JP7680911B2

JP7680911B2 - 基板処理装置および基板処理方法

Info

Publication number: JP7680911B2
Application number: JP2021139347A
Authority: JP
Inventors: 建夫平村
Original assignee: SPP Technologies Co Ltd
Current assignee: SPP Technologies Co Ltd
Priority date: 2021-08-27
Filing date: 2021-08-27
Publication date: 2025-05-21
Anticipated expiration: 2041-08-27
Also published as: JP2023032956A

Description

この発明は、基板処理装置および基板処理方法に関し、特に、処理レシピに基づいて基板処理を実行する基板処理装置および基板処理方法に関する。

従来、処理レシピに基づいて基板処理を実行する基板処理装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。

上記特許文献１には、複数のステップを含むレシピに基づいて、基板に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）処理を施す基板処理装置が開示されている。上記特許文献１では、レシピに対応したＲＩＥ処理の途中でエラーの発生を検知すると、ＲＩＥ処理を中断し、操作者によるレシピの修正入力を受け付け、修正内容に応じて、修正されたレシピでエラー発生ステップの直前のステップを実行してからエラー発生ステップをエラー発生時の残りの処理時間だけ実行するなどの処理を行うことが開示されている。これにより、上記特許文献１では、処理が中止された基板を処理室内から取り出すことなく処理を再実行する。

特許第４９００９０４号公報

しかしながら、基板処理においては、基板の処理を中断して基板を基板処理部から搬出する必要がある事象も発生することがある。上記特許文献１では、レシピに従った処理を途中で中断して基板処理部から基板が搬出された場合については考慮されていない。そのため、処理の途中で基板が搬出された場合にも、処理中に搬出された基板に対する処理を適切に再開できるようにすることが望まれている。

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、処理の途中で基板が搬出された場合にも、処理中の基板に対する処理を適切に再開することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

上記目的を達成するために、第１の発明による基板処理装置は、基板に対する加工処理を実施する基板処理部と、基板処理部に対して基板の搬入出を行う搬入出装置と、処理ステップを含む処理レシピに基づいて基板処理部に基板の処理を実行させる制御を行う制御部と、を備え、制御部は、基板処理部からの基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合に、実行中の処理ステップの処理の進行状況を記録するとともに、処理を中断させて基板処理部から処理中基板を搬出させ、搬出させた処理中基板を基板処理部に再搬入するとき、進行状況と処理の再開時点とを取得し、中断した処理ステップの処理を、再開時点から再開するように基板処理部を制御し、搬出中断条件は、基板処理部から基板を搬出して基板処理部の処理室内の状況を確認する必要がある異常が発生したことを含む。

第１の発明による基板処理装置では、上記のように、基板処理部からの基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合に、実行中の処理ステップの処理の進行状況を記録するとともに、処理を中断させて基板処理部から処理中基板を搬出させるので、実行中の処理を中断させて基板処理部から処理中基板を搬出させる場合でも、中断した処理の進行状況を記録しておくことができる。そして、搬出させた処理中基板を基板処理部に再搬入するとき、進行状況と処理の再開時点とを取得し、中断した処理ステップの処理を、再開時点から再開することによって、一旦基板処理部の外部へ搬出した処理中基板でも、中断した処理ステップの再開時点から、処理を再開することができる。これらの結果、処理の途中で基板が搬出された場合にも、処理中の基板に対する処理を適切に再開することができる。

第２の発明による基板処理装置は、基板に対する加工処理を実施する基板処理部と、基板処理部に対して基板の搬入出を行う搬入出装置と、処理ステップを含む処理レシピに基づいて基板処理部に基板の処理を実行させる制御を行う制御部と、を備え、制御部は、基板処理部からの基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合に、実行中の処理ステップの処理の進行状況を記録するとともに、処理を中断させて基板処理部から処理中基板を搬出させ、搬出させた処理中基板を基板処理部に再搬入するとき、進行状況と処理の再開時点とを取得し、中断した処理ステップの処理を、再開時点から再開するように基板処理部を制御し、搬出中断条件は、実行中の処理ステップの処理以外の、基板処理部における他の割り込み処理が発生したことを含む。これにより、処理中に発生した割り込み処理により基板処理部から一旦搬出された基板に対する処理を、処理レシピの分割等を行うことなく再開できる。

上記第２の発明による基板処理装置において、好ましくは、他の割り込み処理は、基板処理部の処理室に対するクリーニング処理を含む。このように構成すれば、レシピを変更することなく、クリーニング処理後の処理室に処理中基板を再搬入することで処理を再開することができる。

第３の発明による基板処理装置は、基板に対する加工処理を実施する基板処理部と、基板処理部に対して基板の搬入出を行う搬入出装置と、処理ステップを含む処理レシピに基づいて基板処理部に基板の処理を実行させる制御を行う制御部と、を備え、制御部は、基板処理部からの基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合に、実行中の処理ステップの処理の進行状況を記録するとともに、処理を中断させて基板処理部から処理中基板を搬出させ、搬出させた処理中基板を基板処理部に再搬入するとき、進行状況と処理の再開時点とを取得し、中断した処理ステップの処理を、再開時点から再開するように基板処理部を制御し、処理中基板に対する処理を中断させて処理中基板を搬出させた後、基板処理部に、中断した処理ステップの処理以外で、かつ、基板処理以外の他の処理を実行させる制御を行う。ここで、通常、処理の途中に基板を搬出して他の処理を実行させる場合、搬出前の前半部の処理と、他の処理を実行させた後の後半部の処理とを、別々の処理レシピとして用意する必要がある。これに対して、第３の発明による基板処理装置では、同じ１つの処理レシピのまま、搬出した処理中基板に対する処理を再開できる。

第４の発明による基板処理装置は、基板に対する加工処理を実施する基板処理部と、基板処理部に対して基板の搬入出を行う搬入出装置と、処理ステップを含む処理レシピに基づいて基板処理部に基板の処理を実行させる制御を行う制御部と、を備え、制御部は、基板処理部からの基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合に、実行中の処理ステップの処理の進行状況を記録するとともに、処理を中断させて基板処理部から処理中基板を搬出させ、搬出させた処理中基板を基板処理部に再搬入するとき、進行状況と処理の再開時点とを取得し、中断した処理ステップの処理を、再開時点から再開するように基板処理部を制御し、処理レシピに基づいて、再開時点における基板処理部内の処理状況を取得し、処理中基板に対する処理を再開する前に、再開時点における処理状況を再現するための再現処理を実行するように基板処理部を制御し、再開する処理ステップが、処理中にパラメータ値を変化させる処理を含む場合、再開時点における処理状況は、再開時点のパラメータ値を含む。これにより、処理を中断しなければ再開時点で到達していたパラメータ値で、処理を再開できる。

第５の発明による基板処理装置は、基板に対する加工処理を実施する基板処理部と、基板処理部に対して基板の搬入出を行う搬入出装置と、処理ステップを含む処理レシピに基づいて基板処理部に基板の処理を実行させる制御を行う制御部と、を備え、制御部は、基板処理部からの基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合に、実行中の処理ステップの処理の進行状況を記録するとともに、処理を中断させて基板処理部から処理中基板を搬出させ、搬出させた処理中基板を基板処理部に再搬入するとき、進行状況と処理の再開時点とを取得し、中断した処理ステップの処理を、再開時点から再開するように基板処理部を制御し、処理中基板に対する処理を中断させて処理中基板を搬出させた後、基板処理部に、中断した処理ステップの処理以外の他の処理を実行させる制御を行い、他の処理は、基板処理部の処理室に対するクリーニング処理を含む。これにより、レシピを変更することなく、クリーニング処理後の処理室に処理中基板を再搬入することで処理を再開することができる。

第６の発明による基板処理装置は、基板に対する加工処理を実施する基板処理部と、基板処理部に対して基板の搬入出を行う搬入出装置と、処理ステップを含む処理レシピに基づいて基板処理部に基板の処理を実行させる制御を行う制御部と、を備え、制御部は、基板処理部からの基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合に、実行中の処理ステップの処理の進行状況を記録するとともに、処理を中断させて基板処理部から処理中基板を搬出させ、搬出させた処理中基板を基板処理部に再搬入するとき、進行状況と処理の再開時点とを取得し、中断した処理ステップの処理を、再開時点から再開するように基板処理部を制御し、基板の搬出を伴わずに処理を中断する一時中断条件が満たされた場合に、処理中基板を搬出させることなく基板処理部の処理を中断させ、処理中基板の処理を再開する場合に、中断した処理ステップの処理を、指定された時点から再開するように基板処理部を制御する。これにより、基板の搬出が不要な一時中断条件が満たされた場合にも、再開可能となった場合に、基板の搬入出を行わずにそのまま処理を再開できる。

第７の発明による基板処理方法は、基板に対する加工処理を実施する基板処理方法であって、基板を処理室に搬入する工程と、処理ステップを含む処理レシピに基づいて処理室内の基板の処理を実行する工程と、を備え、処理中に基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合、実行中の処理ステップの処理の進行状況を記録する工程と、処理を中断させて処理室から処理中基板を搬出させる工程と、を実行し、搬出させた処理中基板を処理室に再搬入する場合、進行状況と処理の再開時点とを取得する工程と、中断時に実行中の処理ステップの処理を、再開時点から再開する工程と、を実行し、搬出中断条件は、基板に対する加工処理を実施する基板処理部から基板を搬出して基板処理部の処理室内の状況を確認する必要がある異常が発生したことを含む。第７の発明による基板処理方法では、上記第１の発明と同様に、実行中の処理を中断させて処理室から処理中基板を搬出させる場合でも、中断した処理の進行状況を記録しておくことができ、一旦処理室の外部へ搬出した処理中基板でも、中断した処理ステップの再開時点から、処理を再開することができる。これらの結果、処理の途中で基板が搬出された場合にも、処理中の基板に対する処理を適切に再開することができる。

第８の発明による基板処理方法は、基板に対する加工処理を実施する基板処理方法であって、基板を処理室に搬入する工程と、処理ステップを含む処理レシピに基づいて処理室内の基板の処理を実行する工程と、を備え、処理中に基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合、実行中の処理ステップの処理の進行状況を記録する工程と、処理を中断させて処理室から処理中基板を搬出させる工程と、を実行し、搬出させた処理中基板を処理室に再搬入する場合、進行状況と処理の再開時点とを取得する工程と、中断時に実行中の処理ステップの処理を、再開時点から再開する工程と、を実行し、搬出中断条件は、実行中の処理ステップの処理以外の、基板に対する加工処理を実施する基板処理部における他の割り込み処理が発生したことを含む。これにより、処理中に発生した割り込み処理により基板処理部から一旦搬出された基板に対する処理を、処理レシピの分割等を行うことなく再開できる。

第９の発明による基板処理方法は、基板に対する加工処理を実施する基板処理方法であって、基板を処理室に搬入する工程と、処理ステップを含む処理レシピに基づいて処理室内の基板の処理を実行する工程と、を備え、処理中に基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合、実行中の処理ステップの処理の進行状況を記録する工程と、処理を中断させて処理室から処理中基板を搬出させる工程と、を実行し、搬出させた処理中基板を処理室に再搬入する場合、進行状況と処理の再開時点とを取得する工程と、中断時に実行中の処理ステップの処理を、再開時点から再開する工程と、を実行し、処理中基板に対する処理を中断させて処理中基板を搬出させた後、中断した処理ステップの処理以外で、かつ、基板処理以外の他の処理を実行する工程をさらに備える。ここで、通常、処理の途中に基板を搬出して他の処理を実行させる場合、搬出前の前半部の処理と、他の処理を実行させた後の後半部の処理とを、別々の処理レシピとして用意する必要がある。これに対して、第９の発明による基板処理方法では、同じ１つの処理レシピのまま、搬出した処理中基板に対する処理を再開できる。

第１０の発明による基板処理方法は、基板に対する加工処理を実施する基板処理方法であって、基板を処理室に搬入する工程と、処理ステップを含む処理レシピに基づいて処理室内の基板の処理を実行する工程と、を備え、処理中に基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合、実行中の処理ステップの処理の進行状況を記録する工程と、処理を中断させて処理室から処理中基板を搬出させる工程と、を実行し、搬出させた処理中基板を処理室に再搬入する場合、進行状況と処理の再開時点とを取得する工程と、中断時に実行中の処理ステップの処理を、再開時点から再開する工程と、を実行し、処理レシピに基づいて、再開時点における基板の処理の処理状況を取得する工程と、処理中基板に対する処理を再開する前に、再開時点における処理状況を再現するための再現処理を実行する工程と、をさらに備え、再開する処理ステップが、処理中にパラメータ値を変化させる処理を含む場合、再開時点における処理状況は、再開時点のパラメータ値を含む。これにより、処理を中断しなければ再開時点で到達していたパラメータ値で、処理を再開できる。

第１１の発明による基板処理方法は、基板に対する加工処理を実施する基板処理方法であって、基板を処理室に搬入する工程と、処理ステップを含む処理レシピに基づいて処理室内の基板の処理を実行する工程と、を備え、処理中に基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合、実行中の処理ステップの処理の進行状況を記録する工程と、処理を中断させて処理室から処理中基板を搬出させる工程と、を実行し、搬出させた処理中基板を処理室に再搬入する場合、進行状況と処理の再開時点とを取得する工程と、中断時に実行中の処理ステップの処理を、再開時点から再開する工程と、を実行し、処理中基板に対する処理を中断させて処理中基板を搬出させた後、中断した処理ステップの処理以外の他の処理を実行する工程をさらに備え、他の処理は、処理室に対するクリーニング処理を含む。これにより、レシピを変更することなく、クリーニング処理後の処理室に処理中基板を再搬入することで処理を再開することができる。

第１２の発明による基板処理方法は、基板に対する加工処理を実施する基板処理方法であって、基板を処理室に搬入する工程と、処理ステップを含む処理レシピに基づいて処理室内の基板の処理を実行する工程と、を備え、処理中に基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合、実行中の処理ステップの処理の進行状況を記録する工程と、処理を中断させて処理室から処理中基板を搬出させる工程と、を実行し、搬出させた処理中基板を処理室に再搬入する場合、進行状況と処理の再開時点とを取得する工程と、中断時に実行中の処理ステップの処理を、再開時点から再開する工程と、を実行し、基板の搬出を伴わずに処理を中断する一時中断条件が満たされた場合に、処理中基板を搬出させることなく基板の処理を中断する工程と、処理中基板の処理を再開する場合に、中断した処理ステップの処理を、指定された時点から再開する工程とをさらに備える。これにより、基板の搬出が不要な一時中断条件が満たされた場合にも、再開可能となった場合に、基板の搬入出を行わずにそのまま処理を再開できる。

本発明によれば、上記のように、処理の途中で基板が搬出された場合にも、処理中の基板に対する処理を適切に再開することができる。

基板処理装置の概略構成を示した模式図である。制御部の構成を説明するためのブロック図である。処理レシピを説明するための図である。基板処理部における処理の中断、基板の搬出および再搬入の流れを示した模式図である。割り込み処理を説明するための図である。処理中断時の処理の進行状況を説明するための図である。処理中基板に対する処理の再開指示を説明するための図である。再開時点の選択を説明するための図である。再開時点における処理状況の再現を説明するための図である。基板処理の流れを示したフロー図である。搬出中断処理の流れを示したフロー図である。処理中基板に対する処理を再開する際のフロー図である。一時中断処理の流れを示したフロー図である。処理レシピの具体例を示した図である。処理ステップ中のエッチングガス流量（ａ）、保護膜形成ガス流量（ｂ）、排気ガス流量（ｃ）の各パラメータの時間変化を示したタイミングチャートである。パラメータが時間変化する場合の具体例を示したタイミングチャートである。パラメータが時間変化する場合の再現処理を説明するためのタイミングチャートである。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

図１～図１３を参照して、基板処理装置１００の構成について説明する。基板処理装置１００は、基板１に対して、処理ステップＰＳ（図３参照）を含む処理レシピ５０（図３参照）に従った加工処理を行う装置である。基板１は、半導体基板である。

図１に示すように、基板処理装置１００は、基板処理部１０と、搬入出装置２０と、制御部３０と、を備える。搬入出装置２０が設置された真空搬送室２１を中心にして、ロードロック室４０と、複数の基板処理部１０とが真空搬送室２１に対して放射状に接続されている。２つのロードロック室４０と、４つの基板処理部１０とが設けられている。ロードロック室４０には、基板１を保持するカセット４１が設置される。

搬入出装置２０は、基板１を把持して搬送する真空搬送ロボットにより構成される。搬入出装置２０は、基板処理部１０に対して基板１の搬入出を行う。搬入出装置２０は、ロードロック室４０に設置されたカセット４１から基板１を取り出し、いずれかの基板処理部１０の処理室１１内に基板１を搬入すること、基板処理部１０の処理室１１内から基板１を搬出し他の箇所へ搬送することができる。

基板処理部１０は、それぞれ、基板１に対する加工処理を実施する。加工処理は、エッチング、成膜、基板表面の膜の除去などを含む。基板処理部１０は、基板１に対する処理を行うための処理室１１を備え、処理室１１内で基板１の加工処理を行う。

制御部３０は、基板処理部１０および搬入出装置２０を含む基板処理装置１００の全体の動作を制御する。制御部３０は、搬入出装置２０に基板１の搬送動作を実行させる制御を行う。

図２に示すように、制御部３０は、複数の処理ステップＰＳ（図３参照）を含む処理レシピ５０に基づいて基板処理部１０に基板１の処理を実行させる制御を行う。制御部３０は、主制御部３１と、処理制御部３２と、搬送制御部３３とを含む。主制御部３１は、プロセッサと記憶部３１ａとを備えたコンピュータである。主制御部３１は、操作入力を受け付ける入力部３４と接続されている。

記憶部３１ａには、主制御部３１が実行するプログラム、処理レシピ５０のデータ、および、各基板処理部１０における処理の進行状況５１のデータが記録される。記憶部３１ａには、後述する搬出中断条件５２ａおよび一時中断条件５２ｂが記録されている。進行状況５１のデータは、処理制御部３２の記憶部（図示せず）に記録してもよい。

処理制御部３２は、基板処理部１０の動作を制御するコントローラである。処理制御部３２は、それぞれの基板処理部１０に対して１つずつ設けられている。処理制御部３２は、主制御部３１から送信される処理レシピ５０に従って基板１に対する処理を実行するように、基板処理部１０を制御する。搬送制御部３３は、搬入出装置２０の動作を制御するコントローラである。搬送制御部３３は、主制御部３１から送信される情報に基づいて、搬入出装置２０を制御する。

図３に示すように、処理レシピ５０は、基板１に対する加工処理を、処理ステップＰＳ単位で規定したものである。処理レシピ５０は、１つ以上の処理ステップＰＳを含む。処理レシピ５０には、個々の処理ステップＰＳについて、処理条件（パラメータ）を規定した設定情報が登録される。

処理レシピ５０に従った基板処理部１０による処理ステップＰＳの実行中に、実行中の処理を中断する事象が発生する場合がある。たとえば図３に示す「Ｓｔｅｐ３」の時間Ｔａにおいて処理が中断する、といった事象が発生する。本実施形態では、予め設定された中断条件が満たされた場合に、制御部３０（主制御部３１または処理制御部３２）が、基板処理部１０による実行中の処理を中断させる。

本明細書では、中断条件を、中断時の基板搬出の有無に応じて２種類に区別する。すなわち、図２に示したように、中断条件の１つは、基板処理部１０からの基板１の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件５２ａである。中断条件の他の１つは、基板１の搬出を伴わずに処理を中断する一時中断条件５２ｂである。

図４に示すように、本明細書では、処理レシピ５０による一連の処理が開始されていない基板１を、未処理基板１ａと呼ぶ。いずれかの処理ステップＰＳの実行途中で処理が中断された基板１を、処理中基板１ｂと呼ぶ。本実施形態では、処理中基板１ｂを基板処理部１０に再搬入することで、処理レシピ５０を変更することなく処理を再開できる。

本実施形態では、搬出中断条件５２ａは、予め設定された所定の搬出事象が発生したことを含む。搬出中断条件５２ａに設定される搬出事象は、特に限定されないが、たとえば、基板１を搬出して処理室１１内の状況を確認する必要がある異常、などが該当する。搬出事象は、異常発生には限られず、経過時間が閾値を越えたといった異常以外の事象でもよい。搬出事象の発生源(搬出事象のトリガー)としては、タイマーの計測時間（たとえば高周波印加時間）、各種センサの検出値（たとえば冷媒流量、静電チャック電流値、圧力制御弁開度など）などがある。

また、搬出中断条件５２ａは、実行中の処理ステップＰＳの処理以外の、他の割り込み処理が発生したことを含む。図５に示すように、割り込み処理が発生した場合、制御部３０は、処理中基板１ｂに対する処理を中断させて処理中基板１ｂを搬出させた後、基板処理部１０に、中断した処理ステップＰＳの処理以外の他の処理を実行させる制御を行う。他の処理は、基板処理部１０の処理室１１に対するクリーニング処理を含む。たとえば、処理中のＯＥＳ（発光分光）検出による発光強度に基づいてクリーニング処理の割り込みが判断される。高周波印加時間とクリーニング処理の間隔設定値とに基づいて割り込みが判断されてもよい。クリーニング処理は、処理室１１内にダミー基板を搬入して実行してもよく、基板なしで実行してもよい。

図２に示した一時中断条件５２ｂは、搬出中断条件５２ａに設定された搬出事象以外の中断事象であって、予め設定された所定の中断事象が発生したことを含む。一時中断条件５２ｂに設定される中断事象は、特に限定されないが、たとえば、処理室１１内で監視される測定パラメータの一時的な異常などが該当しうる。

〈搬出中断条件に基づく制御動作〉
（中断時）制御部３０は、搬出中断条件５２ａが満たされた場合に、実行中の処理ステップＰＳの処理の進行状況５１（図２参照）を記録するとともに、処理を中断させて基板処理部１０から処理中基板１ｂを搬出させるように構成されている。

進行状況５１は、図６に示すように、基板識別情報６１と、レシピ名６２と、中断ステップ６３と、中断時点６４と、の各情報を含む。基板識別情報６１は、基板１の個体識別情報（ＩＤ）である。レシピ名６２は、基板１に対して実行されていた処理レシピ５０を特定する名称（または番号）である。中断ステップ６３は、中断した処理ステップＰＳを特定する情報（ステップ番号）である。中断時点６４は、中断した処理ステップＰＳにおける中断した時点を特定する情報（処理ステップ開始からの経過時間）である。

図２を参照して、進行状況５１は、搬出中断条件５２ａを満たした基板処理部１０を制御する処理制御部３２によって生成される。処理制御部３２から主制御部３１に進行状況５１が出力され、主制御部３１が進行状況５１を記憶部３１ａに記録する。そして、主制御部３１が、搬送制御部３３を介して、搬入出装置２０に処理中基板１ｂを処理室１１から搬出させる。処理制御部３２において処理中基板１ｂについての進行状況５１のデータがクリアされても、処理中基板１ｂを処理室１１に再搬入する場合には、記憶部３１ａに記録された進行状況５１に基づいて、処理中基板１ｂに対する処理が再開される。

（再搬入時）制御部３０は、搬出させた処理中基板１ｂを基板処理部１０に再搬入するとき、進行状況５１と処理の再開時点６６（図７参照）とを取得し、中断した処理ステップＰＳの処理を、再開時点６６から再開するように基板処理部１０を制御する。

具体的には、搬出させた処理中基板１ｂを基板処理部１０に再搬入する際に、主制御部３１は、進行状況５１に基づく再開指示５３（図７参照）をその基板処理部１０の処理制御部３２に出力して、再開時点６６から処理中基板１ｂに対する処理を再開させる。

図７に示すように、再開指示５３は、基板識別情報６１と、レシピ名６２と、再開ステップ６５と、再開時点６６と、の各情報を含む。再開ステップ６５は、処理中基板１ｂに対する処理を再開する処理ステップＰＳを特定する情報（ステップ番号）である。再開時点６６は、再開ステップ６５における、処理を再開する時点を特定する情報（処理ステップ開始からの経過時間）である。

本実施形態では、処理の再開時点６６は、処理の中断時点６４には限られない。制御部３０（主制御部３１）は、図８に示すように、処理の中断時点６４と、指定された処理ステップＰＳ内で指定された指定時点６７とのいずれかを、再開時点６６に選択する。

制御部３０は、再開時点６６を中断時点６４とする場合、中断時に記録された進行状況５１に基づいて、中断時点６４を取得するように構成されている。この場合、再開指示５３の再開ステップ６５と再開時点６６とは、記憶部３１ａに記録された進行状況５１の中断ステップ６３と中断時点６４とに一致する。

制御部３０は、再開時点６６を指定時点６７とする場合、入力部３４を介して、指定時点６７を取得する。再開時点６６を指定時点６７とする場合、処理レシピ５０に含まれる任意の処理ステップＰＳを再開ステップ６５として指定することができ、指定された再開ステップ６５における任意の時点を再開時点６６として指定することができる。指定時点６７は、処理ステップＰＳの開始からの経過時間で指定してもよいし、「中断時点６４のＺ秒前から再開」のように中断時点６４に対するオフセット値で指定してもよい。

〈再開時の処理〉
制御部３０は、処理レシピ５０に基づいて、再開時点６６における基板処理部１０内の処理状況を取得し、処理中基板１ｂに対する処理を再開する前に、再開時点６６における処理状況を再現するための再現処理を実行するように基板処理部１０を制御する。

再現処理は、処理条件として設定されたパラメータ値を、再開ステップ６５の再開時点６６における値に近づけるように調整する処理である。再開すべき処理ステップＰＳが、処理中にパラメータ値を変化させる処理を含む場合、再開時点６６における処理状況は、再開時点６６のパラメータ値を含む。たとえば図９に示したように、再開時点６６が経過時間Ｔｂとして与えられると、制御部３０は、初期値、最終値、および総処理時間Ｔｃから、経過時間Ｔｂにおけるパラメータ値Ｖｒを算出する。そして、制御部３０は、処理中基板１ｂに対する処理を再開する前に、そのパラメータがパラメータ値Ｖｒとなるように再現処理を実行する。

〈一時中断条件に基づく制御〉
制御部３０は、一時中断条件５２ｂが満たされた場合に、処理中基板１ｂを搬出させることなく基板処理部１０の処理を中断させる。制御部３０は、処理室１１内に収容したままの処理中基板１ｂの処理を再開する場合に、中断した処理ステップＰＳの処理を、指定された時点から再開するように基板処理部１０を制御する。指定された時点は、中断時点でも、中断時点以外の時点でもよい。

（基板処理装置の動作）
図１０～図１３を参照して、基板処理装置１００の動作を説明する。基板処理装置１００は、本実施形態の基板処理方法を実施する。

〈基板処理〉
まず、図１０を参照して、基本的な基板処理の流れを説明する。ステップＳ１において、搬入出装置２０が、処理対象となる基板１（未処理基板１ａ）をカセット４１から基板処理部１０の処理室１１内へ搬入する。搬入される未処理基板１ａは、基板識別情報６１（図６参照）に基づいて制御部３０により個別に識別される。ステップＳ２において、基板処理部１０が、処理室１１内に搬入された未処理基板１ａに対して、処理レシピ５０に基づいて加工処理を実行する。処理レシピ５０に含まれる全ての処理ステップＰＳが完了すると、基板処理が完了する。ステップＳ３において、搬入出装置２０が、処理が完了した基板１を基板処理部１０から搬出し、カセット４１へ搬送する。処理が完了した基板１に対応する基板識別情報６１は、処理済みとされる。

ステップＳ４において、制御部３０が、処理対象となる未処理基板１ａがあるか否かを判断する。未処理基板１ａが存在する場合、制御部３０は、その未処理基板１ａを次の処理対象として処理をステップＳ１に戻し、基板処理を開始する。未処理基板１ａが存在しない場合、制御部３０は、基板処理を終了させる。

〈搬出中断処理〉
次に、図１１を参照して、搬出中断処理の流れを説明する。搬出中断処理は、図１０のステップＳ１～Ｓ４の繰り返しの過程で、搬出中断条件５２ａが充足されることに基づき実行される処理である。

ステップＳ１１において、制御部３０は、搬出中断条件５２ａが充足された否かを判断する。搬出中断条件５２ａが満たされていない場合、ステップＳ１１が繰り返される。制御部３０は、いずれかの基板処理部１０において搬出中断条件５２ａが満たされた場合、ステップＳ１２以降に処理を進める。

ステップＳ１２において、制御部３０は、搬出中断条件５２ａを満たした基板処理部１０における基板処理を中断させる。ステップＳ１３において、制御部３０は、実行中の処理ステップＰＳの処理の進行状況５１を記憶部３１ａに記録する。ステップＳ１４において、搬入出装置２０が、基板処理を中断した基板処理部１０の処理室１１から、処理中基板１ｂを搬出し、カセット４１に搬送する。処理中基板１ｂの搬出先は、真空搬送ロボットのハンド上、バッファステージ、クーリングステージなどでもよい。

ステップＳ１５において、制御部３０は、搬出中断条件５２ａの内容に基づき、処理中基板１ｂを搬出した基板処理部１０について、他の処理があるか否かを判断する。制御部３０は、割り込み処理の発生により搬出中断条件５２ａが充足した場合、他の処理があると判断する。その場合、ステップＳ１６において、制御部３０は、処理中基板１ｂの搬出後の基板処理部１０に対して、他の処理（割り込み処理）を実行させる。

一方、制御部３０は、割り込み処理がない場合、他の処理がないと判断する。制御部３０は、ステップＳ１７において、基板搬出後の基板処理部１０の処理動作を再開するか否かを判断する。たとえば、処理再開の指示が入力部３４を介して受け付けられた場合、制御部３０は、処理動作を再開すると判断する。処理再開の指示が受け付けられない場合、制御部３０は、ステップＳ１７の判断を繰り返す。なお、図１１では図示を省略するが、異常発生により搬出中断条件５２ａが充足した場合で、処理の再開ができない場合には、基板処理自体が中止（アボート）される。

ステップＳ１６の実行後、またはステップＳ１７で処理動作を再開すると判断された場合、搬出中断処理が終了し、基板処理部１０における基板処理が再開される。

〈処理中基板の処理再開時の制御〉
次に、図１２を参照して、処理中基板１ｂが基板処理部１０に再搬入されることにより、処理中基板１ｂへの基板処理を再開するための処理の流れを説明する。処理中基板１ｂに対する基板処理は、搬出中断後、基板処理部１０における基板処理が再開された直後に実行されてもよく、他の未処理基板１ａに対する基板処理の後に実行されてもよい。

ステップＳ２１において、制御部３０は、基板識別情報６１に基づき、処理対象となる基板１が処理中基板１ｂであるか否かを判断する。処理対象が処理中基板１ｂでない（未処理基板１ａである）場合、図１０に示した通常の基板処理が実行される。処理対象が処理中基板１ｂである場合、制御部３０は、ステップＳ２２において、処理中基板１ｂに対する処理の進行状況５１を記憶部３１ａから取得する。

ステップＳ２３において、制御部３０は、処理中基板１ｂに対する処理の再開時点６６の指定があるか否かを判断する。制御部３０は、再開時点６６の指定を受け付けた場合、ステップＳ２４において、指定時点６７を再開時点６６に設定する。制御部３０は、時間指定がない場合、または中断時点６４を選択する入力を受け付けた場合、ステップＳ２５において、中断時点６４を再開時点６６に設定する。

ステップＳ２６において、制御部３０は、処理レシピ５０に基づいて、設定された再開時点６６における基板処理部１０内の処理状況を取得する。

ステップＳ２７において、制御部３０は、基板処理部１０に、処理中基板１ｂに対する処理を再開させる。まず、搬入出装置２０により、処理中基板１ｂが基板処理部１０の処理室１１に搬入（再搬入）される。主制御部３１が、基板処理部１０の処理制御部３２に対して、再開指示５３と再開時点６６における処理状況とを出力する。処理制御部３２は、再開時点６６に応じた再現処理を基板処理部１０に実行させる。そして、再現処理の完了とともに、処理制御部３２は、再開ステップ６５の再開時点６６から再開するように基板処理部１０を制御する。

処理が再開された後の制御は、図１０のステップＳ２に戻される。つまり、再開した処理ステップＰＳ以降、処理レシピ５０に含まれる残り全ての処理ステップＰＳが完了するまで、順番に処理ステップＰＳが実行される。この結果、図４に示したように、搬出および再搬入を挟んで処理中基板１ｂについての処理が完了する。

〈一時中断処理〉
次に、図１３を参照して、一時中断処理の流れを説明する。

ステップＳ３１において、制御部３０は、一時中断条件５２ｂが充足されたか否かを判断する。一時中断条件５２ｂが充足されていない場合、ステップＳ３１が繰り返される。制御部３０は、一時中断条件５２ｂが充足された場合、ステップＳ３２に処理を進める。

ステップＳ３２において、制御部３０は、一時中断条件５２ｂを満たした基板処理部１０における基板処理を中断させる。ステップＳ３３において、制御部３０は、処理動作を再開するか否かを判断する。たとえば処理再開の指示が受け付けられない場合、ステップＳ３３の判断を繰り返す。

処理動作を再開する場合、ステップＳ３４において、制御部３０は、一時中断した処理の再開時点の指定があるか否かを判断する。制御部３０は、再開時点の指定がある場合、ステップＳ３５において、指定された時点を再開時点に設定する。制御部３０は、指定がない場合または中断時点を選択する入力を受け付けた場合、ステップＳ３６に処理を進め、処理の一時中断時点を再開時点に設定する。

ステップＳ３７以降において、制御部３０は、基板処理部１０に、一時中断した処理を再開時点から再開させる。再開時点が中断時点とは異なる場合、その再開時点における処理状況を再現するための再現処理が行われてもよい。

（具体例）
以下、基板処理装置１００の動作の具体例を説明する。

図１４は、処理レシピ５０の一例を示す。図１４に示す処理レシピ５０は、シリコン基板である基板１に対して、ドライエッチング処理と、成膜（保護膜の形成）と、の２つの処理ステップＰＳを繰り返すことにより、基板１に高アスペクト比の凹部（穴、溝または貫通孔）を形成する深掘り加工を実施するものである。基板処理部１０は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）装置である。なお、処理ステップＰＳは、１つの処理ステップ（親ステップ）の中に、エッチング処理と成膜といった複数のステップ（子ステップ）を含む多層構造で定義されてもよい。

図１５は、図１４の処理レシピ５０で定義された処理ステップＰＳのタイミングチャートであって、処理ステップＰＳの途中でパラメータ値が変化するマルチフェーズプロセス（ＭＰＰ）の例を示す。横軸が経過時間を示し、縦軸がパラメータ値を示す。ＭＰＰは、パラメータ（ガス流量）変化によって処理室１１内のガス置換を効率化することで、エッチング速度を速くしたり、マスク選択比を高くしたり、高精度なエッチング形状を得ることを可能とする処理手法である。

Ｓｔｅｐ１およびＳｔｅｐ３の処理ステップＰＳでは、処理レシピ５０で設定された処理時間Ｔ_ｅｔｃｈの間、エッチング処理が実行される。エッチング処理では、基板処理部１０は、処理室１１内にエッチングガス（ＳＦ_６）を供給するとともに所定の高周波電力を供給することにより、エッチングガスをプラズマ化する。プラズマに含まれるＦラジカルがシリコン原子と化学反応したり、プラズマに含まれるイオンが電位差により基板１に向けて移動して衝突したりする結果、基板１に凹部が形成される。

Ｓｔｅｐ２およびＳｔｅｐ４の処理ステップＰＳでは、処理レシピ５０で設定された処理時間Ｔ_ｄｅｐｏの間、成膜処理が実行される。成膜処理では、基板処理部１０は、処理室１１内に保護膜形成ガス（Ｃ_４Ｆ_８）を供給するとともに所定の高周波電力を供給することにより、保護膜形成ガスをプラズマ化する。プラズマに含まれるラジカルから重合物が生成されて、基板１の凹部の側壁および底面に等方的に堆積する。堆積した重合物により、エッチングガスから生成されるラジカルと反応しない保護膜が形成される。

なお、図１５（ｃ）に示すように、エッチング処理と成膜処理との間で処理室１１内が排気され、エッチングガスと保護膜形成ガスとの入れ替えが行われる。

保護膜形成後にエッチング処理が行われると、イオンの方向性に起因して、イオン照射の多い凹部の底面では、イオン照射により保護膜が除去される一方、イオン照射の少ない凹部の側壁では保護膜が残る。そのため、保護膜が残る側壁はエッチングから保護されたまま、保護膜が除去された凹部の底面でラジカル及びイオン照射によるエッチングが進行する。これにより、エッチングは凹部の深さ方向にのみ進行し、高アスペクト比の凹部が基板１に形成される。凹部底面における保護膜の除去処理の処理ステップＰＳと、保護膜除去後のエッチング処理の処理ステップＰＳとを別個に設けてもよい。

ここで、エッチング（Ｓｔｅｐ３）の処理ステップＰＳにおける時間Ｔｄにおいて、基板処理部１０で搬出中断条件５２ａが充足した場合を仮定する。この場合、進行状況５１として、基板識別情報６１と、レシピ名６２と、中断ステップ６３の情報（エッチング処理）と、中断時点６４である時間Ｔｄの情報（処理ステップＰＳの開始からの経過時間Ｐａ）とが記憶部３１ａに記録される。

中断時点６４から処理が再開される場合、制御部３０が、再開時点６６のパラメータ値を特定する。図１５の例では、処理ステップＰＳの開始からの経過時間Ｐａにおいて、エッチングガス流量Ｖ_１、保護膜形成ガス流量Ｖ_２、排気ガス流量Ｖ_３が特定される。ガス制御パラメータには、この他に処理室１１内の圧力値などが含まれる。

この他、パラメータ値には、プラズマを生成するためのコイルに接続された高周波電源周波数、供給電力、基板１が設置される基台に接続された高周波電源周波数、基台に供給されるバイアス電力、などの電力制御パラメータ、基台の温度などの温度制御パラメータなどが含まれる。

図１４および図１５のケースでは、再搬入後の処理中基板１ｂに対する処理は、中断が発生した３番目の処理ステップＰＳの時間Ｔｄ以降の処理および４番目の処理ステップＰＳの処理となる。

次に、図１６および図１７を参照して、再現処理の例を説明する。図１６は、処理レシピ５０におけるＮ番目の処理ステップＰＳにおける、あるパラメータＸのパラメータ値の変化の一例を示す。横軸が経過時間を示し、縦軸がパラメータ値を示す。図１６は、処理の進行に伴ってパラメータ値を経時的に変化させるパラメータランピングと呼ばれる処理手法の例を示している。パラメータは、高値Ｈｖ（Ｈｉｇｈ）と低値Ｌｖ（Ｌｏｗ）との二値の切り替えを基本としつつ、高値Ｈｖおよび低値Ｌｖが経過時間に対して所定の変化率（傾き）となる。パラメータＸの変化は、処理レシピ５０に予め設定されている。

Ｎ番目の処理ステップＰＳの時間Ｔｅを再開時点６６として処理が再開される場合を仮定する。図１６では、時間Ｔｅ以前のパラメータの変化を実線で示し、時間Ｔｅ以降を点線で示すことにより、時間Ｔｅで処理が中断されたことを示している。

制御部３０は、処理レシピ５０で設定された図１６のパラメータ変化と、再開時点６６である時間Ｔｅとから、再開時点６６のパラメータ値を取得する。図１６の例では、時間Ｔｅでの高値Ｈｖに対応するパラメータ値Ｖｒが取得される。

制御部３０は、処理を再開する際、図１７に示すように、再現処理を実行するための準備期間ＰＰを、再開時点６６（時間Ｔｅ）の直前に設定する。準備期間ＰＰの終了時点が、再開時点６６となる。準備期間ＰＰにおいて再現処理が行われる。

一方、制御部３０は、準備期間ＰＰ中に基板処理が進行しないように、各種パラメータを制御する。たとえば上述の誘導結合プラズマ装置でエッチングまたは成膜処理を行う場合、プラズマ生成に関わるパラメータについては準備期間ＰＰでは制御を停止する。制御部３０は、準備期間ＰＰの終了時（再開時点６６の到達時）に、高周波電力の印加を開始させる。これにより、時間Ｔｆから再開時点６６までの準備期間ＰＰにおいて予め再現可能な処理状況を整えた上で、再開時点６６（時間Ｔｅ）から処理が再開される。

準備期間ＰＰの長さは、各種パラメータを安定化させることが可能な所定時間に設定される。準備期間ＰＰの長さ設定値は、入力部３４を介して入力を受け付けることにより、設定および設定変更可能である。

（本実施形態の効果）
本実施形態では、以下のような効果を得ることができる。

本実施形態の基板処理装置１００では、上記のように、基板処理部１０からの基板１の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件５２ａが満たされた場合に、実行中の処理ステップＰＳの処理の進行状況５１を記録するとともに、処理を中断させて基板処理部１０から処理中基板１ｂを搬出させるので、実行中の処理を中断させて基板処理部１０から処理中基板１ｂを搬出させる場合でも、中断した処理の進行状況５１を記録しておくことができる。そして、搬出させた処理中基板１ｂを基板処理部１０に再搬入するとき、進行状況５１と処理の再開時点６６とを取得し、中断した処理ステップＰＳの処理を、再開時点６６から再開することによって、一旦基板処理部１０の外部へ搬出した処理中基板１ｂでも、中断した処理ステップＰＳの再開時点６６から、処理を再開することができる。これらの結果、処理の途中で基板１が搬出された場合にも、処理中の基板１に対する処理を適切に再開することができる。

また、本実施形態では、上記のように、制御部３０は、処理の中断時点６４と、指定された指定時点６７とのいずれかを、再開時点６６に選択する。これにより、処理中基板１ｂの処理を、処理の中断時点６４から再開するか、操作者が指定した指定時点６７から再開するかを、中断した状況等に応じて選択できる。

また、本実施形態では、上記のように制御部３０は、再開時点６６を中断時点６４とする場合、中断時に記録された進行状況５１に基づいて、中断時点６４を取得するように構成されている。このように構成すれば、操作者が中断時点６４を指定することなく、中断時点６４からの処理を自動的に再開できる。

また、本実施形態では、上記のように、処理制御部３２は、搬出中断条件５２ａが満たされた場合、進行状況５１を主制御部３１に出力し、搬出させた処理中基板１ｂを再搬入する際に、主制御部３１は、進行状況５１に基づく再開指示５３を処理制御部３２に出力して、中断時点６４から処理中基板１ｂに対する処理を再開させる。これにより、処理制御部３２が処理中基板１ｂの搬出後に進行状況５１を保持する必要がないため、処理中基板１ｂの搬出後、処理再開のために再搬入するまでの間に、基板処理部１０で別の処理を実行できる。

また、本実施形態では、上記のように、制御部３０は、再開時点６６を指定時点６７とする場合、入力部３４を介して、指定時点６７を取得するように構成されている。これにより、操作者が、中断した状況に応じた任意の時点から処理を再開させることができる。

また、本実施形態では、上記のように、制御部３０は、処理レシピ５０に基づいて、再開時点６６における基板処理部１０内の処理状況を取得し、処理中基板１ｂに対する処理を再開する前に再現処理を実行する。これにより、処理レシピ５０に基づいて、処理を中断しなければ再開時点６６で実現していた状況を再現して、処理を再開できる。

また、本実施形態では、上記のように、再開する処理ステップＰＳが、処理中にパラメータ値を変化させる処理を含む場合、再開時点６６における処理状況は、再開時点６６のパラメータ値を含む。これにより、処理を中断しなければ再開時点６６で到達していたパラメータ値で、処理を再開できる。

また、本実施形態では、上記のように、搬出中断条件５２ａは、予め設定された所定の搬出事象が発生したことを含む。これにより、基板１の搬出が必要な事象が発生した場合でも、搬出事象発生時に処理されていた処理中基板１ｂに対する処理を、処理レシピ５０の再設定等を行うことなく再開できる。

また、本実施形態では、上記のように、搬出中断条件５２ａは、実行中の処理ステップＰＳの処理以外の、他の割り込み処理が発生したことを含む。これにより、割り込み処理により基板処理部１０から一旦搬出された基板１に対する処理を、処理レシピ５０の分割等を行うことなく再開できる。

また、本実施形態では、上記のように、制御部３０は、処理中基板１ｂに対する処理の中断および搬出後、基板処理部１０に、中断した処理ステップＰＳの処理以外の他の処理を実行させる制御を行う。これにより、搬出前と、他の処理を実行させた後の再搬入後とで、別々の処理レシピ５０として用意することなく、同じ１つの処理レシピ５０のまま、搬出した処理中基板１ｂに対する処理を再開できる。

また、本実施形態では、上記のように、他の処理は、基板処理部１０の処理室１１に対するクリーニング処理を含む。このように構成すれば、レシピを変更することなく、クリーニング処理後の処理室１１に処理中基板１ｂを再搬入することで処理を再開することができる。

また、本実施形態では、上記のように、制御部３０は、基板１の搬出を伴わずに処理を中断する一時中断条件５２ｂが満たされた場合に、処理中基板１ｂを搬出させることなく基板処理部１０の処理を中断させ、処理中基板１ｂの処理を再開する場合に、中断した処理ステップＰＳの処理を、指定された時点から再開するように基板処理部１０を制御する。これにより、基板１の搬出が不要な一時中断条件５２ｂが満たされた場合にも、再開可能となった場合に、基板１の搬入出を行わずにそのまま処理を再開できる。

また、本実施形態の基板処理方法では、実行中の処理を中断させて処理室１１から処理中基板１ｂを搬出させる場合でも、中断した処理の進行状況５１を記録しておくことができ、一旦処理室１１の外部へ搬出した処理中基板１ｂでも、中断した処理ステップＰＳの再開時点６６から、処理を再開することができる。これらの結果、処理の途中で基板１が搬出された場合にも、処理中の基板１に対する処理を適切に再開することができる。

［変形例］
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更（変形例）が含まれる。

たとえば、上記実施形態では、基板処理装置１００が複数（４つ）の基板処理部１０を備える例を示したが、本発明はこれに限らない。基板処理部１０の数は任意である。同様に、基板処理装置１００は、複数の搬入出装置２０を備えていてもよい。

また、上記実施形態では、主制御部３１と、処理制御部３２と、搬送制御部３３とが別々に設けられる例を示したが、本発明はこれに限られない。これらの個別の制御部が単一の制御部（単一のハードウェア）として統合されていてもよい。

また、上記実施形態では、基板処理部１０による加工処理の例として、エッチング、成膜および膜の除去などの例を示したが、本発明はこれに限られない。基板処理部１０による加工処理は、処理室１１内で実行される処理であれば特に限定されない。

また、上記実施形態では、基板１がシリコン基板（半導体基板）である例を示したが、本発明はこれに限らない。基板１はシリコン基板以外の半導体基板でもよいし、ガラス基板などの半導体以外の基板でもよい。

また、上記実施形態では、処理中基板１ｂに対する処理の再開時点６６を、中断時点６４および指定時点６７から選択する例を示したが、本発明はこれに限られない。中断時点６４のみを再開時点６６としてもよい。指定時点６７のみを再開時点６６としてもよい。

また、上記実施形態では、処理中基板１ｂに対する処理を再開する前に、再開時点６６における処理状況を再現するための再現処理を実行する例を示したが、本発明はこれに限られない。再現処理を行うことなく、再開時点６６から処理を再開してもよい。

１：基板、１ｂ：処理中基板、１０：基板処理部、１１：処理室、２０：搬入出装置、３０：制御部、３１：主制御部、３２：処理制御部、３４：入力部、５０：処理レシピ、５１：進行状況、５２ａ：搬出中断条件、５２ｂ：一時中断条件、５３：再開指示、６４：中断時点、６６：再開時点、６７：指定時点、１００：基板処理装置、ＰＳ：処理ステップ

Claims

基板に対する加工処理を実施する基板処理部と、
前記基板処理部に対して前記基板の搬入出を行う搬入出装置と、
処理ステップを含む処理レシピに基づいて前記基板処理部に前記基板の処理を実行させる制御を行う制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記基板処理部からの前記基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合に、実行中の前記処理ステップの処理の進行状況を記録するとともに、処理を中断させて前記基板処理部から処理中基板を搬出させ、
搬出させた前記処理中基板を前記基板処理部に再搬入するとき、前記進行状況と処理の再開時点とを取得し、中断した前記処理ステップの処理を、前記再開時点から再開するように前記基板処理部を制御し、
前記搬出中断条件は、前記基板処理部から前記基板を搬出して前記基板処理部の処理室内の状況を確認する必要がある異常が発生したことを含む、基板処理装置。
基板に対する加工処理を実施する基板処理部と、
前記基板処理部に対して前記基板の搬入出を行う搬入出装置と、
処理ステップを含む処理レシピに基づいて前記基板処理部に前記基板の処理を実行させる制御を行う制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記基板処理部からの前記基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合に、実行中の前記処理ステップの処理の進行状況を記録するとともに、処理を中断させて前記基板処理部から処理中基板を搬出させ、
搬出させた前記処理中基板を前記基板処理部に再搬入するとき、前記進行状況と処理の再開時点とを取得し、中断した前記処理ステップの処理を、前記再開時点から再開するように前記基板処理部を制御し、
前記搬出中断条件は、実行中の前記処理ステップの処理以外の、前記基板処理部における他の割り込み処理が発生したことを含む、基板処理装置。
前記他の割り込み処理は、前記基板処理部の処理室に対するクリーニング処理を含む、請求項２に記載の基板処理装置。
基板に対する加工処理を実施する基板処理部と、
前記基板処理部に対して前記基板の搬入出を行う搬入出装置と、
処理ステップを含む処理レシピに基づいて前記基板処理部に前記基板の処理を実行させる制御を行う制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記基板処理部からの前記基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合に、実行中の前記処理ステップの処理の進行状況を記録するとともに、処理を中断させて前記基板処理部から処理中基板を搬出させ、
搬出させた前記処理中基板を前記基板処理部に再搬入するとき、前記進行状況と処理の再開時点とを取得し、中断した前記処理ステップの処理を、前記再開時点から再開するように前記基板処理部を制御し、
前記処理中基板に対する処理を中断させて前記処理中基板を搬出させた後、前記基板処理部に、中断した前記処理ステップの処理以外で、かつ、基板処理以外の他の処理を実行させる制御を行う、基板処理装置。
基板に対する加工処理を実施する基板処理部と、
前記基板処理部に対して前記基板の搬入出を行う搬入出装置と、
処理ステップを含む処理レシピに基づいて前記基板処理部に前記基板の処理を実行させる制御を行う制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記基板処理部からの前記基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合に、実行中の前記処理ステップの処理の進行状況を記録するとともに、処理を中断させて前記基板処理部から処理中基板を搬出させ、
搬出させた前記処理中基板を前記基板処理部に再搬入するとき、前記進行状況と処理の再開時点とを取得し、中断した前記処理ステップの処理を、前記再開時点から再開するように前記基板処理部を制御し、
前記処理レシピに基づいて、前記再開時点における前記基板処理部内の処理状況を取得し、
前記処理中基板に対する処理を再開する前に、前記再開時点における処理状況を再現するための再現処理を実行するように前記基板処理部を制御し、
再開する前記処理ステップが、処理中にパラメータ値を変化させる処理を含む場合、前記再開時点における処理状況は、前記再開時点の前記パラメータ値を含む、基板処理装置。
基板に対する加工処理を実施する基板処理部と、
前記基板処理部に対して前記基板の搬入出を行う搬入出装置と、
処理ステップを含む処理レシピに基づいて前記基板処理部に前記基板の処理を実行させる制御を行う制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記基板処理部からの前記基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合に、実行中の前記処理ステップの処理の進行状況を記録するとともに、処理を中断させて前記基板処理部から処理中基板を搬出させ、
搬出させた前記処理中基板を前記基板処理部に再搬入するとき、前記進行状況と処理の再開時点とを取得し、中断した前記処理ステップの処理を、前記再開時点から再開するように前記基板処理部を制御し、
前記処理中基板に対する処理を中断させて前記処理中基板を搬出させた後、前記基板処理部に、中断した前記処理ステップの処理以外の他の処理を実行させる制御を行い、
前記他の処理は、前記基板処理部の処理室に対するクリーニング処理を含む、基板処理装置。
基板に対する加工処理を実施する基板処理部と、
前記基板処理部に対して前記基板の搬入出を行う搬入出装置と、
処理ステップを含む処理レシピに基づいて前記基板処理部に前記基板の処理を実行させる制御を行う制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記基板処理部からの前記基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合に、実行中の前記処理ステップの処理の進行状況を記録するとともに、処理を中断させて前記基板処理部から処理中基板を搬出させ、
搬出させた前記処理中基板を前記基板処理部に再搬入するとき、前記進行状況と処理の再開時点とを取得し、中断した前記処理ステップの処理を、前記再開時点から再開するように前記基板処理部を制御し、
前記基板の搬出を伴わずに処理を中断する一時中断条件が満たされた場合に、前記処理中基板を搬出させることなく前記基板処理部の処理を中断させ、
前記処理中基板の処理を再開する場合に、中断した前記処理ステップの処理を、指定された時点から再開するように前記基板処理部を制御する、基板処理装置。
基板に対する加工処理を実施する基板処理方法であって、
前記基板を処理室に搬入する工程と、
処理ステップを含む処理レシピに基づいて前記処理室内の前記基板の処理を実行する工程と、を備え、
処理中に前記基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合、
実行中の前記処理ステップの処理の進行状況を記録する工程と、
処理を中断させて前記処理室から処理中基板を搬出させる工程と、を実行し、
搬出させた前記処理中基板を前記処理室に再搬入する場合、
前記進行状況と処理の再開時点とを取得する工程と、
中断時に実行中の前記処理ステップの処理を、前記再開時点から再開する工程と、を実行し、
前記搬出中断条件は、前記基板に対する加工処理を実施する基板処理部から前記基板を搬出して前記基板処理部の前記処理室内の状況を確認する必要がある異常が発生したことを含む、基板処理方法。
基板に対する加工処理を実施する基板処理方法であって、
前記基板を処理室に搬入する工程と、
処理ステップを含む処理レシピに基づいて前記処理室内の前記基板の処理を実行する工程と、を備え、
処理中に前記基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合、
実行中の前記処理ステップの処理の進行状況を記録する工程と、
処理を中断させて前記処理室から処理中基板を搬出させる工程と、を実行し、
搬出させた前記処理中基板を前記処理室に再搬入する場合、
前記進行状況と処理の再開時点とを取得する工程と、
中断時に実行中の前記処理ステップの処理を、前記再開時点から再開する工程と、を実行し、
前記搬出中断条件は、実行中の前記処理ステップの処理以外の、前記基板に対する加工処理を実施する基板処理部における他の割り込み処理が発生したことを含む、基板処理方法。
基板に対する加工処理を実施する基板処理方法であって、
前記基板を処理室に搬入する工程と、
処理ステップを含む処理レシピに基づいて前記処理室内の前記基板の処理を実行する工程と、を備え、
処理中に前記基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合、
実行中の前記処理ステップの処理の進行状況を記録する工程と、
処理を中断させて前記処理室から処理中基板を搬出させる工程と、を実行し、
搬出させた前記処理中基板を前記処理室に再搬入する場合、
前記進行状況と処理の再開時点とを取得する工程と、
中断時に実行中の前記処理ステップの処理を、前記再開時点から再開する工程と、を実行し、
前記処理中基板に対する処理を中断させて前記処理中基板を搬出させた後、中断した前記処理ステップの処理以外で、かつ、基板処理以外の他の処理を実行する工程をさらに備える、基板処理方法。
基板に対する加工処理を実施する基板処理方法であって、
前記基板を処理室に搬入する工程と、
処理ステップを含む処理レシピに基づいて前記処理室内の前記基板の処理を実行する工程と、を備え、
処理中に前記基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合、
実行中の前記処理ステップの処理の進行状況を記録する工程と、
処理を中断させて前記処理室から処理中基板を搬出させる工程と、を実行し、
搬出させた前記処理中基板を前記処理室に再搬入する場合、
前記進行状況と処理の再開時点とを取得する工程と、
中断時に実行中の前記処理ステップの処理を、前記再開時点から再開する工程と、を実行し、
前記処理レシピに基づいて、前記再開時点における前記基板の処理の処理状況を取得する工程と、
前記処理中基板に対する処理を再開する前に、前記再開時点における処理状況を再現するための再現処理を実行する工程と、をさらに備え、
再開する前記処理ステップが、処理中にパラメータ値を変化させる処理を含む場合、前記再開時点における処理状況は、前記再開時点の前記パラメータ値を含む、基板処理方法。
基板に対する加工処理を実施する基板処理方法であって、
前記基板を処理室に搬入する工程と、
処理ステップを含む処理レシピに基づいて前記処理室内の前記基板の処理を実行する工程と、を備え、
処理中に前記基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合、
実行中の前記処理ステップの処理の進行状況を記録する工程と、
処理を中断させて前記処理室から処理中基板を搬出させる工程と、を実行し、
搬出させた前記処理中基板を前記処理室に再搬入する場合、
前記進行状況と処理の再開時点とを取得する工程と、
中断時に実行中の前記処理ステップの処理を、前記再開時点から再開する工程と、を実行し、
前記処理中基板に対する処理を中断させて前記処理中基板を搬出させた後、中断した前記処理ステップの処理以外の他の処理を実行する工程をさらに備え、
前記他の処理は、前記処理室に対するクリーニング処理を含む、基板処理方法。
基板に対する加工処理を実施する基板処理方法であって、
前記基板を処理室に搬入する工程と、
処理ステップを含む処理レシピに基づいて前記処理室内の前記基板の処理を実行する工程と、を備え、
処理中に前記基板の搬出を伴って処理を中断する搬出中断条件が満たされた場合、
実行中の前記処理ステップの処理の進行状況を記録する工程と、
処理を中断させて前記処理室から処理中基板を搬出させる工程と、を実行し、
搬出させた前記処理中基板を前記処理室に再搬入する場合、
前記進行状況と処理の再開時点とを取得する工程と、
中断時に実行中の前記処理ステップの処理を、前記再開時点から再開する工程と、を実行し、
前記基板の搬出を伴わずに処理を中断する一時中断条件が満たされた場合に、前記処理中基板を搬出させることなく前記基板の処理を中断する工程と、
前記処理中基板の処理を再開する場合に、中断した前記処理ステップの処理を、指定された時点から再開する工程とをさらに備える、基板処理方法。