｆ
ｉの幅で直線状の窓開けを行い、第２の誘電体層９を露
出させた。（以上同図Ｂ）次に、酸素ガスをエッチャン
トとしてドライエツチングを行い、第２の誘電体層９を
第１の誘電体基板８に達するまでエツチングした。
こ＼で、酸素ラジカルによりフォトレジスト層１０もエ
ツチングされるが、これよりも第２の誘電体層９（ポリ
イミド）のエツチング速度が速いためにエツチングが進
行し、第１の誘電体基板８（アルミナ）に達すると止ま
る。
ツチングされるが、これよりも第２の誘電体層９（ポリ
イミド）のエツチング速度が速いためにエツチングが進
行し、第１の誘電体基板８（アルミナ）に達すると止ま
る。
このようにして第２の誘電体層９を選択エツチングして
マイクロストリップ線路を埋め込む直線状の凹部１１を
形成した。（以上同図Ｃ）次に、真空論者法を用いてフ
ォトレジスト層１０の表面と第１の誘電体基板８の裏面
に銅（Ｃｕ）を蒸着した後、この上に金（Ａｕ）メツキ
を施して第１の導電層１２と第２の導電層１３とを形成
した。
マイクロストリップ線路を埋め込む直線状の凹部１１を
形成した。（以上同図Ｃ）次に、真空論者法を用いてフ
ォトレジスト層１０の表面と第１の誘電体基板８の裏面
に銅（Ｃｕ）を蒸着した後、この上に金（Ａｕ）メツキ
を施して第１の導電層１２と第２の導電層１３とを形成
した。
こ＼で第１の導電層１２と第２の導電層１３の厚さはそ
れぞれ０．２鶴である。（以上同図Ｄ）次に、フォトレ
ジスト層１０を除去することにより第１の導体層１２を
信号線路１４とする埋込み形のマイクロストリップ線路
が完成した。（以上同図Ｅ） このようにして形成した信号線路１４の幅は０．８鶴、
厚さは０．２ｍ、アルミナ（誘電率８．５）からなる第
１の誘電体基板８の厚さは０．５ ｔｍであり、これよ
り特性インピーダンス５０Ωのマイクロストリップ線路
を造ることができた。
れぞれ０．２鶴である。（以上同図Ｄ）次に、フォトレ
ジスト層１０を除去することにより第１の導体層１２を
信号線路１４とする埋込み形のマイクロストリップ線路
が完成した。（以上同図Ｅ） このようにして形成した信号線路１４の幅は０．８鶴、
厚さは０．２ｍ、アルミナ（誘電率８．５）からなる第
１の誘電体基板８の厚さは０．５ ｔｍであり、これよ
り特性インピーダンス５０Ωのマイクロストリップ線路
を造ることができた。
以上記したように本発明に係るマイクロストリップ線路
は信号線路が誘電体基板よりも低く形成されているので
、回路素子の測定に当たってリード端子の位置決めが正
確に行われると共に滑落が無くなり、これにより測定の
効率と精度の向上が可能となる。
は信号線路が誘電体基板よりも低く形成されているので
、回路素子の測定に当たってリード端子の位置決めが正
確に行われると共に滑落が無くなり、これにより測定の
効率と精度の向上が可能となる。
第１図は本発明に係るマイクロストリップ線路の斜視図
（Ａ）と正面図（Ｂ）、 第２図は本発明に係るマイクロストリップ線路の斜視図
（Ａ）と正面図（Ｂ）、 第３図は従来のマイクロストリップ線路の斜視図（Ａ）
と正面図（Ｂ）、 第４図（Ａ）〜（Ｅ）は本発明に係るマイクロス） Ｉ
Ｊツブ線路の製法を示す断面図、である。 図において、 １．６．７は誘電体基板、 ２、 ４． ５．１４は信号線路、 ３は導電層、 ゛ ２゛８は第１の誘電
体基板、９は第２の誘電体層、１０はフォトレジスト層
、１１は直線状の凹部、１２は第１の導電層、 １３
は第２の導電層、である。 （Ａ） （Ａ） （Ａ） 第３ 図 第 ４ 図
（Ａ）と正面図（Ｂ）、 第２図は本発明に係るマイクロストリップ線路の斜視図
（Ａ）と正面図（Ｂ）、 第３図は従来のマイクロストリップ線路の斜視図（Ａ）
と正面図（Ｂ）、 第４図（Ａ）〜（Ｅ）は本発明に係るマイクロス） Ｉ
Ｊツブ線路の製法を示す断面図、である。 図において、 １．６．７は誘電体基板、 ２、 ４． ５．１４は信号線路、 ３は導電層、 ゛ ２゛８は第１の誘電
体基板、９は第２の誘電体層、１０はフォトレジスト層
、１１は直線状の凹部、１２は第１の導電層、 １３
は第２の導電層、である。 （Ａ） （Ａ） （Ａ） 第３ 図 第 ４ 図
Claims (2)
- （１）誘電体基板の上面に信号線路を、また裏面に基準
電位面となる導体層を設けてなるマイクロストリップ線
路において、 前記誘電体基板上の縦方向に直線上の凹部を形成し、該
凹部内に信号線路を設けることを特徴とするマイクロス
トリップ線路。 - （２）第１の誘電体基板上に信号線路よりも厚い厚さを
もつ第２の誘電体層を形成する工程と、該第２の誘電体
層をフォトレジストを使用する写真蝕刻技術により選択
エッチングして該誘電体層の縦方向に直線状の凹部を形
成する工程と、該第２の誘電体層の上と第１の誘電体基
板の裏面に薄膜形成技術により第１の導体層と基準電位
面となる第２の導電層を形成する工程と、 第２の誘電体上のフォトレジストを除去して直線状の凹
部の中に信号線路を形成する工程と、を含むことを特徴
とするマイクロストリップ線路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62264081A JPH01106602A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | マイクロストリップ線路とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62264081A JPH01106602A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | マイクロストリップ線路とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01106602A true JPH01106602A (ja) | 1989-04-24 |
Family
ID=17398252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62264081A Pending JPH01106602A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | マイクロストリップ線路とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01106602A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0531312U (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-23 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体共振器 |
| JPH0591006U (ja) * | 1992-05-12 | 1993-12-10 | 株式会社村田製作所 | 誘電体共振器 |
| WO2003058752A1 (en) * | 2001-12-28 | 2003-07-17 | Molex Incorporated | Grouped element transmission channel link with power delivery aspects |
| WO2005067092A1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-07-21 | Molex Incorporated | Triangular conforming transmission structure |
| US7273401B2 (en) | 2003-03-14 | 2007-09-25 | Molex Incorporated | Grouped element transmission channel link with pedestal aspects |
| US8006075B2 (en) | 2009-05-21 | 2011-08-23 | Oracle America, Inc. | Dynamically allocated store queue for a multithreaded processor |
-
1987
- 1987-10-20 JP JP62264081A patent/JPH01106602A/ja active Pending
Cited By (12)
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