JP7775540B2 - ひずみゲージ - Google Patents

Description

本発明は、ひずみゲージに関する。

従来、測定対象物に貼り付けて使用するひずみゲージが知られている。例えば、ひずみゲージは、材料のひずみを検出するセンサ、又は、周囲温度を検出するセンサとして使用される場合がある（例えば、特許文献１参照）。

特開２００１－２２１６９６号公報

ひずみゲージは基材上に抵抗体を備えている。この抵抗体の抵抗値は調整可能であることが好ましい。また、ひずみゲージにおいて、ひずみを精度よく検出するためには、抵抗体の抵抗値を精度良く調整できることが好ましい。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、抵抗体の抵抗値を精度良く調整可能なひずみゲージを提供することを目的とする。

本開示の一実施形態に係るひずみゲージは、絶縁層と、抵抗体と、を有し、前記抵抗体は、前記絶縁層の一方の面側に形成された第１抵抗部と、前記絶縁層の他方の面側に形成された第２抵抗部と、前記絶縁層を貫通し、前記第１抵抗部と前記第２抵抗部とを電気的に接続するスルーホールと、を含み、前記第１抵抗部と前記第２抵抗部は、前記スルーホールを介して接続されて１対の電極間を繋ぐ前記抵抗体を形成し、前記絶縁層の一方の面側に形成された抵抗調整用パターンを含む抵抗調整部が設けられ、前記第１抵抗部は、複数の細長状の第１部分を含み、各々の前記第１部分は、長手方向を同一方向に向けて所定間隔で並置されており、前記第１抵抗部は、互いに離隔して配置された電気的に独立する複数のブロックを含み、複数の前記ブロックの少なくとも１つは、複数の前記第１部分を含み、前記抵抗調整用パターンは、少なくとも１つの前記ブロックにおいて、複数の前記第１部分のうち隣接する前記第１部分を橋渡しして導通させるように設けられる。

開示の技術によれば、抵抗体の抵抗値を精度良く調整可能なひずみゲージを提供することができる。

第１実施形態に係るひずみゲージを例示する平面図（その１）である。 第１実施形態に係るひずみゲージを例示する断面図（その１）である。 第１実施形態に係るひずみゲージを例示する平面図（その２）である。 第１実施形態に係るひずみゲージを例示する断面図（その２）である。 第１実施形態の変形例１に係るひずみゲージを例示する平面図である。 第１実施形態の変形例１に係るひずみゲージの電流の流れを説明する図である。 第１実施形態の変形例２に係るひずみゲージを例示する平面図（その１）である。 第１実施形態の変形例２に係るひずみゲージを例示する平面図（その２）である。 第１実施形態の変形例３に係るひずみゲージを例示する平面図（その１）である。 第１実施形態の変形例３に係るひずみゲージを例示する平面図（その２）である。 ひずみゲージ１Ｃにおける抵抗値の調整について説明する図である。

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一の構成部には同一の符号を付す場合がある。また、各図面において、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向、及びＺ方向を規定する場合がある。この場合、Ｘ方向において、矢印の始点（根元）側をＸ－側、矢印の終点（矢尻）側をＸ＋側と称する場合がある。Ｙ方向及びＺ方向についても同様であるまた、各図面の説明において、既に説明した構成部と同一の構成部についての説明は省略する場合がある。

〈第１実施形態〉
図１は、第１実施形態に係るひずみゲージを例示する平面図（その１）である。図２は、第１実施形態に係るひずみゲージを例示する断面図（その１）であり、図１のＡ－Ａ線に沿う断面を示している。図３は、第１実施形態に係るひずみゲージを例示する平面図（その２）であり、第２抵抗部のパターンを示すために、便宜上図１に示すひずみゲージから第１抵抗部及び電極を除いた状態の図である。

図１～図３を参照すると、ひずみゲージ１は、基材１０と、抵抗体３０と、電極５０とを有している。抵抗体３０は、第１抵抗部３１と、第２抵抗部３２と、スルーホール３５とを有している。まずは、ひずみゲージ１を構成する各部について詳細に説明する。

なお、本実施形態では、便宜上、ひずみゲージ１において、基材１０の第１抵抗部３１が設けられている側を「上側」と称し、第２抵抗部３２が設けられている側を「下側」と称する。又、各部位の上側に位置する面を「上面」と称し、各部位の下側に位置する面を「下面」と称する。ただし、ひずみゲージ１は天地逆の状態で用いることもできる。又、ひずみゲージ１は任意の角度で配置することもできる。又、平面視とは、基材１０の上面１０ａに対する上側から下側への法線方向で対象物を視ることを指すものとする。そして、平面形状とは、前記法線方向で対象物を視たときの、対象物の形状を指すものとする。

基材１０は、抵抗体３０等を形成するためのベース層となる部材である。基材１０は可撓性を有する。基材１０の下側（より詳しくは、後述する第２抵抗部３２の更に下側）には、接着層等を介して起歪体が接合されていてもよい。基材１０の厚さは特に限定されず、ひずみゲージ１の使用目的等に応じて適宜決定されてよい。例えば、基材１０の厚さは５μｍ～５００μｍ程度であってよい。なお、起歪体の表面から受感部へのひずみの伝達性、及び、環境変化に対する寸法安定性の観点から考えると、基材１０の厚さは５μｍ～２００μｍの範囲内であることが好ましい。また、絶縁性の観点から考えると、基材１０の厚さは１０μｍ以上であることが好ましい。

基材１０は、例えば、ＰＩ（ポリイミド）樹脂、エポキシ樹脂、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂、ＬＣＰ（液晶ポリマー）樹脂、ポリオレフィン樹脂等の絶縁樹脂フィルムから形成される。なお、フィルムとは、厚さが５００μｍ以下程度であり、かつ可撓性を有する部材を指す。

基材１０が絶縁樹脂フィルムから形成される場合、当該絶縁樹脂フィルムには、フィラーや不純物等が含まれていてもよい。例えば、基材１０は、シリカやアルミナ等のフィラーを含有する絶縁樹脂フィルムから形成されてもよい。

基材１０の樹脂以外の材料としては、例えば、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２（ＹＳＺも含む）、Ｓｉ、Ｓｉ_２Ｎ_３、Ａｌ_２Ｏ_３（サファイヤも含む）、ＺｎＯ、ペロブスカイト系セラミックス（ＣａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３）等の結晶性材料が挙げられる。又、前述の結晶性材料以外に非晶質のガラス等を基材１０の材料としてもよい。又、基材１０の材料として、アルミニウム、アルミニウム合金（ジュラルミン）、チタン等の金属を用いてもよい。金属を用いる場合、金属製の基材１０の上面及び下面を被覆するように絶縁膜が設けられる。

抵抗体３０において、第１抵抗部３１は、基材１０の上側に所定のパターンで形成された薄膜である。又、抵抗体３０において、第２抵抗部３２は、基材１０の下側に所定のパターンで形成された薄膜である。抵抗体３０は、ひずみを受けて抵抗変化を生じる受感部である。抵抗体３０の詳細な構造については、後述する。

抵抗体３０は、例えば、Ｃｒ（クロム）を含む材料、Ｎｉ（ニッケル）を含む材料、又はＣｒとＮｉの両方を含む材料から形成することができる。すなわち、抵抗体３０は、ＣｒとＮｉの少なくとも一方を含む材料から形成することができる。Ｃｒを含む材料としては、例えば、Ｃｒ混相膜が挙げられる。Ｎｉを含む材料としては、例えば、Ｃｕ－Ｎｉ（銅ニッケル）が挙げられる。ＣｒとＮｉの両方を含む材料としては、例えば、Ｎｉ－Ｃｒ（ニッケルクロム）が挙げられる。

ここで、Ｃｒ混相膜とは、Ｃｒ、ＣｒＮ、及びＣｒ_２Ｎ等が混相した膜である。Ｃｒ混相膜は、酸化クロム等の不可避不純物を含んでもよい。

抵抗体３０の厚さは特に限定されず、ひずみゲージ１の使用目的等に応じて適宜決定されてよい。例えば、抵抗体３０の厚さは０．０５μｍ～２μｍ程度であってよい。特に、抵抗体３０の厚さが０．１μｍ以上である場合、抵抗体３０を構成する結晶の結晶性（例えば、α－Ｃｒの結晶性）が向上する。また、抵抗体３０の厚さが１μｍ以下である場合、抵抗体３０を構成する膜の内部応力に起因する、（i）膜のクラック及び（ii）膜の基材１０からの反りが、低減される。

横感度を生じ難くすることと、断線対策とを考慮すると、抵抗体３０の幅は１０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。更に言えば、抵抗体３０の幅は１０μｍ以上７０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下であるとより好ましい。抵抗体３０において、第１抵抗部３１の幅と第２抵抗部３２の幅は、同一であってもよいし異なっていてもよい。

例えば、抵抗体３０がＣｒ混相膜である場合、安定な結晶相であるα－Ｃｒ（アルファクロム）を主成分とすることで、ゲージ特性の安定性を向上させることができる。又例えば、抵抗体３０がＣｒ混相膜である場合、抵抗体３０がα－Ｃｒを主成分とすることで、ひずみゲージ１のゲージ率を１０以上、かつゲージ率温度係数ＴＣＳ及び抵抗温度係数ＴＣＲを－１０００ｐｐｍ／℃～＋１０００ｐｐｍ／℃の範囲内とすることができる。ここで、「主成分」とは、抵抗体を構成する全物質の５０重量％以上を占める成分のことを意味する。ゲージ特性を向上させるという観点から考えると、抵抗体３０はα－Ｃｒを８０重量％以上含むことが好ましい。更に言えば、同観点から考えると、抵抗体３０はα－Ｃｒを９０重量％以上含むことがより好ましい。なお、α－Ｃｒは、ｂｃｃ構造（体心立方格子構造）のＣｒである。

又、抵抗体３０がＣｒ混相膜である場合、Ｃｒ混相膜に含まれるＣｒＮ及びＣｒ_２Ｎは２０重量％以下であることが好ましい。Ｃｒ混相膜に含まれるＣｒＮ及びＣｒ_２Ｎが２０重量％以下であることで、ひずみゲージ１のゲージ率の低下を抑制することができる。

又、Ｃｒ混相膜におけるＣｒＮとＣｒ_２Ｎとの比率は、ＣｒＮとＣｒ_２Ｎの重量の合計に対し、Ｃｒ_２Ｎの割合が８０重量％以上９０重量％未満となるようにすることが好ましい。更に言えば、同比率は、ＣｒＮとＣｒ_２Ｎの重量の合計に対し、Ｃｒ_２Ｎの割合が９０重量％以上９５重量％未満となるようにすることがより好ましい。Ｃｒ_２Ｎは半導体的な性質を有する。そのため、前述のＣｒ_２Ｎの割合を９０重量％以上９５重量％未満とすることで、ＴＣＲの低下（負のＴＣＲ）が一層顕著となる。更に、前述のＣｒ_２Ｎの割合を９０重量％以上９５重量％未満とすることで抵抗体３０のセラミックス化を低減することができる。したがってため、抵抗体３０の脆性破壊が起こりにくくすることができる。

一方で、ＣｒＮは化学的に安定であるという利点も有する。Ｃｒ混相膜にＣｒＮをより多く含むことで、不安定なＮが発生する可能性を低減することができるため、安定なひずみゲージを得ることができる。ここで「不安定なＮ」とは、Ｃｒ混相膜の膜中に存在し得る、微量のＮ_２もしくは原子状のＮのことを意味する。これらの不安定なＮは、外的環境（例えば高温環境）によっては膜外へ抜け出ることがある。不安定なＮが膜外へ抜け出るときに、Ｃｒ混相膜の膜応力が変化し得る。

電極５０は、ひずみにより生じる抵抗体３０の抵抗値の変化を外部に出力するための一対の電極である。電極５０は、例えば、第１抵抗部３１と同様に、基材１０の上面１０ａ側に配置されている。電極５０は、抵抗体３０の両端部と電気的に接続されている。電極５０は、平面視において、抵抗体３０よりも拡幅して略矩形状に形成されている。図１の例では、一対の電極５０のうちＹ＋側に位置する電極５０は、最もＹ＋側に位置する第２抵抗部３２のＸ＋側の端部にスルーホール３５を介して接続されている。また、一対の電極５０のうちＹ－側に位置する電極５０は、最もＹ－側に位置する第２抵抗部３２のＸ＋側の端部にスルーホール３５を介して接続されている。

電極５０には、例えば外部接続用のリード線等が接合される。電極５０の上面に、銅等の抵抗の低い金属層、又は、金等のはんだ付け性が良好な金属層を積層してもよい。なお、抵抗体３０と電極５０とは便宜上別符号としているが、両者は同一工程において同一材料により一体に形成することができる。抵抗体３０の両端と各々の電極５０との間に、両者を接続する所定パターンの配線である接続部を設けてもよい。

［抵抗体３０の詳細］
抵抗体３０は、絶縁層である基材１０の上面１０ａ側に形成された第１抵抗部３１と、基材１０の下面１０ｂ側に形成された第２抵抗部３２と、基材１０を貫通し、第１抵抗部３１と第２抵抗部３２とを電気的に接続するスルーホール３５とを含む。言い換えれば、第１抵抗部３１と第２抵抗部３２は、スルーホール３５を介して電気的に接続されている。第１抵抗部３１と第２抵抗部３２は、スルーホール３５で接続されることによって、１対の電極５０間を繋ぐ抵抗体３０を形成している。

第１抵抗部３１は、複数の細長状の第１部分３１１と、隣接する第１部分３１１を橋渡しする抵抗調整用パターン３１２とを含む。抵抗調整用パターン３１２は、抵抗体３０の抵抗値の調整に使用する抵抗調整部である。各々の第１部分３１１は、長手方向をＸ方向に向けて所定間隔で並置されている。各々の抵抗調整用パターン３１２は、隣接する第１部分３１１を橋渡しすればよく、第１部分３１１と直交している必要はない。

なお、各々の第１抵抗部３１の長手方向がグリッド方向となり、グリッド方向と垂直な方向がグリッド幅方向となる。すなわち、図１の例では、Ｘ方向がグリッド方向であり、Ｘ方向と直交するＹ方向がグリッド幅方向である。

ひずみゲージ１において、第１抵抗部３１は、互いに離隔して配置された電気的に独立する複数のブロックを含み、第２抵抗部３２は、互いに離隔して配置された電気的に独立する複数のブロックを含む。そして、第１抵抗部３１を構成するブロックの隣接するブロックの間は、第２抵抗部３２を構成するブロックによって直列に接続されている。以下に詳説する。

図１の例では、第１抵抗部３１は、Ｙ方向に離隔して配置された４つのブロックＡ１～Ａ４に分けることができる。ブロックＡ１には、隣接する２つの第１部分３１１と、それらを橋渡しする５つの抵抗調整用パターン３１２が設けられている。ブロックＡ２、ブロックＡ３、及びブロックＡ４についても、ブロックＡ１と同じ構成である。４つのブロックは、基材１０の上面１０ａ側では電気的に接続されていない。このように、抵抗調整用パターン３１２は、同じブロックの第１抵抗部３１同士が隣接している部分（すなわち、隣接する２つの第１部分３１１）を橋渡しして導通させるように複数個設けることができる。

なお、図１に示す各ブロックの数及び形状等の構成は、図１の例には限定されない。また、各ブロックは、同じ構成にしなくてもよい。例えば、第１抵抗部３１を構成する少なくとも１つのブロックにおいて、第１抵抗部３１の隣接する第１部分３１１を橋渡しする複数の抵抗調整用パターン３１２を含む構成としてもよい。つまり、全てのブロックが抵抗調整用パターン３１２を含む必要はない。あるいは、図１のように、抵抗調整用パターン３１２は、第１抵抗部３１を構成するブロックそれぞれに複数個ずつ設けられてもよい。何れの場合も、抵抗調整用パターン３１２を切断することで、抵抗体３０の抵抗値を高くする方向の調整が可能となる。ただし、各ブロックにおいて、少なくとも１つの抵抗調整用パターン３１２は、切断せずに残す必要がある。残した抵抗調整用パターン３１２は、隣接する第１部分３１１を折り返す折り返しパターンとして機能する。

第２抵抗部３２は、複数の細長状の第２部分３２１と、複数の折り返しパターン３２３とを含む。各々の第２部分３２１は、長手方向をＸ方向に向けて、所定間隔でＹ方向に並置されている。各々の折り返しパターン３２３は、最もＹ＋側及び最もＹ－側に位置する第２部分３２１を除き、隣接する第２部分３２１のＸ＋側の端部同士を接続する。折り返しパターン３２３は、隣接する第２部分３２１のＸ＋側の端部同士を接続すればよく、第２部分３２１と直交している必要はない。

図３の例では、第２抵抗部３２は、Ｙ方向に離隔して配置された５つのブロックＢ１～Ｂ５に分けることができる。ブロックＢ１及びＢ５には、１つの第２部分３２１のみが配置されている。ブロックＢ２には、隣接する２つの第２部分３２１と、それらのＸ＋側の端部同士を接続する折り返しパターン３２３が設けられている。ブロックＢ２において、２つの第２部分３２１と折り返しパターン３２３は、直列に接続されている。ブロックＢ３及びブロックＢ４についても、ブロックＢ２と同じ構成である。５つのブロックは、基材１０の下面１０ｂ側では電気的に接続されていない。

ブロックＢ１の第２部分３２１のＸ－側の端部は、スルーホール３５を介して、ブロックＡ１のＹ＋側の第１部分３１１のＸ－側の端部と接続されている。また、ブロックＢ２のＹ＋側の第２部分３２１のＸ－側の端部は、スルーホール３５を介して、ブロックＡ１のＹ－側の第１部分３１１のＸ－側の端部と接続されている。

ブロックＢ２のＹ－側の第２部分３２１のＸ－側の端部は、スルーホール３５を介して、ブロックＡ２のＹ＋側の第１部分３１１のＸ－側の端部と接続されている。また、ブロックＢ３のＹ＋側の第２部分３２１のＸ－側の端部は、スルーホール３５を介して、ブロックＡ２のＹ－側の第１部分３１１のＸ－側の端部と接続されている。

ブロックＢ３のＹ－側の第２部分３２１のＸ－側の端部は、スルーホール３５を介して、ブロックＡ３のＹ＋側の第１部分３１１のＸ－側の端部と接続されている。また、ブロックＢ４のＹ＋側の第２部分３２１のＸ－側の端部は、スルーホール３５を介して、ブロックＡ３のＹ－側の第１部分３１１のＸ－側の端部と接続されている。

ブロックＢ４のＹ－側の第２部分３２１のＸ－側の端部は、スルーホール３５を介して、ブロックＡ４のＹ＋側の第１部分３１１のＸ－側の端部と接続されている。また、ブロックＢ５の第２部分３２１のＸ－側の端部は、スルーホール３５を介して、ブロックＡ４のＹ－側の第１部分３１１のＸ－側の端部と接続されている。

また、ブロックＢ１の第２部分３２１のＸ＋側の端部は、スルーホール３５を介して、Ｙ＋側の電極５０と接続され、ブロックＢ５の第２部分３２１のＸ＋側の端部は、スルーホール３５を介して、Ｙ－側の電極５０の他方と接続されている。以上の接続により、一対の電極５０の間を繋ぐ１つの抵抗体３０が形成される。なお、図３に示す各ブロックの数及び形状等の構成は、図３の例には限定されない。また、各ブロックは、同じ構成にしなくてもよい。

なお、ひずみゲージ１の基材１０の上面１０ａ及び／又は下面１０ｂにカバー層（絶縁樹脂層）を設けてもよい。カバー層は、基材１０の上面１０ａに、抵抗体３０の第１抵抗部３１を被覆し電極５０を露出するように設けられる。また、カバー層は、基材１０の下面１０ｂに、抵抗体３０の第２抵抗部３２を被覆するように設けられる。カバー層の材料としては、例えば、ＰＩ樹脂、エポキシ樹脂、ＰＥＥＫ樹脂、ＰＥＮ樹脂、ＰＥＴ樹脂、ＰＰＳ樹脂、複合樹脂（例えば、シリコーン樹脂、ポリオレフィン樹脂）等の絶縁樹脂が挙げられる。なお、カバー層は、フィラーや顔料を含有しても構わない。カバー層の厚さは、特に制限されず、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、カバー層の厚さは２μｍ～３０μｍ程度とすることができる。カバー層を設けることで、抵抗体３０に機械的な損傷等が生じることを抑制することができる。又、カバー層を設けることで、抵抗体３０を湿気等から保護することができる。

このように、ひずみゲージ１は、第１抵抗部３１の隣接する第１部分３１１を橋渡しする抵抗調整部として抵抗調整用パターン３１２を有するため、抵抗体３０の抵抗値を精度良く調整可能である。例えば、第１抵抗部３１を構成する全てのブロックが複数の抵抗調整用パターン３１２を含む構成では、抵抗体３０の抵抗値を細かく調整することができる。

また、第１抵抗部３１と第２抵抗部３２を、スルーホール３５を介して直列に接続することで、基材１０の上面１０ａ及び下面１０ｂの面積を増やすことなく抵抗体３０の長さを長くすることが可能になる。これにより、本実施形態に係るひずみゲージ１は、同じ大きさの基材を有する従来のひずみゲージよりも、抵抗体３０の抵抗値を高くすることができる。つまり、本実施形態によれば、ひずみゲージ１の基材１０の面積の増加を抑制しつつ、抵抗体３０の抵抗値を高くすることができる。又、抵抗体３０の抵抗値を高くすることで、ひずみゲージ１の設計段階における抵抗体３０の抵抗値の選択幅が広がる。したがって、本実施形態によれば、製造段階での抵抗値の設計自由度が高いひずみゲージを実現することができる。

なお、本実施形態に係るひずみゲージ１には、基材及び絶縁層を介して３層以上の抵抗部が形成されてもよい。そして、各抵抗部はスルーホールで接続されてもよい。例えば、基材１０の下面１０ｂに、第２抵抗部３２を被覆する絶縁層を設ける。そして、例えば、ブロックＢ２～Ｂ４において、隣接する第２部分３２１を接続する折り返しパターン３２３は、基材１０の下面１０ｂに設けず、基材１０の下面１０ｂに設けた絶縁層にスルーホールを形成して当該絶縁層の下面に設ける。その際、当該絶縁層の下面に設けた折り返しパターン３２３の長さを長くすることで、抵抗体の抵抗値をより高くすることができる。

なお、以上の説明では、絶縁層である基材１０の両面に第１抵抗部３１及び第２抵抗部３２を設ける例を示したが、これには限定されない。例えば、基材１０上に、基材１０とは別の絶縁層を設け、その絶縁層の一方の面側に第１抵抗部３１を形成し、他方の面側に第２抵抗部３２を形成し、当該絶縁層を貫通し、第１抵抗部３１と第２抵抗部３２とを電気的に接続するスルーホール３５を設けてもよい。この場合も、抵抗調整部として第１抵抗部３１の隣接する第１部分３１１を橋渡しする抵抗調整用パターン３１２を設けることで、上記と同様の効果が得られる。

［ひずみゲージの製造方法］
以下、ひずみゲージ１の製造方法について説明する。ひずみゲージ１を製造するためには、まず、基材１０を準備し、基材１０の上面１０ａに金属層（便宜上、金属層Ａとする）を形成する。金属層Ａは、最終的にパターニングされて第１抵抗部３１及び電極５０となる層である。従って、金属層Ａの材料や厚さは、前述の第１抵抗部３１及び電極５０の材料や厚さと同様である。

次に、基材１０に、基材１０を貫通し金属層Ａの表面に達する貫通孔を設ける。貫通孔は、例えば、レーザ加工法やドリル加工法等により設けることができる。次に、基材１０の下面１０ｂに金属層（便宜上、金属層Ｂとする）を形成する。金属層Ｂは、最終的にパターニングされて第２抵抗部３２となる層である。従って、金属層Ｂの材料や厚さは、前述の第２抵抗部３２の材料や厚さと同様である。金属層Ｂは、貫通孔内にも形成されて金属層Ａと導通するスルーホール３５となる。

スルーホール３５は、金属層Ａ及びＢを形成後に設けてもよい。例えば、金属層Ａ及びＢを形成後に、金属層Ａ及び基材１０を貫通し金属層Ｂの表面に達する貫通孔を設ける。そして、貫通孔内に導電ペースト等の導電体を充填することで、スルーホール３５を形成することができる。

なお、基材１０の上面１０ａに下地層を形成してから金属層Ａを形成してもよい。また、基材１０の下面１０ｂに下地層を形成してから金属層Ｂを形成してもよい。例えば、基材１０の上面１０ａ及び下面１０ｂのそれぞれに、所定の膜厚の機能層を下地層として成膜してもよい。成膜方法は特に限定されないが、例えばコンベンショナルスパッタ法により、基材１０の上面１０ａ及び／又は下面１０ｂに機能層を真空成膜することができる。

本願において、機能層とは、少なくとも上層である金属層Ａ及びＢ（抵抗体３０）の結晶成長を促進する機能を有する層を指す。機能層は、更に、基材１０に含まれる酸素又は水分による金属層Ａの酸化を防止する機能、及び／又は、基材１０と金属層Ａ及びＢとの密着性を向上する機能を備えていることが好ましい。機能層は、更に、他の機能を備えていてもよい。

基材１０を構成する絶縁樹脂フィルムは酸素や水分を含むことがあり、また、Ｃｒは自己酸化膜を形成することがある。そのため、特に金属層Ａ及びＢがＣｒを含む場合、金属層Ａの酸化を防止する機能を有する機能層を成膜することが好ましい。

このように、金属層Ａ及びＢの下層に機能層を設けることにより、金属層Ａ及びＢの結晶成長を促進可能となり、安定な結晶相からなる金属層Ａ及びＢを作製することができる。その結果、ひずみゲージ１において、ゲージ特性の安定性が向上する。又、機能層を構成する材料が金属層Ａ及びＢに拡散することにより、ひずみゲージ１において、ゲージ特性が向上する。

図４は、第１実施形態に係るひずみゲージを例示する断面図（その２）である。図４は、第１抵抗部３１及び電極５０の下地層として機能層２０ａを設け、第２抵抗部３２の下地層として機能層２０ｂを設けた場合のひずみゲージ１の断面形状を示している。

機能層２０ａの平面形状は、例えば第１抵抗部３１の平面形状と略同一にパターニングされてよい。また、機能層２０ｂの平面形状は、例えば第２抵抗部３２の平面形状と略同一にパターニングされてよい。しかしながら、機能層２０ａと第１抵抗部３１との平面形状、及び、機能層２０ｂと第２抵抗部３２との平面形状はそれぞれ略同一でなくてもよい。例えば、機能層２０ａが絶縁材料から形成される場合には、機能層２０ａを第１抵抗部３１の平面形状と異なる形状にパターニングしてもよい。この場合、機能層２０ａは例えば第１抵抗部３１が形成されている領域にベタ状に形成されてもよい。或いは、機能層２０ａは、基材１０の上面１０ａ全体にベタ状に形成されてもよい。機能層２０ｂと第２抵抗部３２の関係についても同様である。なお、機能層２０ａと２０ｂは、いずれか片方のみ設けられてもよい。

次に、フォトリソグラフィによって金属層Ａをパターニングすることで、図１に示す平面形状の第１抵抗部３１及び２つの電極５０を形成する。また、フォトリソグラフィによって金属層Ｂをパターニングすることで、図３に示す平面形状の第２抵抗部３２を形成する。

第１抵抗部３１、第２抵抗部３２、及びスルーホール３５を形成後、電極５０の間の抵抗体３０の抵抗値を測定し、必要に応じて１又は複数の抵抗調整用パターン３１２をレーザ等により切断し、抵抗体３０の抵抗値を所望の値に調整する。

抵抗体３０の抵抗値の調整が終了した後、基材１０の上面１０ａにカバー層を形成してもよい。カバー層は第１抵抗部３１を被覆するが、電極５０はカバー層から露出していてよい。例えば、基材１０の上面１０ａに、第１抵抗部３１を被覆し電極５０を露出するように、半硬化状態の熱硬化性の絶縁樹脂フィルムをラミネートして、その後に当該絶縁樹脂フィルムを加熱して硬化させることにより、カバー層を形成することができる。また、基材１０の下面１０ｂに、第２抵抗部３２を被覆するカバー層を形成してもよい。以上の工程により、ひずみゲージ１が完成する。

〈第１実施形態の変形例１〉
第１実施形態の変形例１では、抵抗調整部の位置及び形状が第１実施形態とは異なる例を示す。なお、第１実施形態の変形例１では、既に説明した実施形態と同一の構成部についての説明は省略する場合がある。

図５は、第１実施形態の変形例１に係るひずみゲージを例示する平面図である。なお、図５に示すひずみゲージ１Ａは、抵抗調整後のひずみゲージである。図５を参照すると、ひずみゲージ１Ａは、第１抵抗部３１が第１抵抗部３１Ａに置換された点、及び抵抗調整用スルーホール３６が設けられた点において、図１に示したひずみゲージ１と相違する。ひずみゲージ１Ａにおいて、第２抵抗部３２のパターンは、図３と同様である。抵抗調整用スルーホール３６は、第１抵抗部３１Ａ及び第２抵抗部３２の形成後に、抵抗調整のために開けられるスルーホールである。本変形例では、第１抵抗部３１Ａ及び第２抵抗部３２の形成後、位置等を調整しつつ抵抗調整用スルーホール３６を設ける点が図１に示すひずみゲージ１と異なる。

図５に示す、抵抗調整後のひずみゲージ１Ａでは、第１抵抗部３１Ａは、互いに離隔して配置された電気的に独立する複数のブロックを含み、第２抵抗部３２は、互いに離隔して配置された電気的に独立する複数のブロックを含む。そして、第１抵抗部３１Ａを構成するブロックの隣接するブロックの間は、抵抗調整用スルーホール３６及び抵抗調整用スルーホール３６を介して接続された第２抵抗部３２を構成するブロックによって直列に接続されている。なお、抵抗調整用スルーホール３６を介して接続された第２抵抗部３２のブロックの折り返しパターン３２３は、抵抗調整用スルーホール３６と並列に接続される。以下に詳説する。

ひずみゲージ１Ａにおいて、第１抵抗部３１ＡのブロックＡ１～Ａ４の各々には、隣接する２つの第１部分３１１と、それらのＸ＋側の端部同士を接続する折り返しパターン３１３が設けられている。また、隣接するブロックに属する対向する第１部分３１１同士を橋渡しするように、抵抗調整部として抵抗調整用スルーホール３６が設けられている。

図１に示すひずみゲージ１では、抵抗調整用パターン３１２は、各ブロックに属する第１部分３１１同士を橋渡しするように接続していた。これに対して、図５に示すひずみゲージ１Ａの抵抗調整用スルーホール３６は、ある第１部分３１１と、当該第１部分３１１に隣接する第１部分３１１であって、異なるブロック（すなわち、隣のブロック）に属している第１部分３１１と、を橋渡しするように接続している。また、抵抗調整用スルーホール３６は基材１０を貫通して基材１０の下面１０ｂまで達する。したがって、ある箇所で、第１部分３１１同士を橋渡しするように抵抗調整用スルーホール３６を形成すると、下面１０ｂにおいて、当該ある箇所と基材１０を挟んで丁度反対側に位置する箇所に抵抗調整用スルーホール３６が現れる。本実施形態では第１抵抗部３１Ａの第１部分３１１と、第２抵抗部３２の第２部分３２１とは平面視において重複しているから、下面１０ｂに生じた抵抗調整用スルーホール３６によって、下面１０ｂにおいても、隣接する第２部分３２１同士が、橋渡しされて接続される。図５の例では、第２部分３２１は図３と同じ形状をしているため、同じブロック内の第２部分３２１が橋渡しされることとなる。そして、抵抗調整用スルーホール３６によって、第１部分３１１と第２部分３２１も接続されることとなる。

このように、第１抵抗部３１Ａと第２抵抗部３２とを電気的に接続するスルーホールのうち少なくとも１つのスルーホールは抵抗調整用スルーホール３６であってもよい。抵抗調整用スルーホール３６は、当該抵抗調整用スルーホール３６を形成することで、第１抵抗部３１Ａ同士が隣接している部分を導通させるとともに、第２抵抗部３２同士が隣接している部分をも導通させるように設けられる。例えば、抵抗調整用スルーホール３６は、当該抵抗調整用スルーホール３６を形成することで、異なるブロックの第１抵抗部３１Ａ同士が隣接している部分を導通させるとともに、第２抵抗部３２同士が隣接している部分をも導通させるように設けられる。なお、図５の例では、同じブロックに属する第２抵抗部３２同士が抵抗調整用スルーホール３６によって導通させられていたが、抵抗調整用スルーホール３６は、異なるブロックに属する第２抵抗部３２同士を橋渡しして導通させてもよい。

また、図１に示すひずみゲージ１の抵抗調整用パターン３１２が基材１０の上面１０ａ側に形成された平面的な導体パターンであるのに対し、図５に示すひずみゲージ１Ａの抵抗調整用スルーホール３６は、前述のように第１部分３１１を橋渡しするとともに、基材１０を貫通している。

また、図１に示すひずみゲージ１では、第１抵抗部３１のブロックＡ１～Ａ４の全てが、スルーホール３５を介して、第２抵抗部３２のブロックＢ１～Ｂ５の何れかと接続されていた。これに対して、図５に示すひずみゲージ１Ａでは、ブロックＢ１の第２部分３２１のＸ－側の端部が、スルーホール３５を介して、ブロックＡ１のＹ＋側の第１部分３１１のＸ－側の端部と接続されている。また、ブロックＢ５の第２部分３２１のＸ－側の端部が、スルーホール３５を介して、ブロックＡ４のＹ－側の第１部分３１１のＸ－側の端部と接続されている。図５では、抵抗調整後のひずみゲージ１Ａを示しているが、抵抗調整前のひずみゲージ１Ａでは、図５の抵抗調整用スルーホール３６は形成されていない。抵抗調整前のひずみゲージ１Ａの第１抵抗部３１Ａと第２抵抗部３２は、前述した２つのスルーホール３５以外の箇所では接続されていない状態である。

つまり、抵抗調整用スルーホール３６を設けていない状態では、第１抵抗部３１Ａと第２抵抗部３２は、１対の電極５０間を繋ぐ１つの抵抗体３０を形成していない。

言い換えれば、第１抵抗部３１Ａに抵抗調整用スルーホール３６を設ければ、抵抗調整用スルーホール３６が、基材１０を貫通して第１抵抗部３１Ａと第２抵抗部３２を接続する。これにより、第１抵抗部３１Ａと第２抵抗部３２は、１対の電極５０間を繋ぐ１つの抵抗体３０を形成することができる。さらに、このように抵抗調整用スルーホール３６を設ける際に、各抵抗調整用スルーホール３６のＸ方向の位置を変えることで、抵抗体３０の抵抗値の調整が可能である。

抵抗調整用スルーホール３６は、第２抵抗部３２の折り返しパターン３２３よりも抵抗値が高いので、電流は、主に図６の矢印で示すルートで流れる。なお、隣接する第１部分３１１同士を橋渡しする抵抗調整用スルーホール３６を設ける代わりに、隣接する第１部分３１１の各々に、第１部分３１１と、第１部分３１１と平面視で重複する第２部分３２１とを接続するスルーホールを設けても図６と同じ電流ルートとなる。しかしこの場合、２つのスルーホールの形成が必要となる。隣接する第１部分３１１同士を橋渡しする抵抗調整用スルーホール３６を設けることで、スルーホールを形成する工程の簡略化が可能である。

抵抗調整用スルーホール３６は、ひずみゲージ１Ａの設計段階においてあらかじめ計算しておいた位置に設けることができる。または、抵抗調整用スルーホール３６は、ひずみゲージ１Ａの製造工程において、抵抗値を確認しながら位置を決めて設けることもできる。あるいは、これらの位置決めの方法を併用してもよい。このように、あらかじめ、及び／又は製造工程で決めた位置に抵抗調整用スルーホール３６を形成することで、所望の抵抗値を有するひずみゲージ１Ａが得られる。具体的には、抵抗調整用スルーホール３６のＸ方向の位置を変えることで、抵抗体３０の抵抗値を下げる調整が可能である。

また、ひずみゲージ１Ａにおいて、隣接するブロックに属する第１部分３１１同士を橋渡しする抵抗調整用スルーホール３６以外に、さらに、同じブロックに属する第１部分３１１同士を橋渡しするように抵抗調整用スルーホール３６を設けてもよい。これにより、より細やかな抵抗調整が可能になる。

抵抗調整用スルーホール３６は、ひずみゲージ１Ａにレーザ光を照射することで形成することができる。レーザ光の照射強度や照射時間を調整して基材１０に所定の孔径の貫通孔を形成することで、貫通孔に近接している第１部分３１１を構成する金属が、レーザ光の熱により溶融して、溶融した金属によって貫通孔の内壁が被覆される。このようにして、抵抗調整用スルーホール３６は形成される。この抵抗調整用スルーホール３６により、隣接する第１部分３１１間を導通させることができる。

抵抗調整用スルーホール３６を形成する他の方法として、以下の方法も挙げられる。すなわち、基材１０に対し、ある第１部分３１１から、当該ある第１部分３１１と隣接している第１部分３１１まで達する程度の孔径の貫通孔を形成してもよい。なお、この場合、レーザ光の照射強度や照射時間は、第１部分３１１を構成する金属を溶融させられる照射強度及び照射時間でなくてもよい。この場合は、貫通孔内に金属ペースト等を充填することで、隣接する第１部分３１１間を導通させることができる。この場合の貫通孔の形成には、レーザ光の照射に代えて、ドリル加工等の機械的な手法を採用してもよい。

なお、第１実施形態と第１実施形態の変形例１とは組み合わせることが可能である。例えば、図１に示すひずみゲージ１に、さらに抵抗調整用スルーホール３６を設けてもよい。あるいは、図５に示すひずみゲージ１Ａに抵抗調整用パターン３１２を設けてもよい。つまり、ひずみゲージは、抵抗調整部として、抵抗調整用パターン３１２と抵抗調整用スルーホール３６の両方を含んでもよい。

このように、抵抗調整用パターン３１２と抵抗調整用スルーホール３６の両方を設けることで、抵抗調整用パターン３１２を切断した場合は抵抗体３０の抵抗値を上げることができ、抵抗調整用スルーホール３６を形成した場合は、抵抗体３０の抵抗値を下げることができる。つまり、抵抗体３０の抵抗値を上げることも、下げることも可能である。すなわち、抵抗調整用パターン３１２と抵抗調整用スルーホール３６の両方を設けることで、抵抗体３０の抵抗値を任意に増減させることができるため、いずれか片方を設けた場合に比べ、抵抗体３０の抵抗値の調整幅をより広くすることができる。したがって、より高精度なひずみ検知が可能なひずみゲージを実現することができる。

〈第１実施形態の変形例２〉
第１実施形態の変形例２では、第２抵抗部の一部又は全部が抵抗調整用パターンとなる例を示す。なお、第１実施形態の変形例２では、既に説明した実施形態と同一の構成部についての説明は省略する場合がある。

図７は、第１実施形態の変形例２に係るひずみゲージを例示する平面図（その１）である。図８は、第１実施形態の変形例２に係るひずみゲージを例示する平面図（その２）であり、第２抵抗部のパターンを示すために、便宜上図７から第１抵抗部及び電極を除去した図である。

図７及び図８を参照すると、ひずみゲージ１Ｂは、第１抵抗部３１及び第２抵抗部３２が第１抵抗部３１Ｂ及び第２抵抗部３２Ｂに置換された点において、図１に示したひずみゲージ１と相違する。

ひずみゲージ１Ｂにおいて、第１抵抗部３１Ｂは、１本の連続するパターンである。また、第２抵抗部３２Ｂは、第１抵抗部３１Ｂとは異なるパターンの１本の連続するパターンである。ひずみゲージ１Ｂでは、第１抵抗部３１Ｂと第２抵抗部Ｂとがスルーホール３５で接続されて、第２抵抗部３２Ｂの一部又は全部が抵抗調整部となる。以下に詳説する。

ひずみゲージ１Ｂにおいて、第１抵抗部３１Ｂは、複数の細長状の第１部分３１１Ｂと、各々の第１部分３１１Ｂの端部を互い違いに接続する折り返しパターン３１３Ｂとを含む。各々の第１部分３１１Ｂは、長手方向をＸ方向に向けて所定間隔で並置されている。複数の第１部分３１１Ｂは、Ｘ方向の長さの異なる第１部分３１１Ｂを含んでもよい。また、隣接する第１部分３１１Ｂの間隔は、一定でなくてもよい。また、第２抵抗部３２Ｂは、複数の細長状の第２部分３２１Ｂと、各々の第２部分３２１Ｂの端部を互い違いに接続する折り返しパターン３２３Ｂとを含む。各々の第２部分３２１Ｂは、長手方向をＸ方向に向けて所定間隔で並置されている。複数の第２部分３２１Ｂは、Ｘ方向の長さの異なる第２部分３２１Ｂを含んでもよい。また、隣接する第２部分３２１Ｂの間隔は、一定でなくてもよい。

ひずみゲージ１Ｂにおいて、スルーホール３５を設ける前の状態では、第１抵抗部３１Ｂ及び第２抵抗部３２Ｂは各々が１本の連続したパターンであり、互いに電気的に未接続である。第１抵抗部３１Ｂと第２抵抗部３２Ｂは、平面視で部分的に交差する領域及び／又は部分的に重複する領域を備えている。

ひずみゲージ１Ｂでは、第１抵抗部３１Ｂと第２抵抗部３２Ｂが平面視で部分的に交差する領域及び／又は部分的に重複する領域の何れかの位置に２以上のスルーホール３５を設けることで、第１抵抗部３１Ｂと第２抵抗部３２Ｂとをスルーホール３５を介して電気的に接続することができる。スルーホール３５で第１抵抗部３１Ｂと接続された第２抵抗部３２Ｂは、第１抵抗部３１Ｂの第１部分３１１Ｂを橋渡しする。

このように、ひずみゲージ１Ｂでは、第１抵抗部３１Ｂと第２抵抗部３２Ｂが平面視で部分的に交差する領域及び／又は部分的に重複する領域に設けるスルーホール３５の位置及び個数により、抵抗体３０の抵抗値を調整することが可能である。すなわち、ひずみゲージ１Ｂでは、第２抵抗部３２Ｂの一部又は全部が抵抗調整用パターンとして機能する。

スルーホール３５は、ひずみゲージ１Ｂの設計段階においてあらかじめ計算しておいた位置に設けることができる。または、スルーホール３５は、ひずみゲージ１Ｂの製造工程において、抵抗値を確認しながら位置を決めて設けることもできる。あるいは、これらの位置決めの方法を併用してもよい。

なお、第１実施形態の変形例２と第１実施形態及び／又は第１実施形態の変形例１とは組み合わせることが可能である。例えば、図７において、隣接する第１部分３１１Ｂ同士を橋渡しするように抵抗調整用パターン３１２を設けてもよい。あるいは、図７において、隣接する第１部分３１１Ｂ同士を橋渡しするように抵抗調整用スルーホール３６を設けてもよい。あるいは、これらの両方を設けてもよい。

〈第１実施形態の変形例３〉
第１実施形態の変形例３では、第１抵抗部及び第２抵抗部が渦巻き状のパターンである例を示す。なお、第１実施形態の変形例３では、既に説明した実施形態と同一の構成部についての説明は省略する場合がある。

図９は、第１実施形態の変形例３に係るひずみゲージを例示する平面図（その１）である。図１０は、第１実施形態の変形例３に係るひずみゲージを例示する平面図（その２）であり、第２抵抗部のパターンを示すために、便宜上図９から第１抵抗部及び電極を除去した図である。

図９及び図１０を参照すると、ひずみゲージ１Ｃは、第１抵抗部３１及び第２抵抗部３２が第１抵抗部３１Ｃ及び第２抵抗部３２Ｃに置換された点において、図１に示したひずみゲージ１と相違する。

図９に示すように、ひずみゲージ１Ｃにおいて、第１抵抗部３１Ｃは、平面視において、渦巻き状にパターニングされている。第１抵抗部３１Ｃは、一対の電極５０の間を接続する１本の連続するパターンである。ここでは、便宜上、一方の電極５０から折り返しパターン３１３Ｃまでを第１部分３１１Ｃ、折り返しパターン３１３Ｃから他方の電極５０までを第２部分３１２Ｃと称する。なお、図９では、便宜上、第１部分３１１Ｃ、第２部分３１２Ｃ、及び折り返しパターン３１３Ｃを互いに異なる梨地模様で示している。

第１部分３１１Ｃは、一方の電極５０から延伸して時計回りに外周側から中心側に渦巻き状にパターニングされ、折り返しパターン３１３Ｃに至る。第２部分３１２Ｃは、折り返しパターン３１３Ｃから延伸して反時計回りに中心側から外周側に渦巻き状にパターニングされ、他方の電極５０に至る。

第１部分３１１Ｃと第２部分３１２Ｃは、原則として交互に配置される。すなわち、折り返しパターン３１３Ｃ近傍の一部分を除き、第１部分３１１Ｃの隣は必ず第２部分３１２Ｃであり、第２部分３１２Ｃの隣は必ず第１部分３１１Ｃである。折り返しパターン３１３Ｃ近傍の一部分を除き、第１部分３１１Ｃ同士、又は第２部分３１２Ｃ同士が隣接することはない。

図１０に示すように、ひずみゲージ１Ｃにおいて、第２抵抗部３２Ｃは、第１抵抗部３１Ｃと同一パターンであり、平面視で第１抵抗部３１Ｃと重複する位置に形成されている。第２抵抗部３２Ｃは、第３部分３２１Ｃと、第４部分３２２Ｃと、折り返しパターン３２３Ｃとを含む。第２抵抗部３２Ｃは、両方の端部近傍において、スルーホール３５を介して第１抵抗部３１Ｃと電気的に接続されている。

図１１は、ひずみゲージ１Ｃにおける抵抗値の調整について説明する図である。図１１に示すように、隣接する第１部分３１１Ｃと第２部分３１２Ｃとを橋渡しするように、１又は複数の抵抗調整部３１４Ｃを設けることができる。抵抗調整部３１４Ｃの位置及び個数は、必要な抵抗調整範囲を考慮して任意に設定することができる。図１１では、一例として、１１個の抵抗調整部３１４Ｃが設けられており、便宜上、１１個の抵抗調整部３１４Ｃに、折り返しパターン３１３Ｃに近い側から１～１１の数値を記載している。

抵抗調整部３１４Ｃは、例えば、基材１０を貫通する抵抗調整用スルーホールである。抵抗調整部３１４Ｃは、抵抗調整用スルーホールを構成する導体が隣接する第１部分３１１Ｃと第２部分３１２Ｃに達するような大きさに形成される。これにより、隣接する第１部分３１１Ｃと第２部分３１２Ｃとが導通すると共に、平面視で重複する位置にある第３部分３２１Ｃと第４部分３２２Ｃとも導通する。これにより、抵抗体３０の抵抗値を低くする方向に調整可能となる。

抵抗調整部３１４Ｃは、隣接する第１部分３１１Ｃと第２部分３１２Ｃとが導通するように、あらかじめ基材１０の上面１０ａ側に形成された平面的な抵抗調整用パターンであってもよい。この場合には、任意の抵抗調整用パターンをレーザ等で切断することで、抵抗体３０の抵抗値を高くする方向の調整が可能となる。

もちろん、抵抗調整部３１４Ｃとして、抵抗調整用スルーホールと抵抗調整用パターンの両方を設けてもよい。この構成により、抵抗調整用パターンの切断により、抵抗体３０の抵抗値を高くすることができる。また、抵抗調整用スルーホールの形成により、抵抗体３０の抵抗値を低くすることができる。抵抗体３０の抵抗値を任意で上下させることができるため、抵抗調整の自由度が向上する。したがって、高精度なひずみ検知が可能なひずみゲージを実現することができる。

抵抗調整部３１４Ｃは、あらかじめ設計的に計算された位置に設けることができる。抵抗調整部３１４Ｃが抵抗調整用スルーホールである場合、抵抗調整部３１４Ｃは、ひずみゲージ１Ｃの製造工程において、抵抗値を確認しながら位置を決めて設けてもよい。あるいは、これらを併用してもよい。

第１抵抗部３１Ｃや第２抵抗部３２Ｃのような渦巻き状のパターンは、中心から同心円状に引張と圧縮のひずみ分布が生じるような測定対象物に対して有効である。すなわち、第１抵抗部３１Ｃや第２抵抗部３２Ｃを渦巻き状のパターンとすることで、同心円全周のひずみを検知することができ、微小なひずみを効率よく検知することができる。

なお、第１抵抗部３１Ｃや第２抵抗部３２Ｃは角形渦巻き状には限定されず、円形渦巻き状であってもよい。あるいは、角形、円形以外の渦巻き状であってもよい。これらの場合も、上記と同様の効果を奏する。

以上、好ましい実施形態等について詳説した。しかしながら、本開示に係るひずみゲージは、上述した実施形態及び変形例等に限定されない。例えば、上述した実施形態等に係るひずみゲージについて、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、種々の変形及び置換を加えることができる。

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ ひずみゲージ、１０ 基材、１０ａ 上面、１０ｂ 下面、２０ａ，２０ｂ 機能層、３０ 抵抗体、３１，３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ 第１抵抗部、３２，３２Ｂ，３２Ｃ 第２抵抗部、３５ スルーホール、３６ 抵抗調整用スルーホール、５０ 電極、３１１，３１１Ｂ，３１１Ｃ 第１部分、３１２ 抵抗調整用パターン、３１２Ｃ，３２１，３２１Ｂ 第２部分、３１３，３１３Ｂ，３１３Ｃ，３２３，３２３Ｂ，３２３Ｃ 折り返しパターン、３１４Ｃ 抵抗調整部、３２１Ｃ 第３部分、３２２Ｃ 第４部分

Claims (9)

1. 絶縁層と、抵抗体と、を有し、
   前記抵抗体は、
   前記絶縁層の一方の面側に形成された第１抵抗部と、
   前記絶縁層の他方の面側に形成された第２抵抗部と、
   前記絶縁層を貫通し、前記第１抵抗部と前記第２抵抗部とを電気的に接続するスルーホールと、を含み、
   前記第１抵抗部と前記第２抵抗部は、前記スルーホールを介して接続されて１対の電極間を繋ぐ前記抵抗体を形成し、
   前記絶縁層の一方の面側に形成された抵抗調整用パターンを含む抵抗調整部が設けられ、
   前記第１抵抗部は、複数の細長状の第１部分を含み、
   各々の前記第１部分は、長手方向を同一方向に向けて所定間隔で並置されており、
   前記第１抵抗部は、互いに離隔して配置された電気的に独立する複数のブロックを含み、
   複数の前記ブロックの少なくとも１つは、複数の前記第１部分を含み、
   前記抵抗調整用パターンは、少なくとも１つの前記ブロックにおいて、複数の前記第１部分のうち隣接する前記第１部分を橋渡しして導通させるように設けられる、ひずみゲージ。
2. 前記抵抗調整用パターンは、複数個設けられる、請求項１に記載のひずみゲージ。
3. 前記抵抗調整用パターンは、前記第１抵抗部を構成するブロックそれぞれに複数個ずつ設けられている、請求項１又は２に記載のひずみゲージ。
4. 前記第１抵抗部は、互いに離隔して配置された電気的に独立する複数のブロックを含み、
   前記第２抵抗部は、互いに離隔して配置された電気的に独立する複数のブロックを含み、
   前記第１抵抗部を構成するブロックの隣接するブロックの間は、前記第２抵抗部を構成するブロックによって直列に接続されている、請求項１乃至３の何れか一項に記載のひずみゲージ。
5. 前記第２抵抗部は、複数の細長状の第２部分を含み、
   各々の前記第２部分は、長手方向を同一方向に向けて所定間隔で並置されており、
   前記スルーホールのうち少なくとも１つのスルーホールは抵抗調整用スルーホールであり、
   前記抵抗調整用スルーホールは、当該抵抗調整用スルーホールを形成することで、複数の前記第１部分のうち隣接する前記第１部分を導通させるとともに、複数の前記第２部分のうち隣接する前記第２部分をも導通させるように設けられる、請求項１乃至４の何れか一項に記載のひずみゲージ。
6. 前記第１抵抗部は、互いに離隔して配置された電気的に独立する複数のブロックを含み、
   前記第２抵抗部は、互いに離隔して配置された電気的に独立する複数のブロックを含み、
   前記抵抗調整用スルーホールは、当該抵抗調整用スルーホールを形成することで、異なるブロックの前記第１抵抗部同士が隣接している部分を導通させるように設けられる、請求項５に記載のひずみゲージ。
7. 前記第１抵抗部は、互いに離隔して配置された電気的に独立する複数のブロックを含み、
   前記第２抵抗部は、互いに離隔して配置された電気的に独立する複数のブロックを含み、
   前記第１抵抗部を構成するブロックの隣接するブロックの間は、前記抵抗調整用スルーホール及び前記抵抗調整用スルーホールを介して接続された前記第２抵抗部を構成するブロックによって直列に接続されている、請求項５または６に記載のひずみゲージ。
8. 絶縁層と、抵抗体と、を有し、
   前記抵抗体は、
   前記絶縁層の一方の面側に形成された第１抵抗部と、
   前記絶縁層の他方の面側に形成された第２抵抗部と、
   前記絶縁層を貫通し、前記第１抵抗部と前記第２抵抗部とを電気的に接続するスルーホールと、を含み、
   前記第１抵抗部と前記第２抵抗部は、前記スルーホールを介して接続されて１対の電極間を繋ぐ前記抵抗体を形成し、
   抵抗調整部が設けられ、
   前記第１抵抗部は、複数の細長状の第１部分を含み、
   各々の前記第１部分は、長手方向を同一方向に向けて所定間隔で並置されており、
   前記第１抵抗部は、複数の前記第１部分を含む１本の連続するパターンであり、
   前記第２抵抗部は、前記第１抵抗部とは異なるパターンの１本の連続するパターンであり、
   複数の前記第１部分のうち２以上の前記第１部分のそれぞれと前記第２抵抗部とが前記スルーホールで接続されて、前記第２抵抗部の一部又は全部が前記抵抗調整部となる、ひずみゲージ。
9. 前記抵抗体は、Ｃｒ、ＣｒＮ、及びＣｒ_２Ｎを含む膜から形成されている、請求項１乃至８の何れか一項に記載のひずみゲージ。