JPH01101012A - 光受信回路 - Google Patents
光受信回路Info
- Publication number
- JPH01101012A JPH01101012A JP62257068A JP25706887A JPH01101012A JP H01101012 A JPH01101012 A JP H01101012A JP 62257068 A JP62257068 A JP 62257068A JP 25706887 A JP25706887 A JP 25706887A JP H01101012 A JPH01101012 A JP H01101012A
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- JP
- Japan
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- transistor
- current
- output
- circuit
- voltage
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- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の要約
入力トランジスタの出力電流とほぼ同じ値の電流をカレ
ントミラー回路で第３のトランジスタに発生させ、そこ
から出力電圧を取出すようにした。入力トランジスタの
コレクタから電圧出力を取出す必要がないので、このコ
レクタを一定電圧Ｖ に接続することができ、ミラー効
果を低減でＣ きる。これにより高周波特性を改善でき高速化が可能と
なるとともに、高感度化を図ることも可能となる。
ントミラー回路で第３のトランジスタに発生させ、そこ
から出力電圧を取出すようにした。入力トランジスタの
コレクタから電圧出力を取出す必要がないので、このコ
レクタを一定電圧Ｖ に接続することができ、ミラー効
果を低減でＣ きる。これにより高周波特性を改善でき高速化が可能と
なるとともに、高感度化を図ることも可能となる。
発明の背景
技術分野
この発明は光受信回路に関し、たとえば光信号伝送装置
等で用いられる光受信回路に関する。
等で用いられる光受信回路に関する。
従来技術とその問題点
第３図に従来からよく知られている光受信回路を示す。
この光受信回路において、入射光はフォト−ダイオード
ＰＤによってその光量に応じた電流ｉ に変換される。
ＰＤによってその光量に応じた電流ｉ に変換される。
電流ｉ の一部はフォト・ｐｐ
ダイオードＰＤと接続されたトランジスタＱ１のベース
に与えられ、ｈ「８倍に増幅されてそのコレクタに流れ
る。トランジスタＱ、のコレクタ電流は負荷抵抗Ｒ１に
より電圧に変換され２次段のトランジスタＱ２のベース
に加えられる。トランジスタＱ２はエミッタ・ホロワで
ある。トランジスタＱ の出力は帰還抵抗Ｒｒを介して
トランジスりＱｌに負帰還される。
に与えられ、ｈ「８倍に増幅されてそのコレクタに流れ
る。トランジスタＱ、のコレクタ電流は負荷抵抗Ｒ１に
より電圧に変換され２次段のトランジスタＱ２のベース
に加えられる。トランジスタＱ２はエミッタ・ホロワで
ある。トランジスタＱ の出力は帰還抵抗Ｒｒを介して
トランジスりＱｌに負帰還される。
フォト・ダイオードＰＤの光電流ｉ の大部分は帰還抵
抗Ｒに流れるので出力電圧Ｖｏは近似的に Ｖ ＝ ｔ ｘ Ｒｆ ｐ で与えられる。
抗Ｒに流れるので出力電圧Ｖｏは近似的に Ｖ ＝ ｔ ｘ Ｒｆ ｐ で与えられる。
このような従来の光受信回路において、トランジスタＱ
１のコレクタ（Ａ点）の振幅の変化がトランジスタＱ
のコレクターベース間容量ＣＢｃを介して負帰還され（
Ｍｉｌｌｅｒ効果）、この負帰還量は周波数が高くなる
ほど大きくなるので、高周波特性が必ずしも充分によく
ないという欠点がある。
１のコレクタ（Ａ点）の振幅の変化がトランジスタＱ
のコレクターベース間容量ＣＢｃを介して負帰還され（
Ｍｉｌｌｅｒ効果）、この負帰還量は周波数が高くなる
ほど大きくなるので、高周波特性が必ずしも充分によく
ないという欠点がある。
発明の概要
発明の目的
この発明は高周波特性を改善した光受信回路を提供する
ことを目的とする。
ことを目的とする。
発明の構成
この発明は入射光をその光量に応じた電気信号に変換す
る光電変換素子、前記光電変換素子からの信号を増幅す
る第１のトランジスタ、エミッタ・ホロワで信号を出力
する第２のトランジスタ。
る光電変換素子、前記光電変換素子からの信号を増幅す
る第１のトランジスタ、エミッタ・ホロワで信号を出力
する第２のトランジスタ。
および第２のトランジスタから第１のトランジスタに負
帰還するための負帰還回路からなる光受信回路において
、第１のトランジスタの出力電流を入力電流とし、これ
と同程度の出力電流を発生するカレントミラー回路を設
けるとともにカレントミラー回路の出力側のトランジス
タに負荷抵抗を接続し、その出力電圧を前記第２のトラ
ンジスタに与えるようにしたことを特徴とする。
帰還するための負帰還回路からなる光受信回路において
、第１のトランジスタの出力電流を入力電流とし、これ
と同程度の出力電流を発生するカレントミラー回路を設
けるとともにカレントミラー回路の出力側のトランジス
タに負荷抵抗を接続し、その出力電圧を前記第２のトラ
ンジスタに与えるようにしたことを特徴とする。
実施例の説明
第１図はこの発明による光受信回路の実施例を示す。第
３図に示すものと同一物には同一符号を付しである。
３図に示すものと同一物には同一符号を付しである。
フォト・ダイオードＰＤのアノード側がトランジスタＱ
ｌのベースに接続されているカレントミラーはトランジ
スタＱ４とＱ３とから構成されている。トランジスタＱ
、のエミッタはトランジスタＱ４のコレクタに接続され
ている。トランジスタＱ のコレクタは負荷抵抗Ｒ１を
介して電源型圧Ｖ と接続されるとともに、トランジス
タＱ２ｃ のベースと接続されている。トランジスタＱ２がエミッ
タ・ホロワとなっているのは従来例と同様である。トラ
ンジスタＱ２のエミッタは帰還抵抗Ｒを介してトランジ
スタＱ１のベースと接続されている。
ｌのベースに接続されているカレントミラーはトランジ
スタＱ４とＱ３とから構成されている。トランジスタＱ
、のエミッタはトランジスタＱ４のコレクタに接続され
ている。トランジスタＱ のコレクタは負荷抵抗Ｒ１を
介して電源型圧Ｖ と接続されるとともに、トランジス
タＱ２ｃ のベースと接続されている。トランジスタＱ２がエミッ
タ・ホロワとなっているのは従来例と同様である。トラ
ンジスタＱ２のエミッタは帰還抵抗Ｒを介してトランジ
スタＱ１のベースと接続されている。
フォト・ダイオードＰＤの光電流のうちトランジスタＱ
１のベースに流入した電流はこのトランジスタＱＩによ
って増幅される。トランジスタＱ１の出力電流ｉはカレ
ントミラーのトランジスタＱ に流れ、トランジスタＱ
３にもほぼ同じ大きさの電流（これもｉとする）が流れ
る。トランジスタＱ３の出力電流ｉは負荷抵抗Ｒ１によ
り電圧に変換されトランジスタＱ２のベースに印加され
る。トランジスタＱ２はこの入力電圧をエミッタφホロ
ワで出力する。この出力は帰還抵抗Ｒｒを介して、トラ
ンジスタＱ１に負帰還される。
１のベースに流入した電流はこのトランジスタＱＩによ
って増幅される。トランジスタＱ１の出力電流ｉはカレ
ントミラーのトランジスタＱ に流れ、トランジスタＱ
３にもほぼ同じ大きさの電流（これもｉとする）が流れ
る。トランジスタＱ３の出力電流ｉは負荷抵抗Ｒ１によ
り電圧に変換されトランジスタＱ２のベースに印加され
る。トランジスタＱ２はこの入力電圧をエミッタφホロ
ワで出力する。この出力は帰還抵抗Ｒｒを介して、トラ
ンジスタＱ１に負帰還される。
この回路においては、トランジスタＱ２に加えるべき電
圧はカレントミラーのトランジスタＱ３のコレクタ（０
点）に現われるので、従来例と異なりトランジスタＱ１
のコレクタに負荷抵抗を接続する必要はなく、トランジ
スタＱ１のコレクタを電流電圧Ｖ に接続しておけばよ
い。トランジＣ スタＱ１のコレクタ（Ｂ点）の電位はＶｏ。で一定であ
るから、容量ＣＢｃを介しての負帰還は起こらず、した
がって従来のものより高周波特性が改善される。
圧はカレントミラーのトランジスタＱ３のコレクタ（０
点）に現われるので、従来例と異なりトランジスタＱ１
のコレクタに負荷抵抗を接続する必要はなく、トランジ
スタＱ１のコレクタを電流電圧Ｖ に接続しておけばよ
い。トランジＣ スタＱ１のコレクタ（Ｂ点）の電位はＶｏ。で一定であ
るから、容量ＣＢｃを介しての負帰還は起こらず、した
がって従来のものより高周波特性が改善される。
第２図に、第１図に示すこの発明の実施例による光受信
回路と第３図に示す従来の光受信回路の周波数特性の実
験結果を示す。条件は、Ｒ２−３９にΩ、Ｒ−８．２に
Ω、Ｒ２−２にΩ”ｃｃ−［ １２Ｖである。この発明による第１図の回路では帯域幅
が約９ ＭＨｚあり、従来のものより３倍広い。
回路と第３図に示す従来の光受信回路の周波数特性の実
験結果を示す。条件は、Ｒ２−３９にΩ、Ｒ−８．２に
Ω、Ｒ２−２にΩ”ｃｃ−［ １２Ｖである。この発明による第１図の回路では帯域幅
が約９ ＭＨｚあり、従来のものより３倍広い。
発明の効果
この発明によると、カレントミラー回路を設けるととも
にその出力側のトランジスタのコレクタ側に負荷抵抗を
接続し、その出力電圧（コレクタ電圧）を第２のトラン
ジスタのベースに加えるようにしたので、第１のトラン
ジスタのコレクタ電位を一定電圧に保つことができ旧ｔ
ｉｅｒ効果を低減することができる。これにより光受信
回路の高周波特性を改善することができ、より高速の光
通信用受信器に用いることができる。
にその出力側のトランジスタのコレクタ側に負荷抵抗を
接続し、その出力電圧（コレクタ電圧）を第２のトラン
ジスタのベースに加えるようにしたので、第１のトラン
ジスタのコレクタ電位を一定電圧に保つことができ旧ｔ
ｉｅｒ効果を低減することができる。これにより光受信
回路の高周波特性を改善することができ、より高速の光
通信用受信器に用いることができる。
高速性を必要としない場合でもこの発明は次の効果を奏
する。帰還抵抗Ｒｒが小さいほど高周波特性がよいが、
高速性を必要としない場合はその分帰還抵抗Ｒ４を大き
くできる。熱雑音はへ７に比例するが信号はＲｒに比例
するので（帰還抵抗を大きくすると周波数特性は悪くな
るが出力電圧は大きくなる）Ｓ／Ｎは４７に比例して良
くなる。すなわち第１図の回路を第３図の従来例と同じ
高周波特性をもたせるようにした場合にはこの発明によ
る第１図の光受信回路の方がＳ／Ｎが良く、感度が良い
ということになる。
する。帰還抵抗Ｒｒが小さいほど高周波特性がよいが、
高速性を必要としない場合はその分帰還抵抗Ｒ４を大き
くできる。熱雑音はへ７に比例するが信号はＲｒに比例
するので（帰還抵抗を大きくすると周波数特性は悪くな
るが出力電圧は大きくなる）Ｓ／Ｎは４７に比例して良
くなる。すなわち第１図の回路を第３図の従来例と同じ
高周波特性をもたせるようにした場合にはこの発明によ
る第１図の光受信回路の方がＳ／Ｎが良く、感度が良い
ということになる。
第１図はこの発明の光受信回路の実施例を示す回路図で
ある。第２図は第１図に示すこの発明による回路と第３
図に示す従来の回路の周波数特性を比較したグラフであ
る。 第３図は従来の光受信回路の一例を示す回路図である。 ＰＤ・・・フォト・ダイオード。 Ｑｌ・・・トランジスタ（第１のトランジスタ）。 Ｑ２・・・トランジスタ（第２のトランジスタ）。 Ｑ 、Ｑ ・・・トランジスタ（カレントミラーを
構成するトランジスタ）。 Ｒ１・・・負荷抵抗。 Ｒ４・・・帰還抵抗。 以 上 特許出願人 立石電機株式会社 代 理 人 弁理士 牛 久 健 司（外１名）
ある。第２図は第１図に示すこの発明による回路と第３
図に示す従来の回路の周波数特性を比較したグラフであ
る。 第３図は従来の光受信回路の一例を示す回路図である。 ＰＤ・・・フォト・ダイオード。 Ｑｌ・・・トランジスタ（第１のトランジスタ）。 Ｑ２・・・トランジスタ（第２のトランジスタ）。 Ｑ 、Ｑ ・・・トランジスタ（カレントミラーを
構成するトランジスタ）。 Ｒ１・・・負荷抵抗。 Ｒ４・・・帰還抵抗。 以 上 特許出願人 立石電機株式会社 代 理 人 弁理士 牛 久 健 司（外１名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 入射光をその光量に応じた電気信号に変換する光電変換
素子、 前記光電変換素子からの信号を増幅する第１のトランジ
スタ、 エミッタ・ホロワで信号を出力する第２のトランジスタ
、および 第２のトランジスタから第１のトランジスタに負帰還す
るための負帰還回路からなる光受信回路において、 第１のトランジスタの出力電流を入力電流とし、これと
同程度の出力電流を発生するカレントミラー回路を設け
るとともにカレントミラー回路の出力側のトランジスタ
に負荷抵抗を接続し、その出力電圧を前記第２のトラン
ジスタに与えるようにしたことを特徴とする光受信回路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62257068A JPH01101012A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 光受信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62257068A JPH01101012A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 光受信回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01101012A true JPH01101012A (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=17301298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62257068A Pending JPH01101012A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 光受信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01101012A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH048004A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電流電圧変換回路 |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP62257068A patent/JPH01101012A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH048004A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電流電圧変換回路 |
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