JP7679136B2 - 収納容器、処理システム及びベースプレート - Google Patents

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Description

本開示は、収納容器、処理システム及びベースプレートに関する。
プラズマ処理が行われる処理容器内に設けられた静電チャックの上であって、ウエハの周囲に配置されるエッジリング及びカバーリングを１系統のリフタピンでそれぞれ昇降させ、１部材ずつ搬送する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０２０－１１３６０３号公報
本開示は、消耗部材を位置決めして収容できる技術を提供する。
本開示の一態様による収納容器は、環状部材を収納する容器であって、前記環状部材を載置するベースプレートを有し、前記ベースプレートは、前記環状部材を載置する載置面と、前記載置面から突出する複数のガイドピンであり、前記環状部材を位置決めする複数のガイドピンと、前記載置面の外周部において上方に突出する外枠部であり、該外枠部の上面に別のペースプレートの下面が分離可能に載置される該外枠部と、を有する。
本開示によれば、消耗部材を位置決めして収容できる。
実施形態の処理システムの一例を示す図 プロセスモジュールの一例を示す概略断面図 収納モジュールの一例を示す正面断面図 収納モジュールの一例を示す側面断面図 搬送対象物を保持していない上フォークを示す概略平面図 第１の組立体を保持した上フォークを示す概略平面図 第２の組立体を保持した上フォークを示す概略平面図 搬送治具のみを保持した上フォークを示す概略平面図 収納モジュール内のカセットの一例を示す概略斜視図 エッジリングの位置決め機構の一例を示す図 カバーリングの位置決め機構の一例を示す図 エッジリング及びカバーリングの位置決め機構の一例を示す図 エッジリング及びカバーリングの位置決め機構の別の一例を示す図 カセットに収納される第２の組立体の一例を示す概略平面図 カセットに収納される搬送治具の一例を示す概略平面図 収納モジュール内のカセットの別の一例を示す概略斜視図 エッジリング及びカバーリングが載置された静電チャックを示す概略図 同時搬送モードの一例を示す図 エッジリング及びカバーリングが載置された静電チャックを示す概略図 単独搬送モードの一例を示す図（１） 単独搬送モードの一例を示す図（２） 実施形態の消耗部材の交換方法の一例を示すフローチャート プロセスモジュールの別の一例を示す概略断面図 同時搬送モードにおける昇降機構の状態を示す図 単独搬送モードにおける昇降機構の状態を示す図
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
〔処理システム〕
図１を参照し、実施形態の処理システムの一例について説明する。図１に示されるように、処理システムＰＳは、基板にプラズマ処理等の各種処理を施すことが可能なシステムである。基板は、例えば半導体ウエハであってよい。
処理システムＰＳは、真空搬送モジュールＴＭ１，ＴＭ２、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、大気搬送モジュールＬＭ、収納モジュールＳＭ等を備える。
真空搬送モジュールＴＭ１，ＴＭ２は、それぞれ平面視において略四角形状を有する。真空搬送モジュールＴＭ１は、対向する２つの側面にプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６が接続されている。真空搬送モジュールＴＭ１の他の対向する２つの側面のうち、一方の側面にはロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２が接続され、他方の側面には真空搬送モジュールＴＭ２と接続するためのパス（図示せず）が接続されている。真空搬送モジュールＴＭ１のロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２が接続される側面は、２つのロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２に応じて角度が付けられている。真空搬送モジュールＴＭ２は、対向する２つの側面にプロセスモジュールＰＭ７～ＰＭ１２が接続されている。真空搬送モジュールＴＭ２の他の対向する２つの側面のうち、一方の側面には真空搬送モジュールＴＭ１と接続するためのパス（図示せず）が接続され、他方の側面には収納モジュールＳＭが接続されている。真空搬送モジュールＴＭ１，ＴＭ２は、真空室を有し、内部にそれぞれ搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２が配置されている。
搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２は、旋回、伸縮、昇降自在に構成されている。搬送ロボットＴＲ１は、先端に配置された上フォークＦＫ１１及び下フォークＦＫ１２で基板及び消耗部材を保持して搬送する。図１の例では、搬送ロボットＴＲ１は、上フォークＦＫ１１及び下フォークＦＫ１２で基板及び消耗部材を保持し、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６及びパス（図示せず）の間で基板及び消耗部材を搬送する。搬送ロボットＴＲ２は、先端に配置された上フォークＦＫ２１及び下フォークＦＫ２２で基板及び消耗部材を保持して搬送する。図１の例では、搬送ロボットＴＲ２は、上フォークＦＫ２１及び下フォークＦＫ２２で基板及び消耗部材を保持し、プロセスモジュールＰＭ７～ＰＭ１２、収納モジュールＳＭ及びパス（図示せず）の間で基板及び消耗部材を搬送する。消耗部材は、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２内に交換可能に取り付けられる部材であり、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２内でプラズマ処理等の各種の処理が行われることで消耗する部材である。消耗部材は、例えば後述するエッジリングＦＲ、カバーリングＣＲ、上部電極１２の天板１２１を含む。
プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２は、処理室を有し、内部に配置されたステージ（載置台）を有する。プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２は、ステージに基板が載置された後、内部を減圧して処理ガスを導入し、ＲＦ電力を印加してプラズマを生成し、プラズマによって基板にプラズマ処理を施す。真空搬送モジュールＴＭ１，ＴＭ２とプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２とは、開閉自在なゲートバルブＧ１で仕切られている。ステージには、エッジリングＦＲ、カバーリングＣＲ等が配置される。ステージと対向する上部には、ＲＦ電力を印加するための上部電極１２が配置される。
ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２は、真空搬送モジュールＴＭ１と大気搬送モジュールＬＭとの間に配置されている。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２は、内部を真空、大気圧に切り換え可能な内圧可変室を有する。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２は、内部に配置されたステージを有する。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２は、基板を大気搬送モジュールＬＭから真空搬送モジュールＴＭ１へ搬入する際、内部を大気圧に維持して大気搬送モジュールＬＭから基板を受け取り、内部を減圧して真空搬送モジュールＴＭ１へ基板を搬入する。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２は、基板を真空搬送モジュールＴＭ１から大気搬送モジュールＬＭへ搬出する際、内部を真空に維持して真空搬送モジュールＴＭ１から基板を受け取り、内部を大気圧まで昇圧して大気搬送モジュールＬＭへ基板を搬入する。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２と真空搬送モジュールＴＭ１とは、開閉自在なゲートバルブＧ２で仕切られている。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２と大気搬送モジュールＬＭとは、開閉自在なゲートバルブＧ３で仕切られている。
大気搬送モジュールＬＭは、真空搬送モジュールＴＭ１に対向して配置されている。大気搬送モジュールＬＭは、例えばＥＦＥＭ（Equipment Front End Module）であってよい。大気搬送モジュールＬＭは、直方体状であり、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）を備え、大気圧雰囲気に保持された大気搬送室である。大気搬送モジュールＬＭの長手方向に沿った一の側面には、２つのロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２が接続されている。大気搬送モジュールＬＭの長手方向に沿った他の側面には、ロードポートＬＰ１～ＬＰ５が接続されている。ロードポートＬＰ１～ＬＰ５には、複数（例えば２５枚）の基板を収容する容器（図示せず）が載置される。容器は、例えばＦＯＵＰ（Front-Opening Unified Pod)であってよい。大気搬送モジュールＬＭ内には、基板を搬送する搬送ロボット（図示せず）が配置されている。搬送ロボットは、ＦＯＵＰ内とロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の内圧可変室内との間で基板を搬送する。
収納モジュールＳＭは、真空搬送モジュールＴＭ２に対して着脱可能に接続されている。収納モジュールＳＭは、収納室を有し、消耗部材を収納する。収納モジュールＳＭは、例えばプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２内の消耗部材を交換する際に真空搬送モジュールＴＭ２に接続され、消耗部材の交換が完了した後に真空搬送モジュールＴＭ２から取り外される。これにより、処理システムＰＳの周囲の領域を有効活用できる。ただし、収納モジュールＳＭは、常に真空搬送モジュールＴＭ２に接続されていてもよい。収納モジュールＳＭは、収納室に収納された消耗部材の位置を検出する位置検出センサを有する。消耗部材は、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２によって、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２と収納モジュールＳＭとの間で搬送される。真空搬送モジュールＴＭ２と収納モジュールＳＭとは、開閉自在なゲートバルブＧ４で仕切られている。
処理システムＰＳには、制御部ＣＵが設けられている。制御部ＣＵは、処理システムの各部、例えば真空搬送モジュールＴＭ１，ＴＭ２に設けられた搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２、大気搬送モジュールＬＭに設けられた搬送ロボット、ゲートバルブＧ１～Ｇ４を制御する。例えば、制御部ＣＵは、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２にエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時に搬送させる同時搬送モードと、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２にエッジリングＦＲのみを搬送させる単独搬送モードとを選択するよう構成される。同時搬送モード及び単独搬送モードについては、後述する。
制御部ＣＵは、例えばコンピュータであってよい。制御部ＣＵは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、補助記憶装置等を備える。ＣＰＵは、ＲＯＭ又は補助記憶装置に格納されたプログラムに基づいて動作し、処理システムＰＳの各部を制御する。
〔プラズマ処理装置〕
図２を参照し、図１の処理システムＰＳが備えるプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２として用いられるプラズマ処理装置の一例について説明する。
プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、ＲＦ電力供給部３０、排気システム４０、昇降機構５０及び制御部９０を含む。
プラズマ処理チャンバ１０は、基板支持部１１及び上部電極１２を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内のプラズマ処理空間１０ｓの下部領域に配置される。上部電極１２は、基板支持部１１の上方に配置され、プラズマ処理チャンバ１０の天板の一部として機能し得る。
基板支持部１１は、プラズマ処理空間１０ｓにおいて基板Ｗを支持する。基板支持部１１は、下部電極１１１、静電チャック１１２、リングアセンブリ１１３、絶縁体１１５及びベース１１６を含む。静電チャック１１２は、下部電極１１１上に配置されている。静電チャック１１２は、上面で基板Ｗを支持する。リングアセンブリ１１３は、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを含む。エッジリングＦＲは、環形状を有し、下部電極１１１の周縁部上面において基板Ｗの周囲に配置されている。エッジリングＦＲは、例えばプラズマ処理の均一性を向上させる。カバーリングＣＲは、環形状を有し、エッジリングＦＲの外周部に配置されている。カバーリングＣＲは、例えばプラズマから絶縁体１１５の上面を保護する。図２の例では、カバーリングＣＲの内周部にエッジリングＦＲの外周部が載置されている。これにより、後述する複数の支持ピン５２１が昇降すると、カバーリングＣＲとエッジリングＦＲとが一体として昇降する。絶縁体１１５は、ベース１１６上で下部電極１１１を囲むように配置される。ベース１１６は、プラズマ処理チャンバ１０の底部に固定され、下部電極１１１及び絶縁体１１５を支持する。環形状の一例は、円環形状を含む。
上部電極１２は、絶縁部材１３と共にプラズマ処理チャンバ１０を構成する。上部電極１２は、ガス供給部２０からの１又はそれ以上の種類の処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給する。上部電極１２は、天板１２１及び支持体１２２を含む。天板１２１の下面は、プラズマ処理空間１０ｓを画成する。天板１２１には、複数のガス導入口１２１ａが形成されている。複数のガス導入口１２１ａの各々は、天板１２１の板厚方向（鉛直方向）に貫通する。支持体１２２は、天板１２１を着脱自在に支持する。支持体１２２の内部には、ガス拡散室１２２ａが設けられている。ガス拡散室１２２ａからは、複数のガス導入口１２２ｂが下方に延びている。複数のガス導入口１２２ｂは、複数のガス導入口１２１ａにそれぞれ連通する。支持体１２２には、ガス供給口１２２ｃが形成されている。上部電極１２は、１又はそれ以上の処理ガスをガス供給口１２２ｃからガス拡散室１２２ａ、複数のガス導入口１２２ｂ及び複数のガス導入口１２１ａを介してプラズマ処理空間１０ｓに供給する。
プラズマ処理チャンバ１０の側壁には、搬入出口１０ｐが形成されている。基板Ｗは、搬入出口１０ｐを介して、プラズマ処理空間１０ｓとプラズマ処理チャンバ１０の外部との間で搬送される。搬入出口１０ｐは、ゲートバルブＧ１により開閉される。
ガス供給部２０は、１又はそれ以上のガスソース２１と、１又はそれ以上の流量制御器２２と、を含む。ガス供給部２０は、１又はそれ以上の種類の処理ガスを、各々のガスソース２１から各々の流量制御器２２を介してガス供給口１２２ｃに供給する。流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。更に、ガス供給部２０は、１又はそれ以上の処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。
ＲＦ電力供給部３０は、２つのＲＦ電源（第１のＲＦ電源３１ａ、第２のＲＦ電源３１ｂ）及び２つの整合器（第１の整合器３２ａ、第２の整合器３２ｂ）を含む。第１のＲＦ電源３１ａは、第１のＲＦ電力を第１の整合器３２ａを介して下部電極１１１に供給する。第１のＲＦ電力の周波数は、例えば１３ＭＨｚ～１５０ＭＨｚであってよい。第２のＲＦ電源３１ｂは、第２のＲＦ電力を第２の整合器３２ｂを介して下部電極１１１に供給する。第２のＲＦ電力の周波数は、例えば４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚであってよい。なお、第２のＲＦ電源３１ｂに代えて、ＤＣ電源を用いてもよい。
排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排気口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
昇降機構５０は、基板Ｗ、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを昇降させる。昇降機構５０は、第１の昇降機構５１及び第２の昇降機構５２を含む。
第１の昇降機構５１は、複数の支持ピン５１１及びアクチュエータ５１２を含む。複数の支持ピン５１１は、下部電極１１１及び静電チャック１１２に形成された貫通孔Ｈ１に挿通されて静電チャック１１２の上面に対して突没可能となっている。複数の支持ピン５１１は、静電チャック１１２の上面に対して突出することにより、上端を基板Ｗの下面に当接させて基板Ｗを支持する。アクチュエータ５１２は、複数の支持ピン５１１を昇降させる。アクチュエータ５１２としては、例えばＤＣモータ、ステッピングモータ、リニアモータ等のモータ、エアシリンダ等のエア駆動機構、ピエゾアクチュエータを利用できる。係る第１の昇降機構５１は、例えば搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と基板支持部１１との間で基板Ｗの受け渡しをする際、複数の支持ピン５１１を昇降させる。
第２の昇降機構５２は、複数の支持ピン５２１及びアクチュエータ５２２を含む。複数の支持ピン５２１は、絶縁体１１５に形成された貫通孔Ｈ２に挿通されて絶縁体１１５の上面に対して突没可能となっている。複数の支持ピン５２１は、絶縁体１１５の上面に対して突出することにより、上端をカバーリングＣＲの下面に当接させてカバーリングＣＲを支持する。アクチュエータ５２２は、複数の支持ピン５２１を昇降させる。アクチュエータ５２２としては、例えばアクチュエータ５１２と同様のものを利用できる。係る第２の昇降機構５２は、例えば搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と基板支持部１１との間でエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの受け渡しをする際、複数の支持ピン５２１を昇降させる。図２の例では、カバーリングＣＲの内周部にエッジリングＦＲの外周部が載置されている。これにより、アクチュエータ５２２が複数の支持ピン５２１を昇降させると、カバーリングＣＲとエッジリングＦＲとが一体として昇降する。
制御部９０は、プラズマ処理装置１の各部を制御する。制御部９０は、例えばコンピュータ９１を含む。コンピュータ９１は、例えば、ＣＰＵ９１１、記憶部９１２、通信インターフェース９１３等を含む。ＣＰＵ９１１は、記憶部９１２に格納されたプログラムに基づいて種々の制御動作を行うように構成され得る。記憶部９１２は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、ＳＳＤ（Solid State Drive）等のような補助記憶装置からなるグループから選択される少なくとも１つのメモリタイプを含む。通信インターフェース９１３は、ＬＡＮ（Local Area Network）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。制御部９０は、制御部ＣＵと別に設けられていてもよく、制御部ＣＵに含まれていてもよい。
〔収納モジュール〕
図３及び図４を参照し、図１の処理システムＰＳが備える収納モジュールＳＭの一例について説明する。
収納モジュールＳＭは、フレーム６０の上にチャンバ７０が設置され、チャンバ７０の上部に機械室８１を有する。チャンバ７０は、底部に設けられた排気口７１に接続された排気部７２により、内部を減圧できる。また、チャンバ７０には、パージガスとして例えばＮ２ガスが供給される。これにより、チャンバ７０内を調圧できる。機械室８１は、例えば大気圧雰囲気である。
チャンバ７０内には、ステージ７３と、ステージ７３の下部に設けられたカゴ７４とを有するストレージ７５が設置されている。ストレージ７５は、ボールねじ７６により昇降可能となっている。機械室８１内には、消耗部材の位置、向き等を検出するラインセンサ８２と、ボールねじ７６を駆動するモータ７７とが設置されている。チャンバ７０と機械室８１との間には、ラインセンサ８２が後述する発光部８３の光を受光できるように、石英等で構成される窓８４が設けられている。
ステージ７３は、消耗部材を載置する。ステージ７３は、ラインセンサ８２に対向する発光部８３を有する。ステージ７３は、θ方向に回転可能であり、載置した消耗部材、例えばエッジリングＦＲを所定の向きに回転させる。すなわち、ステージ７３は、エッジリングＦＲのアライメント（位置合わせ）を行う。位置合わせでは、エッジリングＦＲのオリエンテーションフラット（ＯＦ）を所定の向きに合わせる。また、位置合わせでは、エッジリングＦＲの中心位置を合わせるようにしてもよい。
ラインセンサ８２は、発光部８３から照射された光の光量を検出し、検出された光量を制御部ＣＵへ出力する。制御部ＣＵは、検出された光量がエッジリングＦＲのオリエンテーションフラットの有無によって変化することを利用して、エッジリングＦＲのオリエンテーションフラットを検出する。制御部ＣＵは、検出したオリエンテーションフラットに基づいて、エッジリングＦＲの向きを検出する。ラインセンサ８２は、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のラインセンサである。
カゴ７４は、ステージ７３の下部に設けられている。カゴ７４の内部には、カセット７８が載置される。カセット７８は、カゴ７４から取り出し可能な収納容器である。カセット７８は、上下方向に間隔を有して、複数の消耗部材を収納する。図３の例では、カセット７８には、複数のエッジリングＦＲが収納されている。カセット７８は、収納モジュールＳＭの正面の側が開放されている。なお、カセット７８の詳細について後述する。
ストレージ７５は、ステージ７３及びカゴ７４に加えて、ボールねじ７６に支持されるガイド７９を側面に有する。ボールねじ７６は、チャンバ７０の上面と下面とを繋ぎ、チャンバ７０の上面を貫通して機械室８１内のモータ７７に接続されている。チャンバ７０の上面の貫通部は、ボールねじ７６が回転可能なように密封されている。ボールねじ７６は、モータ７７により回転することで、ストレージ７５を上下方向（Ｚ軸方向）に移動可能である。
収納モジュールＳＭは、ゲートバルブＧ４を介して真空搬送モジュールＴＭ２と着脱可能に接続される。チャンバ７０には、ゲートバルブＧ４を介して真空搬送モジュールＴＭ２の搬送ロボットＴＲ２の上フォークＦＫ２１及び下フォークＦＫ２２が挿入可能となっている。上フォークＦＫ２１及び下フォークＦＫ２２は、例えばカセット７８内へのエッジリングＦＲの搬入、カセット７８内に載置されたエッジリングＦＲの搬出、ステージ７３へのエッジリングＦＲの載置、ステージ７３に載置されたエッジリングＦＲの取得を行う。扉８０は、例えばチャンバ７０内からカセット７８を取り出す際、チャンバ内７０内へカセット７８を設置する際に開閉される。
発光部８５及び枚数検知センサ８６は、ストレージ７５がチャンバ７０の底面側からカセット７８をゲートバルブＧ４に対向する位置等の上部まで移動する場合に、カセット７８に載置されているエッジリングＦＲの枚数を検知する。発光部８５は、例えばＬＥＤ（Light Emitting Diode）、半導体レーザ等である。枚数検知センサ８６は、発光部８５から照射された光の光量を検出し、検出された光量を制御部ＣＵへ出力する。制御部ＣＵは、検出された光量に基づいて、発光部８５から照射された光がエッジリングＦＲにより遮られた回数を計測することで、エッジリングＦＲの枚数を検知する。枚数検知センサ８６は、例えば、フォトダイオード、フォトトランジスタ等である。また、枚数検知センサ８６は、例えばＣＣＤ、ＣＭＯＳ等のラインセンサであってもよい。
なお、上記の例では、制御部ＣＵが収納モジュールＳＭ内のラインセンサ８２により検出された光量に基づいて、エッジリングＦＲの位置情報を算出する場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、エッジリングＦＲの内周の位置を検出する内周センサと、エッジリングＦＲの外周の位置を検出する外周センサと、を含む位置検出センサを用いてもよい。この場合、制御部ＣＵは、内周センサが検出したエッジリングＦＲの外周の位置及び外周センサが検出したエッジリングＦＲの外周の位置に基づいて、エッジリングＦＲの位置情報を算出する。また例えば、ラインセンサ８２に代えて、他の光学的センサ、またはカメラを用いてもよい。この場合、制御部ＣＵは、カメラが撮影した画像に基づいて、例えば画像処理技術を用いることにより、エッジリングＦＲの位置情報を算出する。
〔搬送ロボット〕
図５～図８を参照し、搬送ロボットＴＲ２の上フォークＦＫ２１について説明する。なお、搬送ロボットＴＲ２の下フォークＦＫ２２についても、上フォークＦＫ２１と同じ構成であってよい。また、搬送ロボットＴＲ１の上フォークＦＫ１１及び下フォークＦＫ１２についても、搬送ロボットＴＲ２の上フォークＦＫ２１と同じ構成であってよい。
図５は、搬送対象物を保持していない上フォークＦＫ２１を示す概略平面図である。図５に示されるように、上フォークＦＫ２１は、平面視で略Ｕ字形状を有する。上フォークＦＫ２１は、例えば基板Ｗ、搬送治具ＣＪ、エッジリングＦＲ、カバーリングＣＲ、第１の組立体Ａ１、第２の組立体Ａ２を保持可能に構成される。
搬送治具ＣＪは、エッジリングＦＲを下方から支持する治具であり、エッジリングＦＲのみを交換する場合に用いられうる。
第１の組立体Ａ１は、カバーリングＣＲの上にエッジリングＦＲが載置されることにより、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが一体となった組立体である。
第２の組立体Ａ２は、搬送治具ＣＪの上にエッジリングＦＲが載置されることにより、搬送治具ＣＪ及びエッジリングＦＲが一体となった組立体である。
図６は、第１の組立体Ａ１（エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲ）を保持した状態の上フォークＦＫ２１を示す概略平面図である。図６に示されるように、上フォークＦＫ２１は、第１の組立体Ａ１を保持可能に構成されている。これにより、搬送ロボットＴＲ２は、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時に搬送できる。
図７は、第２の組立体Ａ２（搬送治具ＣＪ及びエッジリングＦＲ）を保持した状態の上フォークＦＫ２１を示す概略平面図である。図７に示されるように、上フォークＦＫ２１は、第２の組立体Ａ２を保持可能に構成されている。これにより搬送ロボットＴＲ２は、搬送治具ＣＪ及びエッジリングＦＲを同時に搬送できる。
図８は、搬送治具ＣＪのみを保持した状態の上フォークＦＫ２１を示す概略平面図である。図８に示されるように、上フォークＦＫ２１は、エッジリングＦＲを支持していない搬送治具ＣＪを保持可能に構成されている。これにより、搬送ロボットＴＲ２は、搬送治具ＣＪを単独で搬送できる。
〔カセット〕
図９を更に参照し、収納モジュールＳＭが有するカセット７８の一例として、エッジリングＦＲを収納するカセット７８について説明する。図９は、収納モジュールＳＭ内のカセット７８の一例を示す概略斜視図である。なお、図９では、エッジリングＦＲが収納されていない状態のカセット７８を示す。
カセット７８は、エッジリングＦＲを収納する。カセット７８は、複数のベースプレート７８１及び複数のガイドピン７８２を有する。
複数のベースプレート７８１は、上下方向に多段に設けられている。複数のベースプレート７８１は、エッジリングＦＲを載置する。各ベースプレート７８１は、略矩形板状を有する。各ベースプレート７８１は、例えば樹脂、金属により形成されている。各ベースプレート７８１は、載置面７８１ａ、外枠部７８１ｂ及びフォーク挿入溝７８１ｃを含む。
載置面７８１ａは、エッジリングＦＲを載置する。
外枠部７８１ｂは、載置面７８１ａの４辺のうち上フォークＦＫ２１及び下フォークＦＫ２２が挿入される正面側の一辺を除く３辺の外周部において、載置面７８１ａから上方に突出する。該外枠部７８１ｂ上には、別のベースプレート７８１が載置される。
フォーク挿入溝（凹部）７８１ｃは、載置面７８１ａに形成されている。フォーク挿入溝７８１ｃは、載置面７８１ａに対して窪んでおり、搬送ロボットＴＲ２が載置面７８１ａにエッジリングＦＲを載置する際に、上フォークＦＫ２１及び下フォークＦＫ２２が挿入される。
複数のガイドピン７８２は、載置面７８１ａに設けられている。各ガイドピン７８２は、先細りの円錐状を有してよい。複数のガイドピン７８２は、搬送ロボットＴＲ２が載置面７８１ａにエッジリングＦＲを載置する際に、エッジリングＦＲの外周部と接触して該エッジリングＦＲが載置面７８１ａの所定の位置に載置されるようにガイドする。各ガイドピン７８２は、樹脂または金属等で形成されてよい。樹脂製であれば、エッジリングＦＲの外周部と接触した際の擦れによるパーティクルの発生を抑制できる。
なお、図９では、エッジリングＦＲを収納するカセット７８を例示したが、例えば搬送治具ＣＪ、カバーリングＣＲ、第１の組立体Ａ１、第２の組立体Ａ２を収納するカセット７８についても、複数のガイドピン７８２を除いて同様の構成であってよい。
例えば、カバーリングＣＲを収納するカセット７８では、搬送ロボットＴＲ２により載置面７８１ａに載置されるカバーリングＣＲの内周部と接触する位置に複数のガイドピン７８２が設けられる。これにより、カバーリングＣＲが載置面７８１ａの所定の位置にガイドされて載置される。
また例えば、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを収納するカセット７８では、搬送ロボットＴＲ２により載置面７８１ａに載置されるエッジリングＦＲの外周部及びカバーリングＣＲの内周部と接触する位置に複数のガイドピン７８２が設けられる。これにより、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが載置面７８１ａの所定の位置にガイドされて載置される。
図１０を参照し、上フォークＦＫ２１により収納モジュールＳＭ内に搬送されたエッジリングＦＲを、カセット７８のベースプレート７８１上に載置する場合の位置決め機構の一例について説明する。図１０は、エッジリングＦＲの位置決め機構の一例を示す図である。図１０（ａ）は、ベースプレート７８１の上方に、エッジリングＦＲを保持した上フォークＦＫ２１を進入させたときの上面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）における一点鎖線Ｂ１－Ｂ１において切断した断面を示す。図１０（ｃ）は、上フォークＦＫ２１によりベースプレート７８１上にエッジリングＦＲを載置したときの断面図である。
まず、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示されるように、エッジリングＦＲは、その外周に切欠きＦＲａを有する。エッジリングＦＲを保持した上フォークＦＫ２１をベースプレート７８１の上方に進入させる。切欠きＦＲａは、例えば平面視においてＶ字形状を有する。Ｖ字形状の開き角度は、適宜設定されてよく、例えば９０°であってよい。また、切欠きＦＲａは、例えば平面視においてＵ字形状等の曲線形状を有していてもよい。
続いて、図１０（ｃ）に示されるように、上フォークＦＫ２１を下降させる。これにより、上フォークＦＫ２１に保持されたエッジリングＦＲがベースプレート７８１の載置面７８１ａに載置される。このとき、３つのガイドピン７８２のうちの１つがエッジリングＦＲの切欠きＦＲａと係合し、残りの２つがエッジリングＦＲの外周に接触することにより、エッジリングＦＲを位置決めする。その結果、水平方向及び回転方向において、ベースプレート７８１に対してエッジリングＦＲを位置決めできる。
このように、上フォークＦＫ２１によりベースプレート７８１上にエッジリングＦＲを載置することにより、エッジリングＦＲを位置決めできる。そのため、エッジリングＦＲの位置決めを行うアライメント機構を別途設けることなく、エッジリングＦＲを位置決めされた状態でプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２に搬送できる。その結果、エッジリングＦＲをアライメント機構に搬送することにより生じるダウンタイムを削減できる。また、装置導入コストを低減できる。また、スペース効率が向上する。ただし、アライメント機構を別途設けて、アライメント機構でエッジリングＦＲを精密に位置合わせして搬送するようにしてもよい。
なお、図１０の例では、エッジリングＦＲが外周に１つの切欠きＦＲａを有する場合を示したが、切欠きＦＲａの数はこれに限定されない。例えば、エッジリングＦＲは、外周に、周方向に互いに離間した複数の切欠きＦＲａを有していてもよい。この場合、ガイドピン７８２を複数の切欠きＦＲａのそれぞれに対応して設けることが好ましい。これにより、角度誤差を小さくできる。
また、図１０の例では、上フォークＦＫ２１を用いる場合を例示したが、下フォークＦＫ２２を用いてもよい。
図１１を参照し、上フォークＦＫ２１により収納モジュールＳＭ内に搬送されたカバーリングＣＲを、カセット７８のベースプレート７８１上に載置する場合の位置決め機構の一例について説明する。図１１は、カバーリングＣＲの位置決め機構の一例を示す図である。図１１（ａ）は、ベースプレート７８１の上方に、カバーリングＣＲを保持した上フォークＦＫ２１を進入させたときの上面図である。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）における一点鎖線Ｂ２－Ｂ２において切断した断面を示す。図１１（ｃ）は、上フォークＦＫ２１によりベースプレート７８１上にカバーリングＣＲを載置したときの断面図である。
まず、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示されるように、カバーリングＣＲは、その内周に切欠きＣＲａを有する。カバーリングＣＲを保持した上フォークＦＫ２１をベースプレート７８１の上方に進入させる。切欠きＣＲａは、例えば平面視においてＶ字形状を有する。Ｖ字形状の開き角度は、適宜設定されてよく、例えば９０°であってよい。また、切欠きＣＲａは、例えば平面視においてＵ字形状等の曲線形状を有していてもよい。
続いて、図１１（ｃ）に示されるように、上フォークＦＫ２１を下降させる。これにより、上フォークＦＫ２１に保持されたカバーリングＣＲがベースプレート７８１の載置面７８１ａに載置される。このとき、３つのガイドピン７８２のうちの１つがカバーリングＣＲの切欠きＣＲａと係合し、残りの２つがカバーリングＣＲの内周に接触することにより、カバーリングＣＲを位置決めする。その結果、水平方向及び回転方向において、ベースプレート７８１に対してカバーリングＣＲを位置決めできる。
このように、上フォークＦＫ２１によりベースプレート７８１上にカバーリングＣＲを載置することにより、カバーリングＣＲを位置決めできる。そのため、カバーリングＣＲの位置決めを行うアライメント機構を別途設けることなく、カバーリングＣＲを位置決めされた状態でプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２に搬送できる。その結果、カバーリングＣＲをアライメント機構に搬送することにより生じるダウンタイムを削減できる。また、装置導入コストを低減できる。また、スペース効率が向上する。ただし、アライメント機構を別途設けて、アライメント機構でカバーリングＣＲを精密に位置合わせして搬送するようにしてもよい。
なお、図１１の例では、カバーリングＣＲが内周に１つの切欠きＣＲａを有する場合を示したが、切欠きＣＲａの数はこれに限定されない。例えば、カバーリングＣＲは、内周に、周方向に互いに離間した複数の切欠きＣＲａを有していてもよい。この場合、ガイドピン７８２を複数の切欠きＣＲａのそれぞれに対応して設けることが好ましい。これにより、角度誤差を小さくできる。
また、図１１の例では、上フォークＦＫ２１を用いる場合を例示したが、下フォークＦＫ２２を用いてもよい。
図１２を参照し、上フォークＦＫ２１により収納モジュールＳＭ内に搬送されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを、カセット７８のベースプレート７８１上に載置する場合の位置決め機構について説明する。図１２は、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの位置決め機構の一例を示す図である。図１２（ａ）は、ベースプレート７８１の上方に、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを保持した上フォークＦＫ２１を進入させたときの上面図である。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）における一点鎖線Ｂ３－Ｂ３において切断した断面を示す。図１２（ｃ）は、上フォークＦＫ２１によりベースプレート７８１上にエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを載置したときの断面図である。
まず、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示されるように、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを保持した上フォークＦＫ２１をベースプレート７８１の上方に進入させる。エッジリングＦＲの外周部とカバーリングＣＲの内周部とは、平面視で重複しない構成を有する。すなわち、エッジリングＦＲの外径は、カバーリングＣＲの内径と同じ、又はカバーリングＣＲの内径よりも小さい。エッジリングＦＲは、外周に切欠きＦＲａを有する。カバーリングＣＲは、内周に切欠きＣＲａを有する。切欠きＦＲａ，ＣＲａは、例えば平面視においてＶ字形状を有する。Ｖ字形状の開き角度は、適宜設定されてよく、例えば９０°であってよい。また、切欠きＦＲａ，ＣＲａは、例えば平面視においてＵ字形状等の曲線形状を有していてもよい。
続いて、図１２（ｃ）に示されるように、上フォークＦＫ２１を下降させる。これにより、上フォークＦＫ２１に保持されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲがベースプレート７８１の載置面７８１ａに載置される。このとき、３つのガイドピン７８２のうちの１つがエッジリングＦＲの切欠きＦＲａ及びカバーリングＣＲの切欠きＣＲａと係合し、残りの２つがカバーリングＣＲの外周に接触することにより、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを位置決めする。その結果、水平方向及び回転方向において、ベースプレート７８１に対してエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを位置決めできる。
このように、上フォークＦＫ２１によりベースプレート７８１上にエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを載置することにより、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを位置決めできる。そのため、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの位置決めを行うアライメント機構を別途設けることなく、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを位置決めされた状態でプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２に搬送できる。その結果、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲをアライメント機構に搬送することにより生じるダウンタイムを削減できる。また、装置導入コストを低減できる。また、スペース効率が向上する。ただし、アライメント機構を別途設けて、アライメント機構でエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを精密に位置合わせして搬送するようにしてもよい。
なお、図１２の例では、エッジリングＦＲが外周に１つの切欠きＦＲａを有し、カバーリングＣＲが内周に１つの切欠きＣＲａを有する場合を示したが、切欠きＦＲａ，ＣＲａの数はこれに限定されない。例えば、エッジリングＦＲは、外周に、周方向に互いに離間した複数の切欠きＦＲａを有し、カバーリングＣＲは、内周に、周方向に互いに離間した複数の切欠きＣＲａを有していてもよい。この場合、ガイドピン７８２を複数の切欠きＦＲａ，ＣＲａのそれぞれに対応して設けることが好ましい。これにより、角度誤差を小さくできる。
また、図１２の例では、上フォークＦＫ２１を用いる場合を例示したが、下フォークＦＫ２２を用いてもよい。
また、図１２の例では、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを外周又は内周で位置決めする場合を説明したが、これに限定されない。例えば、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの裏面（載置面７８１ａに載置される側の面）に位置決めのための凹部（又は凸部）を設けてそれぞれの位置決めをしてもよい。
また、図１２の例では、エッジリングＦＲの外周部とカバーリングＣＲの内周部とが重複しない構成を有する場合を説明したが、これに限定されず、エッジリングＦＲの外周部とカバーリングＣＲの内周部とは重複する構成を有していてもよい。この場合、エッジリングＦＲをカバーリングＣＲに対して位置決めされた状態で保持し、一例ではカバーリングＣＲの外周に位置決め部を設けてカバーリングＣＲを位置決めすることでエッジリングＦＲを位置決めしてもよい。また別の一例では、エッジリングＦＲの外周部とカバーリングＣＲの内周部とが重複する場合、図１３に示されるように、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲのそれぞれの重複していない領域に位置決めのための凹部ＦＲｂ，ＣＲｂ（又は凸部）を設けてもよい。この場合、ガイドピン７８２を凹部ＦＲｂ，ＣＲｂと係合する位置に設ければよい。これにより、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲのそれぞれの位置決めができる。
以上、図１０～図１３を参照し、上フォークＦＫ２１を用いてエッジリングＦＲ及び／又はカバーリングＣＲを、カセット７８のベースプレート７８１上に載置する場合を例示したが、これに限定されない。例えば、収納モジュールＳＭの非稼働時時に、オペレータが手でエッジリングＦＲ及び／又はカバーリングＣＲを、カセット７８のベースプレート７８１上に載置してもよい。
図１４を参照し、上フォークＦＫ２１により収納モジュールＳＭ内に搬送された第２の組立体Ａ２（搬送治具ＣＪ及びエッジリングＦＲ）を、カセット７８のベースプレート７８１上に載置する場合について説明する。図１４に示される動作は、例えばプラズマ処理装置１の静電チャック１１２上に載置されたときにエッジリングＦＲの外周部とカバーリングＣＲの内周部とが重複する場合であり、制御部ＣＵが後述する単独搬送モードを選択して実行する場合に行われる。図１４は、カセット７８に収納される第２の組立体Ａ２の一例を示す概略上面図である。
まず、図１４に示されるように、第２の組立体Ａ２を保持した上フォークＦＫ２１をベースプレート７８１の上方に進入させる。続いて、上フォークＦＫ２１を下降させる。これにより、上フォークＦＫ２１に保持された第２の組立体Ａ２がベースプレート７８１の載置面７８１ａに載置される。
このように、搬送ロボットＴＲ２は、上フォークＦＫ２１で第２の組立体Ａ２（搬送治具ＣＪ及びエッジリングＦＲ）を保持し、搬送治具ＣＪ及びエッジリングＦＲを同時に搬送できる。
なお、図１４の例では、上フォークＦＫ２１を用いる場合を例示したが、下フォークＦＫ２２を用いてもよい。
図１５を参照し、上フォークＦＫ２１により収納モジュールＳＭ内に搬送された搬送治具ＣＪを、カセット７８のベースプレート７８１上に載置する場合について説明する。図１５に示される動作は、例えばプラズマ処理装置１の静電チャック１１２上に載置されたときにエッジリングＦＲの外周部とカバーリングＣＲの内周部とが重複する場合であり、制御部ＣＵが後述する単独搬送モードを選択して実行する場合に行われる。図１５は、カセット７８に収納される搬送治具ＣＪの一例を示す概略平面図である。
まず、図１５に示されるように、搬送治具ＣＪを保持した上フォークＦＫ２１をベースプレート７８１の上方に進入させる。続いて、上フォークＦＫ２１を下降させる。これにより、上フォークＦＫ２１に保持された搬送治具ＣＪがベースプレート７８１の載置面７８１ａに載置される。
このように、搬送ロボットＴＲ２は、上フォークＦＫ２１で搬送治具ＣＪを保持し、搬送治具ＣＪを単独で搬送できる。
なお、図１５の例では、上フォークＦＫ２１を用いる場合を例示したが、下フォークＦＫ２２を用いてもよい。
図１６を参照し、図３及び図４の収納モジュールＳＭが有するカセット７８の別の一例について説明する。図１６は、収納モジュールＳＭ内のカセット７８の別の一例を示す概略斜視図であり、消耗部材の一例であるエッジリングＦＲを収納するカセット７８Ｘを示す。
図１６に示されるカセット７８Ｘは、複数のガイドピン７８２に代えて、エッジリングＦＲの外周部と当接してエッジリングＦＲを所定の位置に保持する傾斜面を有する傾斜ブロック７８２ｂを有する点で、図９に示されるカセット７８と異なる。なお、その他の構成については、図９に示されるカセット７８と同じ構成であってよい。
また、更に別の一例として、カセット７８が、カバーリングＣＲの内周部と当接してカバーリングＣＲを所定の位置に保持する傾斜面を有する傾斜ブロック（図示せず）を有するようにしてもよい。また、更に別の一例として、カセット７８が、エッジリングＦＲの外周部及びカバーリングＣＲの内周部と当接してエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを所定の位置に保持する傾斜面を有する傾斜ブロック（図示せず）を有するようにしてもよい。また、傾斜ブロックは、エッジリングＦＲの内周部と当接してエッジリングＦＲを所定の位置に保持するように構成されていてもよい。また、傾斜ブロックは、カバーリングＣＲの外周部と当接してカバーリングＣＲを保持するよう構成されていてもよい。
〔消耗部材の搬送方法〕
図１７及び図１８を参照し、実施形態の処理システムＰＳにおける消耗部材の搬送方法の一例として、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２にエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時に搬送させる同時搬送モードを選択して実行する場合を説明する。以下では、制御部９０が制御部ＣＵに含まれており、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２及び昇降機構５０を制御するものとして説明する。ただし、制御部９０が制御部ＣＵとは別に設けられ、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２を制御し、制御部９０が昇降機構５０を制御するようにしてもよい。なお、エッジリングＦＲの外周部とカバーリングＣＲの内周部とは平面視で重複する構成を有するものとする。
図１８（ａ）に示されるように、制御部ＣＵは、静電チャック１１２の上方に未使用のエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを保持した上フォークＦＫ２１を進入させる。
続いて、図１８（ｂ）に示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５２１を、待機位置から支持位置まで上昇させる。これにより、複数の支持ピン５２１の上端が上フォークＦＫ２１に保持されたカバーリングＣＲの下面に当接し、該カバーリングＣＲが複数の支持ピン５２１によって持ち上げられ、該カバーリングＣＲが上フォークＦＫ２１から離間する。このとき、カバーリングＣＲの内周部にエッジリングＦＲの外周部が載置されている。そのため、複数の支持ピン５２１によってカバーリングＣＲが持ち上げられると、エッジリングＦＲもカバーリングＣＲと共に持ち上げられる。すなわち、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが一体となって上フォークＦＫ２１から離間する。
続いて、図１８（ｃ）に示されるように、制御部ＣＵは、搬送対象物を保持していない上フォークＦＫ２１を退出させる。
続いて、図１８（ｄ）に示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５２１を、支持位置から待機位置まで下降させる。これにより、複数の支持ピン５２１に支持されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが静電チャック１１２上に載置される。以上により、図１７に示されるように、プラズマ処理チャンバ１０内にエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが同時に搬入され、静電チャック１１２上に載置される。
なお、静電チャック１１２上に載置されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲをプラズマ処理チャンバ１０内から搬出する場合には、制御部ＣＵは、前述したエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの搬入と逆の動作を実行する。
以上に説明したように、実施形態の処理システムＰＳによれば、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時に搬送できる。
図１９～図２１を参照し、実施形態の処理システムＰＳにおける消耗部材の搬送方法の別の一例として、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２にエッジリングＦＲのみを搬送させる単独搬送モードを選択して実行する場合を説明する。以下では、制御部９０が制御部ＣＵに含まれており、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２及び昇降機構５０を制御するものとして説明する。ただし、制御部９０が制御部ＣＵとは別に設けられ、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２を制御し、制御部９０が昇降機構５０を制御するようにしてもよい。なお、エッジリングＦＲの外周部とカバーリングＣＲの内周部とは平面視で重複する構成を有するものとする。
図２０（ａ）に示されるように、制御部ＣＵは、静電チャック１１２の上方に未使用のエッジリングＦＲを保持した搬送治具ＣＪを保持した上フォークＦＫ２１を進入させる。
続いて、図２０（ｂ）に示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５１１を、待機位置から支持位置まで上昇させる。これにより、複数の支持ピン５１１の上端が上フォークＦＫ２１に保持された搬送治具ＣＪの下面に当接し、該搬送治具ＣＪが複数の支持ピン５１１によって持ち上げられ、該搬送治具ＣＪが上フォークＦＫ２１から離間する。このとき、搬送治具ＣＪ上にエッジリングＦＲの内周部が載置されている。そのため、複数の支持ピン５１１によって搬送治具ＣＪが持ち上げられると、エッジリングＦＲも搬送治具ＣＪと共に持ち上げられる。すなわち、搬送治具ＣＪ及びエッジリングＦＲが一体となって上フォークＦＫ２１から離間する。
続いて、図２０（ｃ）に示されるように、制御部ＣＵは、搬送対象物を保持していない上フォークＦＫ２１を退出させる。
続いて、図２０（ｄ）に示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５２１を、待機位置から支持位置まで上昇させる。これにより、複数の支持ピン５２１の上端が静電チャック１１２上に載置されたカバーリングＣＲの下面に当接し、該カバーリングＣＲが複数の支持ピン５２１によって持ち上げられ、該カバーリングＣＲが静電チャック１１２から離間する。また、搬送治具ＣＪ上に載置されたエッジリングＦＲの外周部がカバーリングＣＲの内周部に載置される。
続いて、図２１（ａ）に示されるように、制御部ＣＵは、搬送治具ＣＪ、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲと静電チャック１１２との間に、搬送対象物を保持していない上フォークＦＫ２１を進入させる。
続いて、図２１（ｂ）に示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５１１を、支持位置から待機位置まで下降させる。このとき、エッジリングＦＲの外周部がカバーリングＣＲの内周部に載置されているので、複数の支持ピン５１１に支持された搬送治具ＣＪのみが上フォークＦＫ２１上に載置される。
続いて、図２１（ｃ）に示されるように、制御部ＣＵは、搬送治具ＣＪを保持した上フォークＦＫ２１を退出させる。
続いて、図２１（ｄ）に示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５２１を、支持位置から待機位置まで下降させる。これにより、複数の支持ピン５２１に支持されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが静電チャック１１２上に載置される。以上により、図１９に示されるように、プラズマ処理チャンバ１０内にエッジリングＦＲのみが搬入され、カバーリングＣＲが載置された静電チャック１１２上に載置される。
なお、静電チャック１１２上に載置されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲのうちのエッジリングＦＲのみをプラズマ処理チャンバ１０内から搬出する場合には、制御部ＣＵは、前述したエッジリングＦＲの搬入と逆の動作を実行する。
以上に説明したように、実施形態の処理システムＰＳによれば、カバーリングＣＲを交換することなく、エッジリングＦＲのみを単独で搬送できる。
〔消耗部材の交換方法〕
図２２を参照し、実施形態の消耗部材の交換方法の一例について説明する。図２２は、実施形態の消耗部材の交換方法の一例を示すフローチャートである。
以下では、前述のプロセスモジュールＰＭ１２のステージ（静電チャック１１２）に載置されているエッジリングＦＲのみを単独で交換する場合を例に挙げて説明する。具体的には、プロセスモジュールＰＭ１２において使用されたエッジリングＦＲを収納モジュールＳＭに収容し、収納モジュールＳＭに予め収容された未使用のエッジリングＦＲに交換する場合について説明する。なお、プロセスモジュールＰＭ１２以外のプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１１のステージに載置されているエッジリングＦＲについても、同様の方法により交換することが可能である。また、図２２に示される実施形態の消耗部材の交換方法は、制御部ＣＵにより処理システムＰＳの各部が制御されることにより行われる。
図２２に示されるように、実施形態の消耗部材の交換方法は、消耗度判定ステップＳ１０と、交換可否判定ステップＳ２０と、第１のクリーニングステップＳ３０と、搬出ステップＳ４０と、第２のクリーニングステップＳ５０と、搬入ステップＳ６０と、シーズニングステップＳ７０とを有する。以下、各々のステップについて説明する。
消耗度判定ステップＳ１０は、プロセスモジュールＰＭ１２のステージに載置されているエッジリングＦＲの交換が必要か否かを判定するステップである。消耗度判定ステップＳ１０では、制御部ＣＵは、プロセスモジュールＰＭ１２のステージに載置されているエッジリングＦＲの交換が必要であるか否かを判定する。具体的には、制御部ＣＵは、例えばＲＦ積算時間、ＲＦ積算電力、レシピの特定ステップの積算値に基づいて、エッジリングＦＲの交換が必要であるか否かを判定する。ＲＦ積算時間とは、所定のプラズマ処理の際にプロセスモジュールＰＭ１２において高周波電力が供給された時間の積算値である。ＲＦ積算電力とは、所定のプラズマ処理の際にプロセスモジュールＰＭ１２において供給された高周波電力の積算値である。レシピの特定ステップの積算値とは、プロセスモジュールＰＭ１２において行われる処理のステップのうちエッジリングＦＲが削られるステップにおいて高周波電力が供給された時間の積算値や高周波電力の積算値である。なお、ＲＦ積算時間、ＲＦ積算電力及びレシピの特定ステップの積算値は、例えば装置が導入された時点、メンテナンスが実施された時点等、エッジリングＦＲを交換した時点を起点として算出される値である。
ＲＦ積算時間に基づいてエッジリングＦＲの交換が必要であるか否かを判定する場合、制御部ＣＵは、ＲＦ積算時間が閾値に達した場合、エッジリングＦＲを交換する必要があると判定する。これに対し、制御部ＣＵは、ＲＦ積算時間が閾値に達していない場合、エッジリングＦＲを交換する必要がないと判定する。なお、閾値は、予備実験等により、エッジリングＦＲの材質等の種類に応じて定められる値である。
ＲＦ積算電力に基づいてエッジリングＦＲの交換が必要であるか否かを判定する場合、制御部ＣＵは、ＲＦ積算電力が閾値に達した場合、エッジリングＦＲを交換する必要があると判定する。これに対し、制御部ＣＵは、ＲＦ積算電力が閾値に達していない場合、エッジリングＦＲを交換する必要がないと判定する。なお、閾値は、予備実験等により、エッジリングＦＲの材質等の種類に応じて定められる値である。
レシピの特定ステップの積算値に基づいてエッジリングＦＲの交換が必要であるか否かを判定する場合、制御部ＣＵは、特定のステップにおけるＲＦ積算時間又はＲＦ積算電力が閾値に達した場合、エッジリングＦＲの交換が必要である判定する。これに対し、制御部ＣＵは、特定ステップにおけるＲＦ積算時間又はＲＦ積算電力が閾値に達していない場合、エッジリングＦＲを交換する必要がないと判定する。レシピの特定ステップの積算値に基づいてエッジリングＦＲの交換が必要であるか否かを判定する場合、高周波電力が印加され、エッジリングＦＲが削られるステップに基づいて、エッジリングＦＲを交換するタイミングを算出することができる。このため、特に高い精度でエッジリングＦＲを交換するタイミングを算出することができる。なお、閾値は、予備実験等により、エッジリングＦＲの材質等の種類に応じて定められる値である。
消耗度判定ステップＳ１０において、プロセスモジュールＰＭ１２のステージに載置されているエッジリングＦＲの交換が必要であると判定した場合、制御部ＣＵは、交換可否判定ステップＳ２０を行う。消耗度判定ステップＳ１０において、プロセスモジュールＰＭ１２のステージに載置されているエッジリングＦＲの交換が必要でないと判定した場合、制御部ＣＵは、消耗度判定ステップＳ１０を繰り返す。
交換可否判定ステップＳ２０は、処理システムＰＳの状態が、エッジリングＦＲの交換を行うことができる状態であるか否かを判定するステップである。交換可否判定ステップＳ２０では、制御部ＣＵは、処理システムＰＳの状態が、エッジリングＦＲの交換を行うことができる状態であるか否かを判定する。具体的には、制御部ＣＵは、例えばエッジリングＦＲの交換を行うプロセスモジュールＰＭ１２において基板Ｗに処理が行われていない場合、エッジリングＦＲの交換が可能であると判定する。これに対し、制御部ＣＵは、プロセスモジュールＰＭ１２において基板Ｗに処理が行われている場合、エッジリングＦＲの交換が可能ではないと判定する。また、制御部ＣＵは、例えばエッジリングＦＲの交換を行うプロセスモジュールＰＭ１２において処理が行われている基板Ｗと同一のロットの基板Ｗの処理が終了した場合、エッジリングＦＲの交換が可能であると判定してもよい。この場合、制御部ＣＵは、プロセスモジュールＰＭ１２において処理が行われている基板Ｗと同一のロットの基板Ｗの処理が終了するまでの間、エッジリングＦＲの交換が可能ではないと判定する。
交換可否判定ステップＳ２０において、処理システムＰＳの状態が、エッジリングＦＲの交換を行うことができる状態であると判定した場合、制御部ＣＵは、第１のクリーニングステップＳ３０を行う。交換可否判定ステップＳ２０において、処理システムＰＳの状態が、エッジリングＦＲの交換を行うことができない状態であると判定した場合、制御部ＣＵは、交換可否判定ステップＳ２０を繰り返す。
第１のクリーニングステップＳ３０は、プロセスモジュールＰＭ１２のクリーニング処理を行うステップである。第１のクリーニングステップＳ３０では、制御部ＣＵは、ガス導入系、排気系、電力導入系等を制御することにより、プロセスモジュールＰＭ１２のクリーニング処理を行う。クリーニング処理とは、プラズマ処理によって発生したプロセスモジュールＰＭ１２内の堆積物を処理ガスのプラズマ等により除去し、プロセスモジュールＰＭ１２内をクリーンな状態で安定させる処理である。第１のクリーニングステップＳ３０を行うことにより、搬出ステップＳ４０においてステージからエッジリングＦＲを搬出する際、プロセスモジュールＰＭ１２内の堆積物が巻き上がることを抑制することができる。処理ガスとしては、例えば、酸素（Ｏ２）ガス、フッ化炭素（ＣＦ）系ガス、窒素（Ｎ２）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、あるいは、これらの二種以上の混合ガスを用いることができる。また、プロセスモジュールＰＭ１２のクリーニング処理を行う際、処理条件によってはステージの静電チャック１１２を保護するために、静電チャック１１２の上面にダミーウエハ等の基板Ｗを載置した状態でクリーニング処理を行ってもよい。なお、プロセスモジュールＰＭ１２内に堆積物が存在しない場合等、堆積物が巻き上がることがない場合には、第１のクリーニングステップＳ３０を行わなくてもよい。また、静電チャック１１２によりエッジリングＦＲがステージに吸着している場合には、次の搬出ステップＳ４０までに除電処理を行う。
搬出ステップＳ４０は、プロセスモジュールＰＭ１２を大気開放することなく、プロセスモジュールＰＭ１２内からエッジリングＦＲを搬出するステップである。搬出ステップＳ４０では、制御部ＣＵは、プロセスモジュールＰＭ１２を大気開放することなく、プロセスモジュールＰＭ１２内からエッジリングＦＲを搬出するように処理システムＰＳの各部を制御する。具体的には、ゲートバルブＧ１を開き、搬送ロボットＴＲ２により、プロセスモジュールＰＭ１２の内部のステージに載置されたエッジリングＦＲをプロセスモジュールＰＭ１２から搬出する。続いて、ゲートバルブＧ４を開き、搬送ロボットＴＲ２により、プロセスモジュールＰＭ１２から搬出されたエッジリングＦＲを収納モジュールＳＭに収納する。
第２のクリーニングステップＳ５０は、プロセスモジュールＰＭ１２のステージのエッジリングＦＲが載置される面をクリーニング処理するステップである。第２のクリーニングステップＳ５０では、制御部ＣＵは、ガス導入系、排気系、電力導入系等を制御することにより、プロセスモジュールＰＭ１２のステージのエッジリングＦＲが載置される面のクリーニング処理を行う。第２のクリーニングステップＳ５０におけるクリーニング処理は、例えば第１のクリーニングステップＳ３０と同様の方法で行うことができる。即ち、処理ガスとしては、例えば、Ｏ２ガス、ＣＦ系ガス、Ｎ２ガス、Ａｒガス、Ｈｅガス、あるいは、これらの二種以上の混合ガスを用いることができる。また、プロセスモジュールＰＭ１２のクリーニング処理を行う際、処理条件によってはステージの静電チャック１１２を保護するために、静電チャック１１２の上面にダミーウエハ等の基板Ｗを載置した状態でクリーニング処理を行ってもよい。なお、第２のクリーニングステップＳ５０は省略してもよい。
搬入ステップＳ６０は、プロセスモジュールＰＭ１２を大気開放することなく、プロセスモジュールＰＭ１２内にエッジリングＦＲを搬入し、ステージに載置するステップである。搬入ステップＳ６０では、制御部ＣＵは、プロセスモジュールＰＭ１２を大気開放することなく、プロセスモジュールＰＭ１２内にエッジリングＦＲを搬入するように処理システムＰＳの各部を制御する。具体的には、ゲートバルブＧ４を開き、搬送ロボットＴＲ２により、収納モジュールＳＭに収容された未使用のエッジリングＦＲを搬出する。続いて、ゲートバルブＧ１を開き、搬送ロボットＴＲ２により、未使用のエッジリングＦＲをプロセスモジュールＰＭ１２に搬入し、ステージに載置する。例えば、制御部ＣＵは、処理システムＰＳの各部を制御し、図２０（ａ）～図２０（ｄ）及び図２１（ａ）～図２１（ｄ）に示される搬送方法により、収納モジュールＳＭに収納されたエッジリングＦＲをプロセスモジュールＰＭ１２内のステージに載置する。
シーズニングステップＳ７０は、プロセスモジュールＰＭ１２のシーズニング処理を行うステップである。シーズニングステップＳ７０では、制御部ＣＵは、ガス導入系、排気系、電力導入系等を制御することにより、プロセスモジュールＰＭ１２のシーズニング処理を行う。シーズニング処理とは、所定のプラズマ処理を行うことにより、プロセスモジュールＰＭ１２内の温度や堆積物の状態を安定させるための処理である。また、シーズニングステップＳ７０では、プロセスモジュールＰＭ１２のシーズニング処理の後、プロセスモジュールＰＭ１２内に品質管理用ウエハを搬入し、品質管理用ウエハに対し、所定の処理を行ってもよい。これにより、プロセスモジュールＰＭ１２の状態が正常であるか否かを確認することができる。なお、シーズニングステップＳ７０は省略してもよい。
以上に説明したように、実施形態の処理システムＰＳによれば、プロセスモジュールＰＭ１２を大気開放することなく、搬送ロボットＴＲ２によりプロセスモジュールＰＭ１２内からエッジリングＦＲを搬出する。その後、プロセスモジュールＰＭ１２内をクリーニング処理し、続いて搬送ロボットＴＲ２によりプロセスモジュールＰＭ１２内にエッジリングＦＲを搬入する。これにより、作業者が手動でエッジリングＦＲの交換を行うことなく、エッジリングＦＲのみを単独で交換できる。このため、エッジリングＦＲの交換に要する時間を短縮することができ、生産性が向上する。また、エッジリングＦＲの搬入前にエッジリングＦＲが載置される面がクリーニングされることにより、エッジリングＦＲと該エッジリングＦＲが載置される面との間に堆積物が存在することを抑制できる。その結果、両者の接触が良好となることでエッジリングＦＲの温度制御性を良好に維持することができる。
なお、前述のプロセスモジュールＰＭ１２のステージ（静電チャック１１２）に載置されているエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時に交換する場合についても、エッジリングＦＲのみを単独で交換する場合と同様の方法を適用できる。この場合、消耗度判定ステップＳ１０では、制御部ＣＵは、プロセスモジュールＰＭ１２のステージに載置されているエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの交換が必要であるか否かを判定する。搬出ステップＳ４０では、制御部ＣＵは、処理システムＰＳの各部を制御し、プロセスモジュールＰＭ１２の内部のステージに載置されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを搬出する。搬入ステップＳ６０では、制御部ＣＵは、処理システムＰＳの各部を制御し、図１８（ａ）～図１８（ｄ）に示される搬送方法により、収納モジュールＳＭに収納されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲをプロセスモジュールＰＭ１２内のステージに載置する。
図２３～図２５を参照し、図１の処理システムＰＳが備えるプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２として用いられるプラズマ処理装置の別の一例について説明する。
プラズマ処理装置１Ｘは、プラズマ処理装置１におけるプラズマ処理チャンバ１０及び昇降機構５０に代えて、プラズマ処理チャンバ１０Ｘ及び昇降機構５０Ｘを含む。なお、その他の構成については、プラズマ処理装置１と同じであってよい。
プラズマ処理チャンバ１０Ｘは、基板支持部１１Ｘ及び上部電極１２を含む。基板支持部１１Ｘは、プラズマ処理チャンバ１０Ｘ内のプラズマ処理空間１０ｓの下部領域に配置される。上部電極１２は、基板支持部１１Ｘの上方に配置され、プラズマ処理チャンバ１０Ｘの天板の一部として機能し得る。
基板支持部１１Ｘは、プラズマ処理空間１０ｓにおいて基板Ｗを支持する。基板支持部１１Ｘは、下部電極１１１、静電チャック１１２、リングアセンブリ１１３Ｘ、絶縁体１１５及びベース１１６を含む。静電チャック１１２は、下部電極１１１上に配置されている。静電チャック１１２は、上面で基板Ｗを支持する。リングアセンブリ１１３Ｘは、エッジリングＦＲＸ及びカバーリングＣＲＸを含む。エッジリングＦＲＸは、環形状を有し、下部電極１１１の周縁部上面において基板Ｗの周囲に配置されている。エッジリングＦＲＸは、例えばプラズマ処理の均一性を向上させる。カバーリングＣＲＸは、環形状を有し、エッジリングＦＲＸの外周部に配置されている。カバーリングＣＲＸは、例えばプラズマから絶縁体１１５の上面を保護する。図２３の例では、エッジリングＦＲＸの外径は、カバーリングＣＲＸの内径と同じ、又は、カバーリングＣＲＸの内径よりも小さい。すなわち、平面視において、エッジリングＦＲＸとカバーリングＣＲＸとは重なっていない。これにより、エッジリングＦＲＸとカバーリングＣＲＸとは、独立して昇降する。絶縁体１１５は、ベース１１６上で下部電極１１１を囲むように配置される。ベース１１６は、プラズマ処理チャンバ１０Ｘの底部に固定され、下部電極１１１及び絶縁体１１５を支持する。
昇降機構５０Ｘは、基板Ｗ、エッジリングＦＲＸ及びカバーリングＣＲＸを昇降させる。昇降機構５０Ｘは、第１の昇降機構５１、第３の昇降機構５３及び第４の昇降機構５４を含む。
第１の昇降機構５１は、複数の支持ピン５１１及びアクチュエータ５１２を含む。複数の支持ピン５１１は、下部電極１１１及び静電チャック１１２に形成された貫通孔Ｈ１に挿通されて静電チャック１１２の上面に対して突没可能となっている。複数の支持ピン５１１は、静電チャック１１２の上面に対して突出することにより、上端を基板Ｗの下面に当接させて基板Ｗを支持する。アクチュエータ５１２は、複数の支持ピン５１１を昇降させる。アクチュエータ５１２としては、ＤＣモータ、ステッピングモータ、リニアモータ等のモータ、エアシリンダ等のエア駆動機構、ピエゾアクチュエータ等を利用できる。係る第１の昇降機構５１は、例えば搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と基板支持部１１との間で基板Ｗの受け渡しをする際、複数の支持ピン５１１を昇降させる。
第３の昇降機構５３は、複数の支持ピン５３１及びアクチュエータ５３２を含む。複数の支持ピン５３１は、絶縁体１１５に形成された貫通孔Ｈ３に挿通されて絶縁体１１５の上面に対して突没可能となっている。複数の支持ピン５３１は、絶縁体１１５の上面に対して突出することにより、上端をエッジリングＦＲＸの下面に当接させてエッジリングＦＲＸを支持する。アクチュエータ５３２は、複数の支持ピン５３１を昇降させる。アクチュエータ５３２としては、例えばアクチュエータ５１２と同様のものを利用できる。
第４の昇降機構５４は、複数の支持ピン５４１及びアクチュエータ５４２を含む。複数の支持ピン５４１は、絶縁体１１５に形成された貫通孔Ｈ４に挿通されて絶縁体１１５の上面に対して突没可能となっている。複数の支持ピン５４１は、絶縁体１１５の上面に対して突出することにより、上端をカバーリングＣＲＸの下面に当接させてカバーリングＣＲＸを支持する。アクチュエータ５４２は、複数の支持ピン５４１を昇降させる。アクチュエータ５４２としては、例えばアクチュエータ５１２と同様のものを利用できる。
係る昇降機構５０Ｘでは、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と基板支持部１１との間でエッジリングＦＲＸ及びカバーリングＣＲＸの受け渡しをする場合、複数の支持ピン５３１，５４１を昇降させる。例えば、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２により、静電チャック１１２上に載置されたエッジリングＦＲＸ及びカバーリングＣＲＸを搬出する場合、図２４に示されるように、複数の支持ピン５３１，５４１を上昇させる。これにより、複数の支持ピン５３１によってエッジリングＦＲＸが持ち上げられると共に、複数の支持ピン５４１によってカバーリングＣＲＸが持ち上げられ、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２によりエッジリングＦＲＸ及びカバーリングＣＲＸを同時に搬出できる。
また、係る昇降機構５０Ｘでは、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と基板支持部１１との間でエッジリングＦＲＸのみの受け渡しをする場合、複数の支持ピン５３１を昇降させる。例えば、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２により、静電チャック１１２上に載置されたエッジリングＦＲＸのみを搬出する場合、図２５に示されるように、複数の支持ピン５３１を上昇させる。これにより、複数の支持ピン５３１によってエッジリングＦＲＸのみが持ち上げられ、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２によりエッジリングＦＲＸを単独で搬出できる。
なお、上記の実施形態において、エッジリングＦＲ，ＦＲＸ及びカバーリングＣＲ，ＣＲＸは環状部材の一例であり、エッジリングＦＲ，ＦＲＸは内側リングの一例であり、カバーリングＣＲ，ＣＲＸは外側リングの一例である。また、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２は搬送装置の一例である。また、支持ピン５２１は第１支持ピンの一例であり、支持ピン５１１は第２支持ピンの一例であり、支持ピン５３１は第３支持ピンの一例であり、支持ピン５４１は第４支持ピンの一例である。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
上記の実施形態では、エッジリングＦＲ及び／又はカバーリングＣＲを昇降させる機構として、昇降機構５０及び昇降機構５０Ｘを説明したが、これに限定されない。例えば、エッジリングＦＲの外周部とカバーリングＣＲの内周部とが重複する場合、カバーリングＣＲに貫通孔を形成し、該貫通孔に嵌合する第１保持部と、当該第１保持部の軸方向に連接され第１保持部の外周から突出する突出部を有する第２保持部とを有する支持ピンにより、エッジリングＦＲとカバーリングＣＲとを独立して昇降させることができる。例えば、カバーリングＣＲの貫通孔に第１の保持部を貫通させ、第１の保持部の先端をカバーリングＣＲの裏面に当接させることで、エッジリングＦＲを単独で持ち上げることができる。また例えば、カバーリングＣＲの貫通孔に第１の保持部を貫通させ、第２の保持部の突出部をカバーリングＣＲの下面に当接させることで、カバーリングＣＲを単独で持ち上げることができる。なお、この構成の詳細は、米国特許出願公開第２０２０／０２１９７５３号明細書に記載されている。
上記の実施形態では、収納モジュールとプロセスモジュールとの間でエッジリングを搬送する場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、エッジリングに代えて、プロセスモジュール内に取り付けられる別の消耗部材、例えばカバーリング、上部電極の天板等を搬送する場合についても同様に適用できる。
１０ プラズマ処理チャンバ
１１ 基板支持部
１１２ 静電チャック
１１３ リングアセンブリ
５０ 昇降機構
７８ カセット
７８１ ベースプレート
７８２ ガイドピン
ＣＲ カバーリング
ＣＲａ 切欠き
ＣＵ 制御部
ＦＲ エッジリング
ＦＲａ 切欠き
ＰＳ 処理システム
ＴＭ１，ＴＭ２ 真空搬送モジュール
ＴＲ１，ＴＲ２ 搬送ロボット
Ｗ 基板

Claims (12)

  1. 環状部材を収納する容器であって、
    前記環状部材を載置するベースプレートを有し、
    前記ベースプレートは、
    前記環状部材を載置する載置面と、
    前記載置面から突出する複数のガイドピンであり、前記環状部材を位置決めする複数のガイドピンと、
    前記載置面の外周部において上方に突出する外枠部であり、該外枠部の上面に別のペースプレートの下面が分離可能に載置される該外枠部と、
    を有する、
    収納容器。
  2. 前記ベースプレートは、多段に設けられている、
    請求項１に記載の収納容器。
  3. 前記ベースプレートは、
    前記載置面に対して窪んでおり、前記環状部材を搬送する搬送ロボットのフォークが挿入されるフォーク挿入溝を含む、
    請求項１又は２に記載の収納容器。
  4. 前記複数のガイドピンは、先端が先細りの円錐状を有する、
    請求項１乃至３のいずれか一項に記載の収納容器。
  5. 前記環状部材は、外周に切欠きを有し、
    前記複数のガイドピンの少なくとも１つは、前記環状部材の前記外周に接触することにより該環状部材を位置決めする、
    請求項１乃至４のいずれか一項に記載の収納容器。
  6. 前記環状部材は、内周に切欠きを有し、
    前記複数のガイドピンの少なくとも１つは、前記環状部材の前記内周に接触することにより該環状部材を位置決めする、
    請求項１乃至５のいずれか一項に記載の収納容器。
  7. 前記環状部材は、プラズマ処理の際に基板の周囲に配置される部材である、
    請求項１乃至６のいずれか一項に記載の収納容器。
  8. 前記環状部材は、周方向に互いに離間した複数の切欠きを有し、
    前記複数のガイドピンは、前記複数の切欠きのそれぞれと係合する複数のピンを含む、
    請求項１乃至７のいずれか一項に記載の収納容器。
  9. 前記環状部材は、外周及び内周の少なくとも一方に切欠きを有し、
    前記切欠きは、平面視においてＶ字形状を有する、
    請求項１乃至８のいずれか一項に記載の収納容器。
  10. 前記環状部材は、外周及び内周の少なくとも一方に切欠きを有し、
    前記複数のガイドピンは、前記切欠きに係合するピンを含む、
    請求項１乃至９のいずれか一項に記載の収納容器。
  11. 環状部材を収納する収納容器を含む収納モジュールと、
    前記収納モジュールに接続される真空搬送モジュールであり、前記収納容器に前記環状部材を搬送する搬送ロボットを有する真空搬送モジュールと、
    を備え、
    前記収納容器は、前記環状部材を載置するベースプレートを有し、
    前記ベースプレートは、
    前記環状部材を載置する載置面と、
    前記載置面から突出する複数のガイドピンであり、前記環状部材を位置決めする複数のガイドピンと、
    前記載置面の外周部において上方に突出する外枠部であり、該外枠部の上面に別のペースプレートの下面が分離可能に載置される該外枠部と、
    を有する、
    処理システム。
  12. 環状部材を収納するベースプレートであって、
    前記ベースプレートは、
    前記環状部材を載置する載置面と、
    前記載置面から突出し、前記環状部材を位置決めする複数のガイドピンと、
    前記載置面の外周部において上方に突出する外枠部であり、該外枠部の上面に別のペースプレートの下面が分離可能に載置される該外枠部と、
    を有する、
    ベースプレート。
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