JPH01100747A - Information recording medium - Google Patents

Information recording medium

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JPH01100747A
JPH01100747A JP62256244A JP25624487A JPH01100747A JP H01100747 A JPH01100747 A JP H01100747A JP 62256244 A JP62256244 A JP 62256244A JP 25624487 A JP25624487 A JP 25624487A JP H01100747 A JPH01100747 A JP H01100747A
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JP
Japan
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recording layer
information
recording
recording medium
alloy
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Pending
Application number
JP62256244A
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Japanese (ja)
Inventor
Katsumi Suzuki
克己 鈴木
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH01100747A publication Critical patent/JPH01100747A/en
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Abstract

PURPOSE:To stably maintain recorded information and to heighten a reproduction signal level by forming a recording layer of a specifically composed alloy. CONSTITUTION:The recording layer 2 is formed on a substrate 1. The recording layer 2 is formed of the alloy having the compsn. expressed by the general formula (Sb100-xTex)100-yMy, where x, y are respectively in 20<=x<=80, 0<y<=20 range by atom.%, and M is at least one kind of the element selected from Al, Mg, Zn, Cd, and Ga. The alloy having such compsn. range is changeable in phase between the crystalline state and the amorphous state and is stable in the amorphous state. The recording part of the information is thereby stably maintained and reproduction signals can be increased.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、記録層にレーザビーム等の光ビームを照射
することにより、記録層の光ビーム照射部分に光・学的
特性の変化を生じさせて情報を記録消去すると共に、こ
の光学的特性を検出して情報を再生するいわゆるイレー
サブル光ディスク等の情報記録媒体に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Objective of the Invention] (Industrial Application Field) This invention provides optical and optical effects on the light beam irradiated portion of the recording layer by irradiating the recording layer with a light beam such as a laser beam. The present invention relates to an information recording medium such as a so-called erasable optical disk, which records and erases information by causing a change in characteristics, and reproduces information by detecting the optical characteristics.

(従来の技術) 情報の記録再生に加えて、情報を消去することができる
イレーサブルタイプの情報記録媒体は、従来、ガラス又
はプラスチック材料(例えば、ポリメチルメタクリレー
ト等のアクリル樹脂)で形成された基板と、この基板の
上に蒸着又はスパッタリング等によって成膜された以下
に説明する材料の記録層とから構成されている。この記
録層は、Te、Se、Ge、Sb等の金属若しくは半金
属、又はこれらの合金の薄膜で形成されており、例えば
、Ge15 Teg 5の組成を有している。この場合
に、必要に応じて記録層の基板側及び(又は)外側に5
i02.AIN等の透明誘電体で形成された保護層を設
け、記録層を酸化等から保護している。
(Prior Art) Erasable type information recording media that can record and reproduce information as well as erase information have conventionally been made of glass or plastic materials (for example, acrylic resin such as polymethyl methacrylate). It consists of a substrate and a recording layer made of the material described below, which is formed on the substrate by vapor deposition, sputtering, or the like. This recording layer is formed of a thin film of a metal or semimetal such as Te, Se, Ge, Sb, or an alloy thereof, and has a composition of, for example, Ge15Teg5. In this case, if necessary, 5
i02. A protective layer made of a transparent dielectric material such as AIN is provided to protect the recording layer from oxidation and the like.

このような光記録媒体における情報の記録及び消去は、
従来、以下のように行われている。先ず、記録層に光ビ
ームを全面照射して加熱徐冷し、記録層全体を結晶が規
則正しく配列された結晶状態にする。次いで、記録層に
情報書込み用の光ビームを照射する。この書込み用の光
ビームとしては、出力が大きくパルス幅が短いパルス光
が用いられ、これにより光ビーム照射部分が加熱急冷さ
れ、そ。
Recording and erasing information on such optical recording media is
Conventionally, this is done as follows. First, the entire recording layer is heated and slowly cooled by irradiating the entire surface with a light beam to bring the entire recording layer into a crystalline state in which crystals are regularly arranged. Next, the recording layer is irradiated with a light beam for writing information. Pulsed light with high output and short pulse width is used as the light beam for writing, and the area irradiated with the light beam is thereby heated and rapidly cooled.

の部分が結晶構造が乱れたいわゆる非晶質状態となる。The part becomes a so-called amorphous state in which the crystal structure is disordered.

このような非晶質状態では、結晶状態よりも反射率が低
く、また、透過率が高いので、これにより情報が記録さ
れたことになり、このような反射率等の差を検出するこ
とにより情報を読取ることができる。情報の消去に際し
ては、記録層の情報記録部分に比較的出力が小さくパル
ス幅が長い光ビームを照射し、その部分を加熱徐冷する
ことにより非晶質状態から結晶状態に変化させる。
In such an amorphous state, the reflectance is lower and the transmittance is higher than in the crystalline state, so this means that information is recorded, and by detecting the difference in reflectance etc. Can read information. When erasing information, the information recording portion of the recording layer is irradiated with a light beam having a relatively low output and a long pulse width, and the portion is heated and slowly cooled to change from an amorphous state to a crystalline state.

即ち、従来のイレーサブルタイブの情報記録媒体は、結
晶状態及び非晶質状態の間の可逆的な相変化を利用して
情報の記録消去を行なうことができる。
That is, in the conventional erasable type information recording medium, information can be recorded and erased using a reversible phase change between a crystalline state and an amorphous state.

(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上述したような従来の情報記録媒体は、
情報の記録部分が非晶質状態であるが、非晶質状態は結
晶状態に至る準安定状態であるため、通常エネルギーを
加え葛ことにより容易に結晶状態に変化してしまい、不
安定であるという欠点がある。従って、−旦記録された
情報が損われてしまう虞がある。また、従来の情報記録
媒体においては、記録層における記録部分と非記録部分
との間の反射率の差、即ちコントラストが十分とは言え
ず、再生信号レベルが小さ過ぎる場合があり、記録部分
と非記録部分との間のコントラスト−が−層大きい情報
記録媒体が望まれている。
(Problems to be solved by the invention) However, the conventional information recording medium as described above,
The information recording part is in an amorphous state, but since the amorphous state is a metastable state that leads to a crystalline state, it usually changes easily to a crystalline state by adding energy and is unstable. There is a drawback. Therefore, there is a risk that the previously recorded information may be damaged. In addition, in conventional information recording media, the difference in reflectance between the recorded portion and the non-recorded portion of the recording layer, that is, the contrast, is not sufficient, and the reproduced signal level may be too low. There is a desire for an information recording medium that has a greater contrast with non-recorded portions.

この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって
、記録された情報を安定して保持することができ、再生
信号レベルが高い情報記録媒体を提供することを目的と
する。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide an information recording medium that can stably hold recorded information and has a high reproduction signal level.

[発明の構成] (問題点を解決するための手段) この発明に係る情報記録媒体は、基板と、光ビームの照
射により相変化を生じる記録層とを有し、この相変化に
基く光ビーム照射部分の光学的変化により情報を記録消
去し、その光学的変化を検出して情報を読取る情報記録
媒体であって、前記記録層は、−綴代 %式% の合金で形成されており、X+  yが原子%で夫々3
0≦X≦80、Q<y≦20の範囲内であり、MがAI
、Mg、Zn、Cd及びGaから選択された少なくとも
1種の元素であることを特徴とする。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) An information recording medium according to the present invention has a substrate and a recording layer that undergoes a phase change when irradiated with a light beam, and the light beam based on the phase change. An information recording medium in which information is recorded and erased by an optical change in an irradiated part and the information is read by detecting the optical change, the recording layer being formed of an alloy having a binding margin % formula %, X + y is 3 at % each
Within the range of 0≦X≦80, Q<y≦20, and M is AI
, Mg, Zn, Cd, and Ga.

(作用) 記録層を上述のような組成で形成する場合には、記録層
に光ビームを照射することにより、結晶状態と非晶質状
態との間で相変化を生じる。この場合に2つの異なる光
ビーム照射条件を設定することにより、結晶状態及び非
晶質状態のいずれの状態にもなり得るので、これらの変
化は可逆的であり、これにより情報を記録及び消去する
ことができる。この場合に、上述の組成の場合には、非
晶質状態であっても構造が極めて安定である。
(Function) When the recording layer is formed with the above-mentioned composition, a phase change occurs between a crystalline state and an amorphous state by irradiating the recording layer with a light beam. In this case, by setting two different light beam irradiation conditions, it is possible to enter either a crystalline state or an amorphous state, so these changes are reversible, thereby recording and erasing information. be able to. In this case, in the case of the above-mentioned composition, the structure is extremely stable even in an amorphous state.

従って、記録した情報を安定して保持しておくことがで
きる。また、Mで示される元素は、記録層における情報
記録部分と非記録部分との間の反射率の差を増加させる
作用があり、これにより再生信号レベルを高めることが
できる。
Therefore, recorded information can be stably held. Furthermore, the element represented by M has the effect of increasing the difference in reflectance between the information recording portion and the non-recording portion of the recording layer, thereby increasing the reproduction signal level.

(実施例) 以下、添付図面を参照してこの発明の実施例について具
体的に説明する。第1図はこの発明の一実施例に係る情
報記録媒体の概略を示す断面図である。基板1は透明で
経時変化が少ない材料、例えば、ポリメチルメタクリレ
ートのようなアクリル樹脂又はガラスで形成されている
。この基板1の上には記録層2が形成されている。この
記録層2は一般式(S b +oo−8T e x )
 too−y M 、で表される組成の合金で形成され
ており、x、yが原子%で夫々20≦X≦80.0<y
≦20の範囲内であり、MがAl、Mg、Zn、Cd及
びGaから選択された少なくとも1種の元素である。
(Embodiments) Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a sectional view schematically showing an information recording medium according to an embodiment of the present invention. The substrate 1 is made of a transparent material that does not change much over time, such as acrylic resin such as polymethyl methacrylate or glass. A recording layer 2 is formed on this substrate 1. This recording layer 2 has the general formula (S b +oo-8T ex )
It is formed of an alloy with a composition expressed as
≦20, and M is at least one element selected from Al, Mg, Zn, Cd, and Ga.

この組成範囲の合金は結晶状態と非晶質状態との間で相
変化させることができ、非晶質状態で安定である。記録
層2の主体である5b−Te合金は、その結晶状態と非
晶質状態との間の変化がTeが乃至100原子%で起り
得る。しかし、Teが80原子%を超えると、情報記録
部分(以下記録マークという)の反射率が時間と共に変
化して記録マークが不安定であり、また、Seが20原
子%未満であるとsbの偏析に起因する縞模様が発生す
る。このため、5b−Te合金の組成を上述の範囲に規
定する。また、この記録層2には上述したようにAI、
Mg、Zn、Cd及びGaの中から選択された少なくと
も1種の元素が20原子%以下の含有量で含有されてい
る。これらの元素は、記録層の記録状態と非記録状態と
の間のコントラストを増大させる作用があり、これによ
り、再生信号を増大することができる。これらの元素の
含有量が20原子%以内であれば、5b−T’e合金の
構造を損わず、結晶状態と非晶質状態との間で相変化し
得るが、20原子%を超えた場合には、5b−Te合金
の構造が損われてしまい、所望の相変化を得ることがで
きない。従って、これらの元素の含有量を20原子96
以下とする。この記録層2は、真空蒸着法又はスパッタ
リング法で形成することができる。
Alloys in this composition range can undergo phase changes between crystalline and amorphous states and are stable in the amorphous state. The 5b-Te alloy, which is the main component of the recording layer 2, can change between its crystalline state and amorphous state when the Te content ranges from 100 atomic %. However, if Te exceeds 80 atomic%, the reflectance of the information recording portion (hereinafter referred to as a recording mark) changes over time, making the recording mark unstable, and if Se is less than 20 atomic%, the sb A striped pattern occurs due to segregation. Therefore, the composition of the 5b-Te alloy is defined within the above range. Further, as mentioned above, this recording layer 2 includes AI,
At least one element selected from Mg, Zn, Cd, and Ga is contained in a content of 20 atomic % or less. These elements have the effect of increasing the contrast between the recorded state and the non-recorded state of the recording layer, thereby increasing the reproduced signal. If the content of these elements is within 20 at%, the structure of the 5b-T'e alloy is not impaired and the phase can change between the crystalline state and the amorphous state, but if the content exceeds 20 at% In this case, the structure of the 5b-Te alloy will be damaged, making it impossible to obtain the desired phase change. Therefore, the content of these elements is 20 atoms, 96
The following shall apply. This recording layer 2 can be formed by a vacuum evaporation method or a sputtering method.

記録層2の上には保護層3が形成されている。A protective layer 3 is formed on the recording layer 2.

この保護層3は、ポリメチルメタクリレート、ポリスチ
レン等の熱可遡性樹脂、又は紫外線硬化型の樹脂(いわ
ゆる2p樹脂)等で形成されており、記録層2が損傷し
ないようにする機能を有している。また、この保護層3
は、場合によっては5i02、Al2O3等の酸化物、
又は、AIN等の窒化物で形成することもできる。この
保護層3は、スピンコード法、蒸着法又はスパッタリン
グ法等によって形成することができる。この保護層3の
層厚は200人乃至数十μm程度であることが好ましい
The protective layer 3 is made of a thermoretroactive resin such as polymethyl methacrylate or polystyrene, or an ultraviolet curing resin (so-called 2p resin), and has the function of preventing the recording layer 2 from being damaged. ing. In addition, this protective layer 3
In some cases, oxides such as 5i02, Al2O3, etc.
Alternatively, it can also be formed from a nitride such as AIN. This protective layer 3 can be formed by a spin coding method, a vapor deposition method, a sputtering method, or the like. The thickness of this protective layer 3 is preferably about 200 μm to several tens of μm.

第2図はこの発明の他の実施例に係る情報記録媒体の概
略を示す断面図である。この実施例においては、記録層
2を挾むようにして配設された誘電体保護層4,5が設
けられている以外は、第1図に示すものと同一である。
FIG. 2 is a sectional view schematically showing an information recording medium according to another embodiment of the present invention. This embodiment is the same as that shown in FIG. 1 except that dielectric protective layers 4 and 5 are provided to sandwich the recording layer 2.

即ち、基板1の上に誘電体層4、記録層2、誘電体層5
及び保護層3がこの順番で積層されて構成されている。
That is, a dielectric layer 4, a recording layer 2, and a dielectric layer 5 are disposed on a substrate 1.
and the protective layer 3 are laminated in this order.

この誘電体層4.5は、レーザビームの照射により記録
層2が飛散したり、穴がおいてしまうことを防止する機
能、及び、例えばアクリル基板を使用した場合に、記録
層2が水分の影響を受けることを防止する機能を有して
いる。この誘電体層4,5はSiO□又はAIN等で形
成されており、記録層2と同様に、スパッタリング等で
形成することができる。誘電体層4,5は約10人乃至
数十μmであることが好ましい。
This dielectric layer 4.5 has the function of preventing the recording layer 2 from scattering or forming holes due to laser beam irradiation, and also has the function of preventing the recording layer 2 from being exposed to moisture when an acrylic substrate is used, for example. It has a function to prevent it from being affected. The dielectric layers 4 and 5 are made of SiO□ or AIN, and like the recording layer 2, they can be formed by sputtering or the like. The dielectric layers 4 and 5 preferably have a thickness of about 10 to several tens of μm.

次に、このような情報記録媒体の初期化、記録(書込み
)、再生(読取り)及び消去について説明する。この実
施例の情報記録媒体は基板l側からレーザビーム等の光
ビームが照射されて、情報が記録、再生及び消去される
Next, initialization, recording (writing), reproduction (reading), and erasing of such an information recording medium will be explained. The information recording medium of this embodiment is irradiated with a light beam such as a laser beam from the substrate l side to record, reproduce, and erase information.

初期化 成膜直後の記録層2は通常非晶質状態であるので、記録
層2を結晶状態にする。この場合に、例えば、記録層2
に順次光ビームを照射して記録層2全体を加熱徐冷し、
結晶状態に変化させる。
Since the recording layer 2 immediately after initialization film formation is normally in an amorphous state, the recording layer 2 is brought into a crystalline state. In this case, for example, the recording layer 2
The entire recording layer 2 is heated and slowly cooled by sequentially irradiating the recording layer 2 with a light beam,
Change to crystalline state.

記録 記録層2に出力が大きく幅が短いパルス状の光ビームを
照射し、この照射領域を加熱して溶融させた後急冷する
ことにより非晶質の記録マークを形成する。
An amorphous recording mark is formed by irradiating the recording layer 2 with a pulsed light beam of high output and short width, heating and melting the irradiated area, and then rapidly cooling it.

再生 記録マークを形成した記録層2に出力が小さい光ビーム
を照射し、その反射光の強度を検出することにより情報
を読取る。即ち、非晶質状態の記録マークと結晶状態の
その他の部分とで、反射光の強度が異なるので、この反
射光強度の差を検出することにより情報を読取ることが
できる。
Information is read by irradiating a light beam with a low output onto the recording layer 2 on which reproduction/recording marks have been formed and detecting the intensity of the reflected light. That is, since the intensity of the reflected light differs between the recording mark in the amorphous state and the other portion in the crystalline state, information can be read by detecting the difference in the intensity of the reflected light.

消去 記録層2の記録マーク部分に、記録時の光ビームよりも
小さな出力で幅が長いパルス状の光ビームを照射する。
The recording mark portion of the erasing recording layer 2 is irradiated with a pulsed light beam having a smaller output and a longer width than the light beam used during recording.

これにより、記録マークが加熱徐冷されて結晶状態に変
化し、情報が消去される。
As a result, the recording mark is heated and slowly cooled to change into a crystalline state, and the information is erased.

次に、この実施例の情報記録媒体を実際に作成して試験
した試験例について具体的に説明する。
Next, a test example in which the information recording medium of this example was actually produced and tested will be specifically explained.

試験例1 外径130■及び厚さ1.2nvのポリメチルメタクリ
レート製基板を準備し、これを十分に洗浄した後、スパ
ッタリング装置に設置した。このスパッタリング装置内
にsbツタ−ット、Seターゲット及びMで示される元
素のターゲットを準備し、これらの同時スパッタリング
により基板の上に記録層を形成した。このスパッタリン
グの際に、基板を回転させることによりこれらの元素が
均一になるように、また、スパッタリング速度が一定に
なるようにした。この場合に、ターゲットの組成を変化
させ、記録層の組成を種々変化させた複数のサンプルを
作成した。この際の記録層の厚さは全て1000人とし
た。これらサンプルでは、記録層の上に紫外線硬化樹脂
をスピンコードし、これに紫外線を照射して硬化させ、
保護層を形成した。このようにして、作成した情報記録
媒体サンプルをスピンドル上に載置し、これらサンプル
を静止した状態で、波長830nmの半導体レーザを、
光学ヘッドのコリメータレンズ及び対物レンズ光学ヘッ
ドによりビーム形を約1μ辺に絞って各サンプルの記録
層に照射した。その結果、いずれのサンプルの記録層も
非晶質状態であったのが、半導体レーザビームを照射し
た部分が全て結晶状態に変化した。
Test Example 1 A polymethyl methacrylate substrate having an outer diameter of 130 cm and a thickness of 1.2 nv was prepared, thoroughly cleaned, and then placed in a sputtering device. An sb target, a Se target, and a target of an element represented by M were prepared in this sputtering apparatus, and a recording layer was formed on the substrate by simultaneous sputtering of these. During this sputtering, the substrate was rotated so that these elements were uniform and the sputtering rate was constant. In this case, a plurality of samples were created in which the composition of the target was varied and the composition of the recording layer was varied. The thickness of the recording layer at this time was 1000 layers. In these samples, an ultraviolet curable resin was spin-coded on the recording layer and cured by irradiating it with ultraviolet light.
A protective layer was formed. The information recording medium samples prepared in this way were placed on the spindle, and while the samples were kept stationary, a semiconductor laser with a wavelength of 830 nm was applied.
The recording layer of each sample was irradiated with a beam shape focused to about 1 μm side using the collimator lens of the optical head and the objective lens optical head. As a result, the recording layers of all samples were in an amorphous state, but all the parts irradiated with the semiconductor laser beam changed to a crystalline state.

次に、これら情報記録媒体サンプルの情報の書換え可能
性、即ち、記録−消去−再記録の可能性を評価するため
に、出力及びパルス幅が異なる2種類のパルス状のレー
ザビームを交互にサンプルの記録層に照射し、その異な
る条件のレーザビーム照射の間に0.1乃至0.2mW
の小さい出力のレーザビームを照射し反射光の変化を測
定した。
Next, in order to evaluate the possibility of rewriting information on these information recording medium samples, that is, the possibility of recording, erasing, and rewriting, we alternately sampled two types of pulsed laser beams with different outputs and pulse widths. 0.1 to 0.2 mW during laser beam irradiation under different conditions.
We irradiated it with a laser beam with a small output and measured the change in reflected light.

先ず、各サンプルの初期状態の記録層に、出力が10m
W、パルス幅が100nsecの記録用のレーザビーム
パルスを照射した。その結果、レーザビーム照射部分が
加熱急冷され、その部分の構造が変化し、反射率が低い
状態となった。この部分に、出力が3 m W sパル
ス幅が1μmの消去用のレーザビームパルスを照射した
結果、その照射部分の構造が変化し、反射率が高い状態
となった。この反射率は、大出力短パルス幅のレーザビ
ーム照射後に低下し、また、小出力長パルス幅のレーザ
ビーム照射後に増大し、この反射率変化は可逆的であっ
た。この可逆的変化は、記録層の主体となる5bTe合
金において、Teが  乃至100原子%の範囲内のサ
ンプルの場合に生じたが、Teが80原子%を超えたサ
ンプルでは記録マークの反射率が時間と共に変化した。
First, an output of 10 m was applied to the recording layer in the initial state of each sample.
W and a recording laser beam pulse having a pulse width of 100 nsec was irradiated. As a result, the portion irradiated with the laser beam was heated and rapidly cooled, the structure of that portion changed, and the reflectance became low. As a result of irradiating this portion with an erasing laser beam pulse having an output of 3 m W s and a pulse width of 1 μm, the structure of the irradiated portion changed and the reflectance became high. This reflectance decreased after irradiation with a laser beam with a high output and short pulse width, and increased after irradiation with a laser beam with a small output and long pulse width, and this change in reflectance was reversible. This reversible change occurred in samples with Te in the range of 1 to 100 atomic % in the 5bTe alloy that is the main component of the recording layer, but in samples with Te exceeding 80 atomic %, the reflectance of the recording mark decreased. It changed over time.

また、Teが20原子%未満のサンプルでは記録層にs
bの偏析が原因の縞模様が生じ、情報の記録上不都合で
あった。
In addition, in samples containing less than 20 at% of Te, s
A striped pattern was caused by the segregation of b, which was inconvenient for recording information.

反射率が低い記録部分と反射率が高い非記録部分との構
造の差を比較するために、これらの部分を透過型電子顕
微鏡を用いて回折パターンを観察した。情報記録媒体サ
ンプルから保護層を剥離して記録層の回折パターンをと
ったところ、レーザビームが照射されていない初期状態
では非晶質に特有のハローパターンが確認された。一方
、記録マークについては、初期状態に近い非晶質特有の
ハローパターンがrs認された。また、消去部分では、
結晶により回折されたリングとスポットとが得られ、結
晶状態であることが確認された。
In order to compare the structural differences between the recorded portion with low reflectance and the non-recorded portion with high reflectance, the diffraction patterns of these portions were observed using a transmission electron microscope. When the protective layer was peeled off from the information recording medium sample and the diffraction pattern of the recording layer was taken, a halo pattern characteristic of amorphous materials was confirmed in the initial state without laser beam irradiation. On the other hand, regarding the recorded marks, a halo pattern peculiar to an amorphous state close to the initial state was observed. Also, in the erased part,
A ring and a spot diffracted by the crystal were obtained, and it was confirmed that the crystal was in a crystalline state.

試験例2 この試験例では、記録層の記録部分と非記録部分との間
のコントラストについて評価した。記録層をSb40 
Te60にA1を夫々5,10゜20原子%含有させた
合金で記録層を形成したサンプルを作成した。これらの
サンプルは試験例1と同様の層構成とし、試験例1と同
様に作成した。
Test Example 2 In this test example, the contrast between the recorded portion and the non-recorded portion of the recording layer was evaluated. The recording layer is Sb40
A sample was prepared in which a recording layer was formed of an alloy containing Te60 and A1 at 5, 10 and 20 atomic percent, respectively. These samples had the same layer structure as Test Example 1 and were produced in the same manner as Test Example 1.

これらサンプルについて、低反射率である記録マーク部
と、高反射率である非記録部分との間の反射率のコント
ラストについて評価した。その結果第3図に示すデータ
が得られた。
These samples were evaluated for contrast in reflectance between recorded mark portions with low reflectance and non-recorded portions with high reflectance. As a result, the data shown in FIG. 3 was obtained.

第3図は、横軸にAI含有量をとり、縦軸にコントラス
ト比をとって、これらの間の関係を示すグラフ図である
。ここで、コントラスと比とは、高反射率状態の反射率
と低反射率状態の反射率との差を低反射率状態の反射率
で割った値である。
FIG. 3 is a graph showing the relationship between the AI content on the horizontal axis and the contrast ratio on the vertical axis. Here, the contrast and ratio are values obtained by dividing the difference between the reflectance in the high reflectance state and the reflectance in the low reflectance state by the reflectance in the low reflectance state.

この図に示すように、A1含有量の増加に従ってコント
ラスト比が増加し、AIが10原子%で最大の値を示し
た。即ち、A1を含有させることにより再生信号を増大
させる効果があることを確認することができた。
As shown in this figure, the contrast ratio increased as the A1 content increased, and showed the maximum value at 10 at% AI. That is, it was confirmed that the inclusion of A1 had the effect of increasing the reproduced signal.

更に、AIに代えて、Mg、Zn、Cd及びGaを夫々
含有させたサンプルを作成して同様な試験を行なった結
果、A1を含有させた場合と同様な結果を得ることがで
きた。
Furthermore, similar tests were conducted on samples containing Mg, Zn, Cd, and Ga, respectively, in place of AI, and results similar to those obtained when A1 was included were obtained.

[発明の効果] この発明によれば、情報の記録部分を安定に保持するこ
とができ、信号劣化を極めて少なくすることができる。
[Effects of the Invention] According to the present invention, the information recording portion can be stably held, and signal deterioration can be extremely reduced.

従って、情報記録媒体の信頼性を著しく向上させること
ができる。また、記録部分と非記録部分との間の反射率
の差が大きいので、再生信号を大きくすることができる
Therefore, the reliability of the information recording medium can be significantly improved. Furthermore, since the difference in reflectance between the recorded portion and the non-recorded portion is large, the reproduced signal can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図及び第2図はこの発明の実施例に係る情報記録媒
体の概略を示す断面図、第3図は記録層のAIの含有量
とコントラスト比との間の関係を示すグラフ図である。 1;基板、2;記録層、3;保護層、4,5;誘電体層
。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
FIGS. 1 and 2 are cross-sectional views schematically showing an information recording medium according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a graph showing the relationship between the AI content of the recording layer and the contrast ratio. . 1: Substrate, 2: Recording layer, 3: Protective layer, 4, 5: Dielectric layer. Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue

Claims (1)

【特許請求の範囲】 基板と、光ビームの照射により相変化を生じる記録層と
を有し、この相変化に基く光ビーム照射部分の光学的変
化により情報を記録消去し、その光学的変化を検出して
情報を読取る情報記録媒体において、前記記録層は、一
般式 (Sb_1_0_0_−_xTe_x)_1_0_0_
−_yM_yで表される組成の合金で形成されており、
x、yが原子%で夫々20≦x≦80、0<y≦20の
範囲内であり、MがAl、Mg、Zn、Cd及びGaか
ら選択された少なくとも1種の元素であることを特徴と
する情報記録媒体。
[Claims] A recording layer that includes a substrate and a recording layer that undergoes a phase change when irradiated with a light beam, records and erases information by an optical change in the part irradiated with the light beam based on this phase change, and the optical change is In the information recording medium for detecting and reading information, the recording layer has the general formula (Sb_1_0_0_-_xTe_x)_1_0_0_
It is formed of an alloy with a composition represented by −_yM_y,
x and y are in the range of 20≦x≦80 and 0<y≦20 in atomic %, respectively, and M is at least one element selected from Al, Mg, Zn, Cd and Ga. Information recording medium.
JP62256244A 1987-10-13 1987-10-13 Information recording medium Pending JPH01100747A (en)

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