JP7635287B2

JP7635287B2 - 原版、原版のパターン決定方法、露光方法及び物品の製造方法

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Publication number: JP7635287B2
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Inventors: 透小林
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Description

本発明は、原版、原版のパターン決定方法、露光方法及び物品の製造方法に関する。

半導体デバイスの製造工程において、異なる誘電率を有する膜が交互に積層されて構成された多層膜に階段形状の構造を形成することがある。特許文献１には多層膜の上にレジストを設け、多層膜のエッチングとレジストの幅の縮小（トリミング、スリミング）とを交互に繰り返すことにより、多層膜に階段形状の構造を形成する方法が開示されている。

特開２０１４－３６１４８号公報

多層膜に形成される階段形状の各段差のステップ面の幅はばらついていないことが好ましい。ここで、レジストの側壁部の傾斜には凹凸が生じることがあるが、この凹凸によりレジストの幅を縮小した際に露出する多層膜の幅がばらつくことがある。露出する多層膜の幅がばらつくことにより、多層膜のエッチングを繰り返し行うときのエッチングの対象となる多層膜の幅がばらつき、階段形状の各段差のステップ面の幅がばらつく。

そこで、本発明は、多層膜に階段形状を形成する際に用いるレジストの側壁部の傾斜における凹凸を抑制可能な原版を提供することを目的とする。

上記課題を解決する本発明の一側面としての原版は、基板上に構成された多層膜の上側に配置された感光材料の露光に用いるためのパターンが形成された原版であって、前記パターンは、メインパターンと、前記メインパターンから所定間隔だけ離れた位置に配置された補助パターンと、を有し、前記補助パターンは矩形であり、１つの前記補助パターンの長辺の長さは、前記メインパターンが配置された矩形の領域の短辺の長さ以上であり、前記補助パターンは、前記感光材料に形成される前記メインパターンの側壁部の傾斜における凹凸を抑制する、ことを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、図面を参照して説明される実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、多層膜に階段形状を形成する際に用いるレジストの側壁部の傾斜における凹凸を抑制可能な原版を提供することができる。

第１実施形態における露光装置の構成を示す概略図である。多層膜に階段形状を形成するときの模式図である。レジストの側壁部の傾斜に凹凸がある場合における、多層膜に階段形状を形成するときの模式図である。第１実施形態における原版の例である。レジストの側壁部の傾斜をシミュレーションした結果である。第１実施形態における原版のパターン決定方法の一例である。第１実施形態における原版の別の例である。第２実施形態における原版のパターンとレジスト形状の例である。第３実施形態における物品の製造方法のフローチャートである。

以下に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

また、本明細書および図面では、基本的に、鉛直方向をＺ軸とし、鉛直方向に対し垂直な水平面をＸＹ平面とする、各軸が相互に直交するＸＹＺ座標系によって方向が示されている。ただし、各図面にＸＹＺ座標系を記載している場合はその座標系を優先する。

以下、各実施形態において、具体的な構成を説明する。

＜第１実施形態＞
図１は、本実施形態における露光装置１の構成を示す概略図である。露光装置１は、本実施形態では、ステップ・アンド・リピート方式又はステップ・アンド・スキャン方式により原版（マスク、レチクル）のパターンを、投影光学系を介して基板に露光する投影露光装置である。

露光装置１は、光を照射する照明光学系１２と、投影光学系１４と、原版２を保持する原版ステージ１３と、基板１５を保持しつつＸＹ方向に移動可能なステージ１６と、制御部１１と、を有する。原版２は、例えば石英ガラスの表面に転写されるべきパターン（例えば回路パターン）がクロムで形成されている。また、基板１５は、例えば単結晶シリコンであり、表面上にレジスト（感光材料）が塗布されている。制御部１１は露光装置１内の各部分を制御する。

露光装置１において、光源（不図示）からの露光光は、照明光学系１２を介して、原版ステージ１３に保持された原版２を照明する。原版２を透過した光は、投影光学系１４を介して、基板１５に照射される。この時、原版２に形成されたパターンからの光が基板１５表面に結像される。露光装置１はこのように基板上のショット領域を露光し、複数のショット領域のそれぞれについて同様に露光を行う。

図２は、多層膜に階段形状を形成するときの模式図である。図２（ａ）は基板１５上に多層膜Ｌが構成され、多層膜Ｌの＋Ｚ方向側にレジスト（感光材料）Ｒが配置されている例である。多層膜Ｌは誘電率が互いに異なる第１膜Ｌ１と第２膜Ｌ２が交互に積層されることにより構成されている。また、図２（ａ）で配置されているレジストＲの側壁部の傾斜には凹凸がない。

まず、図２（ｂ）に示すようにレジストＲをトリミングすることで、レジストＲの幅を縮小させる。これにより、多層膜Ｌの＋Ｚ方向側の一部がレジストＲに覆われず、露出した状態となる。この状態で、図２（ｃ）に示すように多層膜Ｌに対してエッチングを行う。このとき、レジストＲで覆われた多層膜Ｌの部分についてはレジストＲに保護されているためエッチングされない。よって、露出している多層膜Ｌの部分だけエッチングされ、１段分の階段形状が形成される。

次に、図２（ｄ）に示すように、さらにレジストＲをトリミングする。これにより、レジストＲの幅はさらに縮小し、多層膜Ｌの＋Ｚ方向側の露出している面積は増加する。この状態で、図２（ｅ）に示すように多層膜Ｌに対してエッチングを行う。これにより露出している多層膜Ｌの部分だけエッチングされ、さらに１段分の階段形状が形成され、多層膜Ｌには３段階の高さを有する階段形状が形成される。最後に、図２（ｆ）に示すようにレジストＲを除去する。このような方法により、多層膜Ｌに階段形状を形成することができる。ここで、図２の例では配置されているレジストＲの側壁部の傾斜には凹凸がないため、階段形状の各段差のステップ面の幅のばらつきを低減することができる。具体的には、図２（ｆ）において、ステップ面の幅Ｖ１とＶ２を同じにすることができる。ここで、階段形状の各段差のステップ面の幅のばらつきを低減することは、階段形状における各段差のステップ面の幅が、ユーザーが設定した範囲内（許容範囲内）であることと同じである。

図３は、レジストＲの側壁部の傾斜に凹凸がある場合における、多層膜に階段形状を形成するときの模式図である。図３（ａ）で配置されているレジストＲの側壁部の傾斜には凹凸がある。まず、図３（ｂ）に示すようにレジストＲをトリミングすることで、レジストＲの幅を縮小させる。これにより、多層膜Ｌの＋Ｚ方向側の一部がレジストＲに覆われず、露出した状態となる。この状態で、図３（ｃ）に示すように多層膜Ｌに対してエッチングを行う。このとき、レジストＲで覆われた多層膜Ｌの部分についてはレジストＲに保護されているためエッチングされない。よって、露出している多層膜Ｌの部分だけエッチングされ、１段分の階段形状が形成される。

次に、図３（ｄ）に示すように、さらにレジストＲをトリミングする。これにより、レジストＲの幅はさらに縮小し、多層膜Ｌの＋Ｚ方向側の露出している面積は増加する。この状態で、図３（ｅ）に示すように多層膜Ｌに対してエッチングを行う。これにより露出している多層膜Ｌの部分だけエッチングされ、さらに１段分の階段形状が形成され、多層膜Ｌには３段階の高さを有する階段形状が形成される。最後に、図３（ｆ）に示すようにレジストＲを除去する。このような方法により、多層膜Ｌに階段形状を形成することができる。ここで、図３の例では配置されているレジストＲの側壁部の傾斜には凹凸があるため、階段形状の各段差のステップ面の幅がばらつく。具体的には、図３（ｆ）において、ステップ面の幅Ｖ３とＶ４を同じにすることができない。つまり、図２と図３からわかるように階段形状のステップ面の幅のばらつきを低減するためにはレジストＲの側壁部の傾斜における凹凸を抑制する必要がある。本実施形態ではレジストＲの側壁部の傾斜における凹凸を抑制可能な原版を開示する。

図４は本実施形態における原版２の例である。原版２は、レジストＲに露光するメインパターン２０と、メインパターン２０から間隔２２（所定間隔）離れた位置であってレジストＲの側壁部の傾斜と対応する位置に補助パターン２１と、が設けられている。補助パターン２１は、レジストＲの側壁部の傾斜における凹凸を抑制する目的で設けられている。そして、補助パターン２１を挟んで間隔２２と反対側の領域２３はレジストＲの側壁部の傾斜の位置と対応している。補助パターン２１と間隔２２とが適切に設定された原版２を用いてレジストＲを露光することで、レジストＲの側壁部の傾斜における凹凸を抑制することができ、レジストＲの側壁部の傾斜を所望の形状にすることができる。

本実施形態の原版２のパターンは、メインパターン２０の情報と、所望するレジストＲの側壁部の傾斜の情報と、に基づいて決定される。また、本実施形態の原版２のパターンは上記情報に加えて、露光条件と、レジストＲの露光特性と、レジストＲの膜厚と、のうち少なくとも１つに基づいて決定されてもよい。原版２のパターンを決定するということは具体的には、メインパターン２０と補助パターン２１との位置関係、又は補助パターン２１の形状、又は間隔２２の長さを決定することと同義である。つまり、本実施形態における原版２の補助パターン２１は、上記に基づいた位置に設けられている。

ここで、メインパターン２０の情報とは、例えば、メインパターン２０の線幅、透過率、原版２における位置である。また、露光条件とは、例えば、光源からの光の波長、光源からの光の波長特性、投影光学系１４の像面側の開口数、投影光学系１４の瞳面に形成される光強度分布、必要露光量、フォーカスなどである。また、レジストＲの露光特性とはレジストＲの光吸収の程度、レジストＲの光分解速度、レジストＲの屈折率である。

ここで、本実施形態における補助パターン２１の好適な例を説明する。例えば、レジストＲの最大厚さ（Ｚ方向における長さ）ｔ（ｎｍ）が式（１）で示されるように厚膜である場合に式（２）と式（３）とのうち一方又は両方を満たすことでレジストＲの側壁部の傾斜における凹凸を抑制できる。

レジストＲの最大厚さ（Ｚ方向における長さ）ｔ（ｎｍ）と補助パターン２１の幅（Ｙ方向における長さ）ｗ（ｎｍ）との比率を式（２）のように設定することで、レジストＲの側壁部の傾斜における凹凸を抑制できる。具体的には、レジストＲの最大厚さ（Ｚ方向における長さ）ｔ（ｎｍ）に対する、補助パターン２１の幅（Ｙ方向における長さ）ｗ（ｎｍ）が０．０２８（２．８％）以下であればよい。

そして、レジストＲの最大厚さ（Ｚ方向における長さ）ｔ（ｎｍ）と間隔２２の幅（Ｙ方向における長さ）ｓ（ｎｍ）との比率を式（３）のように設定することで、レジストＲの側壁部の傾斜における凹凸を抑制できる。具体的には、レジストＲの最大厚さ（Ｚ方向における長さ）ｔ（ｎｍ）に対する、間隔２２の幅（Ｙ方向における長さ）ｓ（ｎｍ）が０．０２８（２．８％）以下であればよい。なお、式（２）と式（３）の両方を満たすことが最も好ましいが、式（３）だけ満たす場合でもレジストＲの側壁部の傾斜における凹凸の抑制効果が高い。
ｔ≧１０００・・・式（１）
ｗ÷ｔ≦０．０２８・・・式（２）
ｓ÷ｔ≦０．０２８・・・式（３）

レジストＲの最大厚さ（Ｚ方向における長さ）ｔ（ｎｍ）は、製造する製品に応じて決定される。よって、レジストＲの最大厚さ（Ｚ方向における長さ）ｔ（ｎｍ）を基準として上記式を満たすように原版２の補助パターン２１及び間隔２２を設定することでレジストＲの側壁部の傾斜における凹凸をより一層抑制することができる。

図５は、レジストＲの側壁部の傾斜をシミュレーションした結果である。図５（ａ）は補助パターン２１を設けず、メインパターン２０だけ設けた原版を用いて露光したときのレジストＲの側壁部の傾斜をシミュレーションした結果である。そして、図５（ｂ）はメインパターン２０と、式（１）、式（２）、式（３）を満たすような補助パターン２１及び間隔２２とが設けられた原版２を用いて露光したときのレジストＲの側壁部の傾斜をシミュレーションした結果である。図５（ａ）で示されているレジストＲの側壁部の傾斜よりも図５（ｂ）で示されているレジストＲの側壁部の傾斜のほうが凹凸を抑制できていることがわかる。

図６は、本実施形態における原版２のパターン決定方法の一例である。まず、原版２のパターンを設定する（Ｓ１００、パターン設定工程）。具体的には、メインパターン２０の位置を基準として補助パターン２１の原版２における位置を設定する。この設定により、間隔２２と領域２３も設定される。また、ステップＳ１００では、補助パターン２１の原版２における位置だけではなく補助パターン２１の線幅や透過率、或いは間隔２２の透過率を併せて設定してもよい。なお、ステップＳ１００を１回目に行うときは補助パターン２１及び間隔２２を設定しなくともよい。

次に、光学像を算出する（Ｓ１１０、像算出工程）。本実施形態における光学像とは、原版２を照明したときの像面上の光強度分布である。ステップＳ１１０は、ステップＳ１００で設定した原版２のパターン情報（メインパターン２０の情報、補助パターン２１の情報、間隔２２の情報、領域２３の情報）と、に基づいてコンピュータなどによりシミュレーションを行い、光学像を算出する。ここで、ステップＳ１１０は原版２のパターン情報に加えて露光条件に基づいて光学像を算出してもよい。

次に、レジスト形状を算出する（Ｓ１２０、形状算出工程）。ステップＳ１２０は、ステップＳ１１０で算出した光学像に基づいてコンピュータなどによりシミュレーションを行い、レジストＲの形状を算出する。ここで、ステップＳ１２０は、ステップＳ１１０で算出した光学像に加えて、レジストＲの露光特性と、レジストＲの膜厚とのうち少なくとも１つに基づいて、レジストＲの形状を算出してもよい。

次に、ステップＳ１２０で算出したレジスト形状は所望のレジスト形状か否かを判定する（Ｓ１３０、判定工程）。所望のレジスト形状とは、所望するレジストＲの側壁部の傾斜の形状のことである。ステップＳ１３０にて、算出したレジスト形状が所望のレジスト形状であれば原版２のパターンを決定し（Ｓ１４０、パターン決定工程）、終了する。ステップＳ１３０にて、算出したレジスト形状が所望のレジスト形状でなければ、ステップＳ１００に戻り、原版２のパターンを再度設定して、再度、ステップＳ１１０の像算出工程を行う。なお、図６で示した方法で原版２のパターンを決定しなくともよく、図６のフローチャートで用いた情報の全てを用いなくともよく、所望するレジストＲの側壁部の傾斜の形状となる原版２のパターンを決定できればよい。また、ステップＳ１３０において、ステップＳ１２０で算出したレジスト形状と所望のレジスト形状とが一致していなくとも、ユーザーが予め決定した形状のずれ量の範囲内であれば、算出したレジスト形状が所望のレジスト形状である、と判定してもよい。

また、本実施形態では原版２にメインパターン２０が１つ設けられている例について説明したが、原版２に設けられるメインパターンの数は特に限定されない。図７は、本実施形態における原版２の別の例である。例えば、図７（ａ）に示すように、原版２にメインパターン２０が２つ設けられていて、メインパターン２０のそれぞれの両側に補助パターン２１が設けられていてもよい。或いは、図７（ｂ）に示すように、メインパターン２０の両側ではなく片側に補助パターン２１が設けられていてもよい。さらに、本実施形態ではメインパターン２０のＹ方向に沿った位置に補助パターン２１が設けられる例を示したが、メインパターン２０のＸ方向に沿った位置に補助パターン２１が設けられてもよい。

以上のように、本実施形態の原版２は、レジストＲの側壁部の傾斜における凹凸を抑制するための補助パターン２１を有しており、これによりレジストＲの側壁部の傾斜における凹凸を抑制できる。これにより、原版２で露光したレジストＲを用いて多層膜Ｌに階段形状を形成した場合に、階段形状の各段差のステップ面の幅のばらつきを低減できる。

＜第２実施形態＞
図８は、本実施形態における原版のパターンとレジスト形状の例である。図８（ａ）はメインパターン２０ａが設けられていて、補助パターンが設けられていない原版２ａを示している。そして、原版２ａで露光した場合のレジストＲの形状を示した模式図が図８（ｄ）である。図８（ｂ）はメインパターン２０ｂと補助パターン２１ｂが設けられている原版２ｂを示している。メインパターン２０ｂと補助パターン２１ｂの間には間隔２２ｂがある。そして、原版２ｂで露光した場合のレジストＲの形状を示した模式図が図８（ｅ）である。図８（ｃ）はメインパターン２０ｃと補助パターン２１ｃが設けられている原版２ｃを示している。メインパターン２０ｃと補助パターン２１ｃの間には間隔２２ｃがある。そして、原版２ｂで露光した場合のレジストＲの形状を示した模式図が図８（ｆ）である。

ここで、図８（ａ）で示す原版２ａで露光した場合の図８（ｄ）で示すレジストＲ１の多層膜Ｌと接触する長さＡと、図８（ｂ）で示す原版２ｂで露光した場合の図８（ｅ）で示すレジストＲ２の多層膜Ｌと接触する長さＢとは長さが異なる。これは、補助パターン２１ｂを設けることにより、メインパターン２０ｂに対応するレジストＲ２のＹ方向における長さが大きくなるためである。

本実施形態では、図８（ｃ）に示すように、補助パターン２１ｃを設けた場合のレジスト（レジスト像）の大きさの変化を考慮した（大きさの変化に基づいた）メインパターン２０ｃを設けた原版２ｃを用いる。これにより、図８（ａ）で示す原版２ａで露光した場合の図８（ｄ）で示すレジストＲ１の多層膜Ｌと接触する長さＡと、図８（ｃ）で示す原版２ｃで露光した場合の図８（ｆ）で示すレジストＲ３の多層膜Ｌと接触する長さＣとは長さが同じになる。これにより、補助パターン２１を設けたとしてもレジストＲに形成されるメインパターン２０の大きさを所望の大きさにすることができる。

＜第３実施形態＞
本実施形態は、前述した原版を用いて物品を製造することを特徴とする。

図９は本実施形態における物品の製造方法のフローチャートである。基板１５上に構成された多層膜Ｌの上側に、前述した原版を用いて側壁部が傾斜したレジストＲを形成する材料形成工程（Ｓ２１０）を行う。このステップＳ２１０で用いる原版はメインパターン２０と、メインパターン２０から間隔２２（所定間隔）だけ離れた位置に配置された補助パターン２１と、を有する。また、ステップＳ２１０で形成されたレジストＲの側壁部は補助パターン２１により凹凸が抑制されている。

次に、ステップＳ２１０で形成したレジストＲを用いて基板１５に階段形状を形成する階段形成工程（Ｓ２２０）を行い、階段形成工程で階段形状が形成された基板１５から物品を製造する製造工程（Ｓ２３０）を行う。

この製造方法で製造する物品は、例えば、半導体ＩＣ素子、液晶表示素子、カラーフィルタ、ＭＥＭＳ等である。

階段形成工程は、例えば、多層膜ＬのエッチングとレジストＲの幅の縮小とを交互に繰り返すことで基板に階段形状を形成する。本製造方法によれば、従来よりも高品位の物品を製造することができる。

本明細書の開示は、以下の原版、原版のパターン決定方法、露光方法及び物品の製造方法を含む。

〔項目１〕
基板上に構成された多層膜の上側に配置された感光材料の露光に用いるためのパターンが形成された原版であって、
前記パターンは、メインパターンと、前記メインパターンから所定間隔だけ離れた位置に配置された補助パターンと、を有し、
前記補助パターンは、前記感光材料に形成される前記メインパターンの側壁部の傾斜における凹凸を抑制する、ことを特徴とする原版。

〔項目２〕
前記補助パターンは、前記メインパターンの情報と、所望する前記傾斜の情報と、に基づいた位置に設けられていることを特徴とする項目１に記載の原版。

〔項目３〕
前記補助パターンは、露光条件と、前記感光材料の露光特性と、前記感光材料の膜厚と、のうち少なくとも１つに基づいた位置に設けられていることを特徴とする項目２に記載の原版。

〔項目４〕
前記感光材料の最大厚さに対する、前記所定間隔の幅が２．８％以下であることを特徴とする項目１～３のうちいずれか１項に記載の原版。

〔項目５〕
前記感光材料の最大厚さに対する、前記補助パターンの幅が２．８％以下であることを特徴とする項目１～４のうちいずれか１項に記載の原版。

〔項目６〕
前記補助パターンは、前記メインパターンの両側に設けられていることを特徴とする項目１～５のうちいずれか１項に記載の原版。

〔項目７〕
前記補助パターンを設けた場合の前記感光材料の大きさの変化に基づいた前記メインパターンが設けられていることを特徴とする項目１～６のうちいずれか１項に記載の原版。

〔項目８〕
メインパターンと、前記メインパターンから所定間隔だけ離れた位置に配置された補助パターンが設けられた原版を照明したときの像面上の光強度分布である光学像を算出する像算出工程と、
前記像算出工程で算出した前記光学像に基づいて、前記原版を照明して感光材料を露光したときの前記感光材料の形状を算出する形状算出工程と、
前記形状算出工程で算出された結果に基づいて前記原版のパターンを決定するパターン決定工程と、
を有することを特徴とする原版のパターン決定方法。

〔項目９〕
前記形状算出工程で算出した前記感光材料の形状が、所望の感光材料の形状か否かを判定する判定工程を有し、
前記感光材料の形状が前記所望の感光材料の形状である場合は、前記パターン決定工程を行い、
前記感光材料の形状が前記所望の感光材料の形状でない場合は、再度、前記像算出工程を行うことを特徴とする項目８に記載の原版のパターン決定方法。

〔項目１０〕
前記像算出工程は、前記メインパターンの情報と、前記補助パターンの情報と、前記メインパターンと前記補助パターンの間の間隔の情報と、前記補助パターンを挟んで前記間隔と反対側の領域の情報と、露光条件とのうち少なくとも１つに基づいて行われることを特徴とする項目８又は９に記載の原版のパターン決定方法。

〔項目１１〕
前記形状算出工程は、前記光学像に加えて、前記感光材料の露光特性と、前記感光材料の膜厚とのうち少なくとも１つに基づいて行われることを特徴とする項目８～１０のうちいずれか１項に記載の原版のパターン決定方法。

〔項目１２〕
前記所望の感光材料の形状は、前記感光材料に形成される前記メインパターンの側壁部の傾斜における凹凸が抑制された形状であることを特徴とする項目９に記載の原版のパターン決定方法。

〔項目１３〕
基板上に構成された多層膜の上側に配置された感光材料を露光する露光方法であって、
メインパターンと、前記メインパターンから所定間隔だけ離れた位置に配置された補助パターンと、を有する原版を用いて露光を行う露光工程を有し、
前記補助パターンは、前記露光工程により前記感光材料に形成される前記メインパターンの側壁部の傾斜における凹凸を抑制する、ことを特徴とする露光方法。

〔項目１４〕
基板上に構成された多層膜の上側に、原版を用いて側壁部が傾斜した感光材料を形成する材料形成工程と、
前記材料形成工程で形成した前記感光材料を用いて前記基板に階段形状を形成する階段形成工程と、
前記階段形成工程で前記階段形状が形成された前記基板から物品を製造する製造工程と、
を有し、
前記材料形成工程で用いられる前記原版は、メインパターンと、前記メインパターンから所定間隔だけ離れた位置に配置された補助パターンと、を有する、
ことを特徴とする物品の製造方法。

〔項目１５〕
前記階段形成工程は、前記多層膜のエッチングと前記感光材料の幅の縮小とを交互に繰り返すことで行われることを特徴とする項目１４に記載の物品の製造方法。

〔項目１６〕
前記階段形成工程で形成された前記階段形状における各段差のステップ面の幅はユーザーが設定した範囲内であることを特徴とする項目１４又は１５に記載の物品の製造方法。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

Claims

基板上に構成された多層膜の上側に配置された感光材料の露光に用いるためのパターンが形成された原版であって、
前記パターンは、メインパターンと、前記メインパターンから所定間隔だけ離れた位置に配置された補助パターンと、を有し、
前記補助パターンは矩形であり、１つの前記補助パターンの長辺の長さは、前記メインパターンが配置された矩形の領域の短辺の長さ以上であり、
前記補助パターンは、前記感光材料に形成される前記メインパターンの側壁部の傾斜における凹凸を抑制する、ことを特徴とする原版。
前記補助パターンは、前記メインパターンの情報と、所望の側壁部の傾斜の情報と、に基づいた位置に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の原版。
前記補助パターンは、露光条件と、前記感光材料の露光特性と、前記感光材料の膜厚と、のうち少なくとも１つに基づいた位置に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の原版。
前記感光材料の最大厚さに対する、前記所定間隔の幅が２．８％以下であることを特徴とする請求項１に記載の原版。
前記感光材料の最大厚さに対する、前記補助パターンの幅が２．８％以下であることを特徴とする請求項１に記載の原版。
前記補助パターンは、前記メインパターンの両側に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の原版。
前記補助パターンを設けた場合の前記感光材料の大きさの変化に基づいた前記メインパターンが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の原版。
基板上に構成された多層膜の上側に配置された感光材料の露光に用いるためのパターンが形成された原版であって、
前記パターンは、メインパターンと、前記メインパターンから所定間隔だけ離れた位置に配置された補助パターンと、を有し、
前記補助パターンは矩形であり、１つの前記補助パターンの長辺の長さは、前記メインパターンが配置された矩形の領域の短辺の長さ以上であり、
前記感光材料の最大厚さに対する、前記所定間隔の幅が２．８％以下である、ことを特徴とする原版。
基板上に構成された多層膜の上側に配置された感光材料の露光に用いるためのパターンが形成された原版であって、
前記パターンは、メインパターンと、前記メインパターンから所定間隔だけ離れた位置に配置された補助パターンと、を有し、
前記補助パターンは矩形であり、１つの前記補助パターンの長辺の長さは、前記メインパターンが配置された矩形の領域の短辺の長さ以上であり、
前記感光材料の最大厚さに対する、前記補助パターンの幅が２．８％以下である、ことを特徴とする原版。
基板上に構成された多層膜の上側に配置された感光材料を露光する露光方法であって、
メインパターンと、前記メインパターンから所定間隔だけ離れた位置に配置された補助パターンと、を有する原版を用いて露光を行う露光工程を有し、
前記補助パターンは矩形であり、１つの前記補助パターンの長辺の長さは、前記メインパターンが配置された矩形の領域の短辺の長さ以上であり、
前記補助パターンは、前記露光工程により前記感光材料に形成される前記メインパターンの側壁部の傾斜における凹凸を抑制する、ことを特徴とする露光方法。
基板上に構成された多層膜の上側に配置された感光材料を露光する露光方法であって、
メインパターンと、前記メインパターンから所定間隔だけ離れた位置に配置された補助パターンと、を有する原版を用いて露光を行う露光工程を有し、
前記補助パターンは矩形であり、１つの前記補助パターンの長辺の長さは、前記メインパターンが配置された矩形の領域の短辺の長さ以上であり、
前記感光材料の最大厚さに対する、前記所定間隔の幅が２．８％以下である、ことを特徴とする露光方法。
基板上に構成された多層膜の上側に配置された感光材料を露光する露光方法であって、
メインパターンと、前記メインパターンから所定間隔だけ離れた位置に配置された補助パターンと、を有する原版を用いて露光を行う露光工程を有し、
前記補助パターンは矩形であり、１つの前記補助パターンの長辺の長さは、前記メインパターンが配置された矩形の領域の短辺の長さ以上であり、
前記感光材料の最大厚さに対する、前記補助パターンの幅が２．８％以下である、ことを特徴とする露光方法。
基板上に構成された多層膜の上側に、原版を用いて側壁部が傾斜した感光材料を形成する材料形成工程と、
前記材料形成工程で形成した前記感光材料を用いて前記基板に階段形状を形成する階段形成工程と、
前記階段形成工程で前記階段形状が形成された前記基板から物品を製造する製造工程と、
を有し、
前記材料形成工程で用いられる前記原版は、メインパターンと、前記メインパターンから所定間隔だけ離れた位置に配置された補助パターンと、を有し、
前記感光材料の最大厚さに対する、前記所定間隔の幅は２．８％以下である、
ことを特徴とする物品の製造方法。
前記階段形成工程は、前記多層膜のエッチングと前記感光材料の幅の縮小とを交互に繰り返すことで行われることを特徴とする請求項１３に記載の物品の製造方法。
前記階段形成工程で形成された前記階段形状における各段差のステップ面の幅はユーザーが設定した範囲内であることを特徴とする請求項１３に記載の物品の製造方法。