JP7799397B2 - アライメント装置、成膜方法、物品の製造方法、および成膜装置 - Google Patents

Description

本発明は、アライメント装置、成膜方法、物品の製造方法、および成膜装置に関する。

有機ＥＬ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルは、スマートフォン、テレビ、自動車用ディスプレイ、ＶＲ－ＨＭＤ（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ Ｈｅａｄ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｄｉｓｐｌａｙ）などで使用されうる。

有機ＥＬパネルは、複数の表示素子（画素）として、複数の有機発光素子（有機ＥＬ素子；ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ））を有する。有機発光素子の形成においては、成膜装置の成膜源から放出された成膜材料を、画素パターンが形成されたマスクを介して、基板に成膜することで、有機物層や金属層を形成する。ＶＲ－ＨＭＤに用いられる有機ＥＬパネルの製造においては、ユーザの目まい（いわゆるＶＲ酔い）を防止するために、画素パターンを高精度で形成する必要がある。

従来の成膜装置では、静電チャックなどに基板を吸着させ、静電チャックの上側から永久磁石を近接させるなどして、基板の下側にあるマスクを引き上げて基板に接触させている。特許文献１に記載の成膜装置では、複数の永久磁石を個別に制御するなどして、マスクを引き上げて基板に接触させている。

特開２０１９－１１６６７９号公報

しかしながら、従来の成膜装置では、永久磁石の姿勢や速度の変化によって、基板に対するマスクの近づき方が変わるため、基板とマスクを再現性よく接触させることができない（基板とマスクの間の位置ずれが発生してしまう）ことがあった。また、基板にマスクを密着させた際に、マスクの皺が発生してしまうことがあった。

本発明は、基板とマスクを再現性よく接触させることができる技術を提供することを目的としている。

本発明の一観点によれば、基板を保持するための基板保持部と、前記基板保持部で保持された前記基板に対向するようにマスクを保持するためのマスク保持部と、前記マスク保持部で保持された前記マスクを前記基板保持部で保持された前記基板に向かって凸状に湾曲させるための磁力を発生させる磁力発生部と、前記基板保持部と前記磁力発生部を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記マスクが第１の曲率よりも大きい第２の曲率で湾曲した後に前記第１の曲率で湾曲するように、前記磁力発生部を制御し、前記マスクが前記第１の曲率で湾曲した状態を維持して、前記基板が前記マスクに近づいて接触するように前記基板保持部を制御することを特徴とするアライメント装置が提供される。

本発明の一観点によれば、基板を保持するための基板保持部と、前記基板保持部で保持された前記基板に対向するようにマスクを保持するためのマスク保持部と、前記マスク保持部で保持された前記マスクを前記基板保持部で保持された前記基板に向かって凸状に湾曲させるための磁力を発生させる磁力発生部と、前記基板保持部と前記磁力発生部を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記マスクに第１の磁力よりも大きい第２の磁力を印可した後に前記第１の磁力を前記マスクに印可するように、前記磁力発生部を制御し、前記マスクに前記第１の磁力が印加された状態を維持して、前記基板が前記マスクに近づいて接触するように前記基板保持部を制御することを特徴とするアライメント装置が提供される。

本発明の一観点によれば、基板保持部で基板を保持する工程と、前記基板保持部で保持された前記基板に対向するようにマスク保持部でマスクを保持する工程と、磁力発生部が発生させた磁力で、前記マスク保持部で保持された前記マスクが前記基板保持部で保持された前記基板に向かって第２の曲率で凸状に湾曲した後に、前記第２の曲率より小さい第１の曲率で凸状に湾曲するように、前記磁力発生部を制御する工程と、前記マスクが前記第１の曲率で湾曲した状態を維持して、前記基板が前記マスクに近づくように前記基板保持部を制御する工程と、前記基板を前記マスクに近づけた後に、前記基板と前記マスクのアライメントを行う工程と、前記アライメントの後に、前記マスクが前記基板に密着するように前記基板保持部と前記磁力発生部の少なくとも一方を制御する工程と、前記マスクが前記基板に密着した状態で、前記基板に前記マスクを介して成膜材料を成膜する工程とを有することを特徴とする成膜方法が提供される。

本発明の一観点によれば、基板保持部で基板を保持する工程と、前記基板保持部で保持された前記基板に対向するようにマスク保持部でマスクを保持する工程と、磁力発生部が発生させた第２の磁力が前記マスクに印加され、前記マスク保持部で保持された前記マスクが前記基板保持部で保持された前記基板に向かって凸状に湾曲するように、磁力を発生させた後に、前記第２の磁力より小さい第１の磁力を発生させるように磁力発生部を制御する工程と、前記マスクに前記第１の磁力が印加された状態を維持して、前記基板が前記マスクに近づくように前記基板保持部を制御する工程と、前記基板を前記マスクに近づけた後に、前記基板と前記マスクのアライメントを行う工程と、前記アライメントの後に、前記マスクが前記基板に密着するように前記基板保持部と前記磁力発生部の少なくとも一方を制御する工程と、前記マスクが前記基板に密着した状態で、前記基板に前記マスクを介して成膜材料を成膜する工程とを有することを特徴とする成膜方法が提供される。

本発明の一観点によれば、基板に成膜材料の膜が形成された物品の製造方法であって、基板保持部で基板を保持する工程と、前記基板保持部で保持された前記基板に対向するようにマスク保持部でマスクを保持する工程と、磁力発生部が発生させた磁力で、前記マスク保持部で保持された前記マスクが前記基板保持部で保持された前記基板に向かって第２の曲率で凸状に湾曲した後に、前記第２の曲率より小さい第１の曲率で凸状に湾曲するように、前記磁力発生部を制御する工程と、前記マスクが前記第１の曲率で湾曲した状態で維持して、前記基板が前記マスクに近づくように前記基板保持部を制御する工程と、前記基板を前記マスクに近づけた後に、前記基板と前記マスクのアライメントを行う工程と、前記アライメントの後に、前記マスクが前記基板に密着するように前記基板保持部と前記磁力発生部の少なくとも一方を制御する工程と、前記マスクが前記基板に密着した状態で、前記基板に前記マスクを介して成膜材料を成膜する工程とを有することを特徴とする製造方法が提供される。

本発明の一観点によれば、基板に成膜材料の膜が形成された物品の製造方法であって、基板保持部で基板を保持する工程と、前記基板保持部で保持された前記基板に対向するようにマスク保持部でマスクを保持する工程と、磁力発生部が発生させた第２の磁力が前記マスクに印加され、前記マスク保持部で保持された前記マスクが前記基板保持部で保持された前記基板に向かって凸状に湾曲するように、磁力を発生させた後に、前記第２の磁力より小さい第１の磁力を発生させるように磁力発生部を制御する工程と、前記マスクに前
記第１の磁力が印加された状態を維持して、前記基板が前記マスクに近づくように前記基板保持部を制御する工程と、前記基板を前記マスクに近づけた後に、前記基板と前記マスクのアライメントを行う工程と、前記アライメントの後に、前記マスクが前記基板に密着するように前記基板保持部と前記磁力発生部の少なくとも一方を制御する工程と、前記マスクが前記基板に密着した状態で、前記基板に前記マスクを介して成膜材料を成膜する工程とを有することを特徴とする製造方法が提供される。
本発明の一観点によれば、基板にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜装置であって、前記基板を保持するための基板保持部と、前記基板保持部で保持された前記基板に対向するように前記マスクを保持するためのマスク保持部と、前記マスク保持部で保持された前記マスクを前記基板保持部で保持された前記基板に向かって凸状に湾曲させるための磁力を発生させる磁力発生部と、前記基板保持部と前記磁力発生部を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記マスクが第１の曲率よりも大きい第２の曲率で湾曲した後に前記第１の曲率で湾曲するように、前記磁力発生部を制御し、前記マスクが前記第１の曲率で湾曲した状態を維持して、前記基板が前記マスクに近づいて接触するように前記基板保持部を制御することを特徴とする成膜装置が提供される。
本発明の一観点によれば、基板にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜装置であって、前記基板を保持するための基板保持部と、前記基板保持部で保持された前記基板に対向するように前記マスクを保持するためのマスク保持部と、前記マスク保持部で保持された前記マスクを前記基板保持部で保持された前記基板に向かって凸状に湾曲させるための磁力を発生させる磁力発生部と、前記基板保持部と前記磁力発生部を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記マスクに第１の磁力よりも大きい第２の磁力を印可した後に前記第１の磁力を前記マスクに印可するように、前記磁力発生部を制御し、前記マスクに前記第１の磁力が印加された状態を維持して、前記基板が前記マスクに近づいて接触するように前記基板保持部を制御することを特徴とする成膜装置が提供される。

本発明によれば、基板とマスクを再現性よく接触させることができる。

本発明の第１実施形態に係る成膜装置の構成を示す概略図である。 本発明の第１実施形態に係る可動子の移動原理を示す概略図である。 本発明の第１実施形態に係る成膜システムの構成を示す概略図である。 本発明の第１実施形態に係る成膜装置の動作を示す概略図である。 本発明の第１実施形態に係るマスクの状態の遷移を示す模式図である。 本発明の第２実施形態に係る成膜装置の動作を示す概略図である。 本発明の第２実施形態に係るマスクの状態の遷移を示す模式図である。 本発明の第３実施形態に係るマスクの状態の遷移を示す模式図である。 本発明の第４実施形態に係るマスクの状態の遷移を示す模式図である。 本発明の第５実施形態に係る成膜装置の構成を示す概略図である。

［第１実施形態］
以下、図面を参照して本発明の第１実施形態について説明する。複数存在しうる構成要素について、特に区別する必要がない場合には共通の数字のみの符号を用い、必要に応じて数字の符号の後に小文字のアルファベットを付して個々を区別する。

ここで、以下の説明において用いる座標軸、方向等を定義する。まず、後述する可動子１０１の搬送方向である水平方向に沿ってＸ軸をとり、可動子１０１の搬送方向をＸ方向とする。また、Ｘ方向と直交する方向である鉛直方向に沿ってＺ軸をとり、鉛直方向をＺ方向とする。鉛直方向は、重力の方向（ｍｇ方向）である。また、Ｘ方向及びＺ方向に直交する方向に沿ってＹ軸をとり、Ｘ方向及びＺ方向に直交する方向をＹ方向とする。さらに、Ｘ軸周りの回転方向をＷｘ方向、Ｙ軸周りの回転方向をＷｙ方向、Ｚ軸周りの回転方向をＷｚ方向とする。

なお、可動子１０１の搬送方向は必ずしも水平方向である必要はないが、可動子１０１の搬送方向が水平方向でない場合も搬送方向をＸ方向として同様にＹ方向及びＺ方向を定めることができる。なお、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、必ずしも互いに直交する方向に限定されるものではなく、互いに交差する方向として定義することもできる。

（成膜装置の構成の説明）
図１Ａは、第１実施形態に係る成膜装置１の縦断面図である。図１Ａは、成膜装置１をＸ方向から見た模式的断面図とも言える。成膜装置１は、真空容器１１１を有する。真空容器１１１の中には、可動子１０１、蒸着源１１３（成膜源）、アクチュエータ１１４、架台１１２の一部などが設けられている。架台１１２はマスクＭ（マスク箔）が載置可能である。蒸着源１１３は、架台１１２に設けられたアクチュエータ１１４により移動可能である。蒸着源１１３はＺ方向のみならず、Ｙ方向およびＸ方向にも移動可能である。なお、成膜装置１を示す別の図では、真空容器１１１、架台１１２、蒸着源１１３などは適宜省略する。図１Ｂは、可動子１０１の上面図であり、図１Ｃは、マスク枠１０７（およびマスクＭ）の上面図である。

可動子１０１には、磁性体１０２と静電チャック１０９が取り付けられている。磁性体１０２と固定子１０３の間の電磁力を制御することで、可動子１０１と固定子１０３の間に働く力（Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、Ｗｘ方向、Ｗｙ方向、およびＷｚ方向の力）を制御することができる。静電チャック１０９は、基板Ｗを保持するための基板保持部であり、静電チャック１０９の吸着面（図１Ａでは下面（Ｚ方向の反対方向側の面））に基板Ｗを吸着することで基板Ｗを保持することができる。基板Ｗは、例えばガラス基板などである。

永久磁石１０４は、静電チャック１０９に対して、基板Ｗとは反対の側（図１Ａでは上側（Ｚ方向側））に設けられている。昇降部１０５は、永久磁石１０４と静電チャック１０９のＺ方向の間隔（距離）が変化するように、永久磁石１０４を上下方向に移動させる、換言すれば永久磁石１０４の垂直位置（高さ；Ｚ方向の位置）を制御することができる。

マスク枠１０７は、静電チャック１０９および基板Ｗに対して、永久磁石１０４とは反対の側（図１Ａでは下側（Ｚ方向の反対方向側））に設けられている。マスク枠１０７は、静電チャック１０９で保持された基板Ｗに対向するようにマスクＭを保持するためのマスク保持部である。例えば、点溶接などによりマスクＭの端部がマスク枠１０７に固定される。図１Ｃでは、複数のマスクＭがマスク枠１０７に固定されている。マスクＭには、アライメントマーク１１５が予め形成されている。なお、図示はされていないが、基板Ｗにも、アライメントマークが予め形成されている。また、マスク枠１０７には、マスクＭに対応するマスクＩＤ１１６（マスクＭに固有の番号）も取り付けられている。マスクＩＤ１１６は、不図示のマスクＩＤリーダーで読み取ることができる。なお、マスクＩＤ１１６はマスクＭに取り付けられていてもよい。マスクＩＤ１１６の代わりにバーコードなどが使用されてもよい。マスクＭは、例えばファインメタルマスクと呼ばれる金属製マスクなどである。

アライメントスコープ１０６は、静電チャック１０９に形成された空間（開口）を通して、基板Ｗに形成されたアライメントマークと、マスクＭに形成されたアライメントマークとを、同時に撮像することができる。そして、アライメントスコープ１０６は、撮像画像におけるそれらアライメントマークの位置に基づいて、基板ＷとマスクＭの間の水平方向（Ｘ方向およびＹ方向）の位置ずれ量（アライメント誤差）を検出することができる。例えば、基板ＷのアライメントマークとマスクＭのアライメントマークとの間の位置ずれ量を、アライメント誤差として検出することができる。

ギャップセンサ１１０は、基板ＷとマスクＭの垂直方向（Ｚ方向）の間隔を検出することができる。ギャップセンサ１１０としては、例えば、光学式のセンサなどを使用することができる。マスクＭが金属製であることを考慮して、ギャップセンサ１１０として渦電流センサなどを使用することもできる。

（可動子の移動原理の説明）
可動子１０１に働く力は、例えば、特開２０２０－２８２１２号公報に開示された方法を用いて制御することができる。特開２０２０－２８２１２号公報には、一列に並べた永久磁石群に対向するコイルの電流を制御することで４方向の力を制御することが開示されている。

図２を用いて簡単に説明する。図２は、可動子１０１の移動原理の一例を示す上面図である。図２に示すように、第１実施形態では、磁性体１０２Ａは永久磁石群２０１，２０２から構成される。永久磁石群２０１では、Ｘ方向において、永久磁石の着磁面が交互に反転するように繰り返されており、永久磁石群２０２では、Ｙ方向において、永久磁石の
着磁面が交互に反転するように繰り返されている。

図２の構成によれば、永久磁石群２０１に対向する固定子１０３の電流を制御することで、Ｘ方向、Ｚ方向、およびＷｙ方向の力を制御することができる。また、永久磁石群２０２に対向する固定子１０３の電流を制御することで、Ｙ方向の力を制御することができる。したがって、磁性体１０２Ａに働く力として、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、およびＷｙ方向の力を制御することができる。同様に、磁性体１０２Ｂに働く力として、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、およびＷｙ方向の力を制御することができる。磁性体１０２Ａに働く４方向の力と、磁性体１０２Ｂに働く４方向の力とを組み合わせることで、可動子１０１に働く力として、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、Ｗｘ方向、Ｗｙ方向、およびＷｚ方向の力を個別に制御することができる。その結果、可動子１０１を固定子１０３に対して磁気的に浮上させた状態で、所望の方向に移動させることができる。

（成膜装置の制御に関する構成の説明）
図３は、成膜装置１の制御に関する構成の一例を示すブロック図である。図３において、成膜コントローラ３００、制御部３０１、可動子制御部３０３、通信部３０４などは、成膜装置１の一部であってもよいし、そうでなくてもよい。つまり、図３は、成膜装置１のブロック図として捉えてもよいし、成膜装置１を含む成膜システム（制御システム）のブロック図として捉えてもよい。

内部制御部３０５は、可動子１０１に設けられた制御部である。内部制御部３０５には昇降部１０５、アライメントスコープ１０６、およびギャップセンサ１１０が相互に通信可能に接続されており、内部制御部３０５は、接続されたそれらを制御することができる。

制御部３０１には、成膜コントローラ３００、可動子制御部３０３、および通信部３０４が相互に通信可能に接続されており、成膜コントローラ３００からの指示に応じて可動子制御部３０３と通信部３０４を制御する。通信部３０４は、内部制御部３０５と通信可能であるため、制御部３０１は、通信部３０４を制御することで内部制御部３０５を制御することができる。

制御の一例を説明する。

可動子制御部３０３は、制御部３０１から通知された可動子１０１の目標位置と、位置／姿勢センサ群３０６から出力された位置／姿勢情報とに基づいて、可動子１０１を目標位置に移動させるための固定子１０３（コイル）の電流値を計算する。そして、可動子制御部３０３は、計算した電流値を電流制御部３０７に通知する。位置／姿勢センサ群３０６は、可動子１０１の位置や姿勢を検出するセンサ群である。電流制御部３０７は、通知された電流値に基づいて、固定子１０３の電流量を制御する。固定子１０３に電流を供給することにより、可動子１０１に設けられた磁性体１０２に働く電磁力が発生し、可動子１０１の位置が目標位置に制御される。

通信部３０４は、可動子１０１に設けられた内部制御部３０５と通信し、基板ＷとマスクＭの間のアライメント誤差（アライメントスコープ１０６の検出値）や、基板ＷとマスクＭの間隔（ギャップセンサ１１０の検出値）などの情報を取得する。そして、通信部３０４は、内部制御部３０５から取得した情報を制御部３０１に出力する。制御部３０１は、通信部３０４から出力された情報に基づいて、可動子１０１の新たな目標位置を決定し、可動子制御部３０３に通知する。

以上の制御を行う（繰り返す）ことで、基板ＷとマスクＭの間のアライメント誤差を十
分に小さくすることができる。基板ＷとマスクＭの垂直方向の間隔を目標の間隔に制御することもできる。水平方向および垂直方向の一方における基板ＷとマスクＭの位置関係を保ちながら、水平方向および垂直方向の他方における基板ＷとマスクＭの位置関係を変更することもできる。例えば、基板ＷをマスクＭに対して垂直に接触させることができる。

（成膜装置の動作の説明）
図４Ａ～４Ｅは、成膜を行う際の成膜装置１の動作の説明するための断面図である。図４Ａ～４Ｅの状態遷移は、例えば、ユーザ操作に応じて又は自動で制御部３０１が制御を行うことにより実現される。成膜は、成膜室内において、基板ＷとマスクＭのアライメントを行った後、蒸着源１１３（図１Ａ）を移動させて行われる。

図４Ａは、静電チャック１０９に基板Ｗを取り付け、マスク枠１０７にマスクＭを取り付けた直後の状態を示す。図４Ａでは、永久磁石１０４がマスクＭから十分に離れているため、マスクＭに働く重力に対して、永久磁石１０４がマスクＭに印加する磁力（吸引力）が小さい。そのため、マスクＭは、基板Ｗから遠ざかるように凹状に撓んだ状態で安定している。

まず、永久磁石１０４を下降させ（永久磁石１０４を特定の位置までマスクＭに近づけ）、成膜装置１の状態を図４Ａの状態から図４Ｂの状態に遷移させる。永久磁石１０４が下降し、或る位置を越えると、永久磁石１０４からマスクＭに印加される磁力（マスクＭを引き上げる力）はマスクＭに働く重力を上回る。永久磁石１０４からマスクＭに重力よりも大きい特定の磁力が印加された結果、マスクＭの状態は、基板Ｗから遠ざかるように凹状に撓んだ状態（図４Ａ）から、基板Ｗに近づくように凸状に湾曲した状態（図４Ｂ）に遷移する。このように、永久磁石１０４は、マスク枠１０７で保持されたマスクＭを静電チャック１０９で保持された基板Ｗに向かって凸状に湾曲させるための磁力を発生させる磁力発生部として使用される。一般的に、マスクＭの中央部分が基板Ｗに最も近づく。

図４Ｂには、マスクＭに働く力Ｆｒ，Ｆｍが矢印で示されている。矢印の長さは力の大きさを示す。力Ｆｍは、永久磁石１０４からマスクＭに印加される磁力（永久磁石１０４がマスクＭを引き上げる力）であり、力Ｆｒは、マスクＭに働く重力と、マスクＭの変形によりマスクＭに働く応力との合力である。マスクＭの状態は、磁力Ｆｍと合力Ｆｒが等しい（釣り合った）状態で安定する。この安定した状態は、永久磁石１０４の最終的な位置のみに依存し、永久磁石１０４の移動中の姿勢や移動速度には依存しないので、高い再現性で実現することができる。

次に、永久磁石１０４の位置を変えずに、可動子１０１（静電チャック１０９；基板Ｗ）を下降させ、成膜装置１の状態を図４Ｂの状態から図４Ｃの状態に遷移させる。可動子１０１（静電チャック１０９；基板Ｗ）を下降させることにより、基板ＷがマスクＭに近づき、基板ＷとマスクＭの間隔が短くなる。図４Ｃの状態で、基板ＷとマスクＭのアライメントが行われる。基板ＷとマスクＭの間隔が短ければ、マスクＭのアライメントマークと基板Ｗのアライメントマークとの両方を、アライメントスコープ１０６で良好に撮像することができる。そのため、図４Ｃの状態では、アライメント誤差を高精度で検出することができ、アライメントを高精度で行うことができる。アライメントは、ユーザ操作に応じて又は自動で制御部３０１が制御を行うことにより実現される。

次に、永久磁石１０４の位置を変えずに、可動子１０１（静電チャック１０９；基板Ｗ）をさらに下降させ、図４Ｃの状態から図４Ｄの状態に遷移させる。可動子１０１（静電チャック１０９；基板Ｗ）を下降させることにより、基板ＷがマスクＭに近づき、基板ＷがマスクＭに接触する。このように、第１実施形態では、高精度でアライメントが行われた後に、マスクＭの状態を図４Ｂの状態（第１の曲率で凸状に湾曲した状態）に維持して
、基板ＷをマスクＭに近づけて接触させる。こうすることで、基板Ｗに最初に接触するマスクＭの位置の変化や、マスクＭが最初に接触する基板の位置の変化、つまり基板ＷマスクＭの間の位置ずれを抑制することができるため、基板ＷとマスクＭを再現性よく接触させることができる。

次に、永久磁石１０４を下降させ、成膜装置１の状態を図４Ｄの状態から図４Ｅの状態に遷移させる。永久磁石１０４を下降させることで、永久磁石１０４からマスクＭに印加される磁力が増し、マスクＭが図４Ｄの状態よりも大きな力で基板Ｗに押し付けられるようになる。その結果、マスクＭが基板Ｗに密着する。

第１実施形態では、基板ＷをマスクＭに接触させた後、永久磁石１０４を下降させる前に、基板Ｗをさらに下降させて、図４Ｄの状態を実現する。こうすることで、マスクＭの大部分を、位置ずれを抑制して基板Ｗに接触させることができる。その結果、マスクＭの皺の発生などを抑制して基板ＷにマスクＭを密着させることができる。なお、基板ＷをマスクＭに接触させた後に、基板Ｗをさらに下降させるだけでマスクＭが基板Ｗに十分に密着するのであれば、永久磁石１０４は下降させなくてもよい。基板ＷをマスクＭに接触させた後は、基板Ｗと永久磁石１０４の一方のみを下降させてもよいし、両方を下降させてもよい。

図４Ｅの状態において、基板ＷにマスクＭを介して成膜材料（蒸着物質）を成膜する。例えば、蒸着源１１３（図１Ａ）がマスクＭの下側から蒸着物質を蒸散させると、蒸着物質がマスクＭに形成されたパターンに応じて基板Ｗに付着して層を形成し、蒸着が完了する。蒸着が完了すると、図４Ｅの状態から永久磁石１０４を上昇させることで、マスクＭが基板Ｗから剥離される。

なお、上述した成膜方法を使って、基板Ｗに成膜材料の膜が形成された物品を製造することができるため、上述した成膜方法は、物品の製造方法の少なくとも一部として捉えることができる。物品は、例えば、有機ＥＬ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルや、有機発光素子（有機ＥＬ素子；ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ
Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）などの電子デバイスである。有機ＥＬパネルは、複数の表示素子（画素）として、複数の有機発光素子を有する表示パネルである。有機発光素子を製造する際には、例えば、基板Ｗにエッチングなどで複数の開口（凹部）を形成し、マスクパターンに形成された画素パターンを複数の開口に合わせて各開口内に有機材料を蒸着させることで、各開口内に発光層（有機ＥＬ層）を形成する。

（マスクの状態遷移の説明）
図５は、図４Ａから図４ＥまでのマスクＭの状態の遷移を模式的に示すグラフである。図５において、横軸は、マスクＭの中央部分の垂直位置Ｚｒ（高さ；Ｚ方向の位置）を示し、縦軸は、力Ｆｍ，Ｆｒを示す。上述したように、力Ｆｍは、永久磁石１０４からマスクＭに印加される磁力（永久磁石１０４がマスクＭを引き上げる力）であり、力Ｆｒは、マスクＭに働く重力と、マスクＭの変形によりマスクＭに働く応力との合力である。点ＰはマスクＭの状態（マスクステータス）を示す。

図５の横軸は、マスク枠１０７の垂直位置と同じ垂直位置を原点（ゼロ位置）、マスク枠１０７の垂直位置よりも低い垂直位置をマイナスの位置、マスク枠１０７の垂直位置よりも高い垂直位置をプラスの位置として、マスクＭの垂直位置Ｚｒを示す。

図５の縦軸は、上向きの力をプラスの力として、磁力Ｆｍを示す。図５には、２つの磁力Ｆｍ１，Ｆｍ２が示されている。磁力Ｆｍ１は、永久磁石１０４の垂直位置が第１の位置である場合の磁力Ｆｍであり、磁力Ｆｍ２は、永久磁石１０４の垂直位置が第１の位置
よりも低い第２の位置である場合の磁力Ｆｍである。マスクＭの垂直位置Ｚｒが一定であれば、永久磁石１０４の垂直位置が低いほど、マスクＭと永久磁石１０４の間隔は短く、磁力Ｆｍは大きい。そのため、磁力Ｆｍ２は磁力Ｆｍ１よりも大きい。また、永久磁石１０４の垂直位置が一定であれば、マスクＭの垂直位置Ｚｒが高いほど、マスクＭと永久磁石１０４の間隔は短く、磁力Ｆｍは大きい。そのため、マスクＭの垂直位置Ｚｒが高いほど磁力Ｆｍ１も磁力Ｆｍ２も大きい。

また、図５の縦軸は、下向きの力をプラスの力として、合力Ｆｒを示す。マスクＭの垂直位置Ｚｒが高いほど、マスクＭに働く上向きの応力が小さかったり、マスクＭに働く下向きの応力が大きかったりする。そのため、マスクＭの垂直位置Ｚｒが高いほど合力Ｆｒは大きい。

垂直位置Ｚｒと合力Ｆｒの関係などの情報は、マスクＭに固有の情報であり、マスクＭをマスク枠１０７に取り付けた際のマスクＭの張力などにも依存する。例えば、複数のマスクのそれぞれについて、マスクに固有の情報が、当該マスクのマスクＩＤに関連付けられて、不図示の記憶部に予め格納される。そして、制御部３０１は、不図示のマスクＩＤリーダーで読み取られたマスクＩＤ１１６に応じて、使用されているマスクＭに固有の情報（垂直位置Ｚｒと合力Ｆｒの関係など）を記憶部から取得し、取得した情報に基づいて永久磁石１０４や基板Ｗを制御する。なお、使用されているマスクＭに固有の情報の取得方法は特に限定されず、例えば、制御部３０１は、使用されているマスクＭに固有の情報として、ユーザが入力した情報を取得してもよい。

マスクステータスＰ１は、図４Ａの状態に対応する。マスクＭは下向き凹状に撓んでおり、マスクＭの垂直位置Ｚｒはマスク枠１０７の垂直位置よりも低いため、マスクＭの垂直位置Ｚｒはマイナスの垂直位置Ｚｒ１となっている。マスクＭが下向き凹状に撓むことで、マスクＭには、上向きの応力が働く。図４Ａの状態では、マスクＭに働く下向きの重力と、マスクＭの変形によりマスクＭに働く上向きの応力とが釣り合っている。そのため、マスクステータスＰ１では、合力Ｆｒは０（ゼロ）となっている。

成膜装置１の状態が図４Ａの状態から図４Ｂの状態に遷移すると、永久磁石１０４が第１の位置まで下降し、永久磁石１０４からマスクＭに上向きの磁力Ｆｍ１が印加され、マスクＭは上向き凸状に湾曲する。マスクＭが上向き凸状に湾曲することで、マスクＭには下向き応力が働き、マスクＭに働く重力も下向きの力であるため、応力と重力の合力Ｆｒは下向きの力となる。そして、マスクステータスＰは、上向きの磁力Ｆｍ１が下向きの合力Ｆｒと等しいマスクステータスＰ２で安定する。マスクステータスＰ２では、マスクＭの垂直位置Ｚｒはプラスの垂直位置Ｚｒ２となっている。

成膜装置１の状態が図４Ｂの状態から図４Ｃの状態に遷移しても、マスクＭの垂直位置Ｚｒは垂直位置Ｚｒ２から変わらない。図４Ｃの状態では、基板Ｗは、図５に示す垂直位置Ｚａｌ１まで下降している。基板ＷとマスクＭの間隔（Ｚａｌ１－Ｚｒ２）は、アライメントスコープ１０６での撮像に好適な間隔である。

成膜装置１の状態が図４Ｃの状態から図４Ｄの状態に遷移すると、永久磁石１０４の垂直位置は変わらないため磁力Ｆｍ１は変わらないが、基板Ｗが垂直位置Ｚｒ３まで下降する。垂直位置Ｚｒ３は、マスクステータスＰ２（図４Ｃの状態）におけるマスクＭの垂直位置Ｚｒ２よりも低いため、基板ＷがマスクＭに接触し、マスクＭの垂直位置Ｚｒも垂直位置Ｚｒ３まで下降する。垂直位置Ｚｒ３では、マスクＭに働く応力と重力の合力Ｆｒ（下向きの力）は、マスクＭに働く磁力Ｆｍ１（上向きの力）よりも小さくなる。しかし、基板ＷがマスクＭに押し付けられることで、基板ＷからマスクＭに、合力Ｆｒと磁力Ｆｍ１の差分（矢印５０１）と同じ大きさの下向きの力が働くため、マスクステータスＰはマ
スクステータスＰ３で安定する。

成膜装置１の状態が図４Ｄの状態から図４Ｅの状態に遷移すると、永久磁石１０４が第２の位置まで下降し、永久磁石１０４からマスクＭに上向きの磁力Ｆｍ２が印加される。磁力Ｆｍ２は磁力Ｆｍ１よりも大きいため、矢印５０１で示す力よりも大きな力（矢印５０２で示す力）でマスクＭが基板Ｗに押し付けられ、マスクステータスＰはマスクステータスＰ４で安定する。

以上述べたように、第１実施形態によれば、マスクＭが第１の曲率で凸状に湾曲した状態を維持して、基板ＷをマスクＭに近づけて接触させる。こうすることで、マスクＭの中央部分から外側に向かって再現性よくマスクＭと基板Ｗを接触させることができ、マスクＭの皺の発生なども抑制してマスクＭと基板Ｗを接触させることができる。

なお、永久磁石１０４の制御方法は特に限定されない。例えば、マスクＭの垂直位置と永久磁石１０４の垂直位置との対応関係を、測定などによって予め決めておいてもよい。そして、そのような対応関係から、マスクＭの目標の垂直位置に対応する永久磁石１０４の垂直位置を判断し、判断した垂直位置に永久磁石１０４の垂直位置を制御してもよい。ギャップセンサ１１０で検出した間隔（基板ＷとマスクＭの間隔）に基づいて永久磁石１０４を制御してもよい。基板Ｗの垂直位置が一定であれば、ギャップセンサ１１０で検出した間隔（基板ＷとマスクＭの間隔）はマスクＭの垂直位置に対応する。そのため、ギャップセンサ１１０で検出した間隔をマスクＭの垂直位置とみなして、マスクＭの垂直位置が目標の垂直位置になるように、ギャップセンサ１１０で検出した間隔を確認しながら永久磁石１０４の垂直位置を制御してもよい。

また、永久磁石１０４でマスクＭを引き上げる例を説明したが、永久磁石１０４の代わりに電磁石を用いてもよい。電磁石を用いる場合には、電磁石に供給する電流を増減することで、マスクＭに印加される磁力を増減することができるため、電磁石の位置は固定であってもよい。電磁石を用いる場合には、電磁石に供給する電流と、電磁石の位置との少なくとも一方を制御すればよい。また、マスクＭを引き上げる磁石（永久磁石１０４または電磁石）として、複数の磁石が使用されてもよい。その場合には、磁石ごとに、磁石の垂直位置や電流を制御して、マスクＭに印加される磁力を個別に制御してもよい。

また、可動子１０１が受ける力の大きさを検出し、可動子１０１が受ける力からマスクＭと基板Ｗの間の接触圧を検出し、検出した接触圧に基づいて、基板Ｗの垂直位置や永久磁石１０４の垂直位置などを制御してもよい。例えば、可動子制御部３０３は、位置／姿勢センサ群３０６から出力された位置／姿勢情報に基づいて、可動子１０１の位置および姿勢を一定に保つように、固定子１０３の電流値を制御する。固定子１０３の電流値を制御することで、可動子１０１に設けられた磁性体１０２に働く電磁力が制御される。可動子１０１の位置および姿勢が一定に保たれた状態で磁性体１０２に働く電磁力は、可動子１０１が受ける他の力と釣り合う。そのため、可動子制御部３０３または制御部３０１は、固定子１０３の電流値から、可動子１０１が受ける力（磁性体１０２に働く電磁力を除く）の大きさを検出することができる。そして、マスクＭと基板Ｗが接触すると、可動子１０１の位置および姿勢が変化するため、可動子制御部３０３は、可動子１０１の位置および姿勢を一定に保つように、固定子１０３の電流値を制御する（変化させる）。その結果、磁性体１０２に働く電磁力も変化する。この電磁力の変化量は、マスクＭと基板Ｗの間の接触圧に対応する。そのため、可動子制御部３０３または制御部３０１は、固定子１０３の電流値の変化量から、マスクＭと基板Ｗの間の接触圧を検出することができる。

［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。なお、第１実施形態と異なる点（構成や処理）につい
ては詳細に説明するが、第１実施形態と同様の点についての説明は適宜省略する。

図６Ａ～６Ｆは、成膜を行う際の成膜装置１の動作の説明するための断面図である。図６Ａは図４Ａに対応し、図６Ｃ～６Ｆは図４Ｂ～４Ｅに対応する。つまり、第２実施形態では、第１実施形態の状態に加えて、図６Ｂの状態がとられる。

まず、永久磁石１０４を図６Ｃでの垂直位置よりも低い垂直位置まで下降させ、成膜装置１の状態を図６Ａの状態から図６Ｂの状態に遷移させる。このとき、マスクＭの状態は、基板Ｗから遠ざかるように凹状に撓んだ状態（図６Ａ）から、基板Ｗに近づくように凸状に湾曲した状態（図６Ｂ）に遷移する。図６Ｂの状態では、永久磁石１０４の垂直位置が図６Ｃでの垂直位置よりも低いため、永久磁石１０４からマスクＭに印加される磁力（マスクＭを引き上げる力）は、図６Ｃでの磁力よりも大きい。そのため、図６ＢでのマスクＭの曲率（第２の曲率）は、図６ＣでのマスクＭの曲率（第１の曲率）よりも大きい。

次に、永久磁石１０４を上昇させ、成膜装置１の状態を図６Ｂの状態から図６Ｃの状態に遷移させる。その後、第１実施形態と同様に、成膜装置１の状態を、図６Ｃの状態から図６Ｄの状態に、図６Ｄの状態から図６Ｅの状態に、図６Ｅの状態から図６Ｆの状態に遷移させる。

図７は、図６Ａから図６ＦまでのマスクＭの状態の遷移を模式的に示すグラフである。図７の縦軸と横軸は、図５と同じである。磁力Ｆｍ３は、永久磁石１０４の垂直位置が第１の位置よりも低く且つ第２の位置よりも高い第３の位置である場合の磁力Ｆｍであり、磁力Ｆｍ１よりも大きく、磁力Ｆｍ２よりも小さい。磁力Ｆｍ３は、図６Ｂの状態で永久磁石１０４からマスクＭに印加される磁力Ｆｍである。図７のマスクステータスＰ１’は、図６Ｂの状態に対応する。

第１実施形態では、マスクステータスＰをマスクステータスＰ１からマスクステータスＰ２に遷移させた。一方、第２実施形態では、マスクステータスＰをマスクステータスＰ１からマスクステータスＰ１’に遷移させ、マスクステータスＰ１’からマスクステータスＰ２に遷移させる。

マスクＭの種類に依ってはマスクＭが内部応力に応じて敏感に変形する場合がある。マスクステータスＰをマスクステータスＰ２に遷移させる前に、マスクの曲率がマスクステータスＰ２での曲率よりも大きいマスクステータスＰ１’に遷移させることで、マスクＭの内部応力を緩和させ、マスクＭに皺などを発生しにくくすることができる。また、マスクＭの意図せぬ変形（マスクＭに皺などを発生させる変形）を抑制することができるため、基板ＷとマスクＭのアライメントの精度を向上することもできる。第２実施形態の制御は、マスクＭに内部応力のヒステリシスが発生する場合に好適である。内部応力の緩和は、内部応力の均一化も含む。

なお、永久磁石１０４がマスクＭに印加する磁力が同じであっても、マスクＭの内部応力などに依って、永久磁石１０４で引き上げられた後のマスクＭの垂直位置はばらつく。そのため、第１実施形態と第２実施形態とで、マスクステータスＰ２でのマスクＭの垂直位置Ｚｒ２が同じとは限らない。マスクＭの曲率を増減することで、マスクＭの内部応力を緩和させ、マスクＭの垂直位置の上記ばらつきを低減することもできる。

また、マスクＭの曲率の増加と減少が複数回繰り返されるように永久磁石１０４を繰り返し昇降させてもよい。こうすることで、マスクＭの内部応力をより緩和させることができる。

［第３実施形態］
第３実施形態について説明する。なお、第１実施形態と異なる点（構成や処理）については詳細に説明するが、第１実施形態と同様の点についての説明は適宜省略する。

図８は、マスクＭの状態の遷移を模式的に示すグラフである。図８の縦軸と横軸は、図５と同じである。第３実施形態では、第１実施形態と同様に、マスクステータスＰを、マスクステータスＰ１からマスクステータスＰ２に遷移させる。但し、第３実施形態では、マスクステータスＰ２への遷移後に、基板Ｗを、垂直位置Ｚａｌ２まで下降させる。垂直位置Ｚａｌ２は垂直位置Ｚｒ２よりも低いため、マスクＭも垂直位置Ｚａｌ２まで下降し、マスクステータスＰがマスクステータスＰ２からマスクステータスＰ２’に遷移する。マスクステータスＰ２’では、マスクＭが基板Ｗに対して摺動可能となる程度に、マスクＭと基板Ｗの間の接触圧（基板ＷとマスクＭの間の摩擦力に対応）が小さい。

基板ＷにマスクＭが接触した状態では、基板ＷがマスクＭから摩擦力を受け、当該摩擦力により基板Ｗの振動を減衰することができる（ダンピング）。また、この摩擦力により、基板Ｗの移動中の振幅を小さくすることができる。このような効果は、可動子１０１を非接触で移動させる場合に顕著に現れる。

そして、基板ＷにマスクＭが接触した状態では、基板Ｗの揺れが小さくなるため、基板ＷとマスクＭのアライメントを高精度で行うことができる。但し、基板ＷとマスクＭの間の摩擦力によってマスクＭの皺などが発生する虞があるため、当該摩擦力は、マスクＭが基板Ｗに対して摺動可能となる程度に小さいことが好ましい。

また、サーボモータ（リニアサーボモータを含む）で基板Ｗを移動させる構成の場合には、基板ＷにマスクＭが接触した状態で、サーボモータのゲイン調整を行うことができる。ゲイン調整により、例えば、サーボモータのゼロトルク制御が行えるようになる。ゼロトルク制御では、マスクＭと基板Ｗの間の接触圧が大きく、マスクＭが基板Ｗに対して摺動しない状態において、サーボモータの出力軸にかかるトルクが略ゼロになるように、サーボモータが制御（駆動）される。

アライメントやゲイン調整が行われた後は、第１実施形態と同様に、基板Ｗを、垂直位置Ｚｒ３まで下降させ、マスクステータスＰをマスクステータスＰ３にさせる。そして、永久磁石１０４を下降させ、マスクステータスＰをマスクステータスＰ３からマスクステータスＰ４に遷移させる。

［第４実施形態］
第４実施形態について説明する。なお、第１実施形態と異なる点（構成や処理）については詳細に説明するが、第１実施形態と同様の点についての説明は適宜省略する。

図９は、マスクＭの状態の遷移を模式的に示すグラフである。図９の縦軸と横軸は、図５と同じである。第４実施形態では、マスクＭは大きな張力をかけずにマスク枠１０７に固定されている。このような場合に、マスクＭの垂直位置Ｚｒの原点（ゼロ位置）近傍において、マスクＭに働く合力Ｆｒは、マスクＭの垂直位置Ｚｒの変化に対して非線形に変化する。

ここで、マスクステータスＰ１１が、マスクＭに印加される磁力Ｆｍが十分に小さい状態（マスクＭに磁力Ｆｍが印加されない状態を含む）に対応するとし、基板ＷとマスクＭのアライメントに好適なマスクＭの垂直位置Ｚｒが垂直位置Ｚａｌ３であるとする。マスクＭに磁力Ｆｍ５を印加した状態で、マスクステータスＰはマスクステータスＰ１３で安定し、マスクＭの垂直位置Ｚｒは垂直位置Ｚａｌ３で安定する。しかしながら、マスクＭ
に磁力Ｆｍ５を印加した場合に、マスクステータスＰがマスクステータスＰ１３に遷移せずに、マスクステータスＰ１４やマスクステータスＰ１５に遷移し安定してしまうことがある。

そこで、第４実施形態では、第２実施形態や第３実施形態と同様に、マスクＭに磁力Ｆｍ５を印加する前に、磁力Ｆｍ５よりも大きい磁力Ｆｍ４を印加して、マスクステータスＰをマスクステータスＰ１１からマスクステータスＰ１２に遷移させる。その後で、マスクＭに印加する磁力Ｆｍを、磁力Ｆｍ４から磁力Ｆｍ５まで小さくする。こうすることで、マスクステータスＰをマスクステータスＰ１３に遷移させることができる。

［第５実施形態］
第５実施形態について説明する。なお、第１実施形態と異なる点（構成や処理）については詳細に説明するが、第１実施形態と同様の点についての説明は適宜省略する。

図１０は、成膜装置１の縦断面図である。図１０に示すように、第５実施形態では、基板ＷはマスクＭよりも小さく、マスク枠１０７がマスクを保持するマスク保持位置１００１は、基板Ｗの端１００２よりも外側である。このような場合には、基板ＷをマスクＭに接触させた後、マスク保持位置１００１まで、または、マスク保持位置１００１を越えた位置（マスク保持位置１００１よりも下側の位置）まで、基板Ｗを移動させることが好ましい。そうすることで、基板ＷとマスクＭの密着性を向上することができる。

なお、第１～第５実施形態はあくまで一例であり、本発明の要旨の範囲内で第１～第５実施形態の構成を適宜変形したり変更したりすることにより得られる構成も、本発明に含まれる。第１～第５実施形態の構成を適宜組み合わせて得られる構成も、本発明に含まれる。

［その他の実施形態］
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。

１：成膜装置 １０４：永久磁石 １０７：マスク枠 １０９：静電チャック
３０１：制御部

Claims (20)

1. 基板を保持するための基板保持部と、
   前記基板保持部で保持された前記基板に対向するようにマスクを保持するためのマスク保持部と、
   前記マスク保持部で保持された前記マスクを前記基板保持部で保持された前記基板に向かって凸状に湾曲させるための磁力を発生させる磁力発生部と、
   前記基板保持部と前記磁力発生部を制御する制御部と
   を備え、
   前記制御部は、
   前記マスクが第１の曲率よりも大きい第２の曲率で湾曲した後に前記第１の曲率で湾曲するように、前記磁力発生部を制御し、
   前記マスクが前記第１の曲率で湾曲した状態を維持して、前記基板が前記マスクに近づいて接触するように前記基板保持部を制御する
   ことを特徴とするアライメント装置。
2. 前記制御部は、前記マスクを前記第１の曲率で湾曲させる前に、前記マスクの曲率の増加と減少が複数回繰り返されるように前記磁力発生部を制御する
   ことを特徴とする請求項１に記載のアライメント装置。
3. 前記基板保持部で保持された前記基板と前記マスク保持部で保持された前記マスクとの間隔を検出するセンサをさらに備え、
   前記制御部は、前記センサで検出された前記間隔に基づいて前記磁力発生部を制御することを特徴とする請求項１または２に記載のアライメント装置。
4. 前記制御部は、前記基板を前記マスクに接触させた後、前記マスクが前記基板に密着するように前記基板保持部と前記磁力発生部の少なくとも一方を制御し、
   前記マスクが前記基板に密着した状態で、前記基板に前記マスクを介して成膜材料が成膜される
   ことを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載のアライメント装置。
5. 前記制御部は、前記基板を前記マスクに接触させた後、
   前記基板が前記マスクの側に移動するように前記基板保持部を制御し、
   前記マスクに印加される磁力が増すように前記磁力発生部を制御する
   ことを特徴とする請求項４に記載のアライメント装置。
6. 前記マスク保持部は、前記マスクの端部を保持するためのものであり、
   前記基板は、前記マスクよりも小さく、
   前記制御部は、前記基板を前記マスクに接触させた後、前記マスク保持部が前記マスクを保持するマスク保持位置まで、または、前記マスク保持位置を越えた位置まで、前記基板が移動するように、前記基板保持部を制御する
   ことを特徴とする請求項４または５に記載のアライメント装置。
7. 前記制御部は、前記基板が前記マスクに接触した状態で、前記基板保持部の制御のゲイン調整を行う
   ことを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載のアライメント装置。
8. 前記制御部は、前記基板保持部のゼロトルク制御が行えるように、前記ゲイン調整を行う
   ことを特徴とする請求項７に記載のアライメント装置。
9. 前記基板が前記マスクに接触した状態で、前記基板と前記マスクのアライメントが行われる
   ことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載のアライメント装置。
10. 前記制御部は、前記マスクに固有の情報を取得し、当該情報に基づいて前記磁力発生部を制御する
    ことを特徴とする請求項１～９のいずれか１項に記載のアライメント装置。
11. 前記マスクが第１の曲率で湾曲した状態は、前記磁力発生部から前記マスクに特定の磁力が印加された状態である
    ことを特徴とする請求項１～１０のいずれか１項に記載のアライメント装置。
12. 前記制御部は、前記磁力発生部を特定の位置まで前記マスクに近づけることで、前記マスクを第１の曲率で湾曲させる
    ことを特徴とする請求項１～１１のいずれか１項に記載のアライメント装置。
13. 基板を保持するための基板保持部と、
    前記基板保持部で保持された前記基板に対向するようにマスクを保持するためのマスク保持部と、
    前記マスク保持部で保持された前記マスクを前記基板保持部で保持された前記基板に向かって凸状に湾曲させるための磁力を発生させる磁力発生部と、
    前記基板保持部と前記磁力発生部を制御する制御部と
    を備え、
    前記制御部は、
    前記マスクに第１の磁力よりも大きい第２の磁力を印可した後に前記第１の磁力を前記マスクに印可するように、前記磁力発生部を制御し、
    前記マスクに前記第１の磁力が印加された状態を維持して、前記基板が前記マスクに近づいて接触するように前記基板保持部を制御する
    ことを特徴とするアライメント装置。
14. 前記制御部は、前記磁力発生部を特定の位置まで前記マスクに近づけることで、前記マスクに前記第１の磁力または前記第２の磁力を印加する
    ことを特徴とする請求項１３に記載のアライメント装置。
15. 基板保持部で基板を保持する工程と、
    前記基板保持部で保持された前記基板に対向するようにマスク保持部でマスクを保持する工程と、
    磁力発生部が発生させた磁力で、前記マスク保持部で保持された前記マスクが前記基板保持部で保持された前記基板に向かって第２の曲率で凸状に湾曲した後に、前記第２の曲率より小さい第１の曲率で凸状に湾曲するように、前記磁力発生部を制御する工程と、
    前記マスクが前記第１の曲率で湾曲した状態を維持して、前記基板が前記マスクに近づくように前記基板保持部を制御する工程と、
    前記基板を前記マスクに近づけた後に、前記基板と前記マスクのアライメントを行う工程と、
    前記アライメントの後に、前記マスクが前記基板に密着するように前記基板保持部と前記磁力発生部の少なくとも一方を制御する工程と、
    前記マスクが前記基板に密着した状態で、前記基板に前記マスクを介して成膜材料を成膜する工程と
    を有することを特徴とする成膜方法。
16. 基板保持部で基板を保持する工程と、
    前記基板保持部で保持された前記基板に対向するようにマスク保持部でマスクを保持する工程と、
    磁力発生部が発生させた第２の磁力が前記マスクに印加され、前記マスク保持部で保持された前記マスクが前記基板保持部で保持された前記基板に向かって凸状に湾曲するように、磁力を発生させた後に、前記第２の磁力より小さい第１の磁力を発生させるように磁力発生部を制御する工程と、
    前記マスクに前記第１の磁力が印加された状態を維持して、前記基板が前記マスクに近づくように前記基板保持部を制御する工程と、
    前記基板を前記マスクに近づけた後に、前記基板と前記マスクのアライメントを行う工程と、
    前記アライメントの後に、前記マスクが前記基板に密着するように前記基板保持部と前記磁力発生部の少なくとも一方を制御する工程と、
    前記マスクが前記基板に密着した状態で、前記基板に前記マスクを介して成膜材料を成膜する工程と
    を有することを特徴とする成膜方法。
17. 基板に成膜材料の膜が形成された物品の製造方法であって、
    基板保持部で基板を保持する工程と、
    前記基板保持部で保持された前記基板に対向するようにマスク保持部でマスクを保持する工程と、
    磁力発生部が発生させた磁力で、前記マスク保持部で保持された前記マスクが前記基板保持部で保持された前記基板に向かって第２の曲率で凸状に湾曲した後に、前記第２の曲率より小さい第１の曲率で凸状に湾曲するように、前記磁力発生部を制御する工程と、
    前記マスクが前記第１の曲率で湾曲した状態で維持して、前記基板が前記マスクに近づくように前記基板保持部を制御する工程と、
    前記基板を前記マスクに近づけた後に、前記基板と前記マスクのアライメントを行う工程と、
    前記アライメントの後に、前記マスクが前記基板に密着するように前記基板保持部と前記磁力発生部の少なくとも一方を制御する工程と、
    前記マスクが前記基板に密着した状態で、前記基板に前記マスクを介して成膜材料を成膜する工程と
    を有することを特徴とする製造方法。
18. 基板に成膜材料の膜が形成された物品の製造方法であって、
    基板保持部で基板を保持する工程と、
    前記基板保持部で保持された前記基板に対向するようにマスク保持部でマスクを保持する工程と、
    磁力発生部が発生させた第２の磁力が前記マスクに印加され、前記マスク保持部で保持された前記マスクが前記基板保持部で保持された前記基板に向かって凸状に湾曲するように、磁力を発生させた後に、前記第２の磁力より小さい第１の磁力を発生させるように磁力発生部を制御する工程と、
    前記マスクに前記第１の磁力が印加された状態を維持して、前記基板が前記マスクに近づくように前記基板保持部を制御する工程と、
    前記基板を前記マスクに近づけた後に、前記基板と前記マスクのアライメントを行う工程と、
    前記アライメントの後に、前記マスクが前記基板に密着するように前記基板保持部と前記磁力発生部の少なくとも一方を制御する工程と、
    前記マスクが前記基板に密着した状態で、前記基板に前記マスクを介して成膜材料を成膜する工程と
    を有することを特徴とする製造方法。
19. 基板にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜装置であって、
    前記基板を保持するための基板保持部と、
    前記基板保持部で保持された前記基板に対向するように前記マスクを保持するためのマスク保持部と、
    前記マスク保持部で保持された前記マスクを前記基板保持部で保持された前記基板に向かって凸状に湾曲させるための磁力を発生させる磁力発生部と、
    前記基板保持部と前記磁力発生部を制御する制御部と
    を備え、
    前記制御部は、
    前記マスクが第１の曲率よりも大きい第２の曲率で湾曲した後に前記第１の曲率で湾曲するように、前記磁力発生部を制御し、
    前記マスクが前記第１の曲率で湾曲した状態を維持して、前記基板が前記マスクに近づいて接触するように前記基板保持部を制御する
    ことを特徴とする成膜装置。
20. 基板にマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜装置であって、
    前記基板を保持するための基板保持部と、
    前記基板保持部で保持された前記基板に対向するように前記マスクを保持するためのマスク保持部と、
    前記マスク保持部で保持された前記マスクを前記基板保持部で保持された前記基板に向かって凸状に湾曲させるための磁力を発生させる磁力発生部と、
    前記基板保持部と前記磁力発生部を制御する制御部と
    を備え、
    前記制御部は、
    前記マスクに第１の磁力よりも大きい第２の磁力を印可した後に前記第１の磁力を前記マスクに印可するように、前記磁力発生部を制御し、
    前記マスクに前記第１の磁力が印加された状態を維持して、前記基板が前記マスクに近づいて接触するように前記基板保持部を制御する
    ことを特徴とする成膜装置。