JPH01102971A - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH01102971A JPH01102971A JP62260883A JP26088387A JPH01102971A JP H01102971 A JPH01102971 A JP H01102971A JP 62260883 A JP62260883 A JP 62260883A JP 26088387 A JP26088387 A JP 26088387A JP H01102971 A JPH01102971 A JP H01102971A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffused layer
- image sensor
- output
- base
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 30
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイメージセンサに関するものである。
(発明の概要〕
本発明は、フォトトランジスタとして構成されるイメー
ジセンサのベース領域内に、電流増幅率の異なる複数個
のトランジスタを組み込んだもΦである。
ジセンサのベース領域内に、電流増幅率の異なる複数個
のトランジスタを組み込んだもΦである。
従来のイメージセンサは、受光領域であるベース領域内
に単一のエミッタ領域を設け、ベース領域における受光
量に応じた大きさの出力信号を、上記ベース領域に接す
るように設けられたコレクタ領域と上記エミッタ領域を
通じて外部に取り出すように構成されている。
に単一のエミッタ領域を設け、ベース領域における受光
量に応じた大きさの出力信号を、上記ベース領域に接す
るように設けられたコレクタ領域と上記エミッタ領域を
通じて外部に取り出すように構成されている。
(発明が解決しようとする問題点〕
ところで、上述の如きイメージセンサにおいては、その
出力信号のレベルは露光量に応じて定められるものであ
り、したがって、出力信号の状態はその使用状態に太き
(左右されるものである。
出力信号のレベルは露光量に応じて定められるものであ
り、したがって、出力信号の状態はその使用状態に太き
(左右されるものである。
例えば、イメージセンサをFAXの読取り素子として使
用する場合、原稿の送り速度が速い場合と遅い場合とで
は蓄積時間の設定も異なり、出力される信号のレベルは
大きく変化するものである。
用する場合、原稿の送り速度が速い場合と遅い場合とで
は蓄積時間の設定も異なり、出力される信号のレベルは
大きく変化するものである。
このため、この種のデバイスを使用するハードウェアの
設計においては、同一型式のイメージセンサを使用する
場合であっても、その使用方法が異なる場合には、得ら
れる出力のレベルが様々となり、イメージセンサとその
出力を処理する処理回路との間の信号受は渡しを適切な
レベルにて行うことが困難となる場合も生じる。
設計においては、同一型式のイメージセンサを使用する
場合であっても、その使用方法が異なる場合には、得ら
れる出力のレベルが様々となり、イメージセンサとその
出力を処理する処理回路との間の信号受は渡しを適切な
レベルにて行うことが困難となる場合も生じる。
このような場合、通常ではイメージセンサの出力側にレ
ベル調整用の回路を必要とするなど、回路構成が複雑に
なる傾向を有している。
ベル調整用の回路を必要とするなど、回路構成が複雑に
なる傾向を有している。
また、カラー画像の処理のためにこの種のイメージセン
サを使用する場合には、分光感度特性の違いから、RG
B信号の各々の出力のレベルにばらつきが生じることと
なり、やはりその出力レベルの調整が必要となる。
サを使用する場合には、分光感度特性の違いから、RG
B信号の各々の出力のレベルにばらつきが生じることと
なり、やはりその出力レベルの調整が必要となる。
本発明の目的は、したがって種々の理由によってイメー
ジセンサの作動条件が異なっても、常に適切なレベルの
出力信号を取り出し得るようにしたイメージセンサを提
供することにある。
ジセンサの作動条件が異なっても、常に適切なレベルの
出力信号を取り出し得るようにしたイメージセンサを提
供することにある。
上記目的を達成するための本発明の特徴は、受光領域と
して働くベース領域と、該ベース領域に接するように設
けられたエミッタ領域とコレクタ領域とを有し、上記ベ
ース領域に与えられた露光量に応じた信号を上記エミッ
タ領域及び上記コレクタ領域を介して取り出すように構
成されたイメージセンサにおいて、上記ベース領域内に
複数の相互に独立したエミッタ領域を設け、これらのエ
ミッタ領域によって電流増幅率の異なる複数の出力回路
を構成した点にある。
して働くベース領域と、該ベース領域に接するように設
けられたエミッタ領域とコレクタ領域とを有し、上記ベ
ース領域に与えられた露光量に応じた信号を上記エミッ
タ領域及び上記コレクタ領域を介して取り出すように構
成されたイメージセンサにおいて、上記ベース領域内に
複数の相互に独立したエミッタ領域を設け、これらのエ
ミッタ領域によって電流増幅率の異なる複数の出力回路
を構成した点にある。
イメージセンサのベース領域に光が照射されると、その
露光量に応じた大きさの信号がコレクタ領域と各エミッ
タ領域とを通じて外部に出力される。ベース領域と、コ
レクタ領域と、各エミッタ領域とによって、電流増幅率
の異なる複数の出力回路が構成されるので、同一の露光
条件下においてレベルのそれぞれ異なる71敗の出力信
号を各エミッタ領域を通じて取り出し得る。
露光量に応じた大きさの信号がコレクタ領域と各エミッ
タ領域とを通じて外部に出力される。ベース領域と、コ
レクタ領域と、各エミッタ領域とによって、電流増幅率
の異なる複数の出力回路が構成されるので、同一の露光
条件下においてレベルのそれぞれ異なる71敗の出力信
号を各エミッタ領域を通じて取り出し得る。
以下、図示の実施例により本発明の詳細な説明する。第
1図及び第2図には、本発明によるイメージセンサの一
実施例が示されている。イメージセンサ1は、n−基板
2上に縦横に整列配置された多数のイメージセンサアレ
イの中の1つであり、n−基板2上に拡散形成されたベ
ース拡散層3と1、コレクタ拡散層4とを有している。
1図及び第2図には、本発明によるイメージセンサの一
実施例が示されている。イメージセンサ1は、n−基板
2上に縦横に整列配置された多数のイメージセンサアレ
イの中の1つであり、n−基板2上に拡散形成されたベ
ース拡散層3と1、コレクタ拡散層4とを有している。
ベース拡散層3は、第1ベース拡散層3aと第2ベース
拡散層3bとからなり、これらはいずれもp−拡散層で
あるが、第1ベース拡散層3aの不純物濃度は第2ベー
ス拡散層3bのそれよりも少し高くなっている。
拡散層3bとからなり、これらはいずれもp−拡散層で
あるが、第1ベース拡散層3aの不純物濃度は第2ベー
ス拡散層3bのそれよりも少し高くなっている。
そして、第1ベース拡散層3a内には第1エミッタ拡散
層5aが形成され、第2ベース拡散層3b内に第2エミ
ッタ拡散層5bが形成されている。
層5aが形成され、第2ベース拡散層3b内に第2エミ
ッタ拡散層5bが形成されている。
コレクタ拡散層4はコレクタ電極6を介して外部回路と
接続され、第1及び第2エミツタ拡散層3a、 3bは
第1及び第2エミッタ電極7.8を介して外部回路と接
続される構成である。
接続され、第1及び第2エミツタ拡散層3a、 3bは
第1及び第2エミッタ電極7.8を介して外部回路と接
続される構成である。
なお、9は中間絶縁層、lOは保護膜である。
このような構成によると、コレクタ拡散層4゜第1ベー
ス拡散層3a及び第1エミッタ拡散層5aによって第1
の出力トランジスタ素子11が構成され、コレクタ拡散
層4.第2ベース拡散層3b及び第2エミフタ拡散層5
bにより第2の出力トランジスタ素子12が構成されて
いる。上述の如く、第1ベース拡散層3aの不純物濃度
は第2ベース拡散層3bの不純物濃度よりも高いので、
第1の出力トランジスタ素子10の電流増幅率β1は第
2の出力トランジスタ素子11の電流増幅率β2よりも
小さいことになる。したがって、ベース拡散Ji3が露
光された場合、第1の出力トランジスタ素子10の出力
よりも第2の出力トランジスタ素子11の出力の方が大
きなレベルとなる。
ス拡散層3a及び第1エミッタ拡散層5aによって第1
の出力トランジスタ素子11が構成され、コレクタ拡散
層4.第2ベース拡散層3b及び第2エミフタ拡散層5
bにより第2の出力トランジスタ素子12が構成されて
いる。上述の如く、第1ベース拡散層3aの不純物濃度
は第2ベース拡散層3bの不純物濃度よりも高いので、
第1の出力トランジスタ素子10の電流増幅率β1は第
2の出力トランジスタ素子11の電流増幅率β2よりも
小さいことになる。したがって、ベース拡散Ji3が露
光された場合、第1の出力トランジスタ素子10の出力
よりも第2の出力トランジスタ素子11の出力の方が大
きなレベルとなる。
第3図には、第1及び第2の出力トランジスタ素子10
.11からの信号を取り出すための回路が示されている
。ここで、sw、 −3G14 はスイッチ、Rは抵抗
器、Cはコンデンサである。各出力トランジスタ素子1
0.11の共通のコレクタ電極6は直流電源+Vに接続
されており、第1エミツタ電極7はスイッチSWlを介
してアースされ、第2エミツタ電極8はスイッチS1を
介してアースされている。先ず、第1の出力トランジス
タ10の出力を取り出す場合について説明すると、SW
、〜SLを全てオフ状態としておき、スイッチ5113
を第4図(alに示すように、間歇的に閉じると共に、
スイッチSWl をスイッチSW3がオンからオフに切
換えられた直後から所定時間tだけオンとする。(第4
図(bl)、スイッチSWs、S11+をこのようにオ
ン/オフ制御することにより、コンデンサCの両端には
第4図tc+に示す電圧信号S1が生じる。この出力電
圧S1の各ピーク値がこのイメージセンサ1の第1の出
力トランジスタ素子10の出力となる。
.11からの信号を取り出すための回路が示されている
。ここで、sw、 −3G14 はスイッチ、Rは抵抗
器、Cはコンデンサである。各出力トランジスタ素子1
0.11の共通のコレクタ電極6は直流電源+Vに接続
されており、第1エミツタ電極7はスイッチSWlを介
してアースされ、第2エミツタ電極8はスイッチS1を
介してアースされている。先ず、第1の出力トランジス
タ10の出力を取り出す場合について説明すると、SW
、〜SLを全てオフ状態としておき、スイッチ5113
を第4図(alに示すように、間歇的に閉じると共に、
スイッチSWl をスイッチSW3がオンからオフに切
換えられた直後から所定時間tだけオンとする。(第4
図(bl)、スイッチSWs、S11+をこのようにオ
ン/オフ制御することにより、コンデンサCの両端には
第4図tc+に示す電圧信号S1が生じる。この出力電
圧S1の各ピーク値がこのイメージセンサ1の第1の出
力トランジスタ素子10の出力となる。
第2の出力トランジスタ素子11からの出力も、スイッ
チSW、、 514.を同様にしてオン、オフ制御する
ことにより、第4図(C1にStとして示される出力電
圧を得ることができる。 −このように、2種
類のレベルの異なる出力電圧St、 Ssを選択的に得
ることも可能である。従って、種々の露光状態に応じて
、使用する出力トランジスタ素子の切換を行えば、常に
一定のレベル範囲で出力信号が得られ、外部にレベル調
整用の回路を付加する必要がない。
チSW、、 514.を同様にしてオン、オフ制御する
ことにより、第4図(C1にStとして示される出力電
圧を得ることができる。 −このように、2種
類のレベルの異なる出力電圧St、 Ssを選択的に得
ることも可能である。従って、種々の露光状態に応じて
、使用する出力トランジスタ素子の切換を行えば、常に
一定のレベル範囲で出力信号が得られ、外部にレベル調
整用の回路を付加する必要がない。
すなわち、各出力トランジスタ素子10.11の出力特
性は第5図の特性の如くなるので、その時の露光条件に
よって適切なレベルの出力を得ることが可能である。
性は第5図の特性の如くなるので、その時の露光条件に
よって適切なレベルの出力を得ることが可能である。
上記実施例においては、出力トランジスタ素子を2つ設
けた場合について説明したが、2つ以上任意の数のトラ
ンジスタ素子を設ける構成でもよいことは勿論であり、
これにより、より細かいレベルの選択が可能となる。
けた場合について説明したが、2つ以上任意の数のトラ
ンジスタ素子を設ける構成でもよいことは勿論であり、
これにより、より細かいレベルの選択が可能となる。
また、電流増幅率の異なるトランジスタを構成するため
の手段は、実施例のものに限定されることなく、別の適
宜の手段、例えばベース領域の厚みのuRrinなどに
よって行ってもよい。
の手段は、実施例のものに限定されることなく、別の適
宜の手段、例えばベース領域の厚みのuRrinなどに
よって行ってもよい。
本発明によれば、上述の如く同一の露光条件に対して複
数種類のレベルの出力を選択できるので、イメージセン
サの出力の調整のための回路が不要となり、如何なる信
号処理部に対しても適切なレベルの出力信号を供給する
ことができる。
数種類のレベルの出力を選択できるので、イメージセン
サの出力の調整のための回路が不要となり、如何なる信
号処理部に対しても適切なレベルの出力信号を供給する
ことができる。
第1図は本発明によるイメージセンサの平面図、第2図
は第1図のA−A’線断面図、第31gは第1図に示し
たイメージセンサの出力を取り出すための回路を示す回
路図、第4図(a)〜第4図(clは第3図に示す回路
の作動を説明するための説明図、第5図はトランジスタ
素子の出力特性を示す特性図である。 l・・・イメージセンサ 3・・・ベース拡散層 3a・・・第1ベース拡散層 3b・・・第2ベース拡散層 4・・・コレクタ拡散層 5a・・・第1エミッタ拡散層 5b・・・第2エミッタ拡散層 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 イメージヒンすの平面図 廂1図 ’151EノA−XnWMjJWJ 鄭 2団 十V
は第1図のA−A’線断面図、第31gは第1図に示し
たイメージセンサの出力を取り出すための回路を示す回
路図、第4図(a)〜第4図(clは第3図に示す回路
の作動を説明するための説明図、第5図はトランジスタ
素子の出力特性を示す特性図である。 l・・・イメージセンサ 3・・・ベース拡散層 3a・・・第1ベース拡散層 3b・・・第2ベース拡散層 4・・・コレクタ拡散層 5a・・・第1エミッタ拡散層 5b・・・第2エミッタ拡散層 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 イメージヒンすの平面図 廂1図 ’151EノA−XnWMjJWJ 鄭 2団 十V
Claims (1)
- (1)受光領域として働くベース領域を有し露光量に応
じた信号を出力しうるように構成されたイメージセンサ
において、前記ベース領域内に複数の相互に独立したエ
ミッタ領域を設け、これらのエミッタ領域によって電流
増幅率の異なる複数の出力回路を構成したことを特徴と
するイメージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62260883A JPH01102971A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62260883A JPH01102971A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | イメージセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01102971A true JPH01102971A (ja) | 1989-04-20 |
Family
ID=17354073
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62260883A Pending JPH01102971A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | イメージセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01102971A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2007083704A1 (ja) * | 2006-01-18 | 2009-06-11 | 国立大学法人静岡大学 | 固体撮像装置及びその画素信号の読みだし方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57143877A (en) * | 1981-03-02 | 1982-09-06 | Omron Tateisi Electronics Co | Semiconductor device |
JPS58108768A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-06-28 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
-
1987
- 1987-10-16 JP JP62260883A patent/JPH01102971A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57143877A (en) * | 1981-03-02 | 1982-09-06 | Omron Tateisi Electronics Co | Semiconductor device |
JPS58108768A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-06-28 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2007083704A1 (ja) * | 2006-01-18 | 2009-06-11 | 国立大学法人静岡大学 | 固体撮像装置及びその画素信号の読みだし方法 |
JP4649623B2 (ja) * | 2006-01-18 | 2011-03-16 | 国立大学法人静岡大学 | 固体撮像装置及びその画素信号の読みだし方法 |
US8319166B2 (en) | 2006-01-18 | 2012-11-27 | National University Corporation Shizuoka University | Solid-state image pick-up device and pixel signal readout method having dual potential well, dual transfer gate electrode and dual floating-diffusion region for separately transferring and storing charges respectively |
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