JP7729338B2 - 含フッ素エーテル化合物、含フッ素エーテル組成物、コーティング液、並びに物品及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、含フッ素エーテル化合物及びその製造方法、当該含フッ素エーテル化合物等の製造に適した新規化合物及びその製造方法、含フッ素エーテル組成物、コーティング液、並びに物品及びその製造方法に関する。

ペルフルオロポリエーテル鎖と加水分解性シリル基とを有する含フッ素エーテル化合物は、高い潤滑性、撥水撥油性等を示す表面層を基材の表面に形成できるため、表面処理剤に好適に用いられる。含フッ素エーテル化合物を含む表面処理剤は、表面層が指で繰り返し摩擦されても撥水撥油性が低下しにくい性能（耐摩擦性）及び拭き取りによって表面層に付着した指紋を容易に除去できる性能（指紋汚れ除去性）が長期間維持されることが求められる用途、例えば、タッチパネルの指で触れる面を構成する部材、メガネレンズ、ウェアラブル端末のディスプレイの表面処理剤として用いられる。

耐摩擦性及び指紋汚れ除去性に優れる表面層を基材の表面に形成できる含フッ素エーテル化合物としては、ペルフルオロポリエーテル鎖と加水分解性シリル基とを有する含フッ素エーテル化合物が提案されている（特許文献１）。

国際公開第２０１７／０２２４３７号

上記表面処理剤は、例えば、スマートフォン、タブレット端末等のディスプレイ面だけでなく、様々な材質の表面処理に適用可能なものが求められている。表面処理剤の耐久性のより一層の向上が求められている。

本発明は、耐久性に優れた表面層を形成できる含フッ素エーテル化合物、含フッ素エーテル組成物及びコーティング液、及び耐久性に優れた表面層を有する物品、ならびに含フッ素エーテル化合物の原料として有用な化合物の提供を目的とする。

本発明は、下記［１］～［１０］の構成を有する含フッ素エーテル化合物及びその製造方法、化合物及びその製造方法、含フッ素エーテル組成物、コーティング液、並びに物品及びその製造方法を提供する。
［１］ 下式（Ａ１）又は式（Ａ２）で表される含フッ素エーテル化合物。
｛Ｒ^ｆＯ－（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１－（Ｒ^１）_ｍ２－（ＣＨＦ）_ｍ３－Ｏ－（ＣＨＦ）_ｍ４｝_ｎ１－Ｑ^１（－Ｔ^１）_ｎ２ 式（Ａ１）
（Ｔ^２）_ｎ３－Ｑ^２－（ＣＨＦ）_ｍ５－Ｏ－（ＣＨＦ）_ｍ６－（Ｒ^２）_ｍ７－Ｏ－（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ８－（Ｒ^３）_ｍ９－（ＣＨＦ）_ｍ１０－Ｏ－（ＣＨＦ）_ｍ１１－Ｑ^３（－Ｔ^３）_ｎ４ 式（Ａ２）
ただし、
Ｒ^ｆは、炭素数１～２０のフルオロアルキル基であって、Ｒ^ｆが複数ある場合、複数あるＲ^ｆは互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２は、各々独立に炭素数１～６のフルオロアルキレン基であって、Ｒ^ｆ１又はＲ^ｆ２が複数ある場合、複数あるＲ^ｆ１又はＲ^ｆ２は各々互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、各々独立にフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であって、Ｒ^１が複数ある場合、当該Ｒ^１は互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｑ^１は、ｎ１＋ｎ２価の連結基であり、
Ｑ^２は、１＋ｎ３価の連結基であり、
Ｑ^３は、１＋ｎ４価の連結基であり、
Ｔ^１、Ｔ^２及びＴ^３は、各々独立に密着性基であって、Ｔ^１、Ｔ^２又はＴ^３が複数ある場合、複数あるＴ^１、Ｔ^２又はＴ^３は各々互いに同一であっても異なっていてもよく、
ｍ１及びｍ８は、各々独立に０～２１０の整数であって、ｍ１が複数ある場合、当該ｍ１は互いに同一であっても異なっていてもよく、
ｍ２、ｍ７及びｍ９は、各々独立に０又は１であって、ｍ２が複数ある場合、当該ｍ２は互いに同一であっても異なっていてもよく、
ｍ３及びｍ４は、各々独立に０又は１であって、ｍ３＋ｍ４は１又は２であり、（ＣＨＦ）_ｍ３－Ｏ－（ＣＨＦ）_ｍ４が複数ある場合、当該ｍ３及びｍ４の組み合わせは互いに同一であっても異なっていてもよく、
ｍ１＋ｍ２は１以上であり、
ｍ７＋ｍ８＋ｍ９は１以上であり、
ｍ５及びｍ６は、各々独立に０又は１であって、ｍ５＋ｍ６は１又は２であり、
ｍ１０及びｍ１１は、各々独立に０又は１であって、ｍ１０＋ｍ１１は１又は２であり、
ｎ１は１～１０の整数であり、
ｎ２、ｎ３及びｎ４は各々独立に１～２０の整数である。
［２］ 前記ｍ３、ｍ６又はｍ１０が１である、［１］の含フッ素エーテル化合物。
［３］ 前記ｍ４、ｍ５又はｍ１１が０である、［１］又は［２］の含フッ素エーテル化合物。
［４］ 下式（Ｂ１）又は式（Ｂ２）で表される化合物。
Ｒ^ｆＯ－（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１－（Ｒ^１）_ｍ２－ＣＨＯ 式（Ｂ１）
ＯＨＣ－（Ｒ^２）_ｍ７－Ｏ－（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ８－（Ｒ^３）_ｍ９－ＣＨＯ 式（Ｂ２）
ただし、
Ｒ^ｆは、炭素数１～２０のフルオロアルキル基であり、
Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２は、各々独立に炭素数１～６のフルオロアルキレン基であって、Ｒ^ｆ１又はＲ^ｆ２が複数ある場合、複数あるＲ^ｆ１又はＲ^ｆ２は各々互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、各々独立にフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であり、
ｍ１及びｍ８は、各々独立に０～２１０の整数であり、
ｍ２、ｍ７及びｍ９は、各々独立に０又は１である。
［５］ 下式（Ｂ１）又は式（Ｂ２）で表される化合物と、下式（Ｃ１）で表される化合物とを反応させることを含む、含フッ素エーテル化合物の製造方法。
Ｒ^ｆＯ－（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１－（Ｒ^１）_ｍ２－ＣＨＯ 式（Ｂ１）
ＯＨＣ－（Ｒ^２）_ｍ７－Ｏ－（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ８－（Ｒ^３）_ｍ９－ＣＨＯ 式（Ｂ２）
（ＣＨ_２＝ＣＨ－）_ｎ５－Ｑ^４（－ＯＨ）_ｎ６ 式（Ｃ１）
ただし、
Ｒ^ｆは、炭素数１～２０のフルオロアルキル基であり、
Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２は、各々独立に炭素数１～６のフルオロアルキレン基であって、Ｒ^ｆ１又はＲ^ｆ２が複数ある場合、複数あるＲ^ｆ１又はＲ^ｆ２は各々互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、各々独立にフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であり、
Ｑ^４は、ｎ５＋ｎ６価の連結基であり、
ｍ１及びｍ８は、各々独立に０～２１０の整数であり、
ｍ２、ｍ７及びｍ９は、各々独立に０又は１であり、
ｎ５は１～２０の整数であり、
ｎ６は１～１０の整数である。
［６］ 下式（Ｄ１）又は式（Ｄ２）で表される化合物を、ルイス酸化合物の存在下、水素化ケイ素化合物と反応させて、下式（Ｅ１）又は式（Ｅ２）で表される化合物を得て、
下式（Ｅ１）又は式（Ｅ２）で表される化合物から、Ｓｉ（Ｒ^１６）_３を脱離して、下式（Ｆ１）又は式（Ｆ２）で表される化合物を得て、
下式（Ｆ１）又は式（Ｆ２）で表される化合物を加熱する、
下式（Ｂ１）又は式（Ｂ２）で表される化合物の製造方法。
Ｒ^ｆＯ－（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１－（Ｒ^１）_ｍ２－Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^１１ 式（Ｄ１）
Ｒ^１１ＯＣ（＝Ｏ）－（Ｒ^２）_ｍ７－Ｏ－（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ８－（Ｒ^３）_ｍ９－Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^１１ 式（Ｄ２）
Ｒ^ｆＯ－（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１－（Ｒ^１）_ｍ２－ＣＨ（ＯＲ^１２）_２ 式（Ｅ１）
（Ｒ^１２Ｏ）_２ＣＨ－（Ｒ^２）_ｍ７－Ｏ－（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ８－（Ｒ^３）_ｍ９－ＣＨ（ＯＲ^１３）_２ 式（Ｅ２）
Ｒ^ｆＯ－（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１－（Ｒ^１）_ｍ２－ＣＨ（ＯＲ^１４）_２ 式（Ｆ１）
（Ｒ^１４Ｏ）_２ＣＨ－（Ｒ^２）_ｍ７－Ｏ－（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ８－（Ｒ^３）_ｍ９－ＣＨ（ＯＲ^１５）_２ 式（Ｆ２）
Ｒ^ｆＯ－（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１－（Ｒ^１）_ｍ２－ＣＨＯ 式（Ｂ１）
ＯＨＣ－（Ｒ^２）_ｍ７－Ｏ－（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ８－（Ｒ^３）_ｍ９－ＣＨＯ 式（Ｂ２）
ただし、
Ｒ^ｆは、炭素数１～２０のフルオロアルキル基であり、
Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２は、各々独立に炭素数１～６のフルオロアルキレン基であって、Ｒ^ｆ１又はＲ^ｆ２が複数ある場合、複数あるＲ^ｆ１又はＲ^ｆ２は各々互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、各々独立にフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であり、
Ｒ^１１は、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基であって、Ｒ^１１が複数ある場合、複数あるＲ^１１は互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ^１２及びＲ^１３は、各々独立にＳｉ（Ｒ^１６）_３又はＲ^１１であって、複数あるＲ^１２及びＲ^１３のうち各々少なくともひとつは、Ｓｉ（Ｒ^１６）_３であり、
Ｒ^１４及びＲ^１５は、各々独立に水素原子又はＲ^１１であって、複数あるＲ^１４及びＲ^１５のうち各々少なくともひとつは、水素原子であり、
Ｒ^１６は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基又はアルコキシ基であって、複数あるＲ^１６は互いに同一であっても異なっていてもよく、
ｍ１及びｍ８は、各々独立に０～２１０の整数であり、
ｍ２、ｍ７及びｍ９は、各々独立に０又は１である。
［７］ ［１］～［３］のいずれかの含フッ素エーテル化合物の１種以上と、他の含フッ素エーテル化合物とを含有する、含フッ素エーテル組成物。
［８］ ［１］～［３］のいずれかの含フッ素エーテル化合物又は［７］の含フッ素エーテル組成物と、
液状媒体と、を含有するコーティング液。
［９］ ［１］～［３］のいずれかの含フッ素エーテル化合物又は［７］の含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を有する、物品。
［１０］ ［１］～［３］のいずれかの含フッ素エーテル化合物、［７］の含フッ素エーテル組成物、又は［８］のコーティング液を用いて、ドライコーティング法又はウェットコーティング法により、表面層を形成する、物品の製造方法。

本発明により、耐久性に優れた表面層を形成できる含フッ素エーテル化合物、含フッ素エーテル組成物及びコーティング液、耐久性に優れた表面層を有する物品、ならびに含フッ素エーテル化合物の原料として有用な化合物が提供される。

本発明の物品の一例を示す模式断面図である。

本明細書において、式（Ａ１）で表される化合物を化合物（Ａ１）と記す。他の式で表される化合物等もこれらに準ずる。
本明細書における以下の用語の意味は、以下の通りである。
「反応性シリル基」とは、加水分解性シリル基及びシラノール基（Ｓｉ－ＯＨ）の総称である。「加水分解性シリル基」とは、加水分解反応してシラノール基を形成し得る基を意味する。
「表面層」とは、基材の表面に形成される層を意味する。
含フッ素エーテル化合物が、ポリフルオロポリエーテル鎖の鎖長が異なる複数の含フッ素エーテル化合物の混合物である場合、ポリフルオロポリエーテル鎖の「分子量」は、^１Ｈ－ＮＭＲ及び^１９Ｆ－ＮＭＲによってオキシフルオロアルキレン単位の数（平均値）を求めて算出される数平均分子量である。
含フッ素エーテル化合物が、ポリフルオロポリエーテル鎖の鎖長が単一の含フッ素エーテル化合物である場合、ポリフルオロポリエーテル鎖の「分子量」は、^１Ｈ－ＮＭＲ及び^１９Ｆ－ＮＭＲによってポリフルオロポリエーテル鎖の構造を決定して算出される分子量である。
数値範囲を示す「～」は、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。

［含フッ素エーテル化合物］
本発明の含フッ素エーテル化合物（以下、「本化合物」とも記す。）は、下式（Ａ１）又は式（Ａ２）で表される含フッ素エーテル化合物である。
｛Ｒ^ｆＯ－（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１－（Ｒ^１）_ｍ２－（ＣＨＦ）_ｍ３－Ｏ－（ＣＨＦ）_ｍ４｝_ｎ１－Ｑ^１（－Ｔ^１）_ｎ２ 式（Ａ１）
（Ｔ^２）_ｎ３－Ｑ^２－（ＣＨＦ）_ｍ５－Ｏ－（ＣＨＦ）_ｍ６－（Ｒ^２）_ｍ７－Ｏ－（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ８－（Ｒ^３）_ｍ９－（ＣＨＦ）_ｍ１０－Ｏ－（ＣＨＦ）_ｍ１１－Ｑ^３（－Ｔ^３）_ｎ４ 式（Ａ２）
ただし、
Ｒ^ｆは、炭素数１～２０のフルオロアルキル基であって、Ｒ^ｆが複数ある場合、複数あるＲ^ｆは互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２は、各々独立に炭素数１～６のフルオロアルキレン基であって、Ｒ^ｆ１又はＲ^ｆ２が複数ある場合、複数あるＲ^ｆ１又はＲ^ｆ２は各々互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、各々独立にフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であって、Ｒ^１が複数ある場合、当該Ｒ^１は互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｑ^１は、ｎ１＋ｎ２価の連結基であり、
Ｑ^２は、１＋ｎ３価の連結基であり、
Ｑ^３は、１＋ｎ４価の連結基であり、
Ｔ^１、Ｔ^２及びＴ^３は、各々独立に密着性基であって、Ｔ^１、Ｔ^２又はＴ^３が複数ある場合、複数あるＴ^１、Ｔ^２又はＴ^３は各々互いに同一であっても異なっていてもよく、
ｍ１及びｍ８は、各々独立に０～２１０の整数であって、ｍ１が複数ある場合、当該ｍ１は互いに同一であっても異なっていてもよく、
ｍ２、ｍ７及びｍ９は、各々独立に０又は１であって、ｍ２が複数ある場合、当該ｍ２は互いに同一であっても異なっていてもよく、
ｍ３及びｍ４は、各々独立に０又は１であって、ｍ３＋ｍ４は１又は２であり、（ＣＨＦ）_ｍ３－Ｏ－（ＣＨＦ）_ｍ４が複数ある場合、当該ｍ３及びｍ４の組み合わせは互いに同一であっても異なっていてもよく、
ｍ１＋ｍ２は１以上であり、
ｍ７＋ｍ８＋ｍ９は１以上であり、
ｍ５及びｍ６は、各々独立に０又は１であって、ｍ５＋ｍ６は１又は２であり、
ｍ１０及びｍ１１は、各々独立に０又は１であって、ｍ１０＋ｍ１１は１又は２であり、
ｎ１は１～１０の整数であり、
ｎ２、ｎ３及びｎ４は各々独立に１～２０の整数である。

上記本化合物は、ポリフルオロポリエーテル鎖［Ｒ^ｆＯ－（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１－（Ｒ^１）_ｍ２］又は［（Ｒ^２）_ｍ７－Ｏ－（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ８－（Ｒ^３）_ｍ９］と、密着性基［Ｔ］と、前記ポリフルオロポリエーテル鎖と前記密着性基とを連結する特定の連結部［－（ＣＨＦ）_ｐ１－Ｏ－（ＣＨＦ）_ｐ２－Ｑ^ｐ３］（ただし、ｐ１はｍ３、ｍ６又はｍ１０であり、ｐ２はｍ４、ｍ５又はｍ１１であり、ｐ３は１、２又は３である）を有する。
化合物（Ａ１）は、「ｎ１個の１価のポリフルオロポリエーテル鎖－連結基－密着性基」の構造を有する化合物であり、化合物（Ａ２）は、「密着性基－連結基－２価のポリフルオロポリエーテル鎖－連結基－密着性基」の構造を有する化合物である。

本化合物は、ポリフルオロポリエーテル鎖を有する。ポリフルオロポリエーテル鎖を有する本化合物は、表面層の指紋汚れ除去性に優れる。また、本化合物は、少なくとも片側の末端に２個以上の密着性基を有する。末端に２個以上の密着性基を有する本化合物は、基材と強固に化学結合するため、表面層の耐摩擦性に優れる。更に本化合物は、前記連結基において、ポリフルオロポリエーテル鎖と、連結基Ｑ^ｐ３との間に少なくとも１個の－Ｏ－ＣＨＦ－を有する。本発明者らは、当該置換基－Ｏ－ＣＨＦ－を連結基Ｑ^ｐ３に隣接するように配置することにより、本化合物の基材表面に対する耐久性に優れることを見出して、本発明を完成させた。当該置換基により耐久性が向上する作用については未解明な部分もあるが、－Ｏ－ＣＨＦ－の水素原子は、酸素原子及びフッ素原子の作用により、－Ｏ－ＣＨ_２－の水素原子と比較して正電荷を帯びているものと推定される。そして当該水素原子が、隣接する分子が有する－Ｏ－ＣＨＦ－のフッ素原子と水素結合を形成することで、ＦＣＨ…ＦＣＨ…ＦＣＨのような水素結合ネットワークを形成することで膜の密着性が向上し、高耐久性が得られるものと推定される。なお、「…」は水素結合を表す。また、置換基－Ｏ－ＣＨＦ－を連結基Ｑ^ｐ３に隣接するように配置することで、ポリフルオロポリエーテル鎖内に配置する場合と比較して、表面層形成後のポリフルオロポリエーテル鎖の柔軟性が維持される。そのため、水接触角の大きい表面層が得られるものと推定される。
このように、本化合物により形成された表面層は、水接触角が大きく指紋汚れ等の除去性に優れるとともに、耐摩擦性、耐薬品性、耐光性などの耐久性に優れるという特徴を有する。

Ｒ^ｆは、炭素数１～２０のフルオロアルキル基であることにより、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる。Ｒ^ｆのフルオロアルキル基の炭素数は、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、１～６が好ましく、１～４がより好ましく、１～３が特に好ましい。
Ｒ^ｆのフルオロアルキル基としては、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、ペルフルオロアルキル基が好ましい。Ｒ^ｆがペルフルオロアルキル基である化合物（Ａ１）は、末端がＣＦ_３－となる。末端がＣＦ_３－である化合物（Ａ１）によれば、低表面エネルギーの表面層を形成できるため、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる。
Ｒ^ｆのフルオロアルキル基としては、例えば、ＣＦ_３－、ＣＦ_３ＣＦ_２－、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２－、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、ＣＦ_３ＣＦ（ＣＦ_３）－が挙げられる。

（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１及び（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ８としては、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、下式（Ｒ^ｆ－１）で表される構造が好ましい。
（Ｒ^ｆ１１Ｏ）_ｋ１（Ｒ^ｆ１２Ｏ）_ｋ２（Ｒ^ｆ１３Ｏ）_ｋ３（Ｒ^ｆ１４Ｏ）_ｋ４（Ｒ^ｆ１５Ｏ）_ｋ５（Ｒ^ｆ１６Ｏ）_ｋ６ 式（Ｒ^ｆ－１）
ただし、
Ｒ^ｆ１１は、炭素数１のフルオロアルキレン基であり、
Ｒ^ｆ１２は、炭素数２のフルオロアルキレン基であり、
Ｒ^ｆ１３は、炭素数３のフルオロアルキレン基であり、
Ｒ^ｆ１４は、炭素数４のフルオロアルキレン基であり、
Ｒ^ｆ１５は、炭素数５のフルオロアルキレン基であり、
Ｒ^ｆ１６は、炭素数６のフルオロアルキレン基であり、
ｋ１、ｋ２、ｋ３、ｋ４、ｋ５、ｋ６は、それぞれ独立に０又は１以上の整数を表し、ｋ１＋ｋ２＋ｋ３＋ｋ４＋ｋ５＋ｋ６は０～２１０の整数であり、Ｒ^ｆ１１～Ｒ^ｆ１６が複数ある場合、当該複数あるＲ^ｆ１１～Ｒ^ｆ１６は各々互いに同一であっても異なっていてもよい。
なお、式（Ｒ^ｆ－１）における（Ｒ^ｆ１１Ｏ）～（Ｒ^ｆ１６Ｏ）の結合順序は任意である。式（Ｒ－１）のｋ１～ｋ６は、それぞれ、（Ｒ^ｆ１１Ｏ）～（Ｒ^ｆ１６Ｏ）の個数を表すものであり、配置を表すものではない。例えば、（Ｒ^ｆ１５Ｏ）_ｋ５は、（Ｒ^ｆ１５Ｏ）の数がｋ５個であることを表し、（Ｒ^ｆ５Ｏ）_ｋ５のブロック配置構造を表すものではない。同様に、（Ｒ^ｆ１１Ｏ）～（Ｒ^ｆ１６Ｏ）の記載順は、それぞれの単位の結合順序を表すものではない。

また、炭素数３～６のフルオロアルキレン基は、直鎖フルオロアルキレン基であってもよく、分岐、又は環構造を有するフルオロアルキレン基であってもよい。
Ｒ^ｆ１１の具体例としては、ＣＨＦ、ＣＦ_２が挙げられる。Ｒ^ｆ１２の具体例としては、ＣＦ_２ＣＦ_２、ＣＦ_２ＣＨＦ、ＣＦ_２ＣＨ_２などが挙げられる。Ｒ^ｆ１３の具体例としては、ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２、ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨＦ、ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２、ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２、ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＦ_２、ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２などが挙げられる。Ｒ^ｆ１４の具体例としては、ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２、ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２、ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２、ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２、ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２、ペルフルオロシクロブタン－１，２－ジイル基などが挙げられる。Ｒ^ｆ１５の具体例としては、ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２、ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２、ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２、ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２などが挙げられる。Ｒ^ｆ１６の具体例としては、ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２、ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２、ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨＦなどが挙げられる。

（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１及び（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ８は、少なくともその一部に下記の構造を有するものが好ましい。
｛（ＯＣＦ_２）_ｋ１１（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ１２｝、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ１３、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ１４、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２－ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ１５、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ１６（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ１７、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ１６（ＯＣＦ_２）_ｋ１７、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ１６（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ１７、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ１６（ＯＣＦ_２）_ｋ１７、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ１６（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ１７、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－ＯＣＦ_２）_ｋ１８、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ１８、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－ＯＣＦ_２）_ｋ１８、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ１８、
（ＯＣＦ_２－ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ１８、
（ＯＣＦ_２－ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ１８、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２－ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ１８、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２－ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ１８、
（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）_ｋ１９
（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））_ｋ２０（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ２１（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ２２。
ただし、ｋ１１、ｋ１２、ｋ１３、ｋ１４、ｋ１５、ｋ１６、ｋ１７、ｋ１８、ｋ１９、ｋ２０、ｋ２１及びｋ２２は、１以上の整数であり、上限値はｍ１又はｍ８の上限値に合わせて調整される。
なお、｛（ＯＣＦ_２）_ｋ１１（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ１２｝は、ｋ１１個の（ＯＣＦ_２）と、ｋ１２個の（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）がランダムに配置されていることを表す。

ｍ１及びｍ８は各々独立に０～２１０である。ｍ１が０のとき、（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１は単結合を表す。また、ｍ８が０とき（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ８は単結合を表す。ｍ１及びｍ８は、得られる表面層の撥水性などの点から１～２１０が好ましく、２～２１０がより好ましい。

（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１及び（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ８はとしては、耐薬品性、低屈折率性などの含フッ素エーテル化合物の諸特性の点から、下記数式（１）で表されるフッ素化率が６０％以上であることが好ましく、８０％以上がより好ましく、実質的に１００％、即ちパーフルオロポリエーテルであることが更に好ましい。
数式（１）：フッ素化率（％）＝（フッ素原子の数）／｛（フッ素原子の数）＋（水素原子の数）｝×１００

Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、各々独立にフッ素原子を有していてもよいアルキレン基である。Ｒ^１～Ｒ^３は、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点からフルオロアルキレン基が好ましい。Ｒ^１～Ｒ^３のアルキレン基は、直鎖フルオロアルキレン基が好ましい。またＲ^１～Ｒ^３のアルキレン基の炭素数は１～６が好ましい。

ｍ２、ｍ７及びｍ９は各々独立に０又は１である。ｍ２が０のとき、（Ｒ^１）_ｍ２は単結合を表す。ｍ７が０とき（Ｒ^２）_ｍ７は単結合を表す。またｍ９が０とき（Ｒ^３）_ｍ９は単結合を表す。本化合物の合成の容易性などの点からは、ｍ２、ｍ７及びｍ９は１が好ましい。

本化合物は、ポリフルオロポリエーテル鎖と、密着性基Ｔとを連結する連結部［－（ＣＨＦ）_ｐ１－Ｏ－（ＣＨＦ）_ｐ２－Ｑ^ｐ３］（ただし、ｐ１はｍ３、ｍ６又はｍ１０であり、ｐ２はｍ４、ｍ５又はｍ１１であり、ｐ３は１、２又は３である）を有する。ｐ１＋ｐ２が１又は２であることにより、前述の水素結合ネットワークが形成され得る。得られる表面層の撥水性及び耐久性の点からは、ｐ１（ｍ３、ｍ６又はｍ１０）が１であることが好ましい。また本化合物の合成の容易性などの点からは、ｐ２（ｍ４、ｍ５又はｍ１１）が０であることが好ましい。

Ｑ^１はｎ１＋ｎ２価の連結基であり、ｎ１個のポリフルオロポリエーテル鎖にｎ２個の密着性基を連結する。Ｑ^２は１＋ｎ３価の連結基であり、Ｑ^３は１＋ｎ４価の連結基であり、ポリフルオロポリエーテル鎖の一端にｎ３個の密着性基、他端にｎ４個の密着性基を連結する。Ｑ^１、Ｑ^２及びＱ^３（これらをまとめてＱ^ｐ３とすることがある）が２価の連結基の場合、当該Ｑ^ｐ３としては単結合、又は直鎖状の連結基が挙げられる。直鎖状の連結基としては、置換基を有していてもよいアルキレン基が挙げられる。Ｑ^ｐ３におけるアルキレン基としては、炭素数１～６のアルキレン基が好ましい。また当該アルキレン基が有していてもよい置換基としては、フッ素原子、アルキル基などが挙げられる。
Ｑ^ｐ３が３価以上の連結基の場合、当該連結基は分岐点Ｐを有する基である。分岐点Ｐとしては、Ｃ、Ｎ、Ｓｉ、環構造、オルガノポリシロキサン残基などが挙げられる。

分岐点を構成する環構造としては、本化合物を製造しやすい点、及び本化合物により形成された表面層の耐久性などの点から、３～８員環の脂肪族環、３～８員環の芳香族環、３～８員環のヘテロ環、及びこれらの環のうちの２つ以上からなる縮合環からなる群から選ばれる１種が好ましく、下式に挙げられる環構造が特に好ましい。なお、環構造は、ハロゲン原子、アルキル基（炭素－炭素原子間にエーテル性酸素原子を含んでいてもよい。）、シクロアルキル基、アルケニル基、アリル基、アルコキシ基、オキソ基（＝Ｏ）等の置換基を有してもよい。

分岐点を構成するオルガノポリシロキサン残基としては、例えば、下記の基が挙げられる。ただし、下式におけるＲ^５は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はフェニル基である。Ｒ^５のアルキル基及びアルコキシ基の炭素数は、１～１０が好ましく、１が特に好ましい。

Ｑ^ｐ３は、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｏ－、－ＮＲ^６－、－Ｓ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＨＣ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＨＣ（Ｏ）ＮＲ^６－、－ＳＯ_２ＮＲ^６－、－Ｓｉ（Ｒ^６）_２－、－ＯＳｉ（Ｒ^６）_２－、－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－Ｐｈ－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－及び２価のオルガノポリシロキサン残基からなる群から選ばれる少なくとも１種の結合Ｂを有していてもよく、本化合物を製造しやすい点から、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６－及び－Ｏ－からなる群から選ばれる少なくとも１種の結合が好ましく、表面層の耐光性及び耐薬品性に優れる点から、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－又は－Ｃ（Ｏ）－がより好ましい。上記結合においてＲ^６は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基又はフェニル基であり、Ｐｈは、フェニレン基である。Ｒ^６のアルキル基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点から、１～３が好ましく、１～２が特に好ましい。

２価のオルガノポリシロキサン残基としては、例えば、下式の基が挙げられる。ただし、下式におけるＲ^７は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はフェニル基である。
Ｒ^７のアルキル基及びアルコキシ基の炭素数は、１～１０が好ましく、１が特に好ましい。

Ｑ^ｐ３はとしては、２個以上の２価の炭化水素基と１個以上の分岐点Ｐとの組み合わせ、又は２個以上の炭化水素基と１個以上の分岐点Ｐと１個以上の結合Ｂとの組み合わせが挙げられる。
２価の炭化水素基としては、例えば、２価の脂肪族炭化水素基（アルキレン基、シクロアルキレン基等）、２価の芳香族炭化水素基（フェニレン基等）が挙げられる。２価の炭化水素基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～６がより好ましく、１～４が特に好ましい。

前記Ｑ^ｐ３としては、本化合物を製造しやすい点から、下式（Ｑ１）～（Ｑ７）のいずれかで表される基が好ましい。

（－Ａ^１－）_ｅ１Ｃ（Ｒ^２２）_{４－ｅ１－ｅ２}（－Ｑ^２２－）_ｅ２ 式（Ｑ２）
－Ａ^２－Ｎ（－Ｑ^２３－）_２ 式（Ｑ３）
（－Ａ^３－）_ｈ１Ｚ^１（－Ｑ^２４－）_ｈ２ 式（Ｑ４）
（－Ａ^２－）_ｉ１Ｓｉ（Ｒ^２３）_{４－ｉ１－ｉ２}（－Ｑ^２５－）_ｉ２ 式（Ｑ５）
－Ａ^１－Ｑ^２６－ 式（Ｑ６）
－Ａ^１－ＣＨ（－Ｑ^２２－）－Ｓｉ（Ｒ^２３）_３－ｉ３（－Ｑ^２５－）_ｉ３ 式（Ｑ７）

ただし、式（Ｑ１）～式（Ｑ７）においては、Ａ^１、Ａ^２又はＡ^３側がポリフルオロポリエーテル鎖側と接続し、Ｑ^２２、Ｑ^２３、Ｑ^２４、Ｑ^２５又はＱ^２６側が密着性基Ｔ^１、Ｔ^２又はＴ^３に接続し、
Ａ^１は、単結合、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^２６－又は－Ｏ－を有する基であり、
Ａ^２は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^２６－又は－Ｏ－を有する基であり、
Ａ^３は、Ａ^３が結合するＺ^１における原子が炭素原子の場合、Ａ^１であり、Ａ^３が結合するＺ^１における原子が窒素原子の場合、Ａ^２であり、
Ｑ^１１は、単結合、－Ｏ－、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^２６－又は－Ｏ－を有する基であり、
Ｑ^２２は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^２６－又は－Ｏ－を有する基、アルキレン基の密着性基Ｔに接続しない側の末端に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^２６－又は－Ｏ－を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^２６－又は－Ｏ－を有しかつ密着性基Ｔに接続しない側の末端に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^２６－又は－Ｏ－を有する基であり、Ｑ^ｐ３がＱ^２２を２以上有する場合、２以上のＱ^２２は互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｑ^２３は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^２６－又は－Ｏ－を有する基であり、２個のＱ^２３は互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｑ^２４は、Ｑ^２４が結合するＺ^１における原子が炭素原子の場合、Ｑ^２２であり、Ｑ^２４が結合するＺ^１における原子が窒素原子の場合、Ｑ^２３であり、Ｑ^ｐ３がＱ^２４を２以上有する場合、２以上のＱ^２４は互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｑ^２５は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^２６－又は－Ｏ－を有する基であり、Ｑ^ｐ３がＱ^２５を２以上有する場合、２以上のＱ^２５は互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｑ^２６は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^２６－又は－Ｏ－を有する基であり、
Ｚ^１は、Ａ^３が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有しかつＱ^２４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有する（ｈ１＋ｈ２）価の環構造を有する基であり、
Ｒ^２１は、水素原子又はアルキル基であり、Ｑ^ｐ３がＲ^２１を２以上有する場合、２以上のＲ^２１は互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ^２２は、水素原子、水酸基、アルキル基又はアシルオキシ基であり、Ｑ^ｐ３がＲ^２２を２以上有する場合、２以上のＲ^２２は互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ^２３は、アルキル基であり、Ｑ^ｐ３がＲ^２３を２以上有する場合、２以上のＲ^２３は互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ^２６は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基又はフェニル基であり、
ｄ１は、０～３の整数であり、ｄ２は、０～３の整数であり、ｄ１＋ｄ２は、１～３の整数であり、
ｄ３は、０～３の整数であり、ｄ４は、０～３の整数であり、ｄ３＋ｄ４は、１～３の整数であり、
ｄ１＋ｄ３は、Ｑ^１においては１～５の整数であり、Ｑ^２及びＱ^３においては１であり、
ｄ２＋ｄ４は、１～５の整数であり
ｅ１は、Ｑ^１においては１～３の整数であり、Ｑ^２及びＱ^３においては１であり、
ｅ２は、１～３の整数であり、
ｅ１＋ｅ２は、２～４の整数であり、
ｈ１は、Ｑ^１においては１以上の整数であり、Ｑ^２及びＱ^３においては１であり、
ｈ２は、１以上の整数であり、
ｉ１は、Ｑ^１においては１～３の整数であり、Ｑ^２及びＱ^３においては１であり、
ｉ２は、１～３の整数であり、
ｉ１＋ｉ２は、２～４の整数であり、
ｉ３は、１～３の整数である。

Ｑ^１１、Ｑ^２２、Ｑ^２３、Ｑ^２４、Ｑ^２５又はＱ^２６のアルキレン基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性、耐光性及び耐薬品性がさらに優れる点から、１～１０が好ましく、１～６がより好ましく、１～４が特に好ましい。ただし、炭素－炭素原子間に特定の結合を有する場合のアルキレン基の炭素数の下限値は２である。

Ｚ^１における環構造としては、上述した環構造が挙げられ、好ましい形態も同様である。

Ｒ^２１、Ｒ^２２又はＲ^２３のアルキル基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
Ｒ^２２のアシルオキシ基のアルキル基部分の炭素数は、本化合物を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
ｈ１＋ｈ２は、本化合物を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、２～６が好ましく、２～４がより好ましく、２又は３が特に好ましい。

前記Ｑ^ｐ３の他の形態としては、下式（Ｑ１１）～（Ｑ１７）のいずれかで表される基が挙げられる。

（－Ａ^１－）_ｅ１Ｃ（Ｒ^２２）_{４－ｅ１－ｅ２}（－Ｑ^２２－Ｇ）_ｅ２ 式（Ｑ１２）
－Ａ^２－Ｎ（－Ｑ^２３－Ｇ）_２ 式（Ｑ１３）
（－Ａ^３－）_ｈ１Ｚ^１（－Ｑ^２４－Ｇ）_ｈ２ 式（Ｑ１４）
（－Ａ^２－）_ｉ１Ｓｉ（Ｒ^２３）_{４－ｉ１－ｉ２}（－Ｑ^２５－Ｇ）_ｉ２ 式（Ｑ１５）
－Ａ^１－Ｑ^２６－Ｇ 式（Ｑ１６）
－Ａ^１－ＣＨ（－Ｑ^２２－）－Ｓｉ（Ｒ^２３）_３－ｉ３（－Ｑ^２５－Ｇ）_ｉ３ 式（Ｑ１７）

ただし、式（Ｑ１１）～式（Ｑ１７）においては、Ａ^１、Ａ^２又はＡ^３側がポリフルオロポリエーテル鎖側と接続し、Ｇ側が密着性基Ｔ^１、Ｔ^２又はＴ^３に接続する。Ｇは、下式（Ｇ１）で表される基であり、Ｑ^ｐ３が有する２以上のＧは互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｇ以外の符号は、式（Ｑ１）～式（Ｑ７）における符号と同じである。
－Ｓｉ（Ｒ^２７）_３－ｊ１（－Ｑ^２７－）_ｊ１ 式（Ｇ１）
ただし、式（Ｇ１）において、Ｓｉ側がＱ^２２、Ｑ^２３、Ｑ^２４、Ｑ^２５又はＱ^２６に接続し、Ｑ^２７側が密着性基Ｔに接続する。Ｒ^２７は、アルキル基である。Ｑ^２７は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２８－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^２８－又は－Ｏ－を有する基、又は－（ＯＳｉ（Ｒ^２９）_２）_ｊ２－Ｏ－であり、２以上のＱ^２７は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｊ１は、２又は３である。Ｒ^２８は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基又はフェニル基である。
Ｒ^２９は、アルキル基、フェニル基又はアルコキシ基であり、２個のＲ^２９は同一であっても異なっていてもよい。ｊ２は、０～５の整数であり、ｊ２が２以上の場合、２以上の（ＯＳｉ（Ｒ^２９）_２）は互いに同一であっても異なっていてもよい。

Ｑ^２７のアルキレン基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性、耐光性及び耐薬品性がさらに優れる点から、１～１０が好ましく、１～６がより好ましく、１～４が特に好ましい。ただし、炭素－炭素原子間に特定の結合を有する場合のアルキレン基の炭素数の下限値は２である。
Ｒ^２８のアルキル基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
Ｒ^２９のアルキル基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
ｊ２は、０又は１が好ましい。

Ｔ^１、Ｔ^２及びＴ^３（これらをまとめてＴとすることがある）は、表面層形成時において基材面側に配置されて基材との密着性を示す基である。Ｔは基材表面等と化学結合を形成するものであってもよく、基材表面に化学吸着又は物理吸着するものであってもよい。
耐久性の点からは、Ｔは基材表面と化学結合するものが好ましい。

密着性基Ｔとしては、臭素原子、ヨウ素原子、水酸基、アミノ基、カルボキシ基、アルデヒド基、エポキシ基、チオール基、リン酸基、ホスホン酸基、不飽和炭化水素基、アリール基、反応性シリル基などが挙げられ、適用する基材の材質に応じて適宜選択することが好ましい。
密着性基Ｔにおけるアミノ基としては、－ＮＲ^３２Ｒ^３３ （Ｒ^３２、Ｒ^３３は各々独立に水素原子又はアルキル基）が挙げられ、表面層の耐久性の点から、中でも－ＮＨ_２が好ましい。
密着性基Ｔにおけるリン酸基としては、－ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＲ^３４）_２ （Ｒ^３４は水素原子又はアルキル基であって複数あるＲ^３４は互いに同一であっても異なっていてもよい）が挙げられ、表面層の耐久性の点から、中でも－ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２が好ましい。
密着性基Ｔにおけるホスホン酸基としては、－Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ^３５）_２ （Ｒ^３５は上記Ｒ^３４と同様である）が挙げられ、表面層の耐久性の点から、中でも－Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２が好ましい。
密着性基Ｔにおける不飽和炭化水素基としては、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基などが挙げられる。
密着性基Ｔにおけるアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基などが挙げられる。
また、密着性基Ｔにおける反応性シリル基としては、－Ｓｉ（Ｒ^３１）_３－ｃ（Ｌ^３１）_ｃで表される基が挙げられる。
Ｌ^３１は、加水分解性基又は水酸基であり、反応性シリル基は、加水分解性基及び水酸基の少なくともひとつがケイ素原子に結合した基である。
加水分解性基は、加水分解反応によって水酸基となる基である。すなわち、加水分解性シリル基は、加水分解反応によってシラノール基（Ｓｉ－ＯＨ）となる。シラノール基は、さらに分子間で脱水縮合反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成する。また、シラノール基は、基材の表面の水酸基（基材－ＯＨ）と脱水縮合反応して、化学結合（基材－Ｏ－Ｓｉ）を形成する。
加水分解性基としては、例えば、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イソシアナート基が挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数１～６のアルコキシ基が好ましい。アリールオキシ基としては、炭素数３～１０のアリールオキシ基が好ましい。ハロゲン原子としては、塩素原子が好ましい。アシル基としては、炭素数１～６のアシル基が好ましい。アシルオキシ基としては、炭素数１～６のアシルオキシ基が好ましい。Ｌ^３１としては、中でも、炭素数１～４のアルコキシ基又はハロゲン原子が好ましい。
加水分解性基としては、本化合物を製造しやすい点から、アルコキシ基又はハロゲン原子が好ましい。加水分解性基としては、塗布時のアウトガスが少なく、本化合物の保存安定性に優れる点から、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましく、本化合物の長期の保存安定性が必要な場合にはエトキシ基が特に好ましく、コーティング後の反応時間を短時間とする場合にはメトキシ基が特に好ましい。
Ｒ^３１のアルキル基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
ｃは、表面層と基材との密着性がより強固になる点から、２又は３が好ましく、３がより好ましい。

密着性基Ｔと、基材と材質との好適な組み合わせを「密着性基Ｔ－基材」の形式で例示する。
臭素原子－窒化シリコン、水素終端化窒化シリコン、
ヨウ素原子－水素終端化ダイヤモンド、
水酸基－水素終端化シリコン、ハロゲン化シリコン、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、
アミノ基－酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、マイカ、
カルボキシ基－Ａｌ_２Ｏ_３、酸化銀（ＡｇＯ）、酸化銅（ＣｕＯ）、ジルコニウム修飾酸化アルミニウム（Ｚｒ／Ａｌ_２Ｏ_３）、アミン末端酸化物（NH₂-terminated oxide）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、
アルデヒド基、エポキシ基－水素終端化シリコン、ハロゲン化シリコン、
チオール基－金（Ａｕ）、
リン酸基、ホスホン酸基－酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、Ａｌ_２Ｏ_３、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、Ｚｒ／Ａｌ_２Ｏ_３、
不飽和炭化水素基－水素終端化ダイヤモンド、水素終端化シリコン、ハロゲン化シリコン、窒化シリコン、水素終端化窒化シリコン、ポリイミド（ＰＩ）、アクリル、
アリール基－Ａｌ_２Ｏ_３、ＤＬＣ、
反応性シリル基－ガラス、Ａｕ、マイカ、ＳｉＯ_２、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ_２）、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＩＴＯ、ステンレス（ＳＵＳ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）。
ただしこれらの組み合わせに限定されるものではなく、本化合物は種々の基材と組み合わせて用いることができる。

本化合物の具体例として、下式の化合物が挙げられる。下式の化合物は、工業的に製造しやすく、取扱いやすく、表面層の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、耐薬品性、耐光性及び耐薬品性がさらに優れ、中でも耐薬品性が特に優れる点から好ましい。

ｎ１１～ｎ３３は０～２１０の整数である。

（本化合物の製造方法）
本化合物の製造方法は下記の方法に限定されるわけではないが、下記の製造方法によれば、本化合物を高収率で得ることができる。即ち本発明に係る含フッ素エーテル化合物の製造方法（以下、本製造方法ともいう）は、下式（Ｂ１）又は式（Ｂ２）で表される化合物と、下式（Ｃ１）で表される化合物とを反応させることを含む、式（Ａ１）又は式（Ａ２）で表される含フッ素エーテル化合物の製造方法である。
Ｒ^ｆＯ－（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１－（Ｒ^１）_ｍ２－ＣＨＯ 式（Ｂ１）
ＯＨＣ－（Ｒ^２）_ｍ７－Ｏ－（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ８－（Ｒ^３）_ｍ９－ＣＨＯ 式（Ｂ２）
（ＣＨ_２＝ＣＨ－）_ｎ５－Ｑ^４（－ＯＨ）_ｎ６ 式（Ｃ１）
ただし、Ｒ^ｆ、Ｒ^ｆ１、Ｒ^ｆ２、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、ｍ１、ｍ２、ｍ７、ｍ８、ｍ９は、前記化合物（Ａ１）及び化合物（Ａ２）におけるものと同様であり、好ましい態様も同様である。
Ｑ^４は、ｎ５＋ｎ６価の連結基であり、
ｎ５は１～２０の整数であり、
ｎ６は１～１０の整数である。

Ｑ^４は、化合物（Ａ１）におけるＱ^１、又は化合物（Ａ２）におけるＱ^２若しくはＱ^３となる部分であり、好ましい態様は、前記Ｑ^ｐ３と同様である。
ｎ５は、化合物（Ａ１）におけるｎ２、又は化合物（Ａ２）におけるｎ３若しくはｎ４となる部分であり、好ましい態様も同様である。
ｎ６は、化合物（Ａ１）におけるｎ１となる部分であり、好ましい態様も同様である。
なお、化合物（Ｂ２）と化合物（Ｃ１）とを反応させる場合、ｎ６が１の化合物を選択する。
化合物（Ｃ１）におけるＣＨ_２＝ＣＨ－は、化合物（Ａ１）及び化合物（Ａ２）における密着性基Ｔに相当する。また、必要に応じて別の密着性基を有する化合物と反応させて、別の密着性基を導入してもよい。

例えば、化合物（Ｂ１）と、ｎ６が１の化合物（Ｃ１）を反応させると、Ｒ^ｆＯ－（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１－（Ｒ^１）_ｍ２－ＣＨ（ＯＨ）－Ｏ－Ｑ^４－（ＣＨ＝ＣＨ_２）_ｎ５が得られる。当該化合物にフッ素化剤を用いてフッ素化することにより、Ｒ^ｆＯ－（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１－（Ｒ^１）_ｍ２－ＣＨＦ－Ｏ－Ｑ^４－（ＣＨ＝ＣＨ_２）_ｎ５が得られる。

フッ素化剤としては、例えば、ビス（２－メトキシエチル）アミノ硫黄＝トリフルオリド、三フッ化ジエチルアミノ硫黄、ペルフルオロ－１－ブタンスルホニルフルオリド、１，１，２，２－テトラフルオロ－Ｎ，Ｎ－ジメチルエチルアミン、（ジエチルアミノ）ジフルオロスルフォニウム テトラフルオロボレート、４－ｔｅｒｔ－ブチル－２，６－ジメチルフェニルサルファートリフルオリド、２－クロロ－１，３－ビス（２，６－ジイソプロピルフェニル）－１Ｈ－イミダゾリウムクロリド－フッ化セシウム、ピリジン－２－スルホニルフルオリドなどが挙げられる。

－（ＣＨ＝ＣＨ_２）_ｎ５に例えば、反応性シリル基を導入する場合には、前記化合物と、下記化合物３ａとをヒドロシリル化反応させる方法によって製造できる。
ＨＳｉ（Ｒ^３１）_３－ｃ（Ｌ^３１）_ｃ 式３ａ
ただし、式３ａにおける符号は前記本化合物におけるものと同様であり、好ましい態様も同様である。化合物３ａは、合成してもよく、市販品を用いてもよい。

前記化合物（Ｂ１）及び化合物（Ｂ２）は、本製造方法に適した新規化合物である。化合物（Ｂ１）及び化合物（Ｂ２）の製造方法は、下記の方法に限定されるわけではないが、下記の製造方法によれば、化合物（Ｂ１）及び化合物（Ｂ２）を高収率で得ることができる。
即ち、本発明に係る化合物（Ｂ１）又は化合物（Ｂ２）の製造方法は、
下式（Ｄ１）又は式（Ｄ２）で表される化合物を、ルイス酸化合物の存在下、水素化ケイ素化合物ＨＳｉ（Ｒ^１６）_３と反応させて、下式（Ｅ１）又は式（Ｅ２）で表される化合物を得て、
下式（Ｅ１）又は式（Ｅ２）で表される化合物から、Ｓｉ（Ｒ^１６）_３を脱離して、下式（Ｆ１）又は式（Ｆ２）で表される化合物を得て、
下式（Ｆ１）又は式（Ｆ２）で表される化合物を加熱する、下式（Ｂ１）又は式（Ｂ２）で表される化合物の製造方法である。
Ｒ^ｆＯ－（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１－（Ｒ^１）_ｍ２－Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^１１ 式（Ｄ１）
Ｒ^１１ＯＣ（＝Ｏ）－（Ｒ^２）_ｍ７－Ｏ－（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ８－（Ｒ^３）_ｍ９－Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^１１ 式（Ｄ２）
Ｒ^ｆＯ－（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１－（Ｒ^１）_ｍ２－ＣＨ（ＯＲ^１２）_２ 式（Ｅ１）
（Ｒ^１２Ｏ）_２ＣＨ－（Ｒ^２）_ｍ７－Ｏ－（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ８－（Ｒ^３）_ｍ９－ＣＨ（ＯＲ^１３）_２ 式（Ｅ２）
Ｒ^ｆＯ－（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１－（Ｒ^１）_ｍ２－ＣＨ（ＯＲ^１４）_２ 式（Ｆ１）
（Ｒ^１４Ｏ）_２ＣＨ－（Ｒ^２）_ｍ７－Ｏ－（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ８－（Ｒ^３）_ｍ９－ＣＨ（ＯＲ^１５）_２ 式（Ｆ２）
Ｒ^ｆＯ－（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１－（Ｒ^１）_ｍ２－ＣＨＯ 式（Ｂ１）
ＯＨＣ－（Ｒ^２）_ｍ７－Ｏ－（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ８－（Ｒ^３）_ｍ９－ＣＨＯ 式（Ｂ２） ただし、
Ｒ^ｆ、Ｒ^ｆ１、Ｒ^ｆ２、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、ｍ１、ｍ２、ｍ７、ｍ８及びｍ９は前記本化合物におけるものと同様であり、好ましい態様も同様であり、
Ｒ^１１は、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基であって、Ｒ^１１が複数ある場合、複数あるＲ^１１は互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ^１２及びＲ^１３は、各々独立にＳｉ（Ｒ^１６）_３又はＲ^１１であって、複数あるＲ^１２及びＲ^１３のうち各々少なくともひとつは、Ｓｉ（Ｒ^１６）_３であり、
Ｒ^１４及びＲ^１５は、各々独立に水素原子又はＲ^１１であって、複数あるＲ^１４及びＲ^１５のうち各々少なくともひとつは、水素原子であり、
Ｒ^１６は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基又はアルコキシ基であって、複数あるＲ^１６は互いに同一であっても異なっていてもよい。

Ｒ^１１～Ｒ^１６は化合物（Ｂ１）、化合物（Ｂ２）及び本化合物中には残らない部位であるため、反応性、及び入手性の点から適宜選択すればよい。
Ｒ^１１におけるアルキル基としては、メチル基又はエチル基が好ましく、反応性の点からメチル基がより好ましい。
Ｒ^１６としては、アルキル基が好ましく、エチル基がより好ましい。

また、本化合物の別の製造方法として、下式（Ｂ３）又は式（Ｂ４）で表される化合物と、下式（Ｃ２）で表される化合物とを反応させる工程を有することを特徴とする。
Ｒ^ｆＯ－（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１－（Ｒ^１）_ｍ２－ＯＨ 式（Ｂ３）
ＯＨ－（Ｒ^２）_ｍ７－Ｏ－（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ８－（Ｒ^３）_ｍ９－ＣＨＯ 式（Ｂ４）
（ＣＨ_２＝ＣＨ－）_ｎ５－Ｑ^４（－ＣＨＯ）_ｎ６ 式（Ｃ２）
ただし、式中の各符号は、前記化合物（Ｂ１）、化合物（Ｂ２）及び化合物（Ｃ１）におけるものと同様であり、好ましい態様も同様である。

［含フッ素エーテル組成物］
本発明の含フッ素エーテル組成物（以下、本組成物ともいう。）は、本化合物である前記含フッ素化合物と、当該本化合物以外の含フッ素化合物及び下記不純物の少なくともいずれかを含む組成物である。不純物としては、本化合物及び他の含フッ素化合物の製造上不可避の化合物等が挙げられる。なお、本組成物は、後述する液状媒体を含まない。

他の含フッ素化合物としては、本化合物の製造過程で副生する含フッ素化合物（以下、副生含フッ素化合物ともいう。）、本化合物と同様の用途に用いられる公知の含フッ素化合物等が挙げられる。
他の含フッ素化合物としては、本化合物の特性を低下させるおそれが少ない化合物が好ましい。
他の含フッ素化合物の含有量は、本化合物の特性を十分に発揮する点から、本組成物全量中、５０質量％未満が好ましく、３０質量％未満がより好ましく、１０質量％未満がさらに好ましい。

副生含フッ素化合物としては、本化合物の合成時における未反応の含フッ素化合物等が挙げられる。本組成物が副生含フッ素化合物を含む場合、該副生含フッ素化合物を除去、もしくは該副生含フッ素化合物量を低減させるための精製工程を簡略化することができる。

公知の含フッ素化合物としては、例えば、下記の文献に記載のものが挙げられる。
日本特開平１１－０２９５８５号公報に記載のパーフルオロポリエーテル変性アミノシラン、
日本特許第２８７４７１５号公報に記載のケイ素含有有機含フッ素ポリマー、
日本特開２０００－１４４０９７号公報に記載の有機ケイ素化合物、
日本特開２０００－３２７７７２号公報に記載のパーフルオロポリエーテル変性アミノシラン、
日本特表２００２－５０６８８７号公報に記載のフッ素化シロキサン、
日本特表２００８－５３４６９６号公報に記載の有機シリコーン化合物、
日本特許第４１３８９３６号公報に記載のフッ素化変性水素含有重合体、
米国特許出願公開第２０１０／０１２９６７２号明細書、国際公開第２０１４／１２６０６４号、日本特開２０１４－０７０１６３号公報に記載の化合物、
国際公開第２０１１／０６００４７号、国際公開第２０１１／０５９４３０号に記載のオルガノシリコン化合物、
国際公開第２０１２／０６４６４９号に記載の含フッ素オルガノシラン化合物、
日本特開２０１２－７２２７２号公報に記載のフルオロオキシアルキレン基含有ポリマー、
国際公開第２０１３／０４２７３２号、国際公開第２０１３／１２１９８４号、国際公開第２０１３／１２１９８５号、国際公開第２０１３／１２１９８６号、国際公開第２０１４／１６３００４号、日本特開２０１４－０８０４７３号公報、国際公開第２０１５／０８７９０２号、国際公開第２０１７／０３８８３０号、国際公開第２０１７／０３８８３２号、国際公開第２０１７／１８７７７５号に記載の含フッ素エーテル化合物、
日本特開２０１４－２１８６３９号公報、国際公開第２０１７／０２２４３７号、国際公開第２０１８／０７９７４３号、国際公開第２０１８／１４３４３３号に記載のパーフルオロ（ポリ）エーテル含有シラン化合物、
日本特開２０１５－１９９９０６号公報、日本特開２０１６－２０４６５６号公報、日本特開２０１６－２１０８５４号公報、日本特開２０１６－２２２８５９号公報に記載のフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シラン、
国際公開第２０１８／２１６６３０号、国際公開第２０１９／０３９２２６号、国際公開第２０１９／０３９３４１号、国際公開第２０１９／０３９１８６号、国際公開第２０１９／０４４４７９号、日本特開２０１９－４４１５８号公報、国際公開第２０１９／０４４４７９号、国際公開第２０１９／１６３２８２号に記載の含フッ素エーテル化合物。
また、含フッ素化合物の市販品としては、信越化学工業社製のＫＹ－１００シリーズ（ＫＹ－１７８、ＫＹ－１８５、ＫＹ－１９５等）、ＡＧＣ社製のＡｆｌｕｉｄ（登録商標）Ｓ５５０、ダイキン工業社製のオプツール（登録商標）ＤＳＸ、オプツール（登録商標）ＡＥＳ、オプツール（登録商標）ＵＦ５０３、オプツール（登録商標）ＵＤ５０９等が挙げられる。

本組成物中の本化合物の割合は、１００質量％未満であり、６０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上が更に好ましい。
本組成物が他の含フッ素化合物を含む場合、本組成物中の本化合物及び他の含フッ素化合物の合計に対する他の含フッ素化合物の割合は、４０質量％以下が好ましく、３０質量％以下がより好ましく、２０質量％以下が更に好ましい。
本組成物中の本化合物及び他の含フッ素化合物の合計の割合は、８０質量％以上が好ましく、８５質量％以上がより好ましい。
本化合物及び他の含フッ素化合物の含有量が前記範囲内であれば、表面層の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、外観に優れる。

［コーティング液］
本発明のコーティング液（以下、本コーティング液ともいう。）は、本化合物又は本組成物と液状媒体とを含む。本コーティング液は、液状であればよく、溶液であってもよく、分散液であってもよい。
本コーティング液は、本化合物又は本組成物を含んでいればよく、本化合物の製造工程で生成した副生物等の不純物を含んでもよい。
本化合物又は本組成物の濃度は、本コーティング液中、０．００１～４０質量％が好ましく、０．０１～２０質量％がより好ましく、０．１～１０質量％が更に好ましい。

液状媒体としては、有機溶媒が好ましい。有機溶媒は、フッ素系有機溶媒であってもよく、非フッ素系有機溶媒であってもよく、両溶媒を含んでもよい。

フッ素系有機溶媒としては、フッ素化アルカン、フッ素化芳香族化合物、フルオロアルキルエーテル、フッ素化アルキルアミン、フルオロアルコール等が挙げられる。
フッ素化アルカンとしては、炭素数４～８の化合物が好ましい。市販品としては、たとえばＣ_６Ｆ_１３Ｈ（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ－２０００）、Ｃ_６Ｆ_１３Ｃ_２Ｈ_５（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ－６０００）、Ｃ_２Ｆ_５ＣＨＦＣＨＦＣＦ_３（ケマーズ社製、バートレル（登録商標）ＸＦ）等が挙げられる。
フッ素化芳香族化合物としては、たとえばヘキサフルオロベンゼン、トリフルオロメチルベンゼン、ペルフルオロトルエン、ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン等が挙げられる。
フルオロアルキルエーテルとしては、炭素数４～１２の化合物が好ましい。市販品としては、たとえばＣＦ_３ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２Ｈ（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＥ－３０００）、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７１００）、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７２００）、Ｃ_２Ｆ_５ＣＦ（ＯＣＨ_３）Ｃ_３Ｆ_７（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７３００）等が挙げられる。
フッ素化アルキルアミンとしては、たとえばペルフルオロトリプロピルアミン、ペルフルオロトリブチルアミン等が挙げられる。
フルオロアルコールとしては、たとえば２，２，３，３－テトラフルオロプロパノール、２，２，２－トリフルオロエタノール、ヘキサフルオロイソプロパノール等が挙げられる。
非フッ素系有機溶媒としては、水素原子及び炭素原子のみからなる化合物と、水素原子、炭素原子及び酸素原子のみからなる化合物が好ましく、炭化水素系有機溶媒、アルコール系有機溶媒、ケトン系有機溶媒、エーテル系有機溶媒、エステル系有機溶媒が挙げられる。
本コーティング液は、液状媒体を７５～９９．９９９質量％含むことが好ましく、８５～９９．９９質量％含むことがより好ましく、９０～９９．９質量％含むことが特に好ましい。

本コーティング液は、本化合物又は本組成物と液状媒体の他に、本発明の効果を損なわない範囲で、それら以外の他の成分を含んでいてもよい。
他の成分としては、たとえば、加水分解性シリル基の加水分解と縮合反応を促進する酸触媒や塩基性触媒等の公知の添加剤が挙げられる。
本コーティング液における、他の成分の含有量は、１０質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましい。

本コーティング液の本化合物と他の成分の合計又は本組成物と他の成分の合計の濃度（以下、固形分濃度ともいう。）は、０．００１～４０質量％が好ましく、０．０１～２０質量％がより好ましく、０．０１～１０質量％が更に好ましく、０．０１～１質量％が特に好ましい。コーティング液の固形分濃度は、加熱前のコーティング液の質量と、１２０℃の対流式乾燥機にて４時間加熱した後の質量とから算出する値である。

［物品］
図１は本発明の物品の一例を示す模式断面図である。本発明の第１の物品は、基材１２と、下地層１４と、表面層２２とをこの順で有する物品２０であって、
前記下地層がケイ素を含む酸化物を含有し、前記表面層が、前記本化合物の縮合体を含有する。

上記第１の物品における基材の材質及び形状は、本物品の用途等に応じて適宜選択すればよい。基材の材質としては、ガラス、樹脂、サファイア、金属、セラミック、石、これらの複合材料が挙げられる。ガラスは化学強化されていてもよい。特に、撥水撥油性が求められる基材として、タッチパネル用基材、ディスプレイ用基材、電子機器の筐体を構成する機材などが挙げられる。タッチパネル用基材、ディスプレイ用基材は、透光性を有する。「透光性を有する」とは、ＪＩＳ Ｒ３１０６：１９９８（ＩＳＯ ９０５０：１９９０）に準じた垂直入射型可視光透過率が２５％以上であることを意味する。タッチパネル用基材の材料としては、ガラス又は透明樹脂が好ましい。

基材は、下地層が設けられる面に、コロナ放電処理、プラズマ処理、プラズマグラフト重合処理等の表面処理を施したものであってもよい。表面処理を施した表面は、基材と下地層の接着性がさらに優れ、その結果、表面層の耐摩耗性がさらに向上する。表面処理としては、表面層の耐摩耗性がさらに優れる点から、コロナ放電処理又はプラズマ処理が好ましい。

下地層は少なくともケイ素を含む酸化物を含有する層であり、更に他の元素を有していてもよい。下地層が酸化ケイ素を含有することで、前記本化合物の部分構造（２）が脱水縮合し、下地層との間でＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合が形成され摩耗耐久性に優れた表面層が形成される。

下地層中の酸化ケイ素の含有量は、６５質量％以上であればよく、８０質量％以上が好ましく、８５質量％以上がより好ましく、９０質量％以上が更に好ましい。酸化ケイ素の含有量が前記範囲の下限値以上であれば、下地層においてＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合が充分に形成され、下地層の機械特性が充分に確保される。酸化ケイ素の含有量は、他の元素の合計の含有量（酸化物の場合は酸化物換算した量）の合計を下地層の質量から除いた残部である。

表面層の耐久性の点から、下地層中の酸化物は、さらに、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、白金族元素、ホウ素、アルミニウム、リン、チタン、ジルコニウム、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、及びタングステンより選択される１種以上の元素を含有することが好ましい。これらの元素を含有することで、下地層と前記本化合物との結合が強くなり耐摩耗性が向上する。

下地層が、鉄、ニッケル及びクロムより選択される１種以上を含む場合、これらの合計の含有量は、酸化ケイ素に対する割合で１０～１１００質量ｐｐｍが好ましく、５０～１１００質量ｐｐｍがより好ましく、５０～５００質量ｐｐｍが更に好ましく、５０～２５０質量ｐｐｍが特に好ましい。
下地層が、アルミニウム及びジルコニウムより選択される１種以上を含む場合、これらの合計の含有量は、１０～２５００質量ｐｐｍが好ましく、１５～２０００質量ｐｐｍがより好ましく、２０～１０００質量ｐｐｍが更に好ましい。
下地層が、アルカリ金属元素を含む場合、これらの合計の含有量は、０．０５～１５質量％が好ましく、０．１～１３質量％がより好ましく、１．０～１０質量％が更に好ましい。なお、アルカリ金属元素としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウムが挙げられる。
下地層が、白金族元素を含む場合、これらの合計の含有量は、０．０２質量ｐｐｍ以上８００質量ｐｐｍ以下が好ましく、０．０４質量ｐｐｍ以上６００質量ｐｐｍ以下がより好ましく、０．７質量ｐｐｍ以上２００質量ｐｐｍ以下がさらに好ましい。なお白金族元素としては、白金、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムが挙げられる。
下地層が、ホウ素及びリンより選択される１種以上を含む場合、これらの合計の含有量は、表面層の耐摩耗性の点から、ケイ素のモル濃度に対する、ホウ素及びリンの合計のモル濃度の比として０．００３～９が好ましく、０．００３～２がより好ましく、０．００３～０．５が更に好ましい。
下地層が、アルカリ土類金属元素を含む場合、これらの合計の含有量は、表面層の耐摩耗性の点から、ケイ素のモル濃度に対する、アルカリ土類金属元素の合計のモル濃度の比として、０．００５～５が好ましく、０．００５～２がより好ましく、０．００７～２が更に好ましい。なお、アルカリ土類金属元素としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウムが挙げられる。

本化合物の接着性を向上し、物品の撥水撥油性及び耐摩耗性の向上の点から、下地層は、アルカリ金属原子を含む酸化ケイ素層であることが好ましい。中でも当該酸化ケイ素層において、前記表面層と接する面からの深さが０．１～０．３ｎｍの領域におけるアルカリ金属原子の濃度の平均値が、２．０×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上であることが好ましい。一方、酸化ケイ素層の機械特性を充分に確保する点から、前記アルカリ金属原子の濃度の平均値は、４．０×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であることが好ましい。

下地層の厚さは、１～２００ｎｍが好ましく、２～２０ｎｍが特に好ましい。下地層の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、下地層による接着性の向上効果が充分に得られやすい。下地層の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、下地層自体の耐摩耗性が高くなる。下地層の厚さを測定する方法としては、電子顕微鏡（ＳＥＭ、ＴＥＭ等）による下地層の断面観察による方法や、光干渉膜厚計、分光エリプソメータ、段差計等を用いる方法が挙げられる。

下地層の形成方法は、例えば、基材表面に、所望の下地層の組成を有する蒸着材料を蒸着する方法などが挙げられる。
蒸着法は一例として、真空蒸着法が挙げられる。真空蒸着法は、蒸着材料を真空槽内で蒸発させ、基材の表面に付着させる方法である。
蒸着時の温度（例えば、真空蒸着装置を用いる際には、蒸着材料を設置するボートの温度）は、１００～３０００℃が好ましく、５００～３０００℃が特に好ましい。
蒸着時の圧力（例えば、真空蒸着装置を用いる際には、蒸着材料を設置する槽内の絶対圧）は、１Ｐａ以下が好ましく、０．１Ｐａ以下が特に好ましい。
蒸着材料を用いて下地層を形成する場合、１つの蒸着材料を用いてもよいし、異なる元素を含む２つ以上の蒸着材料を用いてもよい。
蒸着材料の蒸発方法としては、高融点金属製の抵抗加熱用ボート上で蒸着材料を溶融し、蒸発させる抵抗加熱法、電子ビームを蒸着材料に照射し、蒸着材料を直接加熱して表面を溶融し、蒸発させる電子銃法等が挙げられる。蒸着材料の蒸発方法としては、局所的に加熱できるため高融点物質も蒸発できる点、電子ビームが当たっていないところは低温であるため容器との反応や不純物の混入のおそれがない点から、電子銃法が好ましい。電子銃法に用いる蒸着材料としては、気流が生じても飛散しにくい点から、溶融粒状体又は焼結体が好ましい。

下地層上の表面層は、前記本化合物の縮合体を含有する。本化合物の縮合体は、本化合物中の加水分解性シリル基が加水分解反応することによってシラノール基（Ｓｉ－ＯＨ）が形成され、シラノール基が分子間で縮合反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合が形成されたもの、及び、本化合物中のシラノール基が下地層の表面のシラノール基又はＳｉ－ＯＭ基（ただし、Ｍはアルカリ金属元素である。）と縮合反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合が形成されたものを含む。また、表面層は本化合物以外の含フッ素化合物の縮合体を含んでいてもよい。すなわち、表面層は、反応性シリル基を有する含フッ素化合物を、含フッ素化合物の反応性シリル基の一部又は全部が縮合反応した状態で含む。

表面層の厚さは、１～１００ｎｍが好ましく、１～５０ｎｍが特に好ましい。表面層の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、表面層による効果が充分に得られる。表面層の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、利用効率が高い。
表面層の厚さは、薄膜解析用Ｘ線回折計で得られた厚さである。表面層の厚さは、薄膜解析用Ｘ線回折計を用いて、Ｘ線反射率法によって反射Ｘ線の干渉パターンを得て、干渉パターンの振動周期から算出できる。

本発明の第２の物品は、基材１２と、表面層２２とをこの順で有する物品２０であって、
前記基材がケイ素を含む酸化物を含有し、
前記表面層が、前記本化合物の縮合体を含有する。

第２の物品は、基材が前記第１の物品における下地層の組成を有するため、基材に直接表面層を形成しても表面層の摩耗耐久性に優れている。
第２の物品における基材の材質は、前記下地層の組成を有するものであればよく、例えば、ガラス基材などであってもよい。基材の材質の詳細は、前記下地層の材質と同様であるため、ここでの説明は省略する。また、表面層の構成も前記第１の物品と同様であるため、ここでの説明は省略する。

［物品の製造方法］
本発明にかかる物品の製造方法は、前記含フッ素化合物、前記含フッ素化合物含有組成物、又は前記コーティング液を用いて、ドライコーティング法又はウェットコーティング法により表面層を形成する方法である。

本化合物及び本組成物は、ドライコーティング法にそのまま用いることができる。本化合物及び本組成物は、ドライコーティング法によって密着性に優れた表面層を形成するのに好適である。ドライコーティング法としては、真空蒸着、ＣＶＤ、スパッタリング等の手法が挙げられる。本化合物の分解を抑える点、及び装置の簡便さの点から、真空蒸着法が好適に利用できる。
真空蒸着には、鉄や鋼等の金属材料からなる金属多孔体に本化合物を担持させたペレット状物質を使用してもよい。本化合物を担持させたペレット状物質は、金属多孔体に本化合物の溶液を含浸し、乾燥して液状媒体を除去することにより製造できる。本化合物の溶液としては、本コーティング液を用いることができる。

本コーティング液は、ウェットコーティング法に好適に用いることができる。ウェットコーティング法としては、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法、グラビアコート法等が挙げられる。

表面層の耐摩擦性を向上させるために、必要に応じて、本化合物と基材との反応を促進するための操作を行ってもよい。該操作としては、加熱、加湿、光照射等が挙げられる。たとえば、水分を有する大気中で表面層が形成された基材を加熱して、加水分解性基の加水分解反応、基材の表面の水酸基等とシラノール基との反応、シラノール基の縮合反応によるシロキサン結合の生成、等の反応を促進できる。
表面処理後、表面層中の化合物であって他の化合物や基材と化学結合していない化合物は、必要に応じて除去してもよい。具体的な方法としては、たとえば、表面層に溶媒をかけ流す方法、溶媒をしみ込ませた布でふき取る方法等が挙げられる。

以下に実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。以下において「％」は特に断りのない限り「質量％」である。なお、例１～４、８～１１が実施例であり、例５～７、１２～１４が比較例である。

［合成例１：化合物（１）の合成］
ＤｉｅｔｈｙｌＤｉａｌｌｙｌｍａｌｏｎａｔｅ（６０．０ｇ）、塩化リチウム（２３．７ｇ）、水（６．４５ｇ）、ジメチルスルホキシド（２６３ｇ）を加え、１６０℃で撹拌した。室温まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。ヘキサンを有機相に加え、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去することで、下記化合物（１）を３９．５ｇ得た。

化合物（１）のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：（ｄｄｔ，Ｊ＝１７．１，１０．１，７．０Ｈｚ，２Ｈ），５．０６～４．９４（ｍ，４Ｈ），４．０９（ｑ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，２Ｈ），２．４７（ｄｄｄ，Ｊ＝１４．０，８．０，６．１Ｈｚ，１Ｈ），２．３３（ｄｔ，Ｊ＝１４．９，７．５Ｈｚ，２Ｈ），２．２２（ｄｔ，Ｊ＝１４．１，６．５Ｈｚ，２Ｈ），１．２１（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ）．

［合成例２：化合物（２）の合成］
ＴＨＦ（２６０ｍＬ）、ジイソプロピルアミン（４１．６ｍＬ）を加えた後、溶液を－７８℃まで冷却した。ｎ－ブチルリチウムヘキサン溶液（２．７６Ｍ，９６．６ｍＬ）を加え、０℃まで昇温した。撹拌した後、－７８℃まで冷却し、リチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）のＴＨＦ溶液を調製した。上記化合物（１）（３９．５ｇ）をＴＨＦ溶液に加え、撹拌した後、臭化アリル（２４．１ｍＬ）を加えた。０℃に昇温し、１Ｍ塩酸を加え、ＴＨＦを減圧留去した。ジクロロメタンで抽出した後、硫酸ナトリウムを加えた。ろ過後、溶媒を留去し、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（２）を４５．０ｇ得た。

化合物（２）のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．７４～５．６２（ｍ，３Ｈ），５．０４（ｄｄ，Ｊ＝１３．６，１．９Ｈｚ，６Ｈ），４．１０（ｑ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，２Ｈ），２．２９（ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，６Ｈ），１．２２（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ）．

［合成例３：化合物（３）の合成］
上記化合物（２）（４５．０ｇ）をＴＨＦに溶解させ、０℃に冷却した。水素化リチウムアルミニウムのＴＨＦ溶液（１０４ｍＬ，２６０ｍｍｏｌ）を加え、撹拌した。水、１５％水酸化ナトリウム水溶液を加え、室温で撹拌した後、ジクロロメタンで希釈した。ろ過後、溶媒を留去し、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（３）を３１．３ｇ得た。

化合物（３）のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．９０～５．７６（ｍ，３Ｈ），５．１０～５．０２（ｍ，６Ｈ），３．３８（ｓ，２Ｈ），２．０３（ｄｔ，Ｊ＝７．５，１．２Ｈｚ，６Ｈ），１．４５（ｓ，１Ｈ）．

［合成例４：化合物（４）の合成］
上記化合物（１）（８．４ｇ）をＴＨＦに溶解させ、０℃に冷却した。水素化リチウムアルミニウムのＴＨＦ溶液（２１ｍＬ，５２ｍｍｏｌ）を加え、撹拌した。水、１５％水酸化ナトリウム水溶液を加え、室温で撹拌した後、ジクロロメタンで希釈した。ろ過後、溶媒を留去し、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（４）を５．４ｇ得た。

化合物（４）のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．７９ （ｍ，２Ｈ），５．０７～４．９７（ｍ，４Ｈ），３．５５（ｔ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，２Ｈ），２．１０（ｍ，４Ｈ），１．７６～１．６４（ｍ，１Ｈ）．

［合成例５：化合物（５）の合成］
上記化合物（４）（２．５ｇ）をジクロロメタンに溶解させ、０℃に冷却した。デス・マーチン試薬（１０ｇ）を加え、撹拌した。ろ過後、溶媒を留去し、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（５）を２．１ｇ得た。

化合物（５）のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：９．６５（ｄ，Ｊ＝１．９Ｈｚ，１Ｈ），５．７４（ｍ，２Ｈ），５．１６～５．０２（ｍ，４Ｈ），２．５３～２．３４（ｍ，３Ｈ），２．３２～２．１９（ｍ，２Ｈ）．

［合成例６：化合物（６）の合成］
上記化合物（５）（２．１ｇ）をＴＨＦに溶解させ、０℃に冷却した。アリルマグネシウムブロミドのエチルエーテル溶液 (３０ｍｌ、２１ｍｍｏｌ)を加え、撹拌した。１Ｍ塩酸を加え、ＴＨＦを減圧留去した。ジクロロメタンで抽出した後、硫酸ナトリウムを加えた。ろ過後、溶媒を留去し、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（６）を１．８ｇ得た。

化合物（６）のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８９～５．７２（ｍ，３Ｈ），５．１８～４．９８（ｍ，６Ｈ），３．６６（ｓ，１Ｈ），２．３７～２．０１（ｍ，６Ｈ），１．７１～１．５７（ｍ，１Ｈ）．

［合成例７：化合物（１－１）の合成］
国際公開第２０１３／１２１９８４号の実施例６に記載の方法に従い、下記化合物（１－１）を得た。
ＣＦ_３－Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘ１（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ_３ ・・・式（１－１）
単位数ｘ１の平均値：１４

［合成例８：化合物（１－２）、（１－３）の合成］
上記化合物（１－１）（１０．０ｇ）に１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（１０ｇ）を加えた後、トリエチルシラン（４５０ｍｇ）、トリスペンタフルオロフェニルボラン（１０ｍｇ）を加えた。室温で２時間撹拌した後、低沸点成分を留去することで下記化合物（１－２）、（１－３）の混合物を１０．３ｇ得た。

単位数ｘ１の平均値：１４

化合物（１－２）のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．１２～５．０２（１Ｈ），３．４６（ｓ，３Ｈ），１．０２～０．９０（９Ｈ），０．７５～０．５８（６Ｈ）．
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５４．８５，－８２．３２，－８６．２３，－８７．５６，－８９．７０，－１２４．１５，－１２４．７３．

化合物（１－３）のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．５７～５．５２（１Ｈ），１．０２～０．９０（１８Ｈ），０．７５～０．５８（１２Ｈ）．
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５４．８５，－８２．３２，－８６．２３，－８７．５６，－８９．７０，－１２４．１５，－１２４．７３．

［合成例９：化合物（１－４）、（１－５）の合成］
上記（１－２）、（１－３）の混合物（５．０ｇ）に１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（１０ｇ）を加えた後、メタノール（５．０ｇ）、濃硫酸（２．５ｇ）を加えた。６０℃で３時間撹拌した後、ＡＣ－６０００で抽出した。溶媒を留去することで下記化合物（１－４）、（１－５）の混合物を４．９ｇ得た。

単位数ｘ１の平均値：１４

化合物（１－４）のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：４．８９～４．７３（１Ｈ），３．４５（ｓ，３Ｈ）．
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５４．８４，－８２．３１，－８６．２２，－８７．５４，－８９．６９，－１２４．７０，－１２５．２５，－１２８．６３．

化合物（１－５）のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．３４～５．２１（１Ｈ）．
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５４．８４，－８２．３１，－８６．２２，－８７．５４，－８９．６９，－１２４．７０，－１２５．２５，－１２８．６３．

［合成例１０：化合物（１－６）の合成］
上記（１－４）、（１－５）の混合物（４．９ｇ）を真空定温乾燥機に入れ、１００℃で１６時間減圧濃縮することにより、下記化合物（１－６）を４．８ｇ得た。

単位数ｘ１の平均値：１４

化合物（１－６）のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）： ９．４２（ｔ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ）．
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５４．８５，－８２．３２，－８６．２４，－８７．５６，－８９．６８，－１２４．７３，－１２５．２７，－１２６．５０．

［合成例１１：化合物（１－７）の合成］
上記化合物（１－６）（１．０ｇ）に１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（１．０ｇ）を加えた後、上記化合物（３）（６０ｍｇ）を加えた。室温で１時間攪拌した後、ビス（２－メトキシエチル）アミノ硫黄＝トリフルオリド（３００ｍｇ）を加えた。８０℃に加熱し１時間攪拌した後、メタノールを加えＡＣ－６０００で抽出した。溶媒を留去し、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（１－７）を０．８５ｇ得た。

単位数ｘ１の平均値：１４

化合物（１－７）のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８３～５．６７（３Ｈ），５．５６～５．３０（１Ｈ），５．１４～４．９６（６Ｈ），３．７９～３．６９（１Ｈ），３．４３～３．３４（１Ｈ），２．０７～１．９６（６Ｈ）．
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５４．８５，－８２．３２，－８６．２３，－８７．５６，－８９．７０，－１２４．７３，－１２５．０，－１２５．２１，－１２５．４３，－１２５．９８，－１２６．１５，－１４１．３０～－１４１．８０．

［例１：含フッ素エーテル化合物（１－８）の合成］
ＡＣ－６０００（１．０ｇ）、上記化合物（１－７）（０．５ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のトルエン溶液（白金含有量３％，８．３ｍｇ）、アニリン（２．６ｍｇ）、トリメトキシシラン（１２５ｍｇ）を加え、４０℃で撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記含フッ素エーテル化合物（１－８）を０．５１ｇ得た。

単位数ｘ１の平均値：１４

化合物（１－８）のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．６１～５．２５（１Ｈ），３．８０～３．６８（１Ｈ），３．６４～３．４５（２７Ｈ），３．４４～３．３１（１Ｈ），１．５７～１．２９（１２Ｈ），０．７５～０．４７（６Ｈ）．
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５４．８５，－８２．３２，－８６．２３，－８７．５６，－８９．７０，－１２４．７３，－１２５．０，－１２５．２１，－１２５．４３，－１２５．９８，－１２６．１５，－１４１．３０～－１４１．８０．

［合成例１２：化合物（２－１）の合成］
上記化合物（１－６）（１．０ｇ）に１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（１．０ｇ）を加えた後、１，６－Ｈｅｐｔａｄｉｅｎ－４－ｏｌ（４０ｍｇ）を加えた。室温で５時間攪拌した後、ビス（２－メトキシエチル）アミノ硫黄＝トリフルオリド（３００ｍｇ）を加えた。８０℃に加熱し１時間攪拌した後、メタノールを加えＡＣ－６０００で抽出した。溶媒を留去し、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（２－１）を０．６５ｇ得た。

単位数ｘ１の平均値：１４

化合物（２－１）のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８５～５．５０（３Ｈ），５．１３～４．９３（４Ｈ），３．８８～３．７８（１Ｈ），２．４２～２．１９（４Ｈ）．
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５４．８５，－８２．３３，－８６．２４，－８７．５７，－８９．７１，－１２４．７４，－１２４．９４，－１２５．１８，－１３６．７９～－１３７．１１．

［例２：含フッ素エーテル化合物（２－２）の合成］
ＡＣ－６０００（１．０ｇ）、上記化合物（２－１）（０．５ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のトルエン溶液（白金含有量３％，８．３ｍｇ）、アニリン（２．６ｍｇ）、トリメトキシシラン（８３ｍｇ）を加え、４０℃で撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記含フッ素エーテル化合物（２－２）を０．５ｇ得た。

単位数ｘ１の平均値：１４

化合物（２－２）のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．７７～５．５１（１Ｈ），３．９８～３．７５（１Ｈ），３．６５～３．４３（１８Ｈ），１．７８～１．４９（８Ｈ），０．８８～０．７１（４Ｈ）．
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５４．８５，－８２．３３，－８６．２４，－８７．５７，－８９．７１，－１２４．７４，－１２４．９４，－１２５．１８，－１３６．７９～－１３７．１１．

［合成例１３：化合物（３－１）の合成］
上記化合物（１－６）（１．０ｇ）に１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（１．０ｇ）を加えた後、上記化合物（６）（６０ｍｇ）を加えた。室温で７２時間攪拌した後、ビス（２－メトキシエチル）アミノ硫黄＝トリフルオリド（３００ｍｇ）を加えた。８０℃に加熱し１時間攪拌した後、メタノールを加えＡＣ－６０００で抽出した。溶媒を留去し、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（３－１）を０．５５ｇ得た。

単位数ｘ１の平均値：１４

化合物（３－１）のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．７７～５．３３（４Ｈ），５．０８～４．６２（６Ｈ），３．９３～３．６６（１Ｈ），２．３６～１．４６（７Ｈ）．
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５４．８５，－８２．３４，－８６．２４，－８７．５７，－８９．７０，－１２４．７５，－１２５．２６，－１３３．４６～―１３３．８４，－１３６．５０～－１３６．８９．

［例３：含フッ素エーテル化合物（３－２）の合成］
ＡＣ－６０００（１．０ｇ）、上記化合物（３－１）（０．５ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のトルエン溶液（白金含有量３％，８．３ｍｇ）、アニリン（２．６ｍｇ）、トリメトキシシラン（１２５ｍｇ）を加え、４０℃で撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記含フッ素エーテル化合物（３－２）を０．５１ｇ得た。

単位数ｘ１の平均値：１４

化合物（３－２）のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８０～５．５０（１Ｈ），４．０１～３．８６（１Ｈ），３．７８～３．３０（２７Ｈ），１．８６～１．３７（１３Ｈ），０．８５～０．４５（６Ｈ）．
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５４．８５，－８２．３４，－８６．２４，－８７．５７，－８９．７０，－１２４．７５，－１２５．２６，－１３３．４６～－１３３．８４，－１３６．５０～－１３６．８９．

［合成例１４：化合物（４－１）の合成］
上記化合物（１－６）（１．０ｇ）に１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（１．０ｇ）を加えた後、アリルアルコール（２０ｍｇ）を加えた。室温で１時間攪拌した後、ビス（２－メトキシエチル）アミノ硫黄＝トリフルオリド（３００ｍｇ）を加えた。８０℃に加熱し１時間攪拌した後、メタノールを加えＡＣ－６０００で抽出した。溶媒を留去し、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（４－１）を０．７７ｇ得た。

化合物（４－１）のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．９０～５．７３（１Ｈ），５．６８～５．４３（１Ｈ），５．３５～５．１３（２Ｈ），４．４１～４．１３（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５４．８５，－８２．３４，－８６．２４，－８７．５７，－８９．７０，－１２４．６７，－１２５．１４～－１２５．２９，－１２６．１６，－１４２．６４～－１４３．３０

［例４：含フッ素エーテル化合物（４－２）の合成］
ＡＣ－６０００（１．０ｇ）、上記化合物（４－１）（０．５ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のトルエン溶液（白金含有量３％，８．０ｍｇ）、アニリン（２．８ｍｇ）、トリメトキシシラン（５０ｍｇ）を加え、４０℃で撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記含フッ素エーテル化合物（４－２）を０．５１ｇ得た。

化合物（４－２）のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．６５～５．３６（１Ｈ），３．７７～３．３９（１３Ｈ），１．８７～１．７１（２Ｈ），０．７６～０．６３（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５４．８５，－８２．３４，－８６．２４，－８７．５７，－８９．７０，－１２４．６７，－１２５．１４～－１２５．２９，－１２６．１６，－１４２．６４～－１４３．３０

［例５：化合物（５－１）の合成］
国際公開２０１７／０２２４３７号の合成例１～３に記載の方法に従い、下記化合物（５－１）を得た。

繰り返し単位数ｘ２の平均値は２１、繰り返し単位数ｘ３の平均値は１９である。

［例６：化合物（６－１）の合成］
国際公開２０１７／０３８８３０号の例５に記載の方法に従い、下記化合物（６－１）を得た。

繰り返し単位数ｘ２の平均値は２１、繰り返し単位数ｘ３の平均値は１９である。

［化合物（７－１）の合成］
国際公開２０１３／１２１９８４号の実施例７に記載の方法に従い、下記化合物（７－１）を得た。
ＣＦ_３－Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_X1（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－ＣＨ_２ＯＨ ・・・式（７－１）
単位数ｘ１の平均値：１４

［化合物（７－２）の合成］
上記化合物（７－１）（１．０ｇ）に１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（１．０ｇ）を加えた後、炭酸セシウム（５．０ｇ）、臭化アリル（２００ｍｇ）を加えた。６０℃で終夜攪拌した後、塩酸を加え抽出した。溶媒を留去し、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（７－２）を０．８３ｇ得た。

化合物（７－２）のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８５～５．６９（１Ｈ），５．２９～５．０４（２Ｈ），４．０８～３．９８（２Ｈ），３．９４～３．８１（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５４．８５，－８２．３４，－８６．２４，－８７．５７，－８９．７０，－１１８．８６，－１２４．６７，－１２５．９７

［例７：化合物（７－３）の合成］
ＡＣ－６０００（１．０ｇ）、上記化合物（７－２）（０．５ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のトルエン溶液（白金含有量３％，８．０ｍｇ）、アニリン（２．８ｍｇ）、トリメトキシシラン（５０ｍｇ）を加え、４０℃で撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記含フッ素エーテル化合物（７－３）を０．５１ｇ得た。

化合物（７－３）のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：３．９８～３．８１（２Ｈ），３．６５～３．４７（１１Ｈ），１．７９～１．６３（２Ｈ），０．７３～０．５９（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５４．８５，－８２．３４，－８６．２４，－８７．５７，－８９．７０，－１１８．８６，－１２４．６７，－１２５．９７

［例８～１４：物品の製造及び評価］
例１～７で得た各化合物を用いて基材を表面処理し、例８～１４の物品を得た。表面処理方法として、各例について下記のドライコーティング法及びウェットコーティング法をそれぞれ用いた。基材としては化学強化ガラスを用いた。得られた物品について、下記の方法で評価した。結果を表１に示す。

（ドライコーティング法）
ドライコーティングは、真空蒸着装置（ＵＬＶＡＣ社製、ＶＴＲ３５０Ｍ）を用いて行った（真空蒸着法）。各化合物の０．５ｇを真空蒸着装置内のモリブデン製ボートに充填し、真空蒸着装置内を１×１０^－３Ｐａ以下に排気した。化合物を配置したボートを昇温速度１０℃／分以下の速度で加熱し、水晶発振式膜厚計による蒸着速度が１ｎｍ／秒を超えた時点でシャッターを開けて基材の表面への製膜を開始させた。膜厚が約５０ｎｍとなった時点でシャッターを閉じて基材の表面への製膜を終了させた。化合物が堆積された基材を、２００℃で３０分間加熱処理し、ジクロロペンタフルオロプロパン（ＡＧＣ社製、ＡＫ－２２５）にて洗浄して、基材の表面に表面層を有する物品を得た。

（評価方法）
＜接触角の測定方法＞
表面層の表面に置いた約２μＬの蒸留水又はｎ－ヘキサデカンの接触角を、接触角測定装置（協和界面科学社製、ＤＭ－５００）を用いて測定した。表面層の表面における異なる５箇所で測定し、その平均値を算出した。接触角の算出には２θ法を用いた。

＜初期接触角＞
表面層について、初期水接触角及び初期ｎ－ヘキサデカン接触角を前記測定方法で測定した。評価基準は下記のとおりである。
初期水接触角：
〇（良） ：１１５度以上である。
×（不可）：１１５度未満である。

＜耐摩擦性（スチールウール）＞
表面層について、ＪＩＳ Ｌ０８４９：２０１３（ＩＳＯ １０５－Ｘ１２：２００１）に準拠して往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、スチールウールボンスター（♯００００）を圧力：９８．０７ｋＰａ、速度：３２０ｃｍ／分で１万回往復させた後、前記方法により水接触角を測定した。摩擦後の撥水性（水接触角）の低下が小さいほど摩擦による性能の低下が小さく、耐摩擦性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優） ：１万回往復後の水接触角の変化が４度以下である。
〇（良） ：１万回往復後の水接触角の変化が４度超８度以下である。
×（不可）：１万回往復後の水接触角の変化が８度超である。

＜耐光性＞
表面層に対して、卓上型キセノンアークランプ式促進耐光性試験機（製品名：ＳＵＮＴＥＳＴ ＸＬＳ＋、東洋精機社製）を用いて、ブラックパネル温度：６３℃にて、光線（６５０Ｗ／ｍ^２、３００～７００ｎｍ）を５００時間照射した後、前記方法により水接触角を測定した。評価基準は下記のとおりである。
◎（優） ：促進耐光性試験後の水接触角の変化が５度以下である。
○（良） ：促進耐光性試験後の水接触角の変化が５度超１０度以下である。
×（不可）：促進耐光性試験後の水接触角の変化が１０度超である。

表１に示される通り、例５及び例７の化合物を用いた例１２及び例１４の物品であっても初期接触角や耐光性は良好であったが、特に摩擦試験後における水接触角の低下が確認された。またＯ－ＣＨＦ基が密着性基とは離れた位置に配置されている例６の化合物を用いた物品は、初期の撥水性が不十分であった。
一方、ポリフルオロポリエーテル鎖と密着性基との連結部にＯ－ＣＨＦ基を有する例１～例４の含フッ素エーテル化合物を用いた例８～例１１の物品は、摩擦試験後及び耐光試験後においても水接触角の低下が抑制されており、優れた耐久性を有することが示された。

本化合物を含む表面層を備えた物品は、一例として、下記の製品の部品の一部として使用される光学物品、タッチパネル、反射防止フィルム、反射防止ガラス、ＳｉＯ_２処理ガラス、強化ガラス、サファイアガラス、石英基板、金型金属等として有用である。
製品：カーナビゲーション、携帯電話、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ポータブルオーディオプレーヤー、カーオーディオ、ゲーム機器、眼鏡レンズ、カメラレンズ、レンズフィルタ、サングラス、医療用器機（胃カメラ等）、複写機、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイ、タッチパネルディスプレイ、保護フィルム、反射防止フィルム、反射防止ガラス、ナノインプリントのテンプレート、金型等。

この出願は、２０２０年６月１２日に出願された日本出願特願２０２０－１０２４０９を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

１０：下地層付き基材、 １２：基材、 １４：下地層、
２０：物品、 ２２：表面層

Claims (7)

1. 下式（Ａ１）又は式（Ａ２）で表される含フッ素エーテル化合物。
   ｛Ｒ^ｆＯ－（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１－（Ｒ^１）_ｍ２－（ＣＨＦ）_ｍ３－Ｏ－（ＣＨＦ）_ｍ４｝_ｎ１－Ｑ^１（－Ｔ^１）_ｎ２ 式（Ａ１）
   （Ｔ^２）_ｎ３－Ｑ^２－（ＣＨＦ）_ｍ５－Ｏ－（ＣＨＦ）_ｍ６－（Ｒ^２）_ｍ７－Ｏ－（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ８－（Ｒ^３）_ｍ９－（ＣＨＦ）_ｍ１０－Ｏ－（ＣＨＦ）_ｍ１１－Ｑ^３（－Ｔ^３）_ｎ４ 式（Ａ２）
   ただし、
   Ｒ^ｆは、炭素数１～２０のフルオロアルキル基であって、Ｒ^ｆが複数ある場合、複数あるＲ^ｆは互いに同一であっても異なっていてもよく、
   Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２は、各々独立に炭素数１～６のフルオロアルキレン基であって、Ｒ^ｆ１又はＲ^ｆ２が複数ある場合、複数あるＲ^ｆ１又はＲ^ｆ２は各々互いに同一であっても異なっていてもよく、
   Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、各々独立にフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であって、Ｒ^１が複数ある場合、当該Ｒ^１は互いに同一であっても異なっていてもよく、
   Ｑ^１は、ｎ１＋ｎ２価の連結基であり、
   Ｑ^２は、１＋ｎ３価の連結基であり、
   Ｑ^３は、１＋ｎ４価の連結基であり、
   Ｑ ^１ 、Ｑ ^２ 及びＱ ^３ は、各々独立に下式（Ｑ１）～（Ｑ７）のいずれかで表される基であり、
   （－Ａ ^１ －） _ｅ１ Ｃ（Ｒ ^２２ ） _{４－ｅ１－ｅ２} （－Ｑ ^２２ －） _ｅ２ 式（Ｑ２）
   －Ａ ^２ －Ｎ（－Ｑ ^２３ －） _２ 式（Ｑ３）
   （－Ａ ^３ －） _ｈ１ Ｚ ^１ （－Ｑ ^２４ －） _ｈ２ 式（Ｑ４）
   （－Ａ ^２ －） _ｉ１ Ｓｉ（Ｒ ^２３ ） _{４－ｉ１－ｉ２} （－Ｑ ^２５ －） _ｉ２ 式（Ｑ５）
   －Ａ ^１ －Ｑ ^２６ － 式（Ｑ６）
   －Ａ ^１ －ＣＨ（－Ｑ ^２２ －）－Ｓｉ（Ｒ ^２３ ） _３－ｉ３ （－Ｑ ^２５ －） _ｉ３ 式（Ｑ７）
   ただし、式（Ｑ１）～式（Ｑ７）においては、Ａ ^１ 、Ａ ^２ 又はＡ ^３ 側がポリフルオロポリエーテル鎖側と接続し、Ｑ ^２２ 、Ｑ ^２３ 、Ｑ ^２４ 、Ｑ ^２５ 又はＱ ^２６ 側が密着性基Ｔ ^１ 、Ｔ ^２ 又はＴ ^３ に接続し、
   Ａ ^１ は、単結合、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ ^２６ －、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ ^２６ －又は－Ｏ－を有する基であり、
   Ａ ^２ は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ ^２６ －、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ ^２６ －又は－Ｏ－を有する基であり、
   Ａ ^３ は、Ａ ^３ が結合するＺ ^１ における原子が炭素原子の場合、Ａ ^１ であり、Ａ ^３ が結合するＺ ^１ における原子が窒素原子の場合、Ａ ^２ であり、
   Ｑ ^１１ は、単結合、－Ｏ－、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ ^２６ －、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ ^２６ －又は－Ｏ－を有する基であり、
   Ｑ ^２２ は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ ^２６ －、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ ^２６ －又は－Ｏ－を有する基、アルキレン基の密着性基Ｔ ^１ 、Ｔ ^２ 又はＴ ^３ に接続しない側の末端に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ ^２６ －、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ ^２６ －又は－Ｏ－を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ ^２６ －、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ ^２６ －又は－Ｏ－を有しかつ密着性基Ｔ ^１ 、Ｔ ^２ 又はＴ ^３ に接続しない側の末端に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ ^２６ －、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ ^２６ －又は－Ｏ－を有する基であり、Ｑ ^１ 、Ｑ ^２ 又はＱ ^３ がＱ ^２２ を２以上有する場合、２以上のＱ ^２２ は互いに同一であっても異なっていてもよく、
   Ｑ ^２３ は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ ^２６ －、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ ^２６ －又は－Ｏ－を有する基であり、２個のＱ ^２３ は互いに同一であっても異なっていてもよく、
   Ｑ ^２４ は、Ｑ ^２４ が結合するＺ ^１ における原子が炭素原子の場合、Ｑ ^２２ であり、Ｑ ^２４ が結合するＺ ^１ における原子が窒素原子の場合、Ｑ ^２３ であり、Ｑ ^１ 、Ｑ ^２ 又はＱ ^３ がＱ ^２４ を２以上有する場合、２以上のＱ ^２４ は互いに同一であっても異なっていてもよく、
   Ｑ ^２５ は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ ^２６ －、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ ^２６ －又は－Ｏ－を有する基であり、Ｑ ^１ 、Ｑ ^２ 又はＱ ^３ がＱ ^２５ を２以上有する場合、２以上のＱ ^２５ は互いに同一であっても異なっていてもよく、
   Ｑ ^２６ は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ ^２６ －、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ ^２６ －又は－Ｏ－を有する基であり、
   Ｚ ^１ は、Ａ ^３ が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有しかつＱ ^２４ が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有する（ｈ１＋ｈ２）価の環構造を有する基であり、
   Ｒ ^２１ は、水素原子又はアルキル基であり、Ｑ ^１ 、Ｑ ^２ 又はＱ ^３ がＲ ^２１ を２以上有する場合、２以上のＲ ^２１ は互いに同一であっても異なっていてもよく、
   Ｒ ^２２ は、水素原子、水酸基、アルキル基又はアシルオキシ基であり、Ｑ ^１ 、Ｑ ^２ 又はＱ ^３ がＲ ^２２ を２以上有する場合、２以上のＲ ^２２ は互いに同一であっても異なっていてもよく、
   Ｒ ^２３ は、アルキル基であり、Ｑ ^１ 、Ｑ ^２ 又はＱ ^３ がＲ ^２３ を２以上有する場合、２以上のＲ ^２３ は互いに同一であっても異なっていてもよく、
   Ｒ ^２６ は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基又はフェニル基であり、
   ｄ１は、０～３の整数であり、ｄ２は、０～３の整数であり、ｄ１＋ｄ２は、１～３の整数であり、
   ｄ３は、０～３の整数であり、ｄ４は、０～３の整数であり、ｄ３＋ｄ４は、１～３の整数であり、
   ｄ１＋ｄ３は、Ｑ ^１ においては１～５の整数であり、Ｑ ^２ 及びＱ ^３ においては１であり、
   ｄ２＋ｄ４は、１～５の整数であり
   ｅ１は、Ｑ ^１ においては１～３の整数であり、Ｑ ^２ 及びＱ ^３ においては１であり、
   ｅ２は、１～３の整数であり、
   ｅ１＋ｅ２は、２～４の整数であり、
   ｈ１は、Ｑ ^１ においては１以上の整数であり、Ｑ ^２ 及びＱ ^３ においては１であり、
   ｈ２は、１以上の整数であり、
   ｉ１は、Ｑ ^１ においては１～３の整数であり、Ｑ ^２ 及びＱ ^３ においては１であり、
   ｉ２は、１～３の整数であり、
   ｉ１＋ｉ２は、２～４の整数であり、
   ｉ３は、１～３の整数であり、
   Ｔ^１、Ｔ^２及びＴ^３は、各々独立に、臭素原子、ヨウ素原子、水酸基、アミノ基、カルボキシ基、アルデヒド基、エポキシ基、チオール基、リン酸基、ホスホン酸基、不飽和炭化水素基、アリール基、及び－Ｓｉ（Ｒ ^３１ ） _３－ｃ （Ｌ ^３１ ） _ｃ で表される反応性シリル基より選択される密着性基であって、
   Ｒ ^３１ は、アルキル基であり、
   Ｌ ^３１ は、加水分解性基又は水酸基であり、
   ｃは、２又は３であり、
   ｍ１及びｍ８は、各々独立に０～２１０の整数であって、ｍ１が複数ある場合、当該ｍ１は互いに同一であっても異なっていてもよく、
   ｍ２、ｍ７及びｍ９は、各々独立に０又は１であって、ｍ２が複数ある場合、当該ｍ２は互いに同一であっても異なっていてもよく、
   ｍ３及びｍ４は、各々独立に０又は１であって、ｍ３＋ｍ４は１又は２であり、（ＣＨＦ）_ｍ３－Ｏ－（ＣＨＦ）_ｍ４が複数ある場合、当該ｍ３及びｍ４の組み合わせは互いに同一であっても異なっていてもよく、
   ｍ１＋ｍ２は１以上であり、
   ｍ７＋ｍ８＋ｍ９は１以上であり、
   ｍ５及びｍ６は、各々独立に０又は１であって、ｍ５＋ｍ６は１又は２であり、
   ｍ１０及びｍ１１は、各々独立に０又は１であって、ｍ１０＋ｍ１１は１又は２であり、
   ｎ１は１～１０の整数であり、
   ｎ２、ｎ３及びｎ４は各々独立に１～２０の整数である。
2. 前記ｍ３、ｍ６又はｍ１０が１である、請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
3. 前記ｍ４、ｍ５又はｍ１１が０である、請求項１又は２に記載の含フッ素エーテル化合物。
4. 請求項１～３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物の１種以上と、他の含フッ素エーテル化合物とを含有する、含フッ素エーテル組成物。
5. 請求項１～３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物又は請求項４に記載の含フッ素エーテル組成物と、
   液状媒体と、を含有するコーティング液。
6. 請求項１～３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物又は請求項４に記載の含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を有する、物品。
7. 請求項１～３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物、請求項４に記載の含フッ素エーテル組成物、又は請求項５に記載のコーティング液を用いて、ドライコーティング法又はウェットコーティング法により、表面層を形成する、物品の製造方法。