JP7506328B2 - Light source and light emitting device including the light source - Google Patents
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- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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-
- H—ELECTRICITY
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Landscapes
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Description
本発明は、発光装置に関する。 The present invention relates to a light-emitting device.
近年、様々な電子部品が提案され、また実用化されており、これらに求められる性能も高くなっている。特に、電子部品には、厳しい使用環境下でも長時間性能を維持することが求められている。このような要求は、発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)をはじめとする半導体発光素子を利用した発光装置についても例外ではない。すなわち、一般照明分野や車載照明分野において、発光装置に要求される性能は日増しに高まっており、更なる高出力(高輝度)化や高信頼性が要求されている。さらに、これらの高い性能を維持しつつ、低価格で供給することも要求されている。
特に液晶テレビに使用されるバックライトや一般照明器具等では、デザイン製が重要視され、薄型化の要望が高い。
In recent years, various electronic components have been proposed and put into practical use, and the performance required for these components is also increasing. In particular, electronic components are required to maintain their performance for a long time even under harsh operating environments. Such requirements are no exception for light-emitting devices using semiconductor light-emitting elements such as light-emitting diodes (LEDs). That is, in the general lighting field and the in-vehicle lighting field, the performance required for light-emitting devices is increasing day by day, and even higher output (higher brightness) and higher reliability are required. Furthermore, there is a demand to supply them at low prices while maintaining these high performances.
In particular, in the case of backlights used in LCD TVs and general lighting fixtures, design is important and there is a strong demand for thinner products.
例えば特許文献1には、二次光学レンズをLEDと組み合わせることでバットウイング型の配光特性を実現し、短い照射距離で光を均一に拡散させることが出来、結果として器具の薄型化が可能となることが開示されている。
また特許文献2には、モールド形状を工夫してバットウイング配光を実現することが開示されている。
For example, Patent Document 1 discloses that by combining a secondary optical lens with an LED, a batwing-type light distribution characteristic can be achieved, and light can be diffused uniformly over a short irradiation distance, resulting in a thinner fixture.
Moreover, Patent Document 2 discloses that a batwing light distribution is realized by devising a mold shape.
しかしながら、特許文献1に記載される二次レンズと組み合わせる方法では、二次レンズへの入射時および二次レンズからの出射時に表面反射によるフレネルロスが発生し、光利用効率が低下する。また、レンズ費用と、レンズの実装費用が発生しコストが上昇する。
特許文献2に記載の方式では、蛍光体含有層の厚みが角度により異なり、配光色ムラが生じるため、色ムラの改善が望まれていた。
However, in the method of combining with a secondary lens described in Patent Document 1, Fresnel loss occurs due to surface reflection when light enters the secondary lens and when it exits from the secondary lens, reducing the light utilization efficiency. In addition, costs for the lens and lens mounting are incurred, increasing costs.
In the method described in Patent Document 2, the thickness of the phosphor-containing layer varies depending on the angle, causing unevenness in the light distribution color, and therefore there has been a demand for improving the color unevenness.
本発明に係る実施形態は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、二次レンズを使用することなく、配光色ムラの改善されたバットウイング配光を可能とする発光装置を提供する。 The embodiment of the present invention has been made in consideration of the above circumstances, and provides a light-emitting device that enables batwing light distribution with improved light distribution color unevenness without using a secondary lens.
本実施形態に係る発光装置は、導体配線を有する基体と、前記基体上に載置され、前記導体配線と電気的に接続された発光素子と、前記発光素子を被覆する透光性の封止部材と、を備え、前記封止部材は凸形状であり、その光軸方向の高さが、前記封止部材の底面の幅よりも長く、かつ、光拡散材を含有する。 The light-emitting device according to this embodiment includes a base having conductor wiring, a light-emitting element placed on the base and electrically connected to the conductor wiring, and a light-transmitting sealing member that covers the light-emitting element, the sealing member having a convex shape, a height in the optical axis direction that is greater than the width of the bottom surface of the sealing member, and containing a light diffusing material.
本発明に係る実施形態によれば、二次レンズを使用することなく、配光色ムラの改善されたバットウイング配光を可能とする発光装置を提供することができる。 According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a light emitting device that enables batwing light distribution with improved light distribution color uniformity without using a secondary lens.
以下、本発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、以下に説明する発光装置は、技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、一つの実施の形態、実施例において説明する内容は、他の実施の形態、実施例にも適用可能である。
さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略する。さらに、本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。
Hereinafter, the embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings as appropriate. However, the light emitting device described below is intended to embody the technical idea, and unless otherwise specified, the present invention is not limited to the following. Furthermore, the contents described in one embodiment or example can be applied to other embodiments or examples.
Furthermore, in the following description, the same names and symbols indicate the same or similar components, and detailed descriptions will be omitted as appropriate. Furthermore, each element constituting the present invention may be configured in such a manner that a single component serves multiple elements by configuring multiple elements with the same component, or conversely, the function of a single component may be shared by multiple components.
[第1実施形態]
図1(A)および図1(B)は、第1実施形態の発光装置の一例を示す概略構造図であり、図1(A)は上面図、図1(B)は図1(A)のI-I線における断面図である。
図1に示されるように、本実施形態における基体101は、基体の表面に設けられた一対の導体配線102に跨がるように、接続部材103を介してフリップチップ実装により発光素子105が実装されている。導体配線102の上面のうち、発光素子105との電気的に接続される領域は、絶縁部材104から露出されている。
[First embodiment]
1(A) and 1(B) are schematic structural diagrams showing an example of a light emitting device of the first embodiment, where FIG. 1(A) is a top view and FIG. 1(B) is a cross-sectional view taken along line II of FIG. 1(A).
1, in this embodiment, a
発光素子105の下部(すなわち発光素子105の下面と基体101の間)および発光素子105の側面には、アンダーフィル106が形成され、その上部に光拡散材を含有した封止部材108が形成されている。
An
封止部材108は、凸形状(例えば略半長球状、略円錐状、略円柱状、きのこ型等)であり、その光軸(L)方向の高さAが封止部材108の底面の幅Cよりも長くなるよう形成されている。なお、本明細書中の説明において、発光素子105の中心を通る法線を光軸Lという。このような構成とすることで、発光素子105から発した光が光拡散材で散乱され、発光装置100から発せられる光強度は、封止部材108の見かけ面積比に略比例する。結果として、図2に示すようなバットウイング型の配光特性を実現することができる。つまり、本実施形態の発光装置100は、発光素子105を点灯して光軸方向から観察したときに、中心部が外周部よりも暗くなるような配光特性を示す。
The sealing
封止部材108は、上面視においてその外形が円形もしくは楕円形となるように形成されており、楕円形の場合、底面の半径Bは長半径と短半径が存在するが、本明細書では短半径を半径Bと定義する。
The sealing
図2は、本実施形態に係る発光装置の配光特性を示した図である。図2に示すように、本実施形態の発光装置は、配光角が0°のときよりも50~60°付近の相対光度が強くなり、配光が広くなる、いわゆるバットウイング型の配光特性を持つ。
図2では、光軸方向の封止部材の高さAを、封止部材の底面の半径Bで割ったアスペクト比(A/B)を、2.8、3.2、3.5とする場合をそれぞれ示している。アスペクト比が大きいほど0°付近の相対光度が低下し、配光が広がっていることがわかる。光を均一に拡散させるために、アスペクト比は2.0以上であることが好ましい。
Fig. 2 is a diagram showing the light distribution characteristic of the light emitting device according to this embodiment. As shown in Fig. 2, the light emitting device according to this embodiment has a so-called batwing-type light distribution characteristic in which the relative luminous intensity is stronger at a light distribution angle of around 50 to 60 degrees than when the light distribution angle is 0 degrees, and the light distribution is wider.
2 shows the cases where the aspect ratio (A/B) obtained by dividing the height A of the sealing member in the optical axis direction by the radius B of the bottom surface of the sealing member is 2.8, 3.2, and 3.5. It can be seen that the larger the aspect ratio, the lower the relative luminous intensity near 0° and the wider the light distribution. In order to diffuse light uniformly, it is preferable that the aspect ratio is 2.0 or more.
発光素子105は、直接封止部材108で被覆されているため、二次レンズを使用する場合に比べて、フレネルロスを低減し、光取り出し効率を向上することができる。
また、発光素子105は、基体の上面から0.5mm以内の高さに配置されることが好ましい。
Since the
Moreover, the
また、本実施形態の発光装置100は、光拡散材の濃度を増やしていくと、発光素子105を点灯して光軸方向から観察したときに、中心部が外周部よりも暗い輝度分布を示す。
これは発光素子105から観て光軸方向の光路長が光軸の垂直方向の光路長より長いため発光素子105からの光が散乱し減衰していくからである。
よって光拡散材の濃度を調整する事で、アスペクト比をそれほど大きくしなくても光軸方向の光量を下げてバットウイング配光にすることが可能となり、樹脂量も少なく済み生産性が向上する。
Furthermore, when the concentration of the light diffusing material is increased, the
This is because the optical path length in the optical axis direction as viewed from the
Therefore, by adjusting the concentration of the light diffusing material, it is possible to reduce the amount of light in the optical axis direction and achieve batwing light distribution without significantly increasing the aspect ratio, and less resin is required, improving productivity.
以下、本実施の形態に係る発光装置100の好ましい形態について説明する。
(基体101)
基体101は、発光素子105を載置するための部材である。基体101はその表面に、発光素子105に電力を供給するための導体配線102を有している。
基体101の材料としては、例えば、セラミックス、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、BTレジン、ポリフタルアミド(PPA)、ポリエチレンテレフタレート(PET)等の樹脂が挙げられる。なかでも、低コストと、成型容易性の点から、樹脂を絶縁性材料に選択することが好ましい。あるいは、耐熱性及び耐光性に優れた発光装置とするためには、セラミックスを基体101の材料として選択することが好ましい。
A preferred embodiment of the
(Base 101)
The
Examples of materials for the
セラミックスとしては、例えば、アルミナ、ムライト、フォルステライト、ガラスセラミックス、窒化物系(例えば、AlN)、炭化物系(例えば、SiC)等が挙げられる。なかでも、アルミナからなる又はアルミナを主成分とするセラミックスが好ましい。
また、基体101を構成する材料に樹脂を用いる場合は、ガラス繊維や、SiO2、TiO2、Al2O3等の無機フィラーを樹脂に混合し、機械的強度の向上、熱膨張率の低減、光反射率の向上等を図ることもできる。また、基体101としては、一対の導体配線102を絶縁分離できるものであればよく、金属部材に絶縁層を形成している、いわゆる金属基板を用いてもよい。
Examples of ceramics include alumina, mullite, forsterite, glass ceramics, nitrides (e.g., AlN), carbides (e.g., SiC), etc. Among these, ceramics made of alumina or containing alumina as a main component are preferable.
Furthermore, when resin is used as the material constituting the
(導体配線102)
導体配線102は、発光素子105の電極と電気的に接続され、外部からの電流(電力)を供給するための部材である。すなわち、外部から通電させるための電極またはその一部としての役割を担うものである。通常、正と負の少なくとも2つに離間して形成される。
(Conductor wiring 102)
The
導体配線102は、発光素子105の載置面となる基体の、少なくとも上面に形成される。導体配線102の材料は、基体101として用いられる材料や製造方法等によって適宜選択することができる。例えば、基体101の材料としてセラミックを用いる場合は、導体配線102の材料は、セラミックスシートの焼成温度にも耐え得る高融点を有する材料が好ましく、例えば、タングステン、モリブデンのような高融点の金属を用いるのが好ましい。さらに、その上に鍍金やスパッタリング、蒸着などにより、ニッケル、金、銀など他の金属材料にて被覆してもよい。
The
また、基体101の材料としてガラスエポキシ樹脂を用いる場合は、導体配線102の材料は、加工し易い材料が好ましい。また、射出成型されたエポキシ樹脂を用いる場合には、導体配線102の材料は、打ち抜き加工、エッチング加工、屈曲加工などの加工がし易く、かつ、比較的大きい機械的強度を有する部材が好ましい。具体例としては、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属、または、鉄-ニッケル合金、りん青銅、鉄入り銅、モリブデン等の金属層やリードフレーム等が挙げられる。また、その表面を、さらに金属材料で被覆してもよい。この材料は特に限定されないが、例えば、銀のみ、あるいは、銀と、銅、金、アルミニウム、ロジウム等との合金、または、これら、銀や各合金を用いた多層膜とすることができる。また、金属材料の配置方法は、鍍金法の他にスパッタ法や蒸着法などを用いることができる。
When glass epoxy resin is used as the material of the
(接続部材103)
接続部材103は、発光素子105を基体101または導体配線102に固定するための部材である。絶縁性の樹脂や導電性の部材が挙げられ、図1Bに示すようなフリップチップ実装の場合は導電性の部材が用いられる。具体的にはAu含有合金、Ag含有合金、Pd含有合金、In含有合金、Pb-Pd含有合金、Au-Ga含有合金、Au-Sn含有合金、Sn含有合金、Sn-Cu含有合金、Sn-Cu-Ag含有合金、Au-Ge含有合金、Au-Si含有合金、Al含有合金、Cu-In含有合金、金属とフラックスの混合物等を挙げることができる。
(Connection member 103)
The connecting
接続部材103としては、液状、ペースト状、固体状(シート状、ブロック状、粉末状、ワイヤー状)のものを用いることができ、組成や基体の形状等に応じて、適宜選択することができる。また、これらの接続部材103は、単一部材で形成してもよく、あるいは、数種のものを組み合わせて用いてもよい。
The connecting
(絶縁部材104)
導体配線102は、発光素子105や他材料と電気的に接続する部分以外は絶縁部材104で被覆されている事が好ましい。すなわち、各図に示されるように、基体上には、導体配線102を絶縁被覆するためのレジストが配置されていても良く、絶縁部材104はレジストとして機能させることができる。
(Insulating member 104)
The
絶縁部材104を配置させる場合には、導体配線102の絶縁を行う目的だけでなく、以下に述べるアンダーフィル材料と同様な白色系のフィラーを含有させることにより、光の漏れや吸収を防いで、発光装置100の光取り出し効率を上げることもできる。
絶縁部材104の材料は、発光素子からの光の吸収が少ない材料であり、絶縁性であれば特に限定されない。例えば、エポキシ、シリコーン、変性シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネイト、ポリイミド等を用いることができる。
When the insulating
The material of the insulating
(発光素子105)
基体に搭載される発光素子105は、特に限定されず、公知のものを利用できるが、本形態においては、発光素子105として発光ダイオードを用いるのが好ましい。
発光素子105は、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色、緑色の
発光素子としては、ZnSeや窒化物系半導体(InxAlyGa1-x-yN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)、GaPを用いたものを用いることができる。また、赤色の発光素子としては、GaAlAs、AlInGaPなどを用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。
(Light-emitting element 105)
The
The
半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。同一面側に正負の電極を有するものであってもよいし、異なる面に正負の電極を有するものであってもよい。 Various emission wavelengths can be selected depending on the material of the semiconductor layer and its degree of crystal mixing. The positive and negative electrodes may be on the same side, or on different sides.
本実施形態の発光素子105は、透光性の基板と、その基板の上に積層された半導体層を有する。この半導体層には、順にn型半導体層、活性層、p型半導体層が形成されており、n型半導体層にn型電極が形成されており、p型半導体層にp型電極が形成されている。
The light-emitting
発光素子105の電極は、図1に示すように、接続部材103を介して基体101の表面の導体配線102にフリップチップ実装されており、電極の形成された面と対向する面、すなわち透光性基板の主面を光取り出し面としている。発光素子105は、正と負に絶縁分離された2つの導体配線102に跨るように配置されており、導電性の接続部材103によって電気的に接続され、機械的に固定されている。この発光素子105の実装方法は、半田ペーストを用いた実装方法の他、例えばバンプを用いた実装方法とすることができる。また、発光素子105としては発光素子が樹脂等で封止された小型のパッケージ品を用いることも可能であり、特に形状や構造を限定する物では無い。
As shown in FIG. 1, the electrodes of the light-emitting
なお、後述するように、波長変換部材を備えた発光装置とする場合には、その波長変換部材109を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体(InxAlyGa1-x-yN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が好適に挙げられる。
As described later, in the case of a light emitting device including a wavelength conversion member, a nitride semiconductor (In x Al y Ga 1-x-y N, 0≦X, 0≦Y, X+Y≦1) capable of emitting short wavelength light capable of efficiently exciting the
(アンダーフィル106)
発光素子105をフリップチップ実装する場合には、発光素子105と基体101の間にアンダーフィル106が形成されていることが好ましい。アンダーフィル106は、発光素子105からの光を効率よく反射できるようにすることと、熱膨張率を発光素子105に近づけることを目的として、フィラーを含有している。
アンダーフィル106の材料は、発光素子からの光の吸収が少ない材料であれば、特に限定されない。例えば、エポキシ、シリコーン、変性シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネイト、ポリイミド等を用いることができる。
(Underfill 106)
When the
The material of the
アンダーフィル106に含有するフィラーとしては、白色系のフィラーであれば、光がより反射され易くなり、光の取り出し効率の向上を図ることができる。また、フィラーとしては、無機化合物を用いるのが好ましい。ここでの白色とは、フィラー自体が透明であった場合でもフィラーの周りの材料と屈折率差がある場合に散乱で白色に見えるものも含む。
If the filler contained in the
ここで、フィラーの反射率は、発光波長の光に対して50%以上であることが好ましく、70%以上であることがより好ましい。このようにすれば、発光装置100の光の取り出し効率を向上させることができる。また、フィラーの粒径は、1nm以上10μm以下が好ましい。フィラーの粒径をこの範囲とすることで、アンダーフィルとしての樹脂流動性が良くなり、狭い隙間でも問題なく被覆することができる。なお、フィラーの粒径は、好ましくは、100nm以上5μm以下、さらに好ましくは200nm以上2μm以下である。また、フィラーの形状は、球形でも鱗片形状でもよい。
Here, the reflectance of the filler is preferably 50% or more for light of the emission wavelength, and more preferably 70% or more. In this way, the light extraction efficiency of the
なお、フィラーの粒径やアンダーフィルの材料を適宜選択および調整することにより、発光素子の側面が、アンダーフィルによって被覆されないようにすることが好ましい。発光素子の側面を光取り出し面として確保するためである。 It is preferable to appropriately select and adjust the particle size of the filler and the material of the underfill so that the side surface of the light-emitting element is not covered by the underfill. This is to ensure that the side surface of the light-emitting element can be used as a light extraction surface.
(封止部材108)
封止部材108は、発光素子105を外部環境から保護するとともに、発光素子から出力される光を光学的に制御するため、発光素子105を被覆するように基体上に配置させる部材である。本実施形態においては、発光素子105は封止部材108で直接被覆されている。
(Sealing member 108)
The sealing
封止部材108の材料としては、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂あるいはそれらを混合させた樹脂や、ガラスなどの透光性材料を用いることができる。これらのうち、耐光性および成形のしやすさを考慮して、シリコーン樹脂を選択することが好ましい。
The material for the sealing
封止部材108は、発光素子105からの光を拡散させるための光拡散材を含有する。光拡散材を有することで、発光素子105から光軸L方向に出射された光が光拡散材によって全包囲に拡散される。
The sealing
なお封止部材108には、光拡散材に加え、発光素子105からの光を吸収して発光素子からの出力光とは異なる波長の光を発する蛍光体等の波長変換部材や、発光素子の発光色に対応させて、着色剤を含有させることもできる。
In addition to the light diffusing material, the sealing
封止部材108は、発光素子105を被覆するように圧縮成型や射出成型によって形成することができる。その他、封止部材108の材料の粘度を最適化して、発光素子105の上に滴下もしくは描画して、材料自体の表面張力によって、各図に示されるような形状を形成することができる。
The sealing
後者の形成方法による場合には、金型を必要とすることなく、より簡便な方法で封止部材を形成することができる。また、このような形成方法による封止部材の材料の粘度を調整する手段として、その材料本来の粘度の他、上述したような光拡散材、波長変換部材、着色剤を利用して所望の粘度に調整することもできる。 In the case of the latter forming method, a sealing member can be formed in a simpler manner without the need for a mold. In addition, as a means for adjusting the viscosity of the material of the sealing member formed by this forming method, in addition to the inherent viscosity of the material, the viscosity can also be adjusted to the desired level by using the light diffusing material, wavelength conversion material, and coloring agent as described above.
(光拡散材)
光拡散材としては、具体的には、SiO2、Al2O3、Al(OH)3、MgCO3、TiO2、ZrO2、ZnO、Nb2O5、MgO、Mg(OH)2、SrO、In2O3、TaO2、HfO、SeO、Y2O3、CaO、Na2O、B2O3などの酸化物、SiN、AlN、AlONなどの窒化物、MgF2のようなフッ化物などが挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、混合して用いてもよい。あるいは、複数の層に分けてこれらを積層させるようにしてもよい。
(Light Diffusion Material)
Specific examples of the light diffusing material include oxides such as SiO2 , Al2O3 , Al (OH) 3 , MgCO3, TiO2 , ZrO2 , ZnO, Nb2O5 , MgO, Mg (OH) 2 , SrO , In2O3 , TaO2 , HfO, SeO, Y2O3 , CaO , Na2O , and B2O3 , nitrides such as SiN, AlN, and AlON, and fluorides such as MgF2 . These may be used alone or in combination. Alternatively, they may be divided into a plurality of layers and laminated.
また、光拡散材として有機フィラーを用いてもよい。例えば各種樹脂を粒子状としたものが挙げられる。この場合、各種樹脂としては例えば、シリコーン樹脂、ポリカーボネイト樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、エポキシ樹脂、シアナート樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリメタクリル酸メチル樹脂、ウレタン樹脂及びポリエステル樹脂などが挙げられる。 Organic fillers may also be used as light diffusing materials. For example, various resins in particulate form may be used. In this case, examples of various resins include silicone resin, polycarbonate resin, polyethersulfone resin, polyarylate resin, polytetrafluoroethylene resin, epoxy resin, cyanate resin, phenol resin, acrylic resin, polyimide resin, polystyrene resin, polypropylene resin, polyvinyl acetal resin, polymethyl methacrylate resin, urethane resin, and polyester resin.
光拡散材は、実質的に発光素子からの光を波長変換しない材料であることが好ましい。これにより、波長変換部材含有層の厚みが角度により異なることによる、配光色ムラを抑制することができる。 It is preferable that the light diffusing material is a material that does not substantially convert the wavelength of the light from the light emitting element. This makes it possible to suppress unevenness in the light distribution color caused by the thickness of the wavelength conversion material-containing layer varying with the angle.
光拡散材の含有量は、光が拡散される程度であればよく、例えば0.01~30wt%程度、好ましくは2~20wt%程度である。また、光拡散材のサイズも同様に光が拡散される程度であればよく、例えば0.01~30μm程度、好ましくは0.5~10μm程度である。形状は、球形でも鱗片形状でもよいが、均一に拡散させるために球状であることが好ましい。ただし光拡散材濃度は封止材との屈折率差や厚みにより相対的に変化する物であり、上述の数字はあくまでも目安である。
例えば、発光素子自体は、通常、光軸方向への光強度が最も強くなる。そのため拡散材の濃度が低すぎると、発光素子を点灯して光軸方向から観察したときに、中心部が外周部よりも暗い輝度分布にならない場合がある。よって、中心部が外周部よりも暗い輝度分布になるように、拡散材の濃度を調整することが好ましい。
The content of the light diffusing material may be sufficient to diffuse light, for example, about 0.01 to 30 wt%, preferably about 2 to 20 wt%. Similarly, the size of the light diffusing material may be sufficient to diffuse light, for example, about 0.01 to 30 μm, preferably about 0.5 to 10 μm. The shape may be spherical or scaly, but spherical is preferable to diffuse light uniformly. However, the concentration of the light diffusing material changes relatively depending on the refractive index difference with the sealing material and the thickness, and the above figures are merely a guide.
For example, the light emitting element itself usually has the strongest light intensity in the direction of the optical axis. Therefore, if the concentration of the diffusing material is too low, when the light emitting element is turned on and observed along the optical axis, the central part may not have a darker luminance distribution than the peripheral part. Therefore, it is preferable to adjust the concentration of the diffusing material so that the central part has a darker luminance distribution than the peripheral part.
また、封止部材108中の光拡散材の濃度を制御することで、発光装置100を光軸上から観測して、中心部を暗くして外周を明るくすることが出来る。この様な構成とすることで、より光軸方向の光量を抑制しバットウイング型の配光特性を得ることができる。
In addition, by controlling the concentration of the light diffusing material in the sealing
本実施形態の発光装置では、二次レンズを用いることなく広配光を実現することができるため、発光素子105が基体101上に複数載置されている場合に、隣接する発光素子の間隔が20mm以上であっても、短い照射距離で光を均一に拡散させることができる。これにより、複数の発光素子を用いて輝度ムラの抑制された面光源を実現することができる。ここで隣接する発光素子の間隔とは、図6の距離Fで示すように、隣接する2つの発光素子105の最短距離のことをいうものとする。
The light emitting device of this embodiment can achieve a wide light distribution without using a secondary lens, so when multiple
[第2実施形態]
図3は、第2実施形態の発光装置の一例を示す断面図である。
本実施形態では、発光素子105に接して波長変換部材109が配置されており、波長変換部材109を被覆するように光拡散材の含有された封止部材108が形成されている。
[Second embodiment]
FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of a light emitting device according to the second embodiment.
In this embodiment, the
上述したように、封止部材108の全部に波長変換部材を含有する場合には、波長変換部材含有層の厚みが角度により異なり、配光色ムラが生じる。そのため、本実施形態では、波長変換部材109を発光素子105の周囲に形成し、その上から光学性能を持たせた封止部材108を形成する。これにより、波長変換が行われる領域(波長変換部材109)と、光学性能が付与される領域(封止部材108)を分けて形成することができるため、所望の配光特性を実現させつつ、配光色ムラが抑制される。
As described above, if the
(波長変換部材109)
波長変換部材としては、例えば、窒化物系半導体を発光層とする発光素子からの光を吸収し、異なる波長の光に波長変換するものであればよい。蛍光物質は、例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される、窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体を用いることができる。より具体的には、大別して下記(D1)~(D3)にそれぞれ記載された中から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。
(D1)Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に賦活される、アルカリ土類ハロゲンアパタイト、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン、アルカリ土類金属アルミン酸塩、アルカリ土類金属硫化物、アルカリ土類金属チオガレート、アルカリ土類金属窒化ケイ素、ゲルマン酸塩等の蛍光体
(D2)Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される、希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩、アルカリ土類金属希土類ケイ酸塩等の蛍光体
(D3)Eu等のランタノイド系元素で主に賦活される、有機または有機錯体等の蛍光体
(Wavelength conversion member 109)
The wavelength conversion member may be, for example, a member that absorbs light from a light-emitting element having a nitride-based semiconductor as a light-emitting layer and converts the wavelength into light of a different wavelength. The fluorescent material may be, for example, a nitride-based fluorescent material or an oxynitride-based fluorescent material that is mainly activated with a lanthanoid element such as Eu or Ce. More specifically, it is preferable that the fluorescent material is at least one of the fluorescent materials selected from those broadly classified as (D1) to (D3) below.
(D1) Phosphors such as alkaline earth halo apatite, alkaline earth metal borate halogen, alkaline earth metal aluminate, alkaline earth metal sulfide, alkaline earth metal thiogallate, alkaline earth metal silicon nitride, germanate, etc., which are mainly activated by a lanthanoid element such as Eu or a transition metal element such as Mn. (D2) Phosphors such as rare earth aluminate, rare earth silicate, alkaline earth metal rare earth silicate, etc., which are mainly activated by a lanthanoid element such as Ce. (D3) Phosphors such as organic or organic complexes, which are mainly activated by a lanthanoid element such as Eu.
中でも、前記(D2)のCe等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体であるYAG(Yttrium Aluminum Garnet)系蛍光体が好ましい。YAG系蛍光体は、次の(D21)~(D24)などの組成式で表される。
(D21)Y3Al5O12:Ce
(D22)(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce
(D23)Y3(Al0.8Ga0.2)5O12:Ce
(D24)(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce
Among them, the YAG (Yttrium Aluminum Garnet) phosphor, which is a rare earth aluminate phosphor mainly activated with a lanthanoid element such as Ce, is preferable. The YAG phosphor is represented by the following composition formulas (D21) to (D24), etc.
( D21) Y3Al5O12 : Ce
( D22 ) ( Y0.8Gd0.2 ) 3Al5O12 : Ce
( D23 ) Y3 ( Al0.8Ga0.2 ) 5O12 :Ce
(D24) (Y,Gd) 3 (Al,Ga) 5O12 : Ce
また、例えば、Yの一部または全部をTb、Lu等で置換してもよい。具体的には、Tb3Al5O12:Ce、Lu3Al5O12:Ce等でもよい。さらに、前記した蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、作用、効果を有する蛍光体も使用することができる。 Also, for example, a part or all of Y may be replaced with Tb, Lu , etc. Specifically, Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12 : Ce , etc. may be used. Furthermore, phosphors other than the above-mentioned phosphors that have similar performance, action, and effect may also be used.
このような蛍光体の粒径としては、例えば2.5~30μm程度とすることが好ましい。
なお、本明細書で「粒径」とする場合は、平均粒径のことを指すものとし、その値は、空気透過法又はF.S.S.S.No(Fisher-SubSieve-Sizers-No.)によるものとする(いわゆるDバー(Dの上にバー)で表される値)。
The particle size of such a phosphor is preferably about 2.5 to 30 μm, for example.
In this specification, the term "particle size" refers to an average particle size, and the value is determined by an air permeability method or F.S.S.S. No. (Fisher-SubSieve-Sizer-No.) (a value represented by a so-called D bar (a bar above D)).
波長変換部材は、例えば、いわゆるナノクリスタル、量子ドットと称される発光物質でもよい。このような材料としては、半導体材料、例えば、II-VI族、III-V族、IV-VI族、I-III-VI族の半導体、具体的には、CdSe、コアシェル型のCdSXSe1-X/ZnS、GaP、InAs、InP、GaN、PbS、PbSe、Cu(In,Ga)S2、Ag(In,Ga)S2等のナノサイズの高分散粒子を挙げることができる。このような量子ドットは、例えば、粒径1~100nm、好ましくは1~20nm程度(原子が10~50個程度)とすることができる。このような粒径の量子ドットを用いることにより、内部散乱を抑制することができ、波長変換領域での光の散乱を抑制することができる。 The wavelength conversion member may be, for example, a light-emitting material called a nanocrystal or quantum dot. Such materials include semiconductor materials, for example, semiconductors of the II-VI, III-V, IV-VI, and I-III-VI groups, specifically, nano-sized highly dispersed particles such as CdSe, core-shell type CdS x Se 1-x /ZnS, GaP, InAs, InP, GaN, PbS, PbSe, Cu(In,Ga)S 2 , and Ag(In,Ga)S 2 . Such quantum dots can have a particle size of, for example, 1 to 100 nm, preferably about 1 to 20 nm (about 10 to 50 atoms). By using quantum dots with such a particle size, internal scattering can be suppressed, and scattering of light in the wavelength conversion region can be suppressed.
図3に示す発光装置200は、発光素子105の周囲に波長変換部材109を有している以外は第1実施形態の発光装置100と同様の構成を有してよい。
本実施形態では、波長変換部材109は、封止部材108と同様に、光軸L方向に凸形状とされている。発光素子から封止部材108へ至るまでの間に波長変換が行われるように発光素子105の表面が露出されている部分に波長変換部材109が接するように配置されている。図3に示す例では、波長変換部材109は発光素子105を被覆する略半球状に形成されている。
The
In this embodiment, the
波長変換部材109は、上面視においてその外形が円形もしくは楕円形となるよう形成されていることが好ましい。
It is preferable that the
波長変換部材109の光軸(L)方向の高さ(D)は、封止部材108の光軸(L)方向の高さ(A)の1/2以下であることが好ましい。これにより封止部材108の厚みが確保でき色ムラの軽減が可能となる。
It is preferable that the height (D) of the
また、波長変換部材109の幅(E)は、封止部材108の幅(C)の4/5以下であることが好ましい。これにより封止部材108の厚みが確保でき色ムラの軽減が可能となる。
Furthermore, it is preferable that the width (E) of the
なお、第2実施形態の発光装置の封止部材108に、さらに蛍光体等の波長変換部材を含有させてもよい。この場合、波長変換部材109の発光波長は、封止部材108に含有される蛍光体等の波長変換部材の発光波長よりも長波であることが好ましい。これにより波長変換部材109で波長変換された光が、封止部材に含有された波長変換部材に再度波長変換されることを抑制することができる。
The sealing
[第2実施形態の変形例]
図4は、第2実施形態の発光装置200の変形例を示す断面図である。本変形例の発光装置300は、発光素子105として、発光素子に波長変換部材と反射部材203を備えた小型のLEDパッケージ品を用いたものである。具体的には、発光素子105の側面及び下面を反射部材203で被覆し、発光素子105の上面に波長変換部材109を備えたLEDパッケージ201を、基体101に載置している。LEDパッケージ201の端子204と、導体配線102が、接続部材103により電気的に接続されている。
[Modification of the second embodiment]
4 is a cross-sectional view showing a modified example of the
この変形例によっても、第2実施形態と同様に、波長変換が行われる領域と、光学性能が付与される領域を分けて形成することができるため、配光色ムラが抑制される。この様な構成とすることで予め色度を選別した光源を使用することができるため、製品の色度歩留まりを向上することが可能である。 As with the second embodiment, this modified example also allows the area where wavelength conversion is performed and the area where optical performance is imparted to be formed separately, thereby suppressing unevenness in the light distribution color. This configuration allows the use of light sources whose chromaticity has been selected in advance, thereby improving the chromaticity yield of the product.
[第3実施形態]
図5は、第3実施形態の発光装置400の一例を示す断面図である。
本実施形態では、封止部材108と基体101とが接する領域(封止部材108の底面)の半径が、封止部材108の幅方向の最大半径よりも小さくなるよう形成されている。このように、封止部材108が基体101近傍において逆テーパー部205を有することにより、発光素子から光軸(L)に対して真横方向に出た光が、屈折により基体上面方向に向きが変わることで、基体に当たる事無く全面を照らす光量を増やすことができる。封止部材108が、基体101近傍において逆テーパー状となる以外は、第1実施形態の発光装置100または第2実施形態の発光装置200と同様の構成を有してよい。
[Third embodiment]
FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a
In this embodiment, the radius of the region (bottom surface of the sealing member 108) where the sealing
以下、実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
[実施例1]
本実施例は、図1Aおよび図1Bに示すように、基体101としてガラスエポキシ基材を用い、導体配線として35μmのCu材を用いる。
発光素子は、平面視が1辺600μmの正方形で、厚みが150μmの窒化物系青色LEDを用い、絶縁部材104にはエポキシ系の白色ソルダーレジストを用いる。アンダーフィル106として、酸化チタンをフィラーとして30wt%含有したシリコーン樹脂を用い、発光素子105の下面及び側面をアンダーフィル106で被覆している。封止部材108は、光拡散材としてSiO2フィラーを30wt%含有したシリコーン樹脂を用い、図1Aおよび図1Bに示すように、上面視の外形が円形である、略半長球状である。光軸方向の高さAが5.5mm、封止部材108の底面の半径Bは1.7mmとし、アスペクト比(A/B)が3.2である。
The present invention will be explained in more detail below with reference to examples, but it should be understood that the present invention is not limited to these examples.
[Example 1]
In this embodiment, as shown in FIGS. 1A and 1B, a glass epoxy base material is used as the
The light emitting element is a nitride-based blue LED having a square shape with sides of 600 μm in plan view and a thickness of 150 μm, and an epoxy-based white solder resist is used for the insulating
この様な構成とすることで、発光素子105から発した光が光拡散材であるSiO2フィラーで散乱することにより、発光装置100から発せられる光強度は封止部材108の見かけ面積比に略比例する。結果として図2にアスペクト比3.2として示すような配光特性を実現することができる。この配光は、0°付近の相対光度よりも、50°~60°付近の相対光度が高くなっており、バットウイング配光として制御することが可能となる。
With this configuration, the light emitted from the
[実施例2]
本実施例は、図3に示すように、波長変換部材109を含有する封止部材108が発光素子105の周囲に形成されている以外は実施例1と同様である。
本実施例の波長変換部材109はYAG系蛍光体を含有するシリコーン樹脂を使用し、封止部材108は光拡散材としてSiO2フィラーを含有するシリコーン樹脂を使用している。
この様な構成とすることで、発光素子105の青色光と波長変換部材109で波長変換された黄色光とで白色光が合成され、封止部材108内で更に拡散されることにより全方向に色ムラの少ないバットウイング配光が得られる。
[Example 2]
As shown in FIG. 3, this embodiment is similar to the first embodiment, except that a sealing
In this embodiment, the
With this configuration, the blue light from the light-emitting
実施例3~5として、封止部材108の形状を変化させ、配光特性と輝度分布を確認した。実施例3の発光装置を図7(A)に、実施例4の発光装置を図7(B)に、実施例5の発光装置を図7(C)に示す。
In Examples 3 to 5, the shape of the sealing
実施例3~5の発光装置は、封止部材108が凸形状であり、その光軸方向の高さが、封止部材108の底面の幅よりも長く、かつ、光拡散材を含有している点、および封止部材108の上表面が曲率を有している点について共通している。
また、基体としてガラスエポキシ基材を用い、導体配線として35μmのCu材を用いる。発光素子は、平面視が1辺600μmの正方形で、厚みが150μmの窒化物系青色LEDを用い、絶縁部材にはエポキシ系の白色ソルダーレジストを用いる点が共通している。
The light emitting devices of Examples 3 to 5 have in common that the sealing
The substrate is a glass epoxy base material, the conductor wiring is a 35 μm Cu material, the light emitting element is a 150 μm thick nitride blue LED with a square shape of 600 μm on a plan view, and the insulating material is an epoxy white solder resist.
[実施例3]
実施例3の封止部材108は、図7(A)に示すように、光軸近傍の曲率が、その他の部分の曲率よりも大きく、円錐型に近い形状とされている。封止部材の側面も曲率を有している。実施例3では、図3で示したように、発光素子上に蛍光体を塗布する方式で蛍光体層を形成している。蛍光体はYAG系の蛍光体を用い、白色発光装置とされている。
[Example 3]
As shown in Fig. 7A, the sealing
[実施例4]
実施例4の封止部材108は、図7(B)に示すように、光軸近傍の曲率が、その他の部分の曲率よりも小さく、光軸近傍の表面が平坦に近い形状とされている。また、封止部材の側面に、基体の上面(発光素子の上面)に対して略垂直となる面を有しており、円柱状に近い形状とされている。
[Example 4]
7B, the curvature of the sealing
このような形状は次のようにして形成することができる。
まず、ナノフィラーを添加して高チキソ化した樹脂に拡散材を分散させて調合した樹脂を用い、ディスペンサの上下方向(z方向)を制御して引き上げながら樹脂を塗布し、必要な高さまで引き上げたら引き上げを止めて、垂直断面が長方形に近い形になるまで樹脂を供給する。所望の形状になったら樹脂の供給を終了し、上面を擦りきるようにして樹脂の糸切りを行う。なお、ここでは、封止部材の上面が曲率を持った例を示したが、上面が平坦とされていてもよい。
実施例4では、実施例3と同様に発光素子上に蛍光体を塗布する方式で蛍光体層が形成されており、白色発光装置とされている。
Such a shape can be formed as follows.
First, a resin is prepared by dispersing a diffusion material in a resin that has been made highly thixotropic by adding a nanofiller, and the resin is applied while being pulled up by controlling the vertical direction (z direction) of the dispenser. When the resin is pulled up to the required height, the pulling is stopped and the resin is supplied until the vertical cross section is close to a rectangle. When the desired shape is obtained, the supply of the resin is stopped and the resin is cut by scraping the upper surface. Note that, although an example in which the upper surface of the sealing member has a curvature is shown here, the upper surface may be flat.
In the fourth embodiment, a phosphor layer is formed by coating a phosphor on a light emitting element in the same manner as in the third embodiment, and a white light emitting device is obtained.
[実施例5]
実施例5の封止部材108は、図7(C)に示すように、上部10と下部20とを有しており、上部10は、下部20の径Hよりも大きい径Gを有するきのこ型とされている。また、上部10において、実施例4と同様に光軸近傍の曲率がその他の部分の曲率よりも小さく、光軸近傍の表面が平坦に近い形状とされている。下部20の側面は、基体の上面(発光素子の上面)に対して略垂直となる面を有して略円柱状に形成されており、上部10は、略球状に形成されている。
また、封止部材の側面は、下方から上方にいくに従ってその径が大きくなり、径Gの点で最大となった後、さらに上方にいくに従って徐々に小さくなる。このように、発光装置を上面視したときに、上部10が下部20を包含するように重なることで、輝度が高くなる封止部材の底部の周囲が上面視した際に直接見えなくなるため、後述するように、均一性を向上させることができる。
実施例5では、図4で示したようなLEDパッケージ201を用いて蛍光体層を形成することで白色発光装置とされている。
[Example 5]
7C, the sealing
Moreover, the diameter of the side surface of the sealing member increases from bottom to top, and after reaching a maximum at the point of diameter G, gradually decreases further upward. In this manner, when the light emitting device is viewed from above, the upper portion 10 overlaps the lower portion 20 so as to encompass it, so that the periphery of the bottom of the sealing member, where the luminance is high, cannot be seen directly when viewed from above, and therefore, as described later, uniformity can be improved.
In the fifth embodiment, a white light emitting device is formed by forming a phosphor layer using an
(配向特性及び輝度分布)
図8に示すように、各発光装置の配光特性は、全てバットウイング配光となる。実施例5の発光装置は、実施例3及び実施例4の発光装置に比べて光軸近傍の明るさが平坦になっている以外は、略同じような配光特性を示す。
一方、図9は実施例3~5の発光装置の封止部材108とその周囲の上面視の輝度分布を示すグラフであり、図10は上面視での面内輝度分布である。図10(A)は実施例3、図10(B)は実施例4、図10(C)は実施例5の輝度分布を示している。
図9及び図10の輝度分布をみると、実施例5の発光装置が最も均一性が良い結果となる。ここで、均一性とは、光軸近傍の最も暗い部分(暗部)の輝度と最も明るい部分(明部)の輝度の明暗比(暗部/明部)のことをいう。この値が大きいほど、明部と暗部の差が小さいということであり、均一性がよいものとする。なお、実施例3の明暗比は0.157、実施例4の明暗比は0.557、実施例5の明暗比は0.717である。
照射面である光拡散板等が発光装置に対して非常に近い場合、図8に示す配光特性には現れない発光装置自体の輝度分布の影響が現れるため、実施例3の発光装置では照射面に光軸上が暗く、その周囲が明るいドーナツ状の明暗形状が現れる。これに対し、実施例4および5では発光装置の輝度均一性が良いため、照射面光軸近傍の明暗形状の発生を抑制することが可能となるためである。
(Orientation characteristics and brightness distribution)
As shown in Fig. 8, the light distribution characteristics of all the light emitting devices are batwing light distributions. The light emitting device of Example 5 shows substantially the same light distribution characteristics as the light emitting devices of Examples 3 and 4, except that the brightness near the optical axis is flatter.
On the other hand, Fig. 9 is a graph showing the luminance distribution of the sealing
Looking at the luminance distributions in Figures 9 and 10, the light emitting device of Example 5 has the best uniformity. Here, uniformity refers to the brightness ratio (dark area/bright area) between the brightness of the darkest area (dark area) near the optical axis and the brightness of the brightest area (bright area). The larger this value is, the smaller the difference between the bright area and the dark area is, and the better the uniformity is. The brightness ratio of Example 3 is 0.157, the brightness ratio of Example 4 is 0.557, and the brightness ratio of Example 5 is 0.717.
When the light diffusing plate or the like, which is the irradiated surface, is very close to the light emitting device, the influence of the luminance distribution of the light emitting device itself, which is not shown in the light distribution characteristic shown in Fig. 8, appears, and therefore, in the light emitting device of Example 3, a donut-shaped light and dark shape appears on the irradiated surface, with the optical axis being dark and the periphery being bright. In contrast, in Examples 4 and 5, the light emitting devices have good luminance uniformity, and therefore it is possible to suppress the occurrence of a light and dark shape near the optical axis of the irradiated surface.
実施例3及び4の結果から、封止部材108の光軸近傍の曲率がその他の部分の曲率よりも小さい場合には、光軸上とその周囲における封止部材内での光路長の差が小さくなるため光軸方向へ抜ける光量差が小さくなり、均一性が向上する。
また、実施例5の発光装置で均一性が最も良い理由は、実施例4において最も輝度の高い、封止部材底部周囲の白色ソルダーレジストからの反射光を、封止部材自体によって遮蔽、散乱させるためだと考えられる。
この時の上部10と下部20の直径の差は、例えば下部20の直径に対して上部10の直径が1.1~2.0倍程度、好ましくは1.2~1.5倍程度である。なお、この直径比は封止部材のアスペクト比や配光特性によって変化するため、前述の範囲に限定されるものではない。
From the results of Examples 3 and 4, when the curvature of the sealing
In addition, the reason why the light emitting device of Example 5 has the best uniformity is believed to be that the reflected light from the white solder resist around the bottom of the sealing member, which was the brightest in Example 4, is blocked and scattered by the sealing member itself.
In this case, the difference in diameter between the upper portion 10 and the lower portion 20 is, for example, about 1.1 to 2.0 times, and preferably about 1.2 to 1.5 times, the diameter of the upper portion 10 relative to the diameter of the lower portion 20. Note that this diameter ratio varies depending on the aspect ratio and light distribution characteristics of the sealing member, and is therefore not limited to the above-mentioned range.
本発明の発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具などに利用することができる。 The light-emitting device of the present invention can be used as a backlight source for liquid crystal displays, various lighting fixtures, etc.
100、200、300、400 発光装置
101 基体
102 導体配線
103 接続部材
104 絶縁部材
105 発光素子
106 アンダーフィル
108 封止部材
109 波長変換部材
L 光軸
201 LEDパッケージ
203 反射部材
204 端子
205 逆テーパー部
REFERENCE SIGNS
Claims (12)
前記発光素子を被覆する封止部材と、を有する光源であって、
前記封止部材は、含有量が0.01~30wt%である光拡散材を含有し、
前記封止部材の形状は、底面を有し、前記発光素子の中心を通る法線を光軸(L)としたときの前記光軸(L)方向の高さが、前記光軸(L)方向から見たときの前記底面の最大幅となる位置の幅よりも長く、
前記発光素子の周囲に波長変換部材を有し、
前記波長変換部材は、前記発光素子から発した光が前記封止部材へ至るまでの間に波長変換が行われるように前記発光素子の表面が露出されている部分に接するように配置され、
バットウィング型の配光特性を有する、ことを特徴とする光源。 A light-emitting element;
A light source having a sealing member that covers the light emitting element,
The sealing member contains a light diffusing material having a content of 0.01 to 30 wt %,
The shape of the sealing member has a bottom surface, and when a normal line passing through the center of the light emitting element is defined as an optical axis (L) , the height of the sealing member in the optical axis (L) direction is longer than the width of the bottom surface at a maximum width position when viewed from the optical axis (L) direction ,
A wavelength conversion member is provided around the light emitting element,
the wavelength conversion member is disposed in contact with an exposed surface of the light emitting element so that wavelength conversion is performed on the light emitted from the light emitting element before the light reaches the sealing member;
A light source having a batwing-type light distribution characteristic.
前記基体上に、前記請求項1に記載の光源を複数有する発光装置。 A substrate is provided.
A light emitting device comprising a plurality of light sources according to claim 1 on the base.
前記基体上に、前記請求項2に記載の光源を複数備える発光装置。 A substrate is provided.
A light emitting device comprising a plurality of light sources according to claim 2 on the base.
前記基体上に、前記請求項3に記載の光源を複数備える発光装置。 A substrate is provided.
A light emitting device comprising a plurality of light sources according to claim 3 on the base.
前記基体上に、前記請求項4に記載の光源を複数備える発光装置。 A substrate is provided.
A light emitting device comprising a plurality of light sources according to claim 4 on the base.
Applications Claiming Priority (5)
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