JP7527812B2

JP7527812B2 - Coil parts and electronic devices

Info

Publication number: JP7527812B2
Application number: JP2020033726A
Authority: JP
Inventors: 善雄青柳
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2020-02-28
Filing date: 2020-02-28
Publication date: 2024-08-05
Anticipated expiration: 2040-02-28
Also published as: JP2021136395A

Description

本発明は、コイル部品及び電子機器に関する。 The present invention relates to coil components and electronic devices.

基板上に平面状のコイル導体が設けられたコイル部品が知られている。例えば、平面状のコイル導体と、コイル導体の巻回部が間に延びる樹脂壁を有する樹脂体と、が基板上に設けられたコイル部品が知られている（例えば、特許文献１）。また、フェライト層を有する磁性基板と絶縁層の密着力を向上させる方法（例えば、特許文献２）、及び絶縁層とめっき膜の密着力を向上させる方法（例えば、特許文献３）が知られている。 Coil components are known in which a planar coil conductor is provided on a substrate. For example, a coil component is known in which a planar coil conductor and a resin body having a resin wall between which the windings of the coil conductor extend are provided on a substrate (e.g., Patent Document 1). Also known are a method for improving the adhesion between a magnetic substrate having a ferrite layer and an insulating layer (e.g., Patent Document 2), and a method for improving the adhesion between an insulating layer and a plating film (e.g., Patent Document 3).

特開２０１６－１０３５９１号公報JP 2016-103591 A 特開２０１５－７６６０６号公報JP 2015-76606 A 特開２００３－２２５８９７号公報JP 2003-225897 A

電子機器の小型化及び高機能化に伴い、コイル部品に更なる小型化が要求されている。ガラスエポキシ基板上に平面状のコイル導体とコイル導体の巻回部の間に延在する樹脂壁とが設けられたコイル部品では、小型化のために樹脂壁の幅を狭くすると、樹脂壁の密着性が低下し、コイル導体がガラスエポキシ基板と樹脂壁の界面を介して短絡する場合がある。 As electronic devices become smaller and more functional, there is a demand for coil components to be even smaller. In a coil component that has a planar coil conductor on a glass epoxy substrate and a resin wall extending between the windings of the coil conductor, narrowing the width of the resin wall to reduce the size can reduce the adhesion of the resin wall, and the coil conductor can short-circuit through the interface between the glass epoxy substrate and the resin wall.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、ガラスエポキシ基板と樹脂壁の密着性を向上させることを目的とする。 The present invention was developed in consideration of the above problems, and aims to improve the adhesion between the glass epoxy substrate and the resin wall.

本発明は、ガラスエポキシ基板と、前記ガラスエポキシ基板の一方の面上に設けられ、金属元素又は前記金属元素の合金からなり、巻軸が前記一方の面に垂直で平面視において渦巻状に巻回した平面渦巻状の巻回部を含むコイル導体と、前記ガラスエポキシ基板の前記一方の面上に前記ガラスエポキシ基板に接して設けられる、シリコンを含む絶縁膜と、前記ガラスエポキシ基板の前記一方の面上に、前記巻軸に垂直な一方の面が前記シリコンを含む絶縁膜に接して設けられ、前記巻回部の間を平面視において前記巻回部に沿って渦巻状に延在する平面渦巻状の樹脂壁と、を備え、前記シリコンを含む絶縁膜は、前記ガラスエポキシ基板と前記巻回部との間から前記ガラスエポキシ基板と前記樹脂壁との間にかけて設けられ、前記巻回部の前記ガラスエポキシ基板側の面及び前記樹脂壁の前記一方の面は前記シリコンを含む絶縁膜の上面に接している、コイル部品である。 The present invention is a coil component comprising: a glass epoxy substrate; a coil conductor provided on one surface of the glass epoxy substrate, the coil conductor being made of a metal element or an alloy of the metal element, the coil conductor including a planar spiral winding portion whose winding axis is perpendicular to the one surface and wound in a spiral shape in a planar view ; an insulating film containing silicon provided on the one surface of the glass epoxy substrate in contact with the glass epoxy substrate; and a planar spiral resin wall provided on the one surface of the glass epoxy substrate with one surface perpendicular to the winding axis in contact with the insulating film containing silicon, the planar spiral resin wall extending in a spiral shape along the winding portion in a planar view between the winding portions , the insulating film containing silicon being provided from between the glass epoxy substrate and the winding portion to between the glass epoxy substrate and the resin wall, and the surface of the winding portion facing the glass epoxy substrate and the one surface of the resin wall are in contact with an upper surface of the insulating film containing silicon .

上記構成において、前記シリコンを含む絶縁膜の厚さを前記ガラスエポキシ基板の前記シリコンを含む絶縁膜が設けられた面の算術平均粗さで割った値は３以下である構成とすることができる。 In the above configuration, the value obtained by dividing the thickness of the silicon-containing insulating film by the arithmetic mean roughness of the surface of the glass epoxy substrate on which the silicon-containing insulating film is provided can be 3 or less.

上記構成において、前記シリコンを含む絶縁膜の厚さを前記ガラスエポキシ基板の前記シリコンを含む絶縁膜が設けられた面の算術平均粗さで割った値は０．５以上２．５以下である構成とすることができる。 In the above configuration, the value obtained by dividing the thickness of the silicon-containing insulating film by the arithmetic mean roughness of the surface of the glass epoxy substrate on which the silicon-containing insulating film is provided can be 0.5 or more and 2.5 or less.

上記構成において、前記シリコンを含む絶縁膜の前記樹脂壁が設けられた面の算術平均粗さは、前記ガラスエポキシ基板の前記シリコンを含む絶縁膜が設けられた面の算術平均粗さよりも大きい構成とすることができる。 In the above configuration, the arithmetic mean roughness of the surface of the silicon-containing insulating film on which the resin wall is provided can be greater than the arithmetic mean roughness of the surface of the glass epoxy substrate on which the silicon-containing insulating film is provided.

上記構成において、前記シリコンを含む絶縁膜は酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜である構成とすることができる。 In the above configuration, the insulating film containing silicon can be a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film.

上記構成において、前記樹脂壁はエポキシ樹脂で形成され、前記シリコンを含む絶縁膜は酸化シリコン膜である構成とすることができる。 In the above configuration, the resin wall can be formed of epoxy resin, and the insulating film containing silicon can be a silicon oxide film.

上記構成において、前記樹脂壁を挟んで位置する前記巻回部の間の、前記樹脂壁が前記絶縁膜に接している部分の最短距離である前記樹脂壁の幅は２０μｍ未満である構成とすることができる。 In the above configuration, a width of the resin wall , which is the shortest distance between the winding portions positioned on either side of the resin wall where the resin wall is in contact with the insulating film, can be less than 20 μm.

上記構成において、前記巻回部は前記ガラスエポキシ基板に接触していない構成とすることができる。
In the above configuration , the winding portion may be configured not to contact the glass epoxy substrate.

本発明は、上記に記載のコイル部品と、前記コイル部品が実装されている回路基板と、を備える、電子機器である。 The present invention is an electronic device comprising the coil component described above and a circuit board on which the coil component is mounted.

本発明によれば、ガラスエポキシ基板と樹脂壁の密着性を向上させることができる。 The present invention can improve the adhesion between the glass epoxy substrate and the resin wall.

図１は、本願発明の第１の実施形態に係るコイル部品を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a coil component according to a first embodiment of the present invention. 図２（ａ）は、図１のＡ方向から見た場合の内部透視平面図であり、図２（ｂ）は、図１のＢ－Ｂ断面図である。2A is a perspective plan view of the inside as seen from the direction A in FIG. 1, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 図３（ａ）から図３（ｅ）は、第１の実施形態のコイル部品の製造方法の一例を示す断面図（その１）である。3A to 3E are cross-sectional views (part 1) illustrating an example of a manufacturing method for the coil component according to the first embodiment. 図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１の実施形態のコイル部品の製造方法の一例を示す断面図（その２）である。4A and 4B are cross-sectional views (part 2) illustrating an example of the manufacturing method of the coil component according to the first embodiment. 図５は、本願発明の第２の実施形態に係るコイル部品を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a coil component according to a second embodiment of the present invention. 図６（ａ）から図６（ｅ）は、第２の実施形態のコイル部品の製造方法の一例を示す断面図である。6A to 6E are cross-sectional views showing an example of a manufacturing method for the coil component according to the second embodiment. 図７は、本願発明の第３の実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view showing an electronic device according to a third embodiment of the present invention. 図８（ａ）は、実施例に相当する試料の断面図、図８（ｂ）は、比較例に相当する試料の断面図である。FIG. 8A is a cross-sectional view of a sample corresponding to an example, and FIG. 8B is a cross-sectional view of a sample corresponding to a comparative example. 図９（ａ）から図９（ｃ）は、表１の結果をグラフで表した図である。9(a) to 9(c) are graphs showing the results of Table 1. 図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、絶縁膜の膜厚が変わることで絶縁膜の表面粗さが変化するメカニズムを示す図である。10A to 10C are diagrams showing the mechanism by which the surface roughness of an insulating film changes as the thickness of the insulating film changes. 図１１は、絶縁膜に酸化チタン膜を用いた場合の剥離試験の結果を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing the results of a peeling test when a titanium oxide film is used as the insulating film.

以下、図面を適宜参照しながら、本願発明の実施形態について説明する。但し、本願発明は図示された態様に限定される訳ではない。また、複数の図面において共通する構成要素には当該複数の図面を通じて同一の参照符号が付されている。各図面は、説明の便宜上、必ずしも正確な縮尺で記載されているとは限らない点に留意されたい。 Below, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings as appropriate. However, the present invention is not limited to the illustrated embodiment. In addition, components common to multiple drawings are given the same reference numerals throughout the multiple drawings. Please note that the drawings are not necessarily drawn to scale for ease of explanation.

［第１の実施形態］
図１は、本願発明の第１の実施形態に係るコイル部品を示す斜視図である。図２（ａ）は、図１のＡ方向から見た場合の内部透視平面図であり、図２（ｂ）は、図１のＢ－Ｂ断面図である。なお、図１のＡ方向とは反対の方向から見た場合の内部透視平面図は図２（ａ）と同様であるため図示を省略する。図２（ａ）では、図の明瞭化のために、コイル導体２１ａと樹脂壁３０ａにハッチングを付している。図１、図２（ａ）、及び図２（ｂ）では、コイル部品として例えばパワーインダクタに用いられる薄膜インダクタの場合を例に示すがその他の場合でもよい。 [First embodiment]
FIG. 1 is a perspective view showing a coil component according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2(a) is an internal perspective plan view when viewed from the A direction in FIG. 1, and FIG. 2(b) is a cross-sectional view taken along the line B-B in FIG. 1. Note that the internal perspective plan view when viewed from the opposite direction to the A direction in FIG. 1 is the same as FIG. 2(a), and is therefore omitted. In FIG. 2(a), the coil conductor 21a and the resin wall 30a are hatched for clarity. In FIG. 1, FIG. 2(a), and FIG. 2(b), a thin-film inductor used as a power inductor is shown as an example of the coil component, but other cases are also possible.

図１、図２（ａ）、及び図２（ｂ）を参照して、コイル部品１００は、ガラスエポキシ基板１０、コイル２０、樹脂壁３０ａ及び３０ｂ、絶縁膜４０ａ及び４０ｂ、磁性体膜５０、及び外部電極６０ａ及び６０ｂを備える。コイル部品１００の「長さ」方向、「幅」方向、及び「厚さ」方向をそれぞれ、図１、図２（ａ）、及び図２（ｂ）において「Ｌ」方向、「Ｗ」方向、「Ｔ」方向と図示している。コイル部品１００は、例えば、長さ寸法（Ｌ軸方向の寸法）が１ｍｍ～５ｍｍ、幅寸法（Ｗ軸方向の寸法）が０．５ｍｍ～４ｍｍ、厚さ寸法（Ｔ軸方向の寸法）が０．１ｍｍ～３ｍｍである。 With reference to Figures 1, 2(a), and 2(b), the coil component 100 comprises a glass epoxy substrate 10, a coil 20, resin walls 30a and 30b, insulating films 40a and 40b, a magnetic film 50, and external electrodes 60a and 60b. The "length" direction, "width" direction, and "thickness" direction of the coil component 100 are illustrated as the "L" direction, the "W" direction, and the "T" direction in Figures 1, 2(a), and 2(b), respectively. The coil component 100 has, for example, a length dimension (dimension in the L axis direction) of 1 mm to 5 mm, a width dimension (dimension in the W axis direction) of 0.5 mm to 4 mm, and a thickness dimension (dimension in the T axis direction) of 0.1 mm to 3 mm.

ガラスエポキシ基板１０は、例えば矩形状であり、中央部に主面１１ａから主面１１ａとは反対の主面１１ｂにかけて貫通する円形状の貫通孔１２が設けられている。ガラスエポキシ基板１０は例えばＦＲ－４基板又はＦＲ－５基板である。ガラスエポキシ基板１０の厚さは例えば４０μｍ～１２０μｍである。 The glass epoxy substrate 10 is, for example, rectangular, and has a circular through-hole 12 in the center that penetrates from the main surface 11a to the main surface 11b opposite the main surface 11a. The glass epoxy substrate 10 is, for example, an FR-4 substrate or an FR-5 substrate. The thickness of the glass epoxy substrate 10 is, for example, 40 μm to 120 μm.

ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ上に主面１１ａに接して絶縁膜４０ａが設けられ、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ｂ上に主面１１ｂに接して絶縁膜４０ｂが設けられている。絶縁膜４０ａ及び４０ｂは、シリコン（Ｓｉ）を含む絶縁膜であり、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ）膜、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜、又は酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜である。絶縁膜４０ａ及び４０ｂの厚さは、後述のように絶縁膜４０ａ及び４０ｂが接するガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂの算術平均粗さと関係し、例えば、絶縁膜４０ａ及び４０ｂの厚みを各々が接するガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂの算術平均粗さで割った値が３以下である。これを具体的な絶縁膜４０ａ及び４０ｂの厚み寸法で言うならば、例えば１０ｎｍ～１０００ｎｍが好ましく、５０ｎｍ～３００ｎｍがより好ましい。絶縁膜４０ａ及び４０ｂが薄すぎるとガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂの凹凸を十分に被覆しない場合があり、厚すぎるとコイル部品１００の低背化に不利であり且つ製造コストが増大するためである。絶縁膜４０ａ及び／又は４０ｂは、ガラスエポキシ基板１０の貫通孔１２の内面に延びていてもよい。 An insulating film 40a is provided on the main surface 11a of the glass epoxy substrate 10 in contact with the main surface 11a, and an insulating film 40b is provided on the main surface 11b of the glass epoxy substrate 10 in contact with the main surface 11b. The insulating films 40a and 40b are insulating films containing silicon (Si), for example, silicon oxide (SiO) film, silicon nitride (SiN) film, or silicon oxynitride (SiON) film. The thickness of the insulating films 40a and 40b is related to the arithmetic mean roughness of the main surfaces 11a and 11b of the glass epoxy substrate 10 to which the insulating films 40a and 40b contact, as described below, and for example, the value obtained by dividing the thickness of the insulating films 40a and 40b by the arithmetic mean roughness of the main surfaces 11a and 11b of the glass epoxy substrate 10 to which they contact is 3 or less. In terms of the specific thickness dimensions of the insulating films 40a and 40b, for example, 10 nm to 1000 nm is preferable, and 50 nm to 300 nm is more preferable. If the insulating films 40a and 40b are too thin, they may not adequately cover the irregularities on the main surfaces 11a and 11b of the glass epoxy substrate 10, and if they are too thick, it is disadvantageous to reduce the height of the coil component 100 and increases the manufacturing cost. The insulating films 40a and/or 40b may extend to the inner surface of the through hole 12 of the glass epoxy substrate 10.

ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ上に絶縁膜４０ａを介して平面状のコイル導体２１ａが形成され、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ｂ上に絶縁膜４０ｂを介して平面状のコイル導体２１ｂが形成されている。コイル導体２１ａは、平面状に巻回された渦巻状の巻回部２２ａと、巻回部２２ａから引き出された引出部２３ａと、を有する。すなわち、コイル導体２１ａは、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａに平行に延在する平面渦巻状のコイル形状をしている。同様に、コイル導体２１ｂは、平面状に巻回された渦巻状の巻回部２２ｂと、巻回部２２ｂから引き出された引出部２３ｂと、を有する。すなわち、コイル導体２１ｂは、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ｂに平行に延在する平面渦巻状のコイル形状をしている。 A planar coil conductor 21a is formed on the main surface 11a of the glass epoxy substrate 10 via an insulating film 40a, and a planar coil conductor 21b is formed on the main surface 11b of the glass epoxy substrate 10 via an insulating film 40b. The coil conductor 21a has a spiral winding portion 22a wound in a planar shape and a pull-out portion 23a drawn from the winding portion 22a. That is, the coil conductor 21a has a planar spiral coil shape extending parallel to the main surface 11a of the glass epoxy substrate 10. Similarly, the coil conductor 21b has a spiral winding portion 22b wound in a planar shape and a pull-out portion 23b drawn from the winding portion 22b. That is, the coil conductor 21b has a planar spiral coil shape extending parallel to the main surface 11b of the glass epoxy substrate 10.

コイル導体２１ａの巻回部２２ａとコイル導体２１ｂの巻回部２２ｂは、ガラスエポキシ基板１０の貫通孔１２の周りを回って設けられている。巻回部２２ａと巻回部２２ｂは、ガラスエポキシ基板１０の貫通孔１２の内面に設けられた金属層（不図示）によって電気的に接続されている。これにより、コイル導体２１ａと２１ｂからコイル２０が形成されている。コイル導体２１ａ及び２１ｂは、金属元素又は金属元素の合金からなり、例えば銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、又はこれらの合金で形成されている。 The winding portion 22a of the coil conductor 21a and the winding portion 22b of the coil conductor 21b are arranged around the through hole 12 of the glass epoxy substrate 10. The winding portion 22a and the winding portion 22b are electrically connected by a metal layer (not shown) arranged on the inner surface of the through hole 12 of the glass epoxy substrate 10. In this way, the coil 20 is formed from the coil conductors 21a and 21b. The coil conductors 21a and 21b are made of a metal element or an alloy of a metal element, for example, silver (Ag), palladium (Pd), copper (Cu), or an alloy of these.

ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ上に絶縁膜４０ａに接して樹脂壁３０ａが形成され、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ｂ上に絶縁膜４０ｂに接して樹脂壁３０ｂが形成されている。樹脂壁３０ａ及び３０ｂは、感光性樹脂で形成された有機樹脂膜であり、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂で形成されている。樹脂壁３０ａ及び３０ｂには、例えば無機物等のフィラーは含まれていない。樹脂壁３０ａで囲まれた空間内にコイル導体２１ａが形成され、樹脂壁３０ｂで囲まれた空間内にコイル導体２１ｂが形成されている。すなわち、樹脂壁３０ａはコイル導体２１ａの巻回部２２ａの間を延在し、樹脂壁３０ｂはコイル導体２１ｂの巻回部２２ｂの間を延在している。 A resin wall 30a is formed on the main surface 11a of the glass epoxy substrate 10 in contact with the insulating film 40a, and a resin wall 30b is formed on the main surface 11b of the glass epoxy substrate 10 in contact with the insulating film 40b. The resin walls 30a and 30b are organic resin films made of photosensitive resin, for example, epoxy resin or polyimide resin. The resin walls 30a and 30b do not contain fillers such as inorganic substances. The coil conductor 21a is formed in the space surrounded by the resin wall 30a, and the coil conductor 21b is formed in the space surrounded by the resin wall 30b. That is, the resin wall 30a extends between the winding portions 22a of the coil conductor 21a, and the resin wall 30b extends between the winding portions 22b of the coil conductor 21b.

樹脂壁３０ａ及び３０ｂの幅Ｘは例えば５μｍ以上２０μｍ未満である。樹脂壁３０ａ及び３０ｂの高さＹは例えば３０μｍ以上１５０μｍ未満である。コイル導体２１ａの巻回部２２ａ及びコイル導体２１ｂの巻回部２２ｂの幅は例えば１０μｍ以上８０μｍ未満である。コイル導体２１ａの巻回部２２ａ及びコイル導体２１ｂの巻回部２２ｂの高さは、樹脂壁３０ａ及び３０ｂの高さ未満であることが隣接する導体間の絶縁性の上で好ましく、次いで高さが等しいことが好ましく、例えば３０μｍ以上１５０μｍ未満である。 The width X of the resin walls 30a and 30b is, for example, 5 μm or more and less than 20 μm. The height Y of the resin walls 30a and 30b is, for example, 30 μm or more and less than 150 μm. The width of the winding portion 22a of the coil conductor 21a and the winding portion 22b of the coil conductor 21b is, for example, 10 μm or more and less than 80 μm. In terms of insulation between adjacent conductors, it is preferable that the height of the winding portion 22a of the coil conductor 21a and the winding portion 22b of the coil conductor 21b is less than the height of the resin walls 30a and 30b, and next, it is preferable that the heights are equal, for example, 30 μm or more and less than 150 μm.

コイル導体２１ａ及び２１ｂの上面を覆って樹脂膜３２が設けられていてもよい。樹脂膜３２は、樹脂壁３０ａ及び３０ｂと同じ材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。 A resin film 32 may be provided covering the upper surfaces of the coil conductors 21a and 21b. The resin film 32 may be made of the same material as the resin walls 30a and 30b, or may be made of a different material.

ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂ上にコイル導体２１ａ及び２１ｂ並びに樹脂壁３０ａ及び３０ｂを覆って磁性体膜５０が設けられている。磁性体膜５０はガラスエポキシ基板１０の貫通孔１２内にも埋め込まれている。磁性体膜５０は、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系、又はＦｅ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ａｌ系等の軟磁性合金材料、Ｆｅ又はＮｉ等の磁性金属材料、アモルファス磁性金属材料、或いはナノ結晶磁性金属材料等の金属磁性材料を含む膜である。磁性体膜５０は、Ｎｉ－Ｚｎ系又はＭｎ－Ｚｎ系のフェライト材料を含む膜であってもよい。 A magnetic film 50 is provided on the main surfaces 11a and 11b of the glass epoxy substrate 10, covering the coil conductors 21a and 21b and the resin walls 30a and 30b. The magnetic film 50 is also embedded in the through-hole 12 of the glass epoxy substrate 10. The magnetic film 50 is a film containing a metal magnetic material such as a soft magnetic alloy material such as an Fe-Si-Cr system, an Fe-Si-Al system, or an Fe-Si-Cr-Al system, a magnetic metal material such as Fe or Ni, an amorphous magnetic metal material, or a nanocrystalline magnetic metal material. The magnetic film 50 may be a film containing a Ni-Zn system or an Mn-Zn system ferrite material.

磁性体膜５０の表面に外部電極６０ａ及び６０ｂが設けられている。外部電極６０ａはコイル導体２１ａの引出部２３ａに電気的に接続され、外部電極６０ｂはコイル導体２１ｂの引出部２３ｂに電気的に接続されている。 External electrodes 60a and 60b are provided on the surface of the magnetic film 50. The external electrode 60a is electrically connected to the lead-out portion 23a of the coil conductor 21a, and the external electrode 60b is electrically connected to the lead-out portion 23b of the coil conductor 21b.

図２（ａ）及び図２（ｂ）では、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａにコイル導体２１ａが設けられ、主面１１ｂにコイル導体２１ｂが設けられている場合を例に示したがこの場合に限られない。ガラスエポキシ基板１０の一方の主面、例えば主面１１ａにのみコイル導体が設けられ、主面１１ｂにコイル導体が設けられていない場合でもよい。この場合、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａに設けられたコイル導体はその両端部に第１引出部と第２引出部を有する。外部電極６０ａはガラスエポキシ基板１０の主面１１ａに設けられた第１引出部に電気的に接続され、外部電極６０ｂはガラスエポキシ基板１０の貫通孔１２を通って主面１１ａから主面１１ｂにかけて延在する第２引出部に電気的に接続される。 2(a) and 2(b) show an example in which the coil conductor 21a is provided on the main surface 11a of the glass epoxy substrate 10 and the coil conductor 21b is provided on the main surface 11b, but this is not limited to this case. It may be possible that the coil conductor is provided only on one main surface of the glass epoxy substrate 10, for example, the main surface 11a, and the coil conductor is not provided on the main surface 11b. In this case, the coil conductor provided on the main surface 11a of the glass epoxy substrate 10 has a first lead portion and a second lead portion at both ends. The external electrode 60a is electrically connected to the first lead portion provided on the main surface 11a of the glass epoxy substrate 10, and the external electrode 60b is electrically connected to the second lead portion extending from the main surface 11a to the main surface 11b through the through hole 12 of the glass epoxy substrate 10.

［製造方法］
図３（ａ）から図４（ｂ）は、第１の実施形態のコイル部品の製造方法の一例を示す断面図である。図３（ａ）を参照して、ガラスエポキシ基板１０の中央部にドリル加工又はレーザ加工等を用いて貫通孔１２を形成する。次いで、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂ上に、例えばスパッタリング法を用いて、Ｓｉを含む絶縁膜４０ａ及び４０ｂを形成する。スパッタリング法以外に、化学気相成長（ＣＶＤ）法、パルスレーザ体積（ＰＬＤ）法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、又は原子層体積（ＡＬＤ）法を用いることもできるが、本願発明においてはスパッタリング法を用いることが好ましい。絶縁膜４０ａ及び／又は４０ｂはガラスエポキシ基板１０の貫通孔１２の内面に形成されてもよい。次いで、絶縁膜４０ａ及び４０ｂ上に、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＬＤ法、ＭＢＥ法、又はＡＬＤ法を用いて、めっきのためのシード層２５を形成する。シード層２５と絶縁膜４０ａ及び４０ｂの間にチタン等の密着層を形成してもよい。 [Production method]
3(a) to 4(b) are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing the coil component of the first embodiment. Referring to FIG. 3(a), a through hole 12 is formed in the center of the glass epoxy substrate 10 by drilling or laser processing. Next, insulating films 40a and 40b containing Si are formed on the main surfaces 11a and 11b of the glass epoxy substrate 10 by, for example, sputtering. Other than the sputtering method, chemical vapor deposition (CVD), pulsed laser deposition (PLD), molecular beam epitaxy (MBE), or atomic layer deposition (ALD) can also be used, but in the present invention, it is preferable to use the sputtering method. The insulating films 40a and/or 40b may be formed on the inner surface of the through hole 12 of the glass epoxy substrate 10. Next, a seed layer 25 for plating is formed on the insulating films 40a and 40b by, for example, sputtering, CVD, PLD, MBE, or ALD. An adhesion layer such as titanium may be formed between the seed layer 25 and the insulating films 40a and 40b.

図３（ｂ）を参照して、シード層２５上にレジスト膜２６を形成した後、レジスト膜２６を所望の形状にパターニングする。ガラスエポキシ基板１０に貫通孔１２が設けられていることから、レジスト膜２６はドライフィルムレジストを用いて形成することが好ましい。次いで、レジスト膜２６をマスクとしてシード層２５をエッチングする。 Referring to FIG. 3(b), a resist film 26 is formed on the seed layer 25, and then the resist film 26 is patterned into a desired shape. Since the glass epoxy substrate 10 has the through holes 12, it is preferable to form the resist film 26 using a dry film resist. Next, the seed layer 25 is etched using the resist film 26 as a mask.

図３（ｃ）を参照して、レジスト膜２６を除去した後、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂ上に感光性樹脂膜３５を形成する。感光性樹脂膜３５はＳｉを含む樹脂膜である。ガラスエポキシ基板１０に貫通孔１２が設けられていることから、感光性樹脂膜３５はシートタイプの感光性樹脂膜を用いることが好ましい。 Referring to FIG. 3(c), after removing the resist film 26, a photosensitive resin film 35 is formed on the main surfaces 11a and 11b of the glass epoxy substrate 10. The photosensitive resin film 35 is a resin film containing Si. Since the glass epoxy substrate 10 has the through holes 12, it is preferable to use a sheet-type photosensitive resin film as the photosensitive resin film 35.

図３（ｄ）を参照して、感光性樹脂膜３５に対して露光及び現像を行ってパターニングし、樹脂壁３０ａ及び３０ｂを形成する。 Referring to FIG. 3(d), the photosensitive resin film 35 is exposed and developed to be patterned, forming resin walls 30a and 30b.

図３（ｅ）を参照して、シード層２５上に電解めっき法を用いてコイル導体２１ａ及び２１ｂを形成する。 Referring to FIG. 3(e), coil conductors 21a and 21b are formed on the seed layer 25 using electrolytic plating.

図４（ａ）を参照して、コイル導体２１ａ及び２１ｂの上面に樹脂膜３２を形成する。樹脂膜３２は、例えばコイル導体２１ａ及び２１ｂ上にシートタイプの感光性樹脂膜を貼り付け、この感光性樹脂膜に対して露光及び現像を行ってパターニングすることで形成される。次いで、ガラスエポキシ基板１０の貫通孔１２に充填され且つコイル導体２１ａ及び２１ｂと樹脂壁３０ａ及び３０ｂを覆う磁性体膜５０を形成する。 Referring to FIG. 4(a), a resin film 32 is formed on the upper surfaces of the coil conductors 21a and 21b. The resin film 32 is formed, for example, by attaching a sheet-type photosensitive resin film onto the coil conductors 21a and 21b, and patterning the photosensitive resin film by exposing and developing it. Next, a magnetic film 50 is formed, which fills the through-holes 12 of the glass epoxy substrate 10 and covers the coil conductors 21a and 21b and the resin walls 30a and 30b.

図４（ｂ）を参照して、磁性体膜５０の表面に、例えばペースト印刷法、めっき法、又はスパッタリング法等の薄膜プロセスで用いられる方法によって、コイル導体２１ａに接続される外部電極６０ａ及びコイル導体２１ｂに接続される外部電極６０ｂを形成する。 Referring to FIG. 4(b), an external electrode 60a connected to the coil conductor 21a and an external electrode 60b connected to the coil conductor 21b are formed on the surface of the magnetic film 50 by a method used in thin film processes such as paste printing, plating, or sputtering.

第１の実施形態によれば、図２（ｂ）のように、ガラスエポキシ基板１０上にガラスエポキシ基板１０に接してシリコンを含む絶縁膜４０ａが設けられている。樹脂壁３０ａはガラスエポキシ基板１０上にシリコンを含む絶縁膜４０ａに接して設けられている。これにより、樹脂壁３０ａに含まれる炭素（Ｃ）と絶縁膜４０ａに含まれるシリコン（Ｓｉ）とが結合し、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａとの間の密着性を向上させることができる。よって、コイル導体２１ａがガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの界面を介して短絡することを抑制できる。ガラスエポキシ基板１０の主面１１ｂ上に形成されたシリコンを含む絶縁膜４０ｂ、樹脂壁３０ｂ、及びコイル導体２１ｂに関しても同様である。 According to the first embodiment, as shown in FIG. 2(b), an insulating film 40a containing silicon is provided on the glass epoxy substrate 10 in contact with the glass epoxy substrate 10. The resin wall 30a is provided on the glass epoxy substrate 10 in contact with the insulating film 40a containing silicon. This allows the carbon (C) contained in the resin wall 30a to bond with the silicon (Si) contained in the insulating film 40a, improving the adhesion between the glass epoxy substrate 10 and the resin wall 30a. This prevents the coil conductor 21a from shorting out through the interface between the glass epoxy substrate 10 and the resin wall 30a. The same applies to the insulating film 40b containing silicon, the resin wall 30b, and the coil conductor 21b formed on the main surface 11b of the glass epoxy substrate 10.

絶縁膜４０ａの厚さをガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ａが設けられた主面１１ａの算術平均粗さで割った値は３以下である場合が好ましい。絶縁膜４０ａの厚さをガラスエポキシ基板１０の主面１１ａの算術平均粗さで割った値が３以下であれば、絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられる面の表面粗さが小さくなることが抑制される。このため、樹脂壁３０ａと絶縁膜４０ａの間のアンカー効果が向上し、樹脂壁３０ａとガラスエポキシ基板１０との密着性がより向上する。絶縁膜４０ａの厚さは走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による断面観察により測定することができる。ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａの算術平均粗さは、平面研磨及びウエットエッチングによってガラスエポキシ基板１０の主面１１ａを露出させ、露出した主面１１ａを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定することで求められる。上記と同様な理由から、絶縁膜４０ｂの厚さをガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ｂが設けられた主面１１ｂの算術平均粗さで割った値は３以下である場合が好ましい。 It is preferable that the value obtained by dividing the thickness of the insulating film 40a by the arithmetic mean roughness of the main surface 11a of the glass epoxy substrate 10 on which the insulating film 40a is provided is 3 or less. If the value obtained by dividing the thickness of the insulating film 40a by the arithmetic mean roughness of the main surface 11a of the glass epoxy substrate 10 is 3 or less, the surface roughness of the surface on which the resin wall 30a of the insulating film 40a is provided is suppressed from becoming small. Therefore, the anchor effect between the resin wall 30a and the insulating film 40a is improved, and the adhesion between the resin wall 30a and the glass epoxy substrate 10 is further improved. The thickness of the insulating film 40a can be measured by cross-sectional observation using a scanning electron microscope (SEM). The arithmetic mean roughness of the main surface 11a of the glass epoxy substrate 10 is obtained by exposing the main surface 11a of the glass epoxy substrate 10 by plane polishing and wet etching, and measuring the exposed main surface 11a with an atomic force microscope (AFM). For the same reasons as above, it is preferable that the value obtained by dividing the thickness of the insulating film 40b by the arithmetic mean roughness of the main surface 11b of the glass epoxy substrate 10 on which the insulating film 40b is provided is 3 or less.

絶縁膜４０ａが厚くなると絶縁膜４０ａの表面粗さが小さくなってアンカー効果が弱まることから、絶縁膜４０ａの厚さをガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ａが設けられた主面１１ａの算術平均粗さで割った値は２．５以下である場合がより好ましい。一方、絶縁膜４０ａが薄くなるとガラスエポキシ基板１０の主面１１ａの凹凸に対する絶縁膜４０ａの被覆性が悪くなり且つ絶縁膜４０ａの表面粗さも小さくなる。このため、絶縁膜４０ａの厚さをガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ａが設けられた主面１１ａの算術平均粗さで割った値は０．５以上が好ましい。同様に、絶縁膜４０ｂの厚さをガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ｂが設けられた主面１１ｂの算術平均粗さで割った値は０．５以上２．５以下である場合が好ましい。 When the insulating film 40a becomes thicker, the surface roughness of the insulating film 40a becomes smaller and the anchor effect weakens, so it is more preferable that the value obtained by dividing the thickness of the insulating film 40a by the arithmetic mean roughness of the main surface 11a of the glass epoxy substrate 10 on which the insulating film 40a is provided is 2.5 or less. On the other hand, when the insulating film 40a becomes thinner, the covering ability of the insulating film 40a to the unevenness of the main surface 11a of the glass epoxy substrate 10 becomes poor and the surface roughness of the insulating film 40a also becomes smaller. For this reason, the value obtained by dividing the thickness of the insulating film 40a by the arithmetic mean roughness of the main surface 11a of the glass epoxy substrate 10 on which the insulating film 40a is provided is preferably 0.5 or more. Similarly, the value obtained by dividing the thickness of the insulating film 40b by the arithmetic mean roughness of the main surface 11b of the glass epoxy substrate 10 on which the insulating film 40b is provided is preferably 0.5 or more and 2.5 or less.

絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられた面の算術平均粗さは、ガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ａが設けられた主面１１ａの算術平均粗さよりも大きい場合が好ましい。これにより、樹脂壁３０ａと絶縁膜４０ａのアンカー効果が高まり、樹脂壁３０ａとガラスエポキシ基板１０との密着性が向上する。同様に、絶縁膜４０ｂの樹脂壁３０ｂが設けられる面の算術平均粗さは、ガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ｂが設けられる主面１１ｂの算術平均粗さよりも大きい場合が好ましい。 The arithmetic mean roughness of the surface of the insulating film 40a on which the resin wall 30a is provided is preferably greater than the arithmetic mean roughness of the main surface 11a on which the insulating film 40a is provided of the glass epoxy substrate 10. This enhances the anchor effect of the resin wall 30a and the insulating film 40a, improving the adhesion between the resin wall 30a and the glass epoxy substrate 10. Similarly, the arithmetic mean roughness of the surface of the insulating film 40b on which the resin wall 30b is provided is preferably greater than the arithmetic mean roughness of the main surface 11b on which the insulating film 40b is provided of the glass epoxy substrate 10.

絶縁膜４０ａ及び４０ｂは酸化シリコン、窒化シリコン、又は酸化窒化シリコンで形成される場合が好ましい。これにより、樹脂壁３０ａ及び３０ｂに含まれる炭素（Ｃ）と絶縁膜４０ａ及び４０ｂに含まれるシリコン（Ｓｉ）とが結合し、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａ及び３０ｂとの間の密着性が向上する。 It is preferable that the insulating films 40a and 40b are made of silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride. This causes the carbon (C) contained in the resin walls 30a and 30b to bond with the silicon (Si) contained in the insulating films 40a and 40b, improving the adhesion between the glass epoxy substrate 10 and the resin walls 30a and 30b.

コイル部品１００の小型化のために樹脂壁３０ａ及び３０ｂの幅Ｘ（図２（ｂ）参照）は２０μｍ未満の場合が好ましい。この場合、樹脂壁３０ａ及び３０ｂがガラスエポキシ基板１０に接合する面積が小さくなる。このため、樹脂壁３０ａ及び３０ｂとガラスエポキシ基板１０の密着力が小さくなり、樹脂壁３０ａ及び３０ｂが部分的にガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂより剥離してしまい、隣接するコイル導体２１ａの巻回部２２ａ同士及びコイル導体２１ｂの巻回部２２ｂ同士で絶縁不良が生じることがある。本願発明では、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａ及び３０ｂとの間にシリコンを含む絶縁膜４０ａ及び４０ｂが設けられることで、樹脂壁３０ａ及び３０とガラスエポキシ基板１０の密着性の低下を抑制でき、樹脂壁３０ａ及び３０ｂが部分的にガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂより剥離し、隣接するコイル導体２１ａの巻回部２２ａ同士及び隣接するコイル導体２１ｂの巻回部２２ｂ同士で絶縁不良が生じることを抑制できる。さらに、コイル部品１００の小型化のために樹脂壁３０ａ及び３０ｂの幅Ｘ（図２（ｂ）参照）は１５μｍ未満の場合がより好ましく、１０μｍ未満の場合が更に好ましい。樹脂壁３０ａ及び３０ｂの幅Ｘを小さくした場合、樹脂壁３０ａ及び３０ｂとガラスエポキシ基板１０の密着力が小さくなるため、樹脂壁３０ａ及び３０ｂの高さＹを高く作製することが困難になる。コイル導体２１ａの巻回部２２ａ及びコイル導体２１ｂの巻回部２２ｂは、隣接するコイル導体２１ａの巻回部２２ａ同士及び隣接するコイル導体２１ｂの巻回部２２ｂ同士で絶縁性を保つ必要から、その高さを樹脂壁３０ａ及び３０ｂの高さ以下とすることが好ましい。このことは、コイル導体２１ａの巻回部２２ａ及びコイル導体２１ｂの巻回部２２ｂを高アスペクト比寸法とすることが困難になることを意味する。本願発明では、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａ及び３０ｂとの間にシリコンを含む絶縁膜４０ａ及び４０ｂが設けられることで、樹脂壁３０ａ及び３０とガラスエポキシ基板１０の密着性の低下を抑制できるため、樹脂壁３０ａ及び３０ｂの幅Ｘを小さくした場合でも、樹脂壁３０ａ及び３０ｂの高さＹを高く作製することができる。よって、コイル導体２１ａの巻回部２２ａ及びコイル導体２１ｂの巻回部２２ｂを高アスペクト比寸法とすることができる。このことは、限られた部品寸法で、コイル周回数を多くでき且つコイル導体のＲｄｃ（直流抵抗）を小さくできることになり、コイル部品を小型化できる。 In order to miniaturize the coil component 100, it is preferable that the width X (see FIG. 2B) of the resin walls 30a and 30b is less than 20 μm. In this case, the area where the resin walls 30a and 30b are bonded to the glass epoxy substrate 10 is small. As a result, the adhesion between the resin walls 30a and 30b and the glass epoxy substrate 10 is reduced, and the resin walls 30a and 30b are partially peeled off from the main surfaces 11a and 11b of the glass epoxy substrate 10, which may cause insulation failure between adjacent winding portions 22a of the coil conductor 21a and between adjacent winding portions 22b of the coil conductor 21b. In the present invention, the insulating films 40a and 40b containing silicon are provided between the glass epoxy substrate 10 and the resin walls 30a and 30b, so that the decrease in adhesion between the resin walls 30a and 30b and the glass epoxy substrate 10 can be suppressed, and the resin walls 30a and 30b can be suppressed from being partially peeled off from the main surfaces 11a and 11b of the glass epoxy substrate 10, and the occurrence of insulation failure between the winding parts 22a of the adjacent coil conductors 21a and between the winding parts 22b of the adjacent coil conductors 21b can be suppressed. Furthermore, in order to reduce the size of the coil component 100, the width X of the resin walls 30a and 30b (see FIG. 2B) is preferably less than 15 μm, and more preferably less than 10 μm. If the width X of the resin walls 30a and 30b is reduced, the adhesion between the resin walls 30a and 30b and the glass epoxy substrate 10 is reduced, making it difficult to make the height Y of the resin walls 30a and 30b high. The height of the winding portion 22a of the coil conductor 21a and the winding portion 22b of the coil conductor 21b is preferably equal to or less than the height of the resin walls 30a and 30b because it is necessary to maintain insulation between the winding portions 22a of the adjacent coil conductors 21a and between the winding portions 22b of the adjacent coil conductors 21b. This means that it is difficult to make the winding portion 22a of the coil conductor 21a and the winding portion 22b of the coil conductor 21b have a high aspect ratio. In the present invention, the insulating films 40a and 40b containing silicon are provided between the glass epoxy substrate 10 and the resin walls 30a and 30b, so that the decrease in adhesion between the resin walls 30a and 30 and the glass epoxy substrate 10 can be suppressed. Therefore, even if the width X of the resin walls 30a and 30b is reduced, the height Y of the resin walls 30a and 30b can be made high. Therefore, the winding portion 22a of the coil conductor 21a and the winding portion 22b of the coil conductor 21b can be made to have high aspect ratio dimensions. This means that with limited component dimensions, the number of coil turns can be increased and the Rdc (direct current resistance) of the coil conductor can be reduced, allowing the coil component to be made smaller.

［第２の実施形態］
図５は、本願発明の第２の実施形態に係るコイル部品を示す断面図である。図５を参照して、コイル部品２００では、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの間に設けられた絶縁膜４０ａはコイル導体２１ａが設けられた箇所で分断されている。コイル導体２１ａは、絶縁膜４０ａとは接してなく、絶縁膜４０ａから離れて設けられている。同様に、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ｂの間に設けられた絶縁膜４０ｂはコイル導体２１ｂが設けられた箇所で分断されている。コイル導体２１ｂは、絶縁膜４０ｂとは接してなく、絶縁膜４０ｂから離れて設けられている。その他の構成は、第１の実施形態のコイル部品１００と同じであるため説明を省略する。 Second Embodiment
5 is a cross-sectional view showing a coil component according to a second embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, in a coil component 200, an insulating film 40a provided between a glass epoxy substrate 10 and a resin wall 30a is divided at a location where a coil conductor 21a is provided. The coil conductor 21a is not in contact with the insulating film 40a and is provided apart from the insulating film 40a. Similarly, an insulating film 40b provided between a glass epoxy substrate 10 and a resin wall 30b is divided at a location where a coil conductor 21b is provided. The coil conductor 21b is not in contact with the insulating film 40b and is provided apart from the insulating film 40b. The other configurations are the same as those of the coil component 100 of the first embodiment, and therefore description thereof will be omitted.

［製造方法］
図６（ａ）から図６（ｅ）は、第２の実施形態のコイル部品の製造方法の一例を示す断面図である。図６（ａ）を参照して、ガラスエポキシ基板１０の中央部にドリル加工又はレーザ加工等を用いて貫通孔１２を形成する。次いで、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂ上に、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＬＤ法、ＭＢＥ法、又はＡＬＤ法を用いて、めっきのためのシード層２５を形成する。シード層２５とガラスエポキシ基板１０の間にチタン等の密着層を形成してもよい。 [Production method]
6(a) to 6(e) are cross-sectional views showing an example of a manufacturing method of the coil component of the second embodiment. Referring to FIG. 6(a), a through hole 12 is formed in the center of a glass epoxy substrate 10 by drilling or laser processing. Next, a seed layer 25 for plating is formed on the main surfaces 11a and 11b of the glass epoxy substrate 10 by, for example, sputtering, CVD, PLD, MBE, or ALD. An adhesive layer of titanium or the like may be formed between the seed layer 25 and the glass epoxy substrate 10.

図６（ｂ）を参照して、シード層２５上にレジスト膜２６を形成した後、レジスト膜２６を所望の形状にパターニングする。次いで、レジスト膜２６をマスクとしてシード層２５をエッチングする。 Referring to FIG. 6(b), a resist film 26 is formed on the seed layer 25, and then the resist film 26 is patterned into a desired shape. Next, the seed layer 25 is etched using the resist film 26 as a mask.

図６（ｃ）を参照して、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂ上に、例えばスパッタリング法を用いて、Ｓｉを含む絶縁膜４０ａ及び４０ｂを形成する。スパッタリング法以外に、ＣＶＤ法、ＰＬＤ法、ＭＢＥ法、又はＡＬＤ法を用いることもできるが、本願発明においてはスパッタリング法を用いることが好ましい。 Referring to FIG. 6(c), insulating films 40a and 40b containing Si are formed on the main surfaces 11a and 11b of the glass epoxy substrate 10 by, for example, a sputtering method. Although CVD, PLD, MBE, or ALD can also be used in addition to the sputtering method, it is preferable to use the sputtering method in the present invention.

図６（ｄ）を参照して、レジスト膜２６及びレジスト膜２６上の絶縁膜４０ａ及び４０ｂをリフトオフ法により除去することができる。これにより、上述したようにコイル導体２１ａ及び２１ｂと絶縁膜４０ａ及び４０ｂが接しないようにすることができ、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂのコイル導体２１ａ及び２１ｂの面を平滑化できるため高周波特性を良好にできる。その後、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂ上に感光性樹脂膜３５を形成する。感光性樹脂膜３５はＳｉを含む樹脂膜である。 Referring to FIG. 6(d), the resist film 26 and the insulating films 40a and 40b on the resist film 26 can be removed by lift-off. This prevents the coil conductors 21a and 21b from contacting the insulating films 40a and 40b as described above, and the surfaces of the coil conductors 21a and 21b on the main surfaces 11a and 11b of the glass epoxy substrate 10 can be smoothed, resulting in good high-frequency characteristics. After that, a photosensitive resin film 35 is formed on the main surfaces 11a and 11b of the glass epoxy substrate 10. The photosensitive resin film 35 is a resin film containing Si.

図６（ｅ）を参照して、感光性樹脂膜３５に対して露光及び現像を行ってパターニングし、樹脂壁３０ａ及び３０ｂを形成する。次いで、シード層２５上に電解めっき法を用いてコイル導体２１ａ及び２１ｂを形成する。これ以降は、第１の実施形態の図４（ａ）及び図４（ｂ）で説明した工程と同じ工程を行う。 Referring to FIG. 6(e), the photosensitive resin film 35 is exposed and developed to pattern it, forming the resin walls 30a and 30b. Next, the coil conductors 21a and 21b are formed on the seed layer 25 using electrolytic plating. After this, the same steps as those described in FIG. 4(a) and FIG. 4(b) of the first embodiment are performed.

第２の実施形態においても、第１の実施形態と同じく、ガラスエポキシ基板１０上に、ガラスエポキシ基板１０に接してシリコンを含む絶縁膜４０ａが設けられ、シリコンを含む絶縁膜４０ａに接して樹脂壁３０ａが設けられている。また、ガラスエポキシ基板１０上に、ガラスエポキシ基板１０に接してシリコンを含む絶縁膜４０ｂが設けられ、シリコンを含む絶縁膜４０ｂに接して樹脂壁３０ｂが設けられている。これにより、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａ及び３０ｂとの間の密着性を向上させることができる。 In the second embodiment, as in the first embodiment, a silicon-containing insulating film 40a is provided on the glass epoxy substrate 10 in contact with the glass epoxy substrate 10, and a resin wall 30a is provided in contact with the silicon-containing insulating film 40a. In addition, a silicon-containing insulating film 40b is provided on the glass epoxy substrate 10 in contact with the glass epoxy substrate 10, and a resin wall 30b is provided in contact with the silicon-containing insulating film 40b. This can improve the adhesion between the glass epoxy substrate 10 and the resin walls 30a and 30b.

コイル部品に高周波信号が入力される場合は一般的に表皮効果が見られる。表皮効果によってコイル導体２１ａの表面での電流密度が高くなる。第１の実施形態のように、コイル導体２１ａが絶縁膜４０ａに接して設けられている場合、絶縁膜４０ａの表面粗さはアンカー効果が発揮されるように大きいことから、コイル導体２１ａの絶縁膜４０ａに接合する面の表面粗さが大きくなる。このため、表皮効果によってコイル導体２１ａの表面での電流密度が高くなる場合では、電流の損失が大きくなってしまう。一方、第２の実施形態のように、コイル導体２１ａが絶縁膜４０ａから離れて設けられている場合、コイル導体２１ａは表面粗さの大きい絶縁膜４０ａに接していないことから、コイル導体２１ａの表面粗さが小さくなる。よって、表皮効果によってコイル導体２１ａの表面での電流密度が高くなる場合でも、電流の損失を抑えることができる。コイル導体２１ｂにおいても同様である。 When a high-frequency signal is input to a coil component, the skin effect is generally observed. The skin effect increases the current density on the surface of the coil conductor 21a. When the coil conductor 21a is provided in contact with the insulating film 40a as in the first embodiment, the surface roughness of the insulating film 40a is large so that the anchor effect is exerted, and therefore the surface roughness of the surface of the coil conductor 21a that is joined to the insulating film 40a is large. Therefore, when the current density on the surface of the coil conductor 21a is high due to the skin effect, the current loss becomes large. On the other hand, when the coil conductor 21a is provided away from the insulating film 40a as in the second embodiment, the coil conductor 21a is not in contact with the insulating film 40a, which has a large surface roughness, and therefore the surface roughness of the coil conductor 21a is small. Therefore, even when the current density on the surface of the coil conductor 21a is high due to the skin effect, the current loss can be suppressed. The same is true for the coil conductor 21b.

［第３の実施形態］
図７は、本願発明の第３の実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。図７では、図の明瞭化のために、半田７２にハッチングを付している。図７を参照して、電子機器３００は、回路基板７０と、回路基板７０に実装された第１の実施形態のコイル部品１００と、を備える。コイル部品１００は、外部電極６０ａ、６０ｂが半田７２によって回路基板７０の電極７１に接合されることで、回路基板７０に実装されている。これにより、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａ及び３０ｂとの間の密着性が向上したコイル部品１００を備えた電子機器３００が得られる。なお、第３の実施形態では、回路基板７０に第１の実施形態のコイル部品１００が実装されている場合を例に示したが、第２の実施形態に係るコイル部品２００が実装されていてもよい。 [Third embodiment]
FIG. 7 is a perspective view showing an electronic device according to a third embodiment of the present invention. In FIG. 7, the solder 72 is hatched for clarity. Referring to FIG. 7, the electronic device 300 includes a circuit board 70 and the coil component 100 of the first embodiment mounted on the circuit board 70. The coil component 100 is mounted on the circuit board 70 by joining the external electrodes 60a and 60b to the electrodes 71 of the circuit board 70 by the solder 72. This provides an electronic device 300 including the coil component 100 with improved adhesion between the glass epoxy substrate 10 and the resin walls 30a and 30b. In the third embodiment, the coil component 100 of the first embodiment is mounted on the circuit board 70, but the coil component 200 of the second embodiment may be mounted on the circuit board 70.

以下、本願発明についてより具体的に説明するが、本願発明はこれらに記載された態様に限定されるわけではない。 The present invention is described in more detail below, but is not limited to the embodiments described herein.

［実施例１］
図８（ａ）は、実施例に相当する試料の断面図である。図８（ａ）を参照して、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ上に酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜である絶縁膜４０ａをスパッタリング法で形成した。絶縁膜４０ａ上にシートタイプの感光性エポキシ樹脂膜を貼り付け、この感光性エポキシ樹脂膜に対して露光及び現像を行ってパターニングすることで、絶縁膜４０ａ上にエポキシ樹脂で形成された樹脂壁３０ａを形成した。絶縁膜４０ａの厚さを５０ｎｍとした。樹脂壁３０ａの幅Ｘは１５μｍとした。 [Example 1]
Fig. 8(a) is a cross-sectional view of a sample corresponding to the embodiment. Referring to Fig. 8(a), an insulating film 40a, which is a silicon oxide (SiO ₂ ) film, was formed by sputtering on the main surface 11a of a glass epoxy substrate 10. A sheet-type photosensitive epoxy resin film was attached on the insulating film 40a, and the photosensitive epoxy resin film was exposed to light and developed to pattern the film, thereby forming a resin wall 30a made of epoxy resin on the insulating film 40a. The thickness of the insulating film 40a was set to 50 nm. The width X of the resin wall 30a was set to 15 μm.

［実施例２］
絶縁膜４０ａの厚さを１００ｎｍとした点以外は、図８（ａ）の構造とした。 [Example 2]
The structure shown in FIG. 8A was used, except that the thickness of the insulating film 40a was set to 100 nm.

［実施例３］
絶縁膜４０ａの厚さを１５０ｎｍとした点以外は、図８（ａ）の構造とした。 [Example 3]
The structure shown in FIG. 8A was used, except that the thickness of the insulating film 40a was set to 150 nm.

［実施例４］
絶縁膜４０ａの厚さを２００ｎｍとした点以外は、図８（ａ）の構造とした。 [Example 4]
The structure shown in FIG. 8A was used, except that the thickness of the insulating film 40a was set to 200 nm.

［実施例５］
絶縁膜４０ａの厚さを２５０ｎｍとした点以外は、図８（ａ）の構造とした。 [Example 5]
The structure shown in FIG. 8A was used, except that the thickness of the insulating film 40a was set to 250 nm.

［実施例６］
絶縁膜４０ａの厚さを３００ｎｍとした点以外は、図８（ａ）の構造とした。 [Example 6]
The structure shown in FIG. 8A was used, except that the thickness of the insulating film 40a was set to 300 nm.

［実施例７］
絶縁膜４０ａの厚さを３５０ｎｍとした点以外は、図８（ａ）の構造とした。 [Example 7]
The structure shown in FIG. 8A was used, except that the thickness of the insulating film 40a was set to 350 nm.

［実施例８］
絶縁膜４０ａの厚さを４００ｎｍとした点以外は、図８（ａ）の構造とした。 [Example 8]
The structure shown in FIG. 8A was used, except that the thickness of the insulating film 40a was set to 400 nm.

［比較例１］
図８（ｂ）は、比較例１に相当する試料の断面図である。図８（ｂ）を参照して、ガラスエポキシ基板１１０の主面１１１ａ上に絶縁膜を介さずにエポキシ樹脂によって樹脂壁１３０ａを形成した。樹脂壁１３０ａはガラスエポキシ基板１１０の主面１１１ａ上にシートタイプの感光性エポキシ樹脂膜を貼り付け、この感光性エポキシ樹脂膜に対して露光及び現像を行ってパターニングすることで形成した。樹脂壁１３０ａの幅Ｘは実施例１から実施例８と同じ１５μｍとした。 [Comparative Example 1]
Fig. 8(b) is a cross-sectional view of a sample corresponding to Comparative Example 1. Referring to Fig. 8(b), a resin wall 130a was formed of epoxy resin on the main surface 111a of the glass epoxy substrate 110 without an insulating film. The resin wall 130a was formed by attaching a sheet-type photosensitive epoxy resin film to the main surface 111a of the glass epoxy substrate 110, and patterning the photosensitive epoxy resin film by exposing and developing it. The width X of the resin wall 130a was set to 15 μm, the same as in Examples 1 to 8.

実施例１から実施例８及び比較例１について各々１２６個の試料を作製し、これらに対して、絶縁膜４０ａの厚さをガラスエポキシ基板１０の主面１１ａの算術平均粗さで割った値（以下、絶縁膜４０ａの膜厚比と称す場合がある）の算出、樹脂壁３０ａ、１３０ａの剥離試験、樹脂壁３０ａ、１３０ａの密着力測定、及び、絶縁膜４０ａとガラスエポキシ基板１１０の表面粗さ測定を行った。
［絶縁膜の膜厚比の算出］
絶縁膜４０ａの厚さをガラスエポキシ基板１０の主面１１ａの算術平均粗さで割った値を求め、１２６個の試料の平均値を算出した。
［剥離試験］
ニチバンセロハンテープＮｏ．４０５（粘着力：３．９３Ｎ／ｃｍ）を樹脂壁３０ａ、１３０ａの上面に付着させた後にガラスエポキシ基板１０、１１０から引き剥がすテープ剥離試験を行い、１２６個の試料のうち樹脂壁３０ａ、１３０ａがガラスエポキシ基板１０、１１０から剥離した試料の割合を剥離率として算出した。
［密着力測定］
フォースゲージ（イマダ製デジタルフォースゲージＺＴＡシリーズ）を用いた引張試験によって樹脂壁３０ａ、１３０ａのガラスエポキシ基板１０、１１０に対する密着力を測定し、１２６個の試料の平均値を算出した。
［表面粗さ測定］
ガラスエポキシ基板１１０の主面１１１ａ及び絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられる面を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定してガラスエポキシ基板１１０の主面１１１ａ及び絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられる面の算術平均粗さを求め、１２６個の試料の平均値を算出した。以下において、ガラスエポキシ基板１１０の主面１１１ａ及び絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられる面の算術平均粗さを、ガラスエポキシ基板１１０及び絶縁膜４０ａの算術平均粗さと称す場合がある。 126 samples were prepared for each of Examples 1 to 8 and Comparative Example 1, and the values obtained by dividing the thickness of the insulating film 40a by the arithmetic mean roughness of the main surface 11a of the glass epoxy substrate 10 (hereinafter, sometimes referred to as the film thickness ratio of the insulating film 40a) were calculated for these samples, and peel tests of the resin walls 30a, 130a were performed. The adhesion strength of the resin walls 30a, 130a was measured, and the surface roughness of the insulating film 40a and the glass epoxy substrate 110 was measured.
[Calculation of Insulating Film Thickness Ratio]
The thickness of the insulating film 40a was divided by the arithmetic mean roughness of the main surface 11a of the glass epoxy substrate 10 to obtain an average value for the 126 samples.
[Peel test]
A tape peeling test was performed in which Nichiban Cellophane Tape No. 405 (adhesive strength: 3.93 N/cm) was attached to the upper surface of the resin walls 30a, 130a and then peeled off from the glass epoxy substrates 10, 110, and the ratio of samples in which the resin walls 30a, 130a were peeled off from the glass epoxy substrates 10, 110 out of 126 samples was calculated as the peeling rate.
[Adhesion measurement]
The adhesive strength of the resin walls 30a, 130a to the glass epoxy substrates 10, 110 was measured by a tensile test using a force gauge (IMADA Digital Force Gauge ZTA Series), and the average value of 126 samples was calculated.
[Surface roughness measurement]
The principal surface 111a of the glass epoxy substrate 110 and the surface on which the resin walls 30a of the insulating film 40a are provided were measured with an atomic force microscope (AFM) to obtain the arithmetic mean roughness of the principal surface 111a of the glass epoxy substrate 110 and the surface on which the resin walls 30a of the insulating film 40a are provided, and the average value of 126 samples was calculated. Hereinafter, the arithmetic mean roughness of the principal surface 111a of the glass epoxy substrate 110 and the surface on which the resin walls 30a of the insulating film 40a are provided may be referred to as the arithmetic mean roughness of the glass epoxy substrate 110 and the insulating film 40a.

得られた結果を表１に示す。

The results obtained are shown in Table 1.

図９（ａ）から図９（ｃ）は、表１の結果をグラフで表した図である。図９（ａ）は、絶縁膜４０ａの膜厚比と、樹脂壁３０ａ、１３０ａの剥離率並びに絶縁膜４０ａ及びガラスエポキシ基板１１０の算術平均粗さと、の関係を示す図である。図９（ｂ）は、絶縁膜４０ａ及びガラスエポキシ基板１１０の算術平均粗さと、樹脂壁３０ａ、１３０ａの剥離率と、の関係を示す図である。図９（ｃ）は、絶縁膜４０ａ及びガラスエポキシ基板１１０の算術平均粗さと、樹脂壁３０ａ、１３０ａの密着力と、の関係を示す図である。図９（ａ）から図９（ｃ）では、比較例１の測定結果を白丸及び白四角で示し、実施例１から実施例８の測定結果を黒丸及び黒四角で示している。 9(a) to 9(c) are graphs showing the results of Table 1. FIG. 9(a) is a diagram showing the relationship between the film thickness ratio of the insulating film 40a and the peeling rate of the resin walls 30a and 130a, as well as the arithmetic mean roughness of the insulating film 40a and the glass epoxy substrate 110. FIG. 9(b) is a diagram showing the relationship between the arithmetic mean roughness of the insulating film 40a and the glass epoxy substrate 110 and the peeling rate of the resin walls 30a and 130a. FIG. 9(c) is a diagram showing the relationship between the arithmetic mean roughness of the insulating film 40a and the glass epoxy substrate 110 and the adhesion force of the resin walls 30a and 130a. In FIG. 9(a) to FIG. 9(c), the measurement results of Comparative Example 1 are shown with white circles and white squares, and the measurement results of Examples 1 to 8 are shown with black circles and black squares.

表１及び図９（ａ）のように、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの間に絶縁膜４０ａが設けられた実施例１から実施例８は、ガラスエポキシ基板１１０と樹脂壁１３０ａの間に絶縁膜が設けられていない比較例１に比べて、樹脂壁３０ａの剥離率が低下した結果であった。絶縁膜４０ａの膜厚比が２．３よりも大きくなると樹脂壁３０ａの剥離率は上昇しているが、絶縁膜４０ａの膜厚比が２．８以降は樹脂壁３０ａの剥離率の上昇率が小さくなっている。このことから、絶縁膜４０ａの膜厚比を大きくしていくと、樹脂壁３０ａの剥離率は絶縁膜が設けられていない比較例１よりも低い一定の値で落ち着くと考えられる。 As shown in Table 1 and FIG. 9(a), in Examples 1 to 8 in which an insulating film 40a is provided between the glass epoxy substrate 10 and the resin wall 30a, the peeling rate of the resin wall 30a is lower than in Comparative Example 1 in which no insulating film is provided between the glass epoxy substrate 110 and the resin wall 130a. When the film thickness ratio of the insulating film 40a becomes greater than 2.3, the peeling rate of the resin wall 30a increases, but when the film thickness ratio of the insulating film 40a becomes 2.8 or more, the rate of increase in the peeling rate of the resin wall 30a becomes smaller. From this, it is considered that as the film thickness ratio of the insulating film 40a is increased, the peeling rate of the resin wall 30a settles at a constant value lower than that of Comparative Example 1 in which no insulating film is provided.

このように、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの間に酸化シリコン膜である絶縁膜４０ａが設けられた実施例１から実施例８は、絶縁膜が設けられていない比較例１に比べて、樹脂壁３０ａの剥離率が低下したのは次の理由によるものと考えられる。すなわち、樹脂壁３０ａはエポキシ樹脂で形成され、絶縁膜４０ａは酸化シリコン膜であることから、樹脂壁３０ａに含まれる炭素（Ｃ）と絶縁膜４０ａに含まれるシリコン（Ｓｉ）とが結合し、これによりガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの密着性が向上したためと考えられる。この理由を踏まえると、樹脂壁３０ａが樹脂で形成され、絶縁膜４０ａがシリコンを含む絶縁膜であれば、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの密着性が向上し、樹脂壁３０ａの剥離率が低下すると考えられる。このことから、ガラスエポキシ基板１０上に、ガラスエポキシ基板１０に接してシリコンを含む絶縁膜４０ａが設けられ、シリコンを含む絶縁膜４０ａに接して樹脂壁３０ａが設けられることで、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの密着性が向上することが確認された。 In this way, the peeling rate of the resin wall 30a is lower in Examples 1 to 8, in which the insulating film 40a, which is a silicon oxide film, is provided between the glass epoxy substrate 10 and the resin wall 30a, compared to Comparative Example 1, in which no insulating film is provided. This is thought to be due to the following reason. That is, since the resin wall 30a is formed of epoxy resin and the insulating film 40a is a silicon oxide film, the carbon (C) contained in the resin wall 30a and the silicon (Si) contained in the insulating film 40a are bonded, which is thought to improve the adhesion between the glass epoxy substrate 10 and the resin wall 30a. Considering this reason, if the resin wall 30a is formed of resin and the insulating film 40a is an insulating film containing silicon, it is thought that the adhesion between the glass epoxy substrate 10 and the resin wall 30a is improved and the peeling rate of the resin wall 30a is reduced. From this, it was confirmed that by providing a silicon-containing insulating film 40a on the glass epoxy substrate 10 in contact with the glass epoxy substrate 10, and providing a resin wall 30a in contact with the silicon-containing insulating film 40a, the adhesion between the glass epoxy substrate 10 and the resin wall 30a is improved.

絶縁膜４０ａの膜厚比が２．３より大きくなると樹脂壁３０ａの剥離率が上昇しているのは、絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられた面の算術平均粗さが小さくなり、樹脂壁３０ａと絶縁膜４０ａの間のアンカー効果が弱まったためと考えられる。ここで、図１０（ａ）から図１０（ｃ）を用いて、絶縁膜４０ａの膜厚が変わることで絶縁膜４０ａの表面粗さが変化するメカニズムについて説明する。図１０（ａ）のように、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａには、ガラス繊維及び／又はエポキシ樹脂に由来した凹凸が形成されている。図１０（ｂ）のように、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａに絶縁膜４０ａが形成される場合、凹凸の凹み部分は絶縁膜４０ａの成膜レートが遅いため、絶縁膜４０ａの膜厚が薄い段階では、絶縁膜４０ａの表面粗さが大きくなる。図１０（ｃ）のように、絶縁膜４０ａが厚くなると、凹凸部の凹み部分にも絶縁膜４０ａが埋まり、その結果、絶縁膜４０ａの表面粗さは小さくなる。このような理由から、絶縁膜４０ａの膜厚比が１．９までは絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられた面の算術平均粗さが大きくなり、絶縁膜４０ａの膜厚比が１．９より大きくなると絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられた面の算術平均粗さが小さくなったと考えられる。 When the thickness ratio of the insulating film 40a becomes larger than 2.3, the peeling rate of the resin wall 30a increases because the arithmetic mean roughness of the surface of the insulating film 40a on which the resin wall 30a is provided becomes smaller, and the anchor effect between the resin wall 30a and the insulating film 40a becomes weaker. Here, the mechanism by which the surface roughness of the insulating film 40a changes as the thickness of the insulating film 40a changes will be explained using Figures 10(a) to 10(c). As shown in Figure 10(a), the main surface 11a of the glass epoxy substrate 10 has unevenness derived from glass fiber and/or epoxy resin. As shown in Figure 10(b), when the insulating film 40a is formed on the main surface 11a of the glass epoxy substrate 10, the film formation rate of the insulating film 40a is slow in the concave portion of the unevenness, so that the surface roughness of the insulating film 40a becomes large when the thickness of the insulating film 40a is thin. As shown in Figure 10(c), when the insulating film 40a becomes thicker, the insulating film 40a also fills in the recesses of the uneven parts, and as a result, the surface roughness of the insulating film 40a becomes smaller. For this reason, it is considered that the arithmetic mean roughness of the surface of the insulating film 40a on which the resin wall 30a is provided becomes large when the thickness ratio of the insulating film 40a is up to 1.9, and that the arithmetic mean roughness of the surface of the insulating film 40a on which the resin wall 30a is provided becomes small when the thickness ratio of the insulating film 40a becomes larger than 1.9.

表１及び図９（ａ）から、絶縁膜４０ａの膜厚比が３以下の場合では、絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられた面の算術平均粗さは比較例１でのガラスエポキシ基板１１０の主面１１１ａの算術平均粗さより大きく、樹脂壁３０ａの剥離率が低い結果であった。したがって、絶縁膜４０ａの厚さをガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ａが設けられる主面１１ａの算術平均粗さで割った値である絶縁膜４０ａの膜厚比を３以下とすることで、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの密着性が向上することが確認された。 From Table 1 and FIG. 9(a), when the film thickness ratio of the insulating film 40a is 3 or less, the arithmetic mean roughness of the surface of the insulating film 40a on which the resin wall 30a is provided is greater than the arithmetic mean roughness of the main surface 111a of the glass epoxy substrate 110 in Comparative Example 1, and the peeling rate of the resin wall 30a is low. Therefore, it was confirmed that the adhesion between the glass epoxy substrate 10 and the resin wall 30a is improved by setting the film thickness ratio of the insulating film 40a, which is the value obtained by dividing the thickness of the insulating film 40a by the arithmetic mean roughness of the main surface 11a on which the insulating film 40a of the glass epoxy substrate 10 is provided, to 3 or less.

絶縁膜４０ａの厚さをガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ａが設けられる主面１１ａの算術平均粗さで割った値である絶縁膜４０ａの膜厚比が１．４以上２．３以下の場合では、樹脂壁３０ａの剥離が生じない結果であった。これは、絶縁膜４０ａの膜厚比が１．４以上２．３以下では、絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられた面の算術平均粗さが大きく、樹脂壁３０ａと絶縁膜４０ａの間のアンカー効果が高まったためと考えられる。このことから、絶縁膜４０ａの厚さをガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ａが設けられる主面１１ａの算術平均粗さで割った値である絶縁膜４０ａの膜厚比は、０．１以上３以下が好ましく、０．５以上２．５以下がより好ましく、１．０以上２．３以下が更に好ましいことが確認された。 When the film thickness ratio of the insulating film 40a, which is the value obtained by dividing the thickness of the insulating film 40a by the arithmetic mean roughness of the main surface 11a on which the insulating film 40a of the glass epoxy substrate 10 is provided, is 1.4 or more and 2.3 or less, the resin wall 30a does not peel off. This is thought to be because when the film thickness ratio of the insulating film 40a is 1.4 or more and 2.3 or less, the arithmetic mean roughness of the surface on which the resin wall 30a of the insulating film 40a is provided is large, and the anchor effect between the resin wall 30a and the insulating film 40a is enhanced. From this, it was confirmed that the film thickness ratio of the insulating film 40a, which is the value obtained by dividing the thickness of the insulating film 40a by the arithmetic mean roughness of the main surface 11a on which the insulating film 40a of the glass epoxy substrate 10 is provided, is preferably 0.1 or more and 3 or less, more preferably 0.5 or more and 2.5 or less, and even more preferably 1.0 or more and 2.3 or less.

図９（ｂ）のように、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの間に絶縁膜４０ａが設けられた実施例１から実施例８では、絶縁膜が設けられていない比較例１に比べて、絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられた面の算術平均粗さがガラスエポキシ基板１１０の主面１１１ａの算術平均粗さよりも大きい場合に限られず小さい場合でも樹脂壁３０ａの剥離率が低下した結果であった。これは上述したように、樹脂壁３０ａに含まれる炭素（Ｃ）と絶縁膜４０ａに含まれるシリコン（Ｓｉ）とが結合し、これによりガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの密着性が向上したためと考えられる。 As shown in FIG. 9(b), in Examples 1 to 8 in which an insulating film 40a was provided between the glass epoxy substrate 10 and the resin wall 30a, the peeling rate of the resin wall 30a was reduced compared to Comparative Example 1 in which no insulating film was provided, not only when the arithmetic mean roughness of the surface of the insulating film 40a on which the resin wall 30a was provided was larger than the arithmetic mean roughness of the main surface 111a of the glass epoxy substrate 110, but also when it was smaller. This is thought to be because, as described above, the carbon (C) contained in the resin wall 30a and the silicon (Si) contained in the insulating film 40a bond, thereby improving the adhesion between the glass epoxy substrate 10 and the resin wall 30a.

図９（ｃ）のように、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの間に絶縁膜４０ａが設けられた実施例１から実施例８は、絶縁膜が設けられていない比較例１に比べて、絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられた面の算術平均粗さがガラスエポキシ基板１１０の主面１１１ａの算術平均粗さよりも大きい場合に限られず小さい場合でも樹脂壁３０ａのガラスエポキシ基板１０に対する密着力が高い結果であった。これは上述したように、樹脂壁３０ａに含まれる炭素（Ｃ）と絶縁膜４０ａに含まれるシリコン（Ｓｉ）とが結合し、これによりガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの密着性が向上したためと考えられる。例えば、製造プロセスを考慮すると樹脂壁３０ａの密着力は４０ｋＰａ以上の場合が好ましく、この場合は実施例３から実施例５であるため樹脂壁３０ａの剥離率が０％の場合である。この結果から、樹脂壁３０ａの剥離が生じなかった条件は製造プロセス的に問題が起こり難いパターンが形成されることが言える。 9(c), in Examples 1 to 8 in which an insulating film 40a is provided between the glass epoxy substrate 10 and the resin wall 30a, the adhesive strength of the resin wall 30a to the glass epoxy substrate 10 is higher than that of Comparative Example 1 in which no insulating film is provided, not only when the arithmetic mean roughness of the surface of the insulating film 40a on which the resin wall 30a is provided is larger than that of the main surface 111a of the glass epoxy substrate 110, but also when it is smaller. This is because, as described above, the carbon (C) contained in the resin wall 30a and the silicon (Si) contained in the insulating film 40a are bonded, thereby improving the adhesive strength between the glass epoxy substrate 10 and the resin wall 30a. For example, in consideration of the manufacturing process, the adhesive strength of the resin wall 30a is preferably 40 kPa or more, and in this case, since it is Examples 3 to 5, the peeling rate of the resin wall 30a is 0%. From this result, it can be said that under the conditions in which the resin wall 30a does not peel off, a pattern that is less likely to cause problems in the manufacturing process is formed.

図９（ｂ）及び図９（ｃ）の結果から、絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられた面の算術平均粗さがガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ａが設けられる主面１１ａの算術平均粗さよりも大きい場合に、樹脂壁３０ａとガラスエポキシ基板１０の密着性が効果的に向上することが確認された。樹脂壁３０ａとガラスエポキシ基板１０の密着性向上の点から、絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられた面の算術平均粗さｂは、ガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ａが設けられた主面１１ａの算術平均粗さをａとした場合に、ａ＜ｂ≦２ａの場合が好ましく、ａ＜ｂ≦１．９ａの場合がより好ましい。 9(b) and 9(c), it was confirmed that the adhesion between the resin wall 30a and the glass epoxy substrate 10 is effectively improved when the arithmetic mean roughness of the surface of the insulating film 40a on which the resin wall 30a is provided is greater than the arithmetic mean roughness of the main surface 11a on which the insulating film 40a of the glass epoxy substrate 10 is provided. From the viewpoint of improving the adhesion between the resin wall 30a and the glass epoxy substrate 10, the arithmetic mean roughness b of the surface of the insulating film 40a on which the resin wall 30a is provided is preferably a<b≦2a, and more preferably a<b≦1.9a, where a is the arithmetic mean roughness of the main surface 11a on which the insulating film 40a of the glass epoxy substrate 10 is provided.

［比較例２］
酸化シリコン膜である絶縁膜４０ａの代わりに酸化チタン（ＴｉＯ_２）膜である絶縁膜を用いた。酸化チタン膜である絶縁膜の厚さをガラスエポキシ基板の主面の算術平均粗さで割った値である絶縁膜の膜厚比が０．９、１．４、１．９、２．３である試料を各々１２６個作製し、これらに対して樹脂壁の剥離試験を行った。図１１は、絶縁膜に酸化チタン膜を用いた場合の剥離試験の結果を示す図である。図１１のように、ガラスエポキシ基板と樹脂壁の間に酸化チタン膜である絶縁膜を設けた場合では、絶縁膜の膜厚比が０．９～２．３の範囲において、１２６個の試料の全てで樹脂壁の剥離が生じた結果であった。この結果から、ガラスエポキシ基板と樹脂壁の間にＳｉを含む絶縁膜を設けた場合に、上述した理由によって、ガラスエポキシ基板と樹脂壁の密着性が向上して樹脂壁の剥離率が低下することが確認された。 [Comparative Example 2]
Instead of the insulating film 40a which is a silicon oxide film, an insulating film which is a titanium oxide (TiO ₂ ) film was used. 126 samples each having an insulating film thickness ratio of 0.9, 1.4, 1.9, and 2.3, which is a value obtained by dividing the thickness of the insulating film which is a titanium oxide film by the arithmetic mean roughness of the main surface of the glass epoxy substrate, were prepared, and a peeling test of the resin wall was performed on these samples. FIG. 11 is a diagram showing the results of the peeling test when a titanium oxide film is used as the insulating film. As shown in FIG. 11, when an insulating film which is a titanium oxide film is provided between the glass epoxy substrate and the resin wall, peeling of the resin wall occurred in all of the 126 samples in the range of the insulating film thickness ratio of 0.9 to 2.3. From this result, it was confirmed that when an insulating film containing Si is provided between the glass epoxy substrate and the resin wall, the adhesion between the glass epoxy substrate and the resin wall is improved and the peeling rate of the resin wall is reduced for the above-mentioned reason.

以上、本願発明の実施形態について詳述したが、本願発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 Although the embodiment of the present invention has been described in detail above, the present invention is not limited to such a specific embodiment, and various modifications and variations are possible within the scope of the gist of the present invention as described in the claims.

１０ガラスエポキシ基板
１１ａ、１１ｂ主面
１２貫通孔
２０コイル
２１ａ、２１ｂコイル導体
２２ａ、２２ｂ巻回部
２３ａ、２３ｂ引出部
２５シード層
２６レジスト膜
３５感光性樹脂膜
３０ａ、３０ｂ樹脂壁
３２樹脂膜
４０ａ、４０ｂ絶縁膜
５０磁性体膜
６０ａ、６０ｂ外部電極
７０回路基板
７１電極
７２半田
１００、２００コイル部品
３００電子機器
REFERENCE SIGNS LIST 10 glass epoxy substrate 11a, 11b principal surface 12 through hole 20 coil 21a, 21b coil conductor 22a, 22b winding portion 23a, 23b lead-out portion 25 seed layer 26 resist film 35 photosensitive resin film 30a, 30b resin wall 32 resin film 40a, 40b insulating film 50 magnetic film 60a, 60b external electrode 70 circuit board 71 electrode 72 solder 100, 200 coil component 300 electronic device

Claims

A glass epoxy substrate;
a coil conductor provided on one surface of the glass epoxy substrate, the coil conductor being made of a metal element or an alloy of the metal element, the coil conductor including a planar spiral winding portion whose winding axis is perpendicular to the one surface and wound in a spiral shape in a plan view ;
an insulating film containing silicon provided on the one surface of the glass epoxy substrate in contact with the glass epoxy substrate;
a planar spiral-shaped resin wall that is provided on the one surface of the glass epoxy substrate, the planar spiral-shaped resin wall having one surface perpendicular to the winding axis in contact with the insulating film containing silicon and that extends in a spiral shape along the winding portion between the winding portions in a plan view ;
the insulating film containing silicon is provided between the glass epoxy substrate and the winding portion and between the glass epoxy substrate and the resin wall,
a surface of the winding portion facing the glass epoxy substrate and the one surface of the resin wall are in contact with an upper surface of the insulating film containing silicon .

The coil component according to claim 1, wherein the value obtained by dividing the thickness of the insulating film containing silicon by the arithmetic mean roughness of the surface of the glass epoxy substrate on which the insulating film containing silicon is provided is 3 or less.

The coil component according to claim 1, wherein the value obtained by dividing the thickness of the insulating film containing silicon by the arithmetic mean roughness of the surface of the glass epoxy substrate on which the insulating film containing silicon is provided is 0.5 or more and 2.5 or less.

The coil component according to any one of claims 1 to 3, wherein the arithmetic mean roughness of the surface of the insulating film containing silicon on which the resin wall is provided is greater than the arithmetic mean roughness of the surface of the glass epoxy substrate on which the insulating film containing silicon is provided.

The coil component according to any one of claims 1 to 4, wherein the insulating film containing silicon is a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film.

The resin wall is formed of an epoxy resin,
The coil component according to claim 2 , wherein the insulating film containing silicon is a silicon oxide film.

The coil component according to any one of claims 1 to 6, wherein the width of the resin wall, which is the shortest distance between the winding parts located on either side of the resin wall where the resin wall is in contact with the insulating film, is less than 20 μm.

The coil component according to any one of claims 1 to 7, wherein the winding portion is not in contact with the glass epoxy substrate.

The coil component according to any one of claims 1 to 8 ,
and a circuit board on which the coil component is mounted.