JP7502659B2 - 発光装置および基板 - Google Patents

Description

本開示は、発光素子を含む発光装置に関する。本開示は、発光素子を支持する基板にも関する。

液晶表示装置用バックライトの光源として、ＬＥＤをその一部に含む発光装置が広く用いられている。例えば下記の特許文献１は、側面発光型のＬＥＤパッケージを開示している。下記の特許文献２は、下部発光ダイオードと上部発光ダイオードとを積層し、ｐ側電極および２つのｎ側電極の合計３つの電極を光取出し面とは反対側に配置した発光素子を開示している。

特開２０１９－０３６７１３号公報 特表２００９－５１０７６２号公報

配線を有する基板上に発光素子を実装した発光装置（例えば、いわゆるサイドビュー型発光装置）において、発光素子を基板の配線上に精度よく配置できると有益である。

本開示のある実施形態による発光装置は、第１方向に延びる長辺および前記第１方向に直交する第２方向に延びる短辺によって規定される長方形状の上面を有する基材、ならびに、前記基材の前記上面上に前記第１方向に沿って配置された第１配線、第２配線および第３配線を含む基板であって、前記第１配線、前記第２配線および前記第３配線は、それぞれ、第１ランド、第２ランドおよび第３ランドを有する、基板と、上面および前記上面とは反対側の下面を有し、前記下面上に前記第１方向に沿って配置された第１電極、第２電極および第３電極を含む発光素子と、前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極をそれぞれ前記第１ランド、前記第２ランドおよび前記第３ランドに電気的および機械的に接続する第１接合部材、第２接合部材および第３接合部材とを備え、前記基材の前記上面の法線方向に見た平面視において、前記第１ランドおよび前記第３ランドのそれぞれは、前記第２方向と比較して前記第１方向に長い形状を有しており、前記第２ランドの前記第２方向における最大幅は、前記第１ランドの前記第２方向における最大幅および前記第３ランドの前記第２方向における最大幅よりも大きい。

本開示の他のある実施形態による基板は、第１方向に延びる長辺および前記第１方向に直交する第２方向に延びる短辺によって規定される長方形状の上面を有する基材と、前記基材の前記上面上に前記第１方向に沿って配置された第１配線、第２配線および第３配線とを備え、前記第１配線、前記第２配線および前記第３配線は、それぞれ、第１ランド、第２ランドおよび第３ランドを有し、前記基材の前記上面の法線方向に見た平面視において、前記第１ランドおよび前記第３ランドのそれぞれは、前記第２方向と比較して前記第１方向に長い形状を有しており、前記第２ランドの前記第２方向における最大幅は、前記第１ランドの前記第２方向における最大幅および前記第３ランドの前記第２方向における最大幅よりも大きい。

本開示の実施形態によれば、より高い精度で基板上に実装された発光素子を含む発光装置を提供し得る。

本開示のある実施形態による発光装置を正面側から見た外観の一例を示す斜視図である。 図１に示す発光装置を背面側から見た外観の一例を示す斜視図である。 図１および図２に示す発光装置の模式的な断面図である。 図１～図３に示す発光装置から基板を取り出して示す斜視図である。 図１～図３に示す発光装置から基板を取り出して示す斜視図である。 基材上の各配線のランドの例示的な幾何的性状を説明するための模式的な上面図である。 セルフアラインメントによる、発光素子の傾きの抑制の効果を説明する模式図である。 発光素子の電極の配置と、基板の配線の配置との間の対応を説明するための模式的な上面透視図である。 セルフアラインメントによる、発光素子の傾きの抑制の効果を説明する模式図である。 セルフアラインメントによる、発光素子の傾きの抑制の効果を説明する模式的な上面図である。 基材の上面のうち光反射性部材に接する部分の範囲を説明するための模式的な上面図である。 図１～図３に示す発光装置から基材上の配線と発光素子の電極とを取り出して示す模式的な上面透視図である。 本開示の他のある実施形態による基板の例を示す模式的な上面図である。 基材上の配線の変形例を示す模式的な上面図である。 図４および図５に示す基板から基材と絶縁層とを取り除いた構造を示す斜視図である。 発光素子の外観の一例を示す模式的な下面図である。 発光素子を構成する各部材の積層構造を模式的に示す図である。 図１６および図１７のXVIII－XVIII線断面を模式的に示す図である。

以下、図面を参照しながら、本開示の実施形態を詳細に説明する。以下の実施形態は、例示であり、本開示による発光装置および基板は、以下の実施形態に限られない。例えば、以下の実施形態で示される数値、形状、材料、ステップ、そのステップの順序などは、あくまでも一例であり、技術的に矛盾が生じない限りにおいて種々の改変が可能である。以下に説明する各実施形態は、あくまでも例示であり、技術的に矛盾が生じない限りにおいて種々の組み合わせが可能である。

図面が示す構成要素の寸法、形状などは、分かりやすさのために誇張されている場合があり、実際の発光装置または基板における寸法、形状および構成要素間の大小関係を反映していない場合がある。また、図面が過度に複雑になることを避けるために、一部の要素の図示を省略して模式的に示すことがある。

以下の説明において、実質的に同じ機能を有する構成要素は共通の参照符号で示し、説明を省略することがある。以下の説明では、特定の方向または位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」およびそれらの用語を含む別の用語）を用いる場合がある。しかしながら、それらの用語は、参照した図面における相対的な方向または位置を便宜的に示しているに過ぎない。それらの用語の使用は、本開示の発光装置または基板の使用時の姿勢を限定する意図ではない。例えば、参照した図面における「上」、「下」などの用語による相対的な方向または位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品、製造装置などにおいて、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。

本開示において「平行」とは、特に他の言及がない限り、２つの直線、辺、面などが０°から±５°程度の範囲にある場合を含む。また、本開示において「垂直」または「直交」とは、特に他の言及がない限り、２つの直線、辺、面などが９０°から±５°程度の範囲にある場合を含む。

図１および図２は、本開示のある実施形態による発光装置の外観の一例を示す。なお、図１および図２には、説明の便宜のために、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印をあわせて図示している。本開示の他の図面においてもこれらの方向を示す矢印を図示することがある。

図１および図２に示す発光装置１００は、Ｘ方向に延ばされた概ね直方体の形状を有する。発光装置１００は、ＸＹ面に平行な正面１００ｆを有する。発光装置１００の正面１００ｆは、Ｙ方向と比較してＸ方向に長い長方形状を有する。ここでは、正面１００ｆの長方形状の長手方向は、Ｘ方向に平行であり、短手方向は、Ｙ方向に平行である。以下、本明細書では、Ｘ方向を第１方向、Ｙ方向を第２方向と呼ぶことがある。

発光装置１００は、基板１３０と、光反射性部材１４０と、透光性部材１５０とを含む。後述するように、透光性部材１５０は、蛍光体などの波長変換部材を含有し得る。図１に示すように、透光性部材１５０は、ＸＹ面に平行とされた光取出し面１５０ａを有する。ここでは、光取出し面１５０ａは、正面１００ｆの一部を構成し、光取出し面１５０ａの周囲には光反射性部材１４０が位置している。

図２に例示する構成において、発光装置１００は、正面１００ｆとは反対側の背面１００ｒに、３つの背面配線３１Ｒ、背面配線３２Ｒおよび背面配線３３Ｒを有し、さらに、これらの配線のそれぞれの一部を覆う絶縁層１８０を有している。図２に示す例において、背面配線３１Ｒ、背面配線３２Ｒおよび背面配線３３Ｒは、Ｘ方向に沿って直線状に並んでいる。

この例では、発光装置１００の背面１００ｒと底面１００ｍとに開口する３つの凹部３４が基板１３０に設けられている。発光装置１００の底面１００ｍは、発光装置１００を配線基板等などの支持体に実装する際に支持体に対向させられる面である。底面１００ｍは、正面１００ｆと背面１００ｒとの間に位置する。図２に示す例において、各凹部３４の、背面１００ｒに現れた開口の形状は、いずれも半円状とされている。上述の背面配線３１Ｒ、背面配線３２Ｒおよび背面配線３３Ｒのそれぞれは、対応する凹部３４の内側面を覆う部分を含む。

図３は、発光装置１００の断面の一部を模式的に示す。図３は、発光装置１００の中央付近で発光装置１００を図のＺＸ面に平行に（すなわち第２方向に垂直に）切断したときの断面を示している。図３に示すように、基板１３０は、上面３０ａを有する基材３０をその一部に含む。光反射性部材１４０は、基材３０の上面３０ａ上に配置され、その一部は、上面３０ａに接している。

発光装置１００は、基板１３０に支持された少なくとも１つの発光素子を含む。図３に例示する構成において、発光装置１００は、発光素子１２０を含んでいる。発光素子１２０は、上面１２０ａと、上面１２０ａとは反対側の下面１２０ｂとを有する。発光装置１００において、発光素子１２０の下面１２０ｂは、基材３０の上面３０ａ側に位置する。図３中に拡大して示すように、発光素子１２０は、下面１２０ｂに第１電極２１、第２電極２２および第３電極２３を有する。第１電極２１、第２電極２２および第３電極２３は、Ｘ方向に沿って下面１２０ｂ上に一列に並んでいる。

発光素子１２０が第１電極２１、第２電極２２および第３電極２３の３つの電極を有することに対応して、基板１３０は、基材３０の上面３０ａ上に、第１配線３１Ｔ、第２配線３２Ｔおよび第３配線３３Ｔの３つの配線を有する。第１配線３１Ｔ、第２配線３２Ｔおよび第３配線３３Ｔは、発光素子１２０の第１電極２１、第２電極２２および第３電極２３と同様に、Ｘ方向に沿って基材３０の上面３０ａ上に一列に配置される。

発光素子１２０は、ハンダなどを含有する接合部材によって基板１３０の第１配線３１Ｔ、第２配線３２Ｔおよび第３配線３３Ｔ上に実装される。図３に示す例では、発光素子１２０は、第１接合部材１６１、第２接合部材１６２および第３接合部材１６３によって基板１３０上に実装されている。第１接合部材１６１は、発光素子１２０の第１電極２１と基板１３０の第１配線３１Ｔとの間に位置する。同様に、第２接合部材１６２は、第２電極２２と第２配線３２Ｔとの間に位置し、第３接合部材１６３は、第３電極２３と第３配線３３Ｔとの間に位置する。

図３に示す例において、基板１３０は、基材３０内部に配置された第１導電部３１Ｖ、第２導電部３２Ｖおよび第３導電部３３Ｖをさらに有している。第１導電部３１Ｖ、第２導電部３２Ｖおよび第３導電部３３Ｖは、それぞれ、第１配線３１Ｔ、第２配線３２Ｔおよび第３配線３３Ｔに接続される。第１導電部３１Ｖ、第２導電部３２Ｖおよび第３導電部３３Ｖは、基材３０に設けられた貫通孔３０ｈの内部に位置する。この例では、第１導電部３１Ｖ、第２導電部３２Ｖおよび第３導電部３３Ｖのそれぞれは、対応する貫通孔３０ｈの内側面上の導電膜３６と、導電膜３６によって囲まれた空間を占める充填部材３８とを含んでいる。

発光素子１２０の上方には、透光性部材１５０が配置される。図３に示す例では、透光性部材１５０は、保護層５２および波長変換層５４の積層構造を有する。波長変換層５４は、保護層５２と発光素子１２０との間に位置する。この例では、保護層５２の上面は、光取出し面１５０ａとしての透光性部材１５０の上面を構成している。

透光性部材１５０は、導光部材１７０により発光素子１２０の上面１２０ａに固定される。導光部材１７０の外面１７０ｃは、光反射性部材１４０に接する。図３に例示する構成において、光反射性部材１４０は、保護層５２の側面５２ｃおよび波長変換層５４の側面５４ｃにも接している。換言すれば、この例において、保護層５２の側面５２ｃおよび波長変換層５４の側面５４ｃは、光反射性部材１４０に覆われている。光反射性部材１４０の一部は、発光素子１２０の下面１２０ｂと、基材３０の上面３０ａとの間にも位置し得る。

以下、図４～図１１を参照しながら、基板１３０の特に第１配線３１Ｔ、第２配線３２Ｔおよび第３配線３３Ｔの形状の詳細を説明する。

図４および図５は、発光装置１００から基板１３０を取り出して示す。図４および図５に示す例において、基材３０の上面３０ａは、Ｙ方向と比較してＸ方向に長い長方形状を有している。ここでは、上面３０ａの長方形状の長辺および短辺は、それぞれ、Ｘ方向およびＹ方向に平行である。

図３を参照しながら説明したように、第１配線３１Ｔ、第２配線３２Ｔおよび第３配線３３Ｔは、基材３０の上面３０ａ上に位置する。図４および図５に示すように、第１配線３１Ｔ、第２配線３２Ｔおよび第３配線３３Ｔは、それぞれ、第１ランド３１ｇ、第２ランド３２ｇおよび第３ランド３３ｇを含む。ここでは、第１ランド３１ｇ、第２ランド３２ｇおよび第３ランド３３ｇのいずれも、矩形状とされている。

図４および図５に示す例では、第１配線３１Ｔ、第２配線３２Ｔおよび第３配線３３Ｔのそれぞれは、＋Ｚ方向に突出する部分を含んでいる。すなわち、図４および図５に例示する構成において、第１配線３１Ｔは、第１ランド３１ｇ上に位置する第１凸部３１ｐを含む。同様に、第２配線３２Ｔは、第２ランド３２ｇ上に位置する第２凸部３２ｐを含んでおり、第３配線３３Ｔは、第３ランド３３ｇ上に位置する第３凸部３３ｐを含んでいる。ここでは、第１凸部３１ｐ、第２凸部３２ｐおよび第３凸部３３ｐのそれぞれは、Ｘ方向に長い長方形状を有している。

第１凸部３１ｐおよび第３凸部３３ｐのＹ方向における最大幅は、それぞれ、第１ランド３１ｇおよび第３ランド３３ｇのＹ方向における最大幅の例えば４５％以上８０％以下の範囲である。第２凸部３２ｐのＹ方向における最大幅は、第２ランド３２ｇのＹ方向における最大幅の例えば２５％以上６５％以下の範囲である。第１凸部３１ｐと第２凸部３２ｐとの間の最短距離、および、第２凸部３２ｐと第３凸部３３ｐとの間の最短距離は、例えば１２０μｍ以上３００μｍ以下の範囲である。第１凸部３１ｐ、第２凸部３２ｐおよび第３凸部３３ｐのそれぞれの高さは、例えば０μｍ以上７０μｍ以下、好ましくは、５μｍ以上６０μｍ以下の範囲である。

図６は、基材３０の上面３０ａの法線方向に見たときの、第１配線３１Ｔ、第２配線３２Ｔおよび第３配線３３Ｔのそれぞれの形状の典型例を示す。第１配線３１Ｔ、第２配線３２Ｔおよび第３配線３３Ｔは、発光素子１２０における第１電極２１、第２電極２２および第３電極２３の配置に対応するように、基材３０の上面３０ａ上にＸ方向に沿って設けられる。

図６に示す例において、第１配線３１Ｔの第１ランド３１ｇ、第２配線３２Ｔの第２ランド３２ｇおよび第３配線３３Ｔの第３ランド３３ｇのそれぞれは、いずれも長方形状を有している。例えば第１ランド３１ｇおよび第３ランド３３ｇに注目すると、第１ランド３１ｇおよび第３ランド３３ｇのそれぞれは、Ｙ方向と比較してＸ方向に長い長方形状を有している。第２配線３２Ｔの第２ランド３２ｇも同様に長方形状を有する。ただし、図６に模式的に示すように、ここでは、第２ランド３２ｇのＹ方向における幅Ｗ２は、第１ランド３１ｇのＹ方向における幅Ｗ１および第３ランド３３ｇのＹ方向における幅Ｗ３と比較して大きくされている。

本開示の実施形態において、第２ランド３２ｇのＹ方向における最大幅は、第１ランド３１ｇのＹ方向における最大幅および第３ランド３３ｇのＹ方向における最大幅のいずれよりも大きい。なお、本明細書において、ある方向におけるランドの最大幅は、その方向に平行な直線とランドの外形との交点間の距離のうち最も大きなものを指す。

以下に説明するように、例えば第２方向に関する第１ランド３１ｇの最大幅、第２ランド３２ｇの最大幅および第３ランド３３ｇの最大幅を上述の関係とすることにより、発光素子１２０の基板１３０への実装の際にセルフアラインメントの効果を発揮させて、実装時の発光素子１２０の傾きを抑制し得る。すなわち、より精度よく基板１３０上に発光素子１２０を実装することが可能になる。

図７は、基板上の発光素子の配置を模式的に示す図である。図７は、第２配線３２Ｔと交差する位置で、発光装置１００を第１方向に垂直に切断したときの断面を模式的に示している。ただし、簡単のために、図７では、基板１３０上の構造のうち、光反射性部材１４０などの図示を省略している。

図７に示すように、発光素子１２０は、接合部材（この図では第２接合部材１６２のみが表れている）により、基材３０の上面３０ａ上の配線（この図では第２配線３２Ｔのみが表れている）に接合される。典型的には、接合部材の材料を基板の配線上に配置し、接合部材の材料上に発光素子を配置した後、リフローなどにより発光素子を配線に接合する。

接合部材（例えば第１接合部材１６１、第２接合部材１６２および第３接合部材１６３）は、ハンダに加えてフラックスなどをさらに含有し得る。リフローにおける加熱により、接合部材中のハンダが溶融し、配線のランド上に拡がる。このとき、本実施形態では第１ランド３１ｇおよび第３ランド３３ｇと比較して第２ランド３２ｇのＹ方向における最大幅が大きくされているので、第２ランド３２ｇ上のハンダは、溶融により、第２方向に関してより広範囲に拡がる。そのため、第２接合部材１６２のうち図７に示す断面（ＹＺ断面）において第２電極２２と第２ランド３２ｇとの間に位置する表面積を相対的に大きくできる。

第２ランド３２ｇ上において発光素子１２０からより遠くまでハンダを拡げることにより、溶融したハンダの表面張力を利用して、ＹＺ面内におけるセルフアラインメントの効果をより強力に発揮させ得る。すなわち、本開示の実施形態によれば、図７中に点線で模式的に示すような発光素子１２０の傾き（Ｘ方向に平行な軸周りの発光素子１２０の回転Ｒｘ）を抑制する効果が得られ、より精度よく基板１３０に発光素子１２０を実装することが可能になる。ＹＺ面内での発光素子１２０の傾きが抑制される結果、光反射性部材１４０に光が遮られることによるＹＺ面内での配光の不均衡（あるいは光取出し効率の低下）を抑制し得る。また、第１配線３１Ｔ、第２配線３２Ｔおよび第３配線３３Ｔの複数の組を有する集合基板上に発光素子１２０の複数個を実装した後、複数の発光素子１２０上に一括して透光性部材を配置するような工程を採用する場合には、傾いている発光素子に透光性部材が強く押されることによる発光素子の破損を防止し得る。

また、溶融したハンダの表面張力を、Ｙ方向における発光素子１２０の両側において働かせることができるので、Ｙ方向に関する発光素子１２０の位置ずれを低減する効果も得られる。第２接合部材１６２中のハンダの硬化後は、Ｙ方向において発光素子１２０が両側から第２接合部材１６２に支持されることになり、例えば発光装置１００のピックアップ時に発光装置１００の中央部がコレットなどにより－Ｙ方向に押された際に発光素子１２０が中央部から破損することを回避し得る。

図７に模式的に示すように、第２接合部材１６２は、第２配線３２Ｔの第２凸部３２ｐの全体を覆い得る。ＹＺ面内におけるセルフアラインメントを効果的に発揮させる観点から、第２接合部材１６２は、第２ランド３２ｇのＹ方向における外縁にまで達していてもよい。

第２ランド３２ｇの幅がＹ方向に拡大されていることに対し、上述したように、本実施形態では、第１ランド３１ｇおよび第３ランド３３ｇのそれぞれは、Ｙ方向と比較してＸ方向に長い形状とされる。ここで、第１凸部３１ｐおよび第３凸部３３ｐの配置に注目する。図６に例示する構成において、第１凸部３１ｐは、第１ランド３１ｇの長方形状の中央部には設けられておらず、平面視において第２ランド３２ｇ側に近づけられている。同様に、第３凸部３３ｐも、第３ランド３３ｇの長方形状の中央部には位置しておらず、第２ランド３２ｇ側に近づけられている。より詳細には、図６に示す例において、第１凸部３１ｐの第２配線３２Ｔとは反対側の端部から第１ランド３１ｇの第２配線３２Ｔとは反対側の外縁までのＸ方向に沿った距離Ｄ１は、第１凸部３１ｐの第２配線３２Ｔ側の端部から第１ランド３１ｇの第２配線３２Ｔ側の外縁までのＸ方向に沿った距離Ｄ２よりも大きい。また、第３凸部３３ｐの第２配線３２Ｔとは反対側の端部から第３ランド３３ｇの第２配線３２Ｔとは反対側の外縁までのＸ方向に沿った距離Ｄ３は、第３凸部３３ｐの第２配線３２Ｔ側の端部から第３ランド３３ｇの第２配線３２Ｔ側の外縁までのＸ方向に沿った距離Ｄ４よりも大きい。

図８は、発光素子の電極の配置と、基板の配線の配置との間の対応を模式的に示す。本実施形態において、発光素子１２０は、Ｙ方向と比較してＸ方向に長い形状を有する。発光素子１２０の第１電極２１、第２電極２２および第３電極２３は、発光素子１２０の長手方向に沿って一列に配置される。この例では、発光素子１２０の第１電極２１、第２電極２２および第３電極２３は、それぞれ、第１凸部３１ｐ、第２凸部３２ｐおよび第３凸部３３ｐの長方形状に概ね整合した大きさを有する。

上述したように、第１接合部材１６１は、発光素子１２０の第１電極２１と基板１３０の第１配線３１Ｔとの間に位置し、第３接合部材１６３は、第３電極２３と第３配線３３Ｔとの間に位置する。図８に示す例において、第１配線３１Ｔの第１ランド３１ｇおよび第３配線３３Ｔの第３ランド３３ｇは、基材３０の外縁に向かって発光素子１２０の外縁を越えて＋Ｘ方向または－Ｘ方向に延びている。この場合、第１接合部材１６１および第３接合部材１６３は、図８中に網掛けで示すように、発光素子１２０と重ならない領域まで拡がり得る。

その結果、第１接合部材１６１および第３接合部材１６３のうち平面視において発光素子１２０の外側に拡がった部分の表面張力を利用して、図９中に点線で模式的に示すような発光素子１２０の傾き（Ｙ方向に平行な軸周りの発光素子１２０の回転Ｒｙ）を抑制し得る。また、発光素子１２０の、Ｘ方向に関する位置ずれを抑制し得る。

第１ランド３１ｇおよび第３ランド３３ｇが基材３０の外縁に向かって発光素子１２０の外縁を越えて＋Ｘ方向または－Ｘ方向に延びているので、溶融したハンダの表面張力は、発光素子１２０の中心から発光素子１２０の長手方向に離れた位置において働く。したがって、基材３０上の第１ランド３１ｇ、第２ランド３２ｇおよび第３ランド３３ｇの配列に整合するように発光素子１２０を配置し得る。すなわち、図１０中に点線で模式的に示すような、発光素子１２０のＸＹ面内における回転（Ｚ方向に平行な軸周りの発光素子１２０の回転Ｒｚ）を抑制する効果が得られる。

このように、第１配線３１Ｔの第１ランド３１ｇの形状および第１凸部３１ｐの配置、ならびに、第３配線３３Ｔの第３ランド３３ｇの形状および第３凸部３３ｐの配置を調整することにより、第２ランド３２ｇ上の第２接合部材１６２によって発揮されるセルフアラインメントの効果と相まって、発光素子１２０を所期の姿勢で基板１３０上に精度よく実装させ得る。

第１配線３１Ｔ、第２配線３２Ｔおよび第３配線３３Ｔ上にそれぞれ配置される第１接合部材１６１、第２接合部材１６２および第３接合部材１６３の量（体積と言ってもよい）は、これらの間で概ね等しくされ得る。その場合、所期の方向に沿って接合部材を流す観点からは、第１ランド３１ｇ、第２ランド３２ｇおよび第３ランド３３ｇの面積が、互いに等しいと有益である。ここで、本明細書において、「ランドの面積が等しい」とは、注目した２つのランドのうち一方の面積を基準としたときの他方の面積が９０％以上１１０％以下の範囲にあることを指す。

第１ランド３１ｇ、第２ランド３２ｇおよび第３ランド３３ｇのそれぞれの形状あるいは面積に応じて、第１配線３１Ｔ、第２配線３２Ｔおよび第３配線３３Ｔ上に配置する第１接合部材１６１、第２接合部材１６２および第３接合部材１６３の量を調整してもよい。第１接合部材１６１、第２接合部材１６２および第３接合部材１６３の量を適切に調整することにより、Ｙ方向に平行な軸周りの発光素子１２０の回転Ｒｙをより効果的に抑制し得る。

なお、図８から理解されるように、平面視において、第２ランド３２ｇのＹ方向における最大幅Ｗ２（図６を参照）は、典型的には、発光素子１２０の第２電極２２のＹ方向における最大幅Ｗ４よりも大きい。Ｗ２＞Ｗ４の関係が満たされるようにすることにより、Ｙ方向に関して例えば発光素子１２０の外側まで第２接合部材１６２を拡げやすくなり、発光素子１２０の長手方向周りの傾き（図７に示す回転Ｒｘ）をより効果的に抑制することが可能になる。

また、第２ランド３２ｇのＹ方向における幅を拡大しつつ、第１ランド３１ｇおよび第３ランド３３ｇのＹ方向における幅を第２ランド３２ｇに対して小さくすることにより、基材３０の上面３０ａと光反射性部材１４０との間の接触領域の過度の縮小を回避し得る。例えば、第１ランド３１ｇおよび第３ランド３３ｇのＹ方向における幅を第２ランド３２ｇと同じとした場合と比較して、基材３０の上面３０ａのうち、図１１中にハッチングで示す領域に光反射性部材１４０を接触させることができる。すなわち、光反射性部材１４０のうち配線上に位置する部分の割合を低減して、基材３０からの光反射性部材１４０の剥離を抑制する効果が得られる。

さらに、発光装置１００の製造過程においては、例えばトランスファーモールドによって光反射性部材１４０を形成する際、光反射性部材１４０の材料を第１ランド３１ｇと第２ランド３２ｇとの間のギャップＧ１２および第２ランド３２ｇと第３ランド３３ｇとの間のギャップＧ２３から発光素子１２０の下側に流しやすくなる。すなわち、第１ランド３１ｇおよび第３ランド３３ｇのＹ方向における幅を過度に拡大しないことにより、基材３０と発光素子１２０との間に光反射性部材１４０の材料を配置しやすくなる。発光素子１２０から発せられて基材３０に向かう光を、アンダーフィルとしての光反射性部材１４０で反射させることができるので、基材３０と発光素子１２０との間への光反射性部材１４０の材料の配置は、発光装置１００の光取出し効率の向上に寄与する。

次に、基材上の配線の形状および配置と、発光素子の電極の形状および配置との関係の例を説明する。図１２は、発光装置から基材上の配線と発光素子の電極とを取り出してこれらを模式的に示す。

図１２に示す例では、第１配線３１Ｔの第１凸部３１ｐ、第２配線３２Ｔの第２凸部３２ｐおよび第３配線３３Ｔの第３凸部３３ｐは、いずれも長方形状とされている。発光素子１２０の第１電極２１、第２電極２２および第３電極２３は、それぞれ、第１凸部３１ｐ、第２凸部３２ｐおよび第３凸部３３ｐの直上に位置する。この例では、第１電極２１を第１凸部３１ｐに平行投影（このときの投影面は基材３０の上面３０ａに平行であるとする）した形状は、第２ランド３２ｇ側の端部に２つの凹部２１ｒを有しているものの、第１凸部３１ｐの長方形状に収まる概ね長方形状とされている。同様に、第３電極２３を第３凸部３３ｐに垂直投影した形状は、第２ランド３２ｇ側の端部に２つの凹部２３ｒを有しているものの、第３凸部３３ｐの長方形状に収まる概ね長方形状とされている。第２電極２２を第２凸部３２ｐに垂直投影した形状は、中央部に２つの凹部２２ｒを有しているものの、第２凸部３２ｐの長方形状に収まる概ね長方形状とされている。

第１電極２１における第２電極２２側の端部は、第１凸部３１ｐにおける第２ランド３２ｇ側の端部に重なりを有し得る。図１２中に破線の楕円ＥＬで示すように、ここでは、第１電極２１の外形のうち第２電極２２側の端部においてＹ方向に延びる部分は、第１凸部３１ｐの長方形状の、第２ランド３２ｇ側の短辺に平面視において重なっている。同様に、第３電極２３における第２電極２２側の端部は、第３凸部３３ｐにおける第２ランド３２ｇ側の端部に重なりを有し得る。この例では、第３電極２３の外形のうち第２電極２２側の端部においてＹ方向に延びる部分は、第３凸部３３ｐの長方形状の、第２ランド３２ｇ側の短辺に平面視において重なっている。ここで、本明細書において「電極（例えば第１電極２１）の端部が配線の凸部（例えば第１凸部３１ｐ）の端部に重なっている」とは、電極の外形の一部と、配線の凸部の外形の一部との間の最短距離が、基材３０の上面３０ａに垂直に見た平面視において０μｍ以上５０μｍ以下の範囲にあることを指す。

このように、例えば第１電極２１の外形のうち第２電極２２に最も近い部分が、第１凸部３１ｐの外形のうち第２ランド３２ｇに最も近い部分と重なるようにすることにより、第１接合部材１６１によるセルフアラインメントの効果をより効果的に発揮させ得る。同様に、例えば第３電極２３の外形のうち第２電極２２に最も近い部分が、第３凸部３３ｐの外形のうち第２ランド３２ｇに最も近い部分と重なるようにすることにより、第３接合部材１６３によるセルフアラインメントの効果をより効果的に発揮させ得る。

（基材上の配線の形状に関する変形例）
図１３は、本開示の他のある実施形態による基板を示す。図４および図５に示す基板１３０と比較して、図１３に示す基板１３０Ｂは、第１配線３１Ｔおよび第３配線３３Ｔに代えて、第１配線３１Ｕおよび第３配線３３Ｕを有する。基板１３０Ｂも基板１３０と同様に、発光素子１２０の支持体として発光装置１００に適用され得る。

第１配線３１Ｕは、第１ランド３１ｇおよび第１ランド３１ｇ上の第１凸部３１ｐに加えて、第１Ｔ字状部３１ｔを有する。図１３に示すように、第１Ｔ字状部３１ｔは、第１ランド３１ｇにおける第２配線３２Ｔとは反対側の端部から基材３０の外縁に向かって延びる細い第１セグメント３ｓと、第１セグメントに直交する短い第２セグメント３ｔとを含む。第３配線３３Ｕも同様に、第３ランド３３ｇにおける第２配線３２Ｔとは反対側の端部から基材３０の外縁に向かって延びる第２Ｔ字状部３２ｔを有する。この例では、第２Ｔ字状部３２ｔは、第１配線３１Ｕの第１Ｔ字状部３１ｔを基材３０の中央部に関して左右反転させた形状を有している。

第１配線３１Ｕの第１Ｔ字状部３１ｔおよび第３配線３３Ｕの第２Ｔ字状部３２ｔは、画像認識などを利用して発光素子１２０を基板１３０Ｂに実装する際の目印として利用できる。したがって、図１３に破線で模式的に示すように、第１Ｔ字状部３１ｔおよび第２Ｔ字状部３２ｔのそれぞれは、基板１３０Ｂに発光素子１２０を実装した際に発光素子１２０に重ならない。換言すれば、第１Ｔ字状部３１ｔは、第１配線３１Ｕと発光素子１２０の第１電極２１との間の電気的および機械的な接続には実質的に寄与せず、また、第２Ｔ字状部３２ｔは、第３配線３３Ｕと発光素子１２０の第３電極２３との間の電気的および機械的な接続には実質的に寄与しない。なお、本明細書における「ランド」には、基材３０の上面３０ａ上の配線のうち、発光素子の電極との間の電気的および機械的な接続に実質的に寄与しない、第１Ｔ字状部３１ｔおよび第２Ｔ字状部３２ｔのような付加的な構造は含まれない。

図１４は、基材上の配線の形状に関する他の例を示す。図４および図５に示す基板１３０と比較して、図１４に示す基板１３０Ｃは、第１配線３１Ｔ、第２配線３２Ｔおよび第３配線３３Ｔに代えて、第１配線３１Ｗ、第２配線３２Ｗおよび第３配線３３Ｗを有する。

これまでに説明した例と同様に、第１配線３１Ｗ、第２配線３２Ｗおよび第３配線３３Ｗは、それぞれ、第１ランド３１ｇ、第２ランド３２ｇおよび第３ランド３３ｇを含んでいる。ただし、図１４に示す例では、第１ランド３１ｇおよび第３ランド３３ｇの形状が、Ｘ方向において基材３０の外縁に向かって幅の狭まる台形状とされている。また、第２ランド３２ｇの形状は、基材３０の上面３０ａの長方形状の長辺に向かってＸ方向における幅が小さくされた多角形状とされている。あるいは、これとは逆に、第１ランド３１ｇ、第２ランド３２ｇまたは第３ランド３３ｇの形状として、基材３０の外縁に向かって拡がる形状も採用し得る。このように、基材３０上の各配線のランドの形状は、長方形状に限定されない。

以下、発光装置１００中の各部材の詳細を説明する。

［基板１３０］
基板１３０の基材３０は、その上面３０ａに第１配線３１Ｔ、第２配線３２Ｔおよび第３配線３３Ｔが配置される概ね直方体状の絶縁部材である。Ｘ方向（ここでは上面３０ａの長方形状の長手方向）における基材３０の寸法は、例えば、１８００μｍ以上５０００μｍ以下の範囲である。Ｙ方向における基材３０の寸法は、例えば、４００μｍ以上８００μｍ以下の範囲である。Ｚ方向における基材３０の寸法は、例えば、２００μｍ以上１０００μｍ以下の範囲である。

基材３０の材料の例は、樹脂、セラミックスまたはガラスなどである。基材３０の材料として、例えば、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）を適用し得る。基材３０は、繊維強化樹脂などの複合材料から形成されてもよく、例えばガラスエポキシ基板を基材３０に適用してもよい。

図２および図５に例示するように、基板１３０には、それぞれが発光装置１００の背面１００ｒと底面１００ｍとに開口する複数の凹部３４が設けられ得る。凹部３４のそれぞれは、発光装置１００を配線基板に実装する際にハンダなどの接合部材を配置する空間となる。ただし、このような凹部３４が省略されることもあり得る。

凹部３４の個数は、典型的には、２以上である。図２および図５に示す例では、基板１３０が背面配線３１Ｒ～３３Ｒを含むことに対応して、合計で３つの凹部が基材３０に設けられている。図２および図５に示す例において、これら３つの凹部は、Ｘ方向に関し、基材３０の中央に対称な配置を有する。

上述したように、基板１３０は、背面配線３１Ｒ～３３Ｒに加えて、基材３０の上面３０ａに位置する第１配線３１Ｔ、第２配線３２Ｔおよび第３配線３３Ｔを有する。第１配線３１Ｔ、第２配線３２Ｔおよび第３配線３３Ｔ、ならびに、背面配線３１Ｒ、背面配線３２Ｒおよび背面配線３３Ｒの材料としては、銅、鉄、ニッケル、タングステン、クロム、アルミニウム、銀、白金、金、チタン、パラジウム、ロジウム、または、これらの１種以上を含有する合金を用いることができる。放熱性の観点からは、これらの配線の材料に銅または銅合金を適用することが有利である。基材３０の上面３０ａ側の配線および／または背面配線は、単層膜でも積層膜でもよい。これら配線の最表面が、銀、白金、アルミニウム、ロジウムもしくは金、または、これらの１種以上を含有する合金であると、ハンダに対する良好な濡れ性を得られるので有益である。

図３を参照しながら説明したように、基板１３０は、基材３０の内部に配置された複数の導電部をさらに有する。図１５は、基板１３０から基材３０と絶縁層１８０とを取り除いた構造を示す。図１５に示すように、第１導電部３１Ｖは、第１配線３１Ｔを背面配線３１Ｒに電気的に接続する。また、第２導電部３２Ｖは、第２配線３２Ｔを背面配線３２Ｒに電気的に接続し、第３導電部３３Ｖは、第３配線３３Ｔを背面配線３３Ｒに電気的に接続する。図１５から理解されるように、基材３０内部の第１導電部３１Ｖ～第３導電部３３Ｖは、いずれも、背面視において基材３０の凹部に重ならない位置に設けられ得る。

第１導電部３１Ｖ～第３導電部３３Ｖのそれぞれは、基材３０に設けられた貫通孔３０ｈ内部の全体を占める導電部材であってもよいし、図３に例示する構成のように、貫通孔３０ｈの内側面に配置された導電膜３６と、充填部材３８との組み合わせであってもよい。貫通孔３０ｈの内側面を覆う導電膜には、例えば、基材３０の上面３０ａ上の配線と同様の材料を適用できる。充填部材３８の例は、エポキシ樹脂などの絶縁材料である。

図２に示すように、基板１３０は、基材３０の上面３０ａとは反対側に位置する下面上に絶縁層１８０を有し得る。絶縁層１８０の材料としては、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂が挙げられる。いわゆるソルダーレジストを絶縁層１８０に用いてもよい。図２に模式的に示すように、絶縁層１８０は、基材３０の下面上の背面配線３１Ｒ～３３Ｒのそれぞれの一部を覆う形状を有する。

［発光素子１２０］
図１６は、発光素子１２０を下面１２０ｂ側から見た外観の一例を示す。図１７は、発光素子１２０を構成する各部材の積層構造を模式的に示す。図１８は、図１６および図１７のXVIII－XVIII線断面を模式的に示す。

発光素子１２０は、素子基板１０と、素子基板１０上に配置された半導体積層体９０とを有する。素子基板１０の材料の典型例は、サファイアである。

本開示の典型的な実施形態において、半導体積層体９０は、発光ピーク波長が互いに異なる２つの発光構造を含む。図１８に例示する構成において、半導体積層体９０は、素子基板１０上の第１発光構造９１と、第１発光構造９１の下方に位置する第２発光構造９２とを含む。この例では、第１発光構造９１と第２発光構造９２との間にトンネル接合層９４が介在されている。

半導体積層体９０は、窒化物半導体を含有していてもよい。本明細書における「窒化物半導体」は、例えば一般式Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１－ｘ－ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）で表される半導体を指す。なお、本明細書における「窒化物半導体」には、上記一般式においてＮ（窒素）以外のＶ族元素をさらに含む化合物、および、導電型などの各種の物性を制御するための各種の元素がさらに添加された化合物も含まれるように解釈される。

第１発光構造９１は、素子基板１０上に配置された第１導電型の第１半導体層１１と、第２導電型の第２半導体層１３と、第１半導体層１１と第２半導体層１３との間に位置する第１活性層１２とを有する。第２発光構造９２は、第１導電型の第３半導体層１５と、第２導電型の第４半導体層１７と、第３半導体層１５と第４半導体層１７との間に位置する第２活性層１６とを有する。トンネル接合層９４は、第２半導体層１３と第３半導体層１５との間に設けられる。第１導電型は、例えばｎ型であり、その場合、第２導電型は、ｐ型である。以下、第１発光構造９１の第１半導体層１１を第１ｎ型半導体層１１と呼び、第２半導体層１３を第１ｐ型半導体層１３と呼ぶことがある。また、第２発光構造９２の第３半導体層１５を第２ｎ型半導体層１５と呼び、第４半導体層１７を第２ｐ型半導体層１７と呼ぶことがある。

第１ｎ型半導体層１１および第２ｎ型半導体層１５は、ｎ型不純物として例えばＳｉまたはＧｅを含有する。第１ｐ型半導体層１３および第２ｐ型半導体層１７は、ｐ型不純物として例えばＭｇを含有する。第１活性層１２および第２活性層１６は、例えば、複数の障壁層と、複数の井戸層とを含むＭＱＷ（Multiple Quantum well）構造を有する。

本開示の典型的な実施形態において、第１活性層１２から出射される第１の光の発光ピーク波長は、第２活性層１６から出射される第２の光の発光ピーク波長と異なる。ここで、第１の光の発光ピーク波長が、第２の光の発光ピーク波長よりも短いと有益である。例えば、第１の光の発光ピーク波長が４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にあり、第２の光の発光ピーク波長が５００ｎｍ以上５４０ｎｍ以下の範囲にあってもよい。この場合、第１活性層１２からは青色光が得られ、第２活性層１６からは緑色光が得られる。第１活性層１２からの第１の光および第２活性層１６からの第２の光は、主に素子基板１０を介して半導体積層体９０の外部に取り出される。第１の光を発する第１発光構造９１を、素子基板１０と第２発光構造９２との間に配置することにより、第１発光構造９１による第２の光の吸収を抑制できる。

図１８に例示するように、第１発光構造９１と第２発光構造９２との間には、トンネル接合層９４が介在させられ得る。トンネル接合層９４は、第１ｐ型半導体層１３よりも高いｐ型不純物濃度を有するｐ型層と、第２ｎ型半導体層１５よりも高いｎ型不純物濃度を有するｎ型層のうち少なくとも１つを含む。

図１８に例示する構成において、発光素子１２０は、第１ｎ型半導体層１１に電気的に接続された第１導電部４１と、第２ｎ型半導体層１５に電気的に接続された第２導電部４２と、第２ｐ型半導体層１７上の中間電極４４と、中間電極４４に電気的に接続された第３導電部４３とを有する。また、発光素子１２０は、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、カバー膜６３とを有する。

カバー膜６３は、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ_２膜などの絶縁膜であり、中間電極４４の側面および上面を覆うことにより中間電極４４を保護する。第１絶縁膜６１は、半導体積層体９０およびカバー膜６３を覆う。第２絶縁膜６２は、第１絶縁膜６１、第１導電部４１、第２導電部４２および第３導電部４３を覆う、これらの部材の保護膜である。第１絶縁膜６１および第２絶縁膜６２のそれぞれの例は、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ_２膜などである。

第１導電部４１の一部は、第１絶縁膜６１に設けられた第１開口６１ｈを介して第１ｎ型半導体層１１に接しており、第２導電部４２の一部は、第１絶縁膜６１に設けられた第２開口６１ｋを介して第２ｎ型半導体層１５に接している。第３導電部４３は、第１絶縁膜６１上に位置し、第１絶縁膜６１に設けられた第３開口６１ｍおよびカバー膜６３に設けられた第４開口６３ｈを介してその一部が中間電極４４に接することにより、中間電極４４に電気的に接続される。

中間電極４４は、第２ｐ型半導体層１７上に位置し、第２ｐ型半導体層１７と電気的に接続されている。中間電極４４の材料の例は、Ａｇ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｔなどの金属、または、これらの金属の１種以上を含む合金である。上述の第３導電部４３は、中間電極４４を介して第２ｐ型半導体層１７に電気的に接続される。中間電極４４は、第２ｐ型半導体層１７よりも低い抵抗率を有し、第３導電部４３を介して供給される電流を第２ｐ型半導体層１７の面内に拡散させる機能を有する。

発光素子１２０は、さらに、第２絶縁膜６２上に配置された、第１電極２１、第２電極２２および第３電極２３を有する。第１電極２１は、その一部が第２絶縁膜６２の第５開口６２ｈを介して第１導電部４１に接することにより、第１導電部４１に電気的に接続される。第１導電部４１は、第１電極２１を第１ｎ型半導体層１１に電気的に接続する。第２電極２２は、その一部が第２絶縁膜６２の第６開口６２ｋを介して第３導電部４３に接することにより、第３導電部４３に電気的に接続される。第３導電部４３は、中間電極４４を介して第２電極２２を第２ｐ型半導体層１７に電気的に接続する。第３電極２３は、その一部が第２絶縁膜６２の第７開口部６２ｍを介して第２導電部４２に接することにより、第２導電部４２に電気的に接続される。第２導電部４２は、第３電極２３を第２ｎ型半導体層１５に電気的に接続する。

第１電極２１、第２電極２２および第３電極２３は、単層構造を有していてもよいし、複数の層を含む積層構造を有していてもよい。例えば、素子基板１０に近い側から、Ｔｉ層、Ｐｔ層およびＡｕ層がこの順に積層された積層構造を第１電極２１、第２電極２２および第３電極２３の少なくとも１つに適用してもよい。

以下に説明するように、図１８に例示する構成によれば、第１電極２１、第２電極２２および第３電極２３のうち電圧を印加する電極の組み合わせに応じて、発光素子１２０から得られる光の色度調整が可能である。

例えば、第３電極２３と第１電極２１との間に電圧を印加することにより、第１活性層１２を選択的に発光させることができる。このとき、発光素子１２０からは、第１活性層１２からの例えば青色光が取り出される。第２電極２２と第３電極２３との間に電圧を印加すると、第２活性層１６を選択的に発光させることができる。このとき、発光素子１２０からは、第２活性層１６からの例えば緑色光が取り出される。第２電極２２と第１電極２１との間に電圧を印加してもよい。この場合、第２活性層１６と第１活性層１２との両方に順方向電圧を印加でき、第２活性層１６および第１活性層１２の両方が発光する。このとき、発光素子１２０からは、第１活性層１２からの例えば青色光と第２活性層１６からの例えば緑色光とが混合された光が取り出される。なお、このとき、トンネル接合層９４におけるトンネル接合（ｐｎ接合）には逆方向のバイアスがかかることになるが、トンネル効果により電流を流すことが可能である。

第２電極２２と第１電極２１との間に電圧を印加するだけでなく、第３電極２３と第１電極２１との間にも電圧を印加してもよい。第２電極２２と第１電極２１との間に電圧を印加し、第１活性層１２および第２活性層１６の両方を発光させるとともに、第１活性層１２および第２活性層１６のそれぞれに供給する電流値を個別に調整したり、オンオフのデューティー比を制御したりすることにより、第１活性層１２の発光と第２活性層１６の発光のとの間のバランスを調整し得る。すなわち、発光素子１２０からの光の色度を調整可能である。

図１６に示すように、第１電極２１、第２電極２２および第３電極２３は、素子基板１０の長方形状の長手方向（Ｘ方向）に沿って互いに間隔をあけて配置される。図１６に示す例では、第１電極２１の第２方向における重心および第３電極２３の第２方向における重心は、第２電極２２の第２方向における重心を通り第１方向に平行な直線上に位置する。図１６に例示するような電極の配置によれば、第１電極２１、第２電極２２および第３電極２３のうちの２つまたは３つを素子基板１０の長方形状の短手方向（Ｙ方向）に沿って配置する構成と比較して、第１電極２１、第２電極２２および第３電極２３の面積の縮小を回避できる。すなわち、第１電極２１と第１接合部材１６１との間、第２電極２２と第２接合部材１６２との間、および、第３電極２３と第３接合部材１６３との間の界面の面積を拡大でき、発光素子１２０と基板１３０との間の結合を強固として、発光装置１００の信頼性向上の効果が期待できる。また、接続抵抗低減の効果も得られる。

第１電極２１、第２電極２２および第３電極２３のそれぞれの平面視における形状は、長方形状に限定されない。図１６に例示する構成において、第２電極２２は、中央部がくびれた形状を有している。より詳細には、図１６に示す例において、第２電極２２の外形は、第２電極２２のＸ方向における中央部に、それぞれが第２電極２２の中心に向かってくぼむ２つの凹部２２ｒを有している。

電極の外形に例えば凹部２２ｒのようなくぼんだ部分を設けることにより、電極の外形を直線状の辺のみの組み合わせ（例えば長方形）とした場合と比較して、発光素子の電極と基板の配線との間に配置される接合部材の表面積を拡大できる。接合部材の表面積の拡大により、セルフアラインメントの効果をより強力に発揮させることが可能になる。

また、図１６に示す例では、第１電極２１の外形は、第２電極２２側の端部に、それぞれが四分円状を有し、Ｙ方向において互いに対向する２つの凹部２１ｒを有している。換言すれば、図１６に例示する構成において、第１電極２１の外形は、第２電極２２側に、Ｙ方向における幅が減少する部分を含んでいる。同様に、図１６に示す例では、第３電極２３の外形も、第２電極２２側の端部に２つの凹部２３ｒが設けられることにより、第２電極２２側に、Ｙ方向における幅が減少する部分を有している。このように、電極の外形の第２電極２２側に、Ｙ方向における幅が減少する部分を設けることにより、電極の外周の長さが増大し、接合部材の表面積が拡大され得る。その結果、より強力なセルフアラインメントの効果を発揮させることが可能になる。

図１６に示す例では、凹部２１ｒ、凹部２２ｒおよび凹部２３ｒのそれぞれは、Ｘ方向に平行な直線に関して対称な配置を有する。ただし、凹部２１ｒ、凹部２２ｒおよび凹部２３ｒの配置は、この例に限定されない。例えば、素子基板１０の長方形状の一方の長辺に近い位置にＸ方向に沿って凹部２１ｒ、凹部２２ｒおよび凹部２３ｒを１つずつ配置することも可能である。なお、この例では、第１電極２１の外形は、第２電極２２とは反対側の端部に凹部２１ｑをさらに有している。凹部２１ｑの有無により、第１電極２１および第３電極２３のそれぞれの極性を識別できる。

［第１接合部材１６１、第２接合部材１６２、第３接合部材１６３］
図３に示すように、第１接合部材１６１は、発光素子１２０の第１電極２１と第１配線３１Ｔの第１ランド３１ｇとの間に配置され、第１電極２１を第１ランド３１ｇに電気的および機械的に接続する。同様に、第２接合部材１６２は、第２電極２２を第２ランド３２ｇに電気的および機械的に接続し、第３接合部材１６３は、第３電極２３を第３ランド３３ｇに電気的および機械的に接続する。典型的な実施形態において、第１接合部材１６１、第２接合部材１６２および第３接合部材１６３は、ハンダおよびフラックスを含有する。ハンダとしては、錫－銀－銅（ＳＡＣ）系または錫－ビスマス（ＳｎＢｉ）系などのハンダを適用できる。

［透光性部材１５０］
透光性部材１５０は、発光素子１２０を保護する機能を有する板状の部材であり、その上面は、発光装置１００の光取出し面１５０ａを構成する（例えば図１参照）。透光性部材１５０は、典型的には、発光素子１２０の発光ピーク波長を有する光に対して、６０％以上の透過率を有する。

透光性部材１５０の母材の例は、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、トリメチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂もしくはフッ素樹脂、または、これらの２種以上を含む樹脂である。透光性部材１５０の母材に、蛍光体などの波長変換部材を含有させてもよい。

図３に例示する構成において、透光性部材１５０は、保護層５２と、波長変換層５４とを含んでいる。保護層５２は、波長変換層５４よりも基板１３０から遠くに位置する。つまり、この例では、波長変換層５４は、発光素子１２０と保護層５２との間に位置する。透光性部材１５０は、波長変換層５４よりも基板１３０側に、波長変換部材を含まない透光性の層を含んでいてもよい。

波長変換層５４は、波長変換部材を含有する板状の部材であり、入射した光の一部を波長変換して、波長の異なる光を出射する。波長変換層５４の母材に含有させる波長変換部材としては、公知の蛍光体を用いることができる。蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｙ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｌｕ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｔｂ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、ＣＣＡ系蛍光体（例えば、Ｃａ_１０（ＰＯ_４）_６Ｃｌ_２：Ｅｕ）、ＳＡＥ系蛍光体（例えば、Ｓｒ_４Ａｌ_１４Ｏ_２５：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えば、Ｃａ_８ＭｇＳｉ_４Ｏ_１６Ｃ_ｌ２：Ｅｕ）、酸窒化物系蛍光体、窒化物系蛍光体、フッ化物系蛍光体、ペロブスカイト構造を有する蛍光体（例えば、ＣｓＰｂ（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）_３）、または、量子ドット蛍光体（例えば、ＣｄＳｅ、ＩｎＰ、ＡｇＩｎＳ_２またはＡｇＩｎＳｅ_２）などを用いることができる。酸窒化物系蛍光体の代表例は、βサイアロン系蛍光体（例えば、（Ｓｉ，Ａｌ）_３（Ｏ，Ｎ）_４：Ｅｕ）およびαサイアロン系蛍光体（例えば、Ｃａ（Ｓｉ，Ａｌ）_１２（Ｏ，Ｎ）_１６：Ｅｕ）などである。窒化物系蛍光体の代表例は、ＳＬＡ系蛍光体（例えば、ＳｒＬｉＡｌ_３Ｎ_４：Ｅｕ）、ＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ）およびＳＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ）などである。フッ化物系蛍光体の代表例は、ＫＳＦ系蛍光体（例えば、Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ_２Ｓｉ_０．９９Ａｌ_０．０１Ｆ_５．９９：Ｍｎ）およびＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ_２・ＧｅＯ_２：Ｍｎ）などである。なお、波長変換層５４の母材として、ガラスを選択してもよい。

波長変換層５４には、上述した蛍光体のうちの１種を単体で含有させてもよいし、これらの蛍光体のうち２種以上を組み合わせて含有させてもよい。波長変換層５４に２種以上の蛍光体を含有させる場合、それら蛍光体のうち、より短波長の光を放出する蛍光体が発光素子１２０の近くに位置するように、波長変換層５４中の波長変換部材の分布を調整すると有益である。あるいは、波長変換層を２層として、各層に互いに異なる種類の蛍光体を含有させてもよい。このとき、励起により放出する光がより短波長側にある蛍光体を、発光素子１２０に近い側の層に含有させると有益である。

波長変換層５４の材料に、母材とは屈折率の異なる材料を分散させることにより、波長変換層５４に光拡散の機能を付与してもよい。例えば、波長変換層５４が光拡散材を含んでいてもよい。

保護層５２は、透光性部材１５０において発光素子１２０とは反対側の最表面に位置する透光性の層である。保護層５２の上面は、透光性部材１５０の光取出し面１５０ａを構成し、図３に示す例において、保護層５２の上面は、発光装置１００の正面１００ｆに整合している。

保護層５２の母材には、シリコーン樹脂またはエポキシ樹脂など、波長変換層５４の母材と同様の材料を用いることができる。保護層５２に効率的に光を導入する観点からは、保護層５２の材料が波長変換層５４の材料よりも高い屈折率を有すると有益である。母材とは異なる屈折率を有する光拡散材を母材中に分散させることにより、保護層５２に光拡散機能を与えてもよい。

［導光部材１７０］
図３に例示する構成において、発光装置１００は、透光性の導光部材１７０をさらに有する。導光部材１７０は、発光素子１２０の、上面１２０ａと下面１２０ｂとの間に位置する側面１２０ｃに接する部分を少なくとも含む。図３に示す例では、導光部材１７０により、発光素子１２０の上面１２０ａの上方に透光性部材１５０が固定されている。導光部材１７０は、発光素子１２０の上面１２０ａと波長変換層５４との間に位置する部分を含んでいてもよい。

導光部材１７０の外面１７０ｃの断面視における形状は、曲線状または直線状などであり得る。外面１７０ｃの断面視における形状は、折れ線状、発光素子１２０に近づく方向に凸の曲線状、発光素子１２０から離れる方向に凸の曲線状などであってもよい。

［光反射性部材１４０］
光反射性部材１４０は、基板１３０上において、発光素子１２０と、透光性部材１５０とを取り囲む。なお、本明細書において、「光反射性」とは、発光素子１２０の発光ピーク波長における反射率が６０％以上であることを指す。光反射性部材１４０の、発光素子１２０の発光ピーク波長における反射率が７０％以上であるとより有益であり、８０％以上であるとさらに有益である。

光反射性部材１４０の材料としては、例えば、光拡散材が分散された樹脂材料が挙げられる。光反射性部材１４０の母材としては、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、フッ素樹脂もしくはこれらの変性樹脂、または、これらの２種以上を含む材料を用いることができる。光拡散材としては、母材よりも高い屈折率を有する、無機材料もしくは有機材料の粒子を用いることができる。光拡散材の例は、酸化チタン、酸化マグネシウム、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、硫酸バリウム、酸化ケイ素、各種希土類酸化物（例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム）などの粒子である。光反射性部材１４０は、白色を呈し得る。

図３に示すように、光反射性部材１４０は、透光性部材１５０の光取出し面１５０ａを除き、基材３０の上面３０ａ上の構造を覆う。これらの図に例示する構成において、光反射性部材１４０は、保護層５２の側面５２ｃおよび波長変換層５４の側面５４ｃに接している。また、光反射性部材１４０の少なくとも一部は、発光素子１２０の側面１２０ｃに対向する。換言すれば、光反射性部材１４０の少なくとも一部は、発光素子１２０の側面１２０ｃに接し得る。

光反射性部材１４０の一部は、発光素子１２０と基板１３０との間にも位置し得る。発光素子１２０の下面１２０ｂ側に光反射性部材１４０を配置することにより、発光素子１２０の下面１２０ｂ側からの光の出射を抑制でき、光の利用効率向上の効果が得られる。

本開示の実施形態は、各種照明用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源などに有用であり、例えば、いわゆるサイドビュー型の発光装置として利用できる。本開示の実施形態は、特に、液晶表示装置用バックライトユニットに有利に適用できる。

１００ 発光装置
１２０ 発光素子
１３０、１３０Ｂ、１３０Ｃ 基板
１４０ 光反射性部材
１５０ 透光性部材
１６１ 第１接合部材
１６２ 第２接合部材
１６３ 第３接合部材
２１ 第１電極
２２ 第２電極
２３ 第３電極
３０ 基材
３１Ｔ、３１Ｕ、３１Ｗ 第１配線
３１ｇ （第１配線の）第１ランド
３１ｐ （第１配線の）第１凸部
３２Ｔ、３２Ｗ 第２配線
３２ｇ （第２配線の）第２ランド
３２ｐ （第２配線の）第２凸部
３３Ｔ、３３Ｕ、３３Ｗ 第３配線
３３ｇ （第３配線の）第３ランド
３３ｐ （第３配線の）第３凸部

Claims (15)

1. 第１方向に延びる長辺および前記第１方向に直交する第２方向に延びる短辺によって規定される長方形状の上面を有する基材、ならびに、前記基材の前記上面上に前記第１方向に沿って配置された第１配線、第２配線および第３配線を含む基板であって、前記第１配線、前記第２配線および前記第３配線は、それぞれ、第１ランド、第２ランドおよび第３ランドを有する、基板と、
   上面および前記上面とは反対側の下面を有し、前記下面上に前記第１方向に沿って配置された第１電極、第２電極および第３電極を含む発光素子と、
   前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極をそれぞれ前記第１ランド、前記第２ランドおよび前記第３ランドに電気的および機械的に接続する第１接合部材、第２接合部材および第３接合部材と
   を備え、
   前記基材の前記上面の法線方向に見た平面視において、前記第１ランドおよび前記第３ランドのそれぞれは、前記第２方向と比較して前記第１方向に長い形状を有しており、
   前記第２ランドの前記第２方向における最大幅は、前記第１ランドの前記第２方向における最大幅および前記第３ランドの前記第２方向における最大幅よりも大きく、
   前記第２ランドは、前記第２方向において、前記第１ランドおよび前記第３ランドのいずれにも重なる部分を有さず、
   前記第１電極、前記第２電極、および前記第３電極は前記発光素子を駆動するためのものであり、
   前記第２ランドは、前記第２方向と比較して前記第１方向に長い形状を有している、発光装置。
2. 前記基材の前記上面の法線方向に見た平面視において、前記第２ランドの前記第２方向における最大幅は、前記発光素子の前記第２電極の前記第２方向における最大幅よりも大きい、請求項１に記載の発光装置。
3. 前記第１ランド、前記第２ランドおよび前記第３ランドの面積は、互いに等しい、請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記第１配線、前記第２配線および前記第３配線は、それぞれ、前記第１ランド上に位置する第１凸部、前記第２ランド上に位置する第２凸部および前記第３ランド上に位置する第３凸部を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置。
5. 前記第１凸部の前記第２配線とは反対側の端部から前記第１ランドの前記第２配線とは反対側の外縁までの前記第１方向に沿った距離は、前記第１凸部の前記第２配線側の端部から前記第１ランドの前記第２配線側の外縁までの前記第１方向に沿った距離よりも大きく、
   前記第３凸部の前記第２配線とは反対側の端部から前記第３ランドの前記第２配線とは反対側の外縁までの前記第１方向に沿った距離は、前記第３凸部の前記第２配線側の端部から前記第３ランドの前記第２配線側の外縁までの前記第１方向に沿った距離よりも大きい、請求項４に記載の発光装置。
6. 前記基板の前記第１ランドおよび前記第３ランド、ならびに、前記発光素子の前記第１電極および前記第３電極のそれぞれは、前記第１方向に延びる概ね長方形状を有しており、
   前記基材の前記上面の法線方向に見た平面視において、前記第１電極における前記第２電極側の端部は、前記第１凸部における前記第２ランド側の端部に重なりを有し、前記第３電極における前記第２電極側の端部は、前記第３凸部における前記第２ランド側の端部に重なりを有する、請求項４または５に記載の発光装置。
7. 前記第２接合部材は、前記第２凸部の全体を覆い、かつ、前記第２ランドの前記第２方向における外縁にまで達している、請求項４から６のいずれか１項に記載の発光装置。
8. 前記発光素子の前記上面の法線方向に見た平面視において、前記第２電極は、前記第１方向における中央部がくびれた形状を有する、請求項１から７のいずれか１項に記載の発光装置。
9. 前記第１電極の外形は、前記第２電極側に、前記第２方向における幅が減少する部分を含み、
   前記第３電極の外形は、前記第２電極側に、前記第２方向における幅が減少する部分を含む、請求項１から８のいずれか１項に記載の発光装置。
10. 前記発光素子は、
    第１導電型の第１半導体層および第２導電型の第２半導体層を有する第１発光構造と、
    前記第１発光構造の下方に位置し、第１導電型の第３半導体層および第２導電型の第４半導体層を有する第２発光構造と、
    前記第１電極を前記第１半導体層に接続する第１導電部と、
    前記第３電極を前記第３半導体層に接続する第２導電部と、
    前記第２電極を前記第４半導体層に接続する第３導電部と
    を含む、請求項１から９のいずれか１項に記載の発光装置。
11. 前記第２方向において、前記第１ランドの端部から前記基材の端部までの最短距離は、前記第２ランドから前記基材の端部までの最短距離よりも大きく、
    前記第２方向において、前記第３ランドの端部から前記基材の端部までの最短距離は、前記第２ランドの端部から前記基材の端部までの最短距離よりも大きい、請求項１から１０のいずれか１項に記載の発光装置。
12. 前記第１方向において、前記第２ランドの長さは、前記第１ランドの長さよりも短く、前記第３ランドの長さよりも短い、請求項３に記載の発光装置。
13. 前記第２方向における前記第２凸部の端部から前記第２ランドの端部までの最短距離は、前記第１方向における前記第２凸部の端部から前記第２ランドの端部までの最短距離よりも大きい、請求項４に記載の発光装置。
14. 前記第１電極は、前記第２方向における前記第１電極の幅を減少させる第１凹部および第２凹部を有し、
    前記第３電極は、前記第２方向における前記第３電極の幅を減少させる第３凹部および第４凹部を有し、
    前記第２方向において前記第１電極の外形のうち前記第１凹部と前記第２凹部の間に挟まれる部分の少なくとも一部が、前記第１凸部の端部と重なり、
    前記第２方向において前記第３電極の外形のうち前記第３凹部と前記第４凹部の間に挟まれる部分の少なくとも一部が、前記第３凸部の端部と重なる、請求項４に記載の発光装置。
15. 上面および前記上面とは反対側の下面を有し、前記下面上に第１方向に沿って配置された第１電極、第２電極および第３電極を含む発光素子を実装するための基板であって、
    前記第１方向に延びる長辺および前記第１方向に直交する第２方向に延びる短辺によって規定される長方形状の上面を有する基材と、
    前記基材の前記上面上に前記第１方向に沿って配置された第１配線、第２配線および第３配線と
    を備え、
    前記第１配線、前記第２配線および前記第３配線は、それぞれ、第１ランド、第２ランドおよび第３ランドを有し、
    前記基材の前記上面の法線方向に見た平面視において、前記第１ランドおよび前記第３ランドのそれぞれは、前記第２方向と比較して前記第１方向に長い形状を有しており、
    前記第２ランドの前記第２方向における最大幅は、前記第１ランドの前記第２方向における最大幅および前記第３ランドの前記第２方向における最大幅よりも大きく、
    前記第２ランドは、前記第２方向において、前記第１ランドおよび前記第３ランドのいずれにも重なる部分を有さず、
    前記第１電極、前記第２電極、および前記第３電極は前記発光素子を駆動するためのものであり、
    前記第２ランドは、前記第２方向と比較して前記第１方向に長い形状を有している、基板。

Images