JP7497121B2 - Holding table - Google Patents

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Description

本発明は、凹部を有するウェーハを保持する保持テーブルに関する。 The present invention relates to a holding table that holds a wafer having a recess.

デバイスチップの製造工程では、格子状に配列された分割予定ライン（ストリート）によって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域と、を表面側に備えるウェーハが用いられる。このウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより、デバイスをそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。デバイスチップは、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の様々な電子機器に組み込まれる。 In the device chip manufacturing process, a wafer is used that has on its front side device regions, each of which has a device formed in a number of areas partitioned by planned division lines (streets) arranged in a grid pattern, and a peripheral excess region surrounding the device region. By dividing this wafer along the planned division lines, multiple device chips, each of which has a device, are obtained. The device chips are incorporated into various electronic devices such as mobile phones and personal computers.

ウェーハの分割には、例えば切削装置が用いられる。切削装置は、被加工物を保持する保持テーブルと、被加工物を切削する環状の切削ブレードが装着される切削ユニットとを備える。保持テーブルでウェーハを保持し、切削ブレードを回転させてウェーハに切り込ませることにより、ウェーハが切削され、分割される。 For example, a cutting device is used to divide the wafer. The cutting device includes a holding table that holds the workpiece, and a cutting unit to which an annular cutting blade that cuts the workpiece is attached. The wafer is held on the holding table, and the cutting blade is rotated to cut into the wafer, thereby cutting and dividing the wafer.

また、近年では、電子機器の小型化に伴い、デバイスチップの薄型化が求められている。そこで、ウェーハの分割前にウェーハを薄化する加工が実施されることがある。ウェーハの薄化には、例えば研削装置が用いられる。研削装置は、被加工物を保持する保持テーブルと、複数の研削砥石を備える研削ホイールが装着される研削ユニットとを備える。保持テーブルでウェーハを保持し、保持テーブルと研削ホイールとをそれぞれ回転させながら研削砥石をウェーハの裏面側に接触させることにより、ウェーハの裏面側が研削され、ウェーハが薄化される。 In recent years, with the miniaturization of electronic devices, there is a demand for thinner device chips. Therefore, a process for thinning the wafer is sometimes carried out before the wafer is divided. A grinding device, for example, is used to thin the wafer. The grinding device includes a holding table for holding the workpiece, and a grinding unit to which a grinding wheel equipped with multiple grinding stones is attached. The wafer is held by the holding table, and the grinding stone is brought into contact with the back side of the wafer while rotating the holding table and the grinding wheel, thereby grinding the back side of the wafer and thinning the wafer.

ウェーハを研削して薄化すると、ウェーハの剛性が低下し、その後のウェーハの取り扱い（ウェーハの搬送、加工、洗浄等）の際にウェーハが破損しやすくなる。そこで、ウェーハの裏面側のうち、デバイス領域と重なる中央部のみを研削して薄化する手法が提案されている（特許文献１参照）。この手法を用いると、ウェーハの外周部が薄化されずに厚い状態に維持されるため、ウェーハの剛性の低下が抑制され、ウェーハの破損が防止される。 When a wafer is thinned by grinding, its rigidity decreases, making it more susceptible to damage during subsequent handling (transporting, processing, cleaning, etc.). A method has therefore been proposed in which only the central portion of the back surface of the wafer that overlaps with the device region is thinned by grinding (see Patent Document 1). With this method, the outer periphery of the wafer is not thinned and remains thick, suppressing the decrease in the rigidity of the wafer and preventing damage to the wafer.

上記のようにウェーハの中央部のみを研削すると、裏面側に形成された凹部と、凹部を囲繞する環状の外周部とを備えるウェーハが得られる。そして、最終的にウェーハを複数のデバイスチップに分割する際には、まず、薄化されていないウェーハの外周部が除去される。例えば、ウェーハを切削装置の保持テーブルによって保持し、ウェーハの凹部と外周部との境界領域を切削ブレードで環状に切削することにより、ウェーハから外周部が分離される（特許文献２参照）。 By grinding only the center of the wafer as described above, a wafer is obtained that has a recess formed on the back side and an annular outer periphery surrounding the recess. Then, when the wafer is finally divided into a number of device chips, the outer periphery of the wafer that has not been thinned is first removed. For example, the wafer is held by a holding table of a cutting device, and the boundary area between the recess and the outer periphery of the wafer is cut in an annular shape with a cutting blade, thereby separating the outer periphery from the wafer (see Patent Document 2).

特開２００７－１９３７９号公報JP 2007-19379 A 特開２００７－５９８２９号公報JP 2007-59829 A

凹部を有するウェーハを切削装置等の加工装置によって加工する際には、ウェーハが保持テーブルによって保持される。例えばウェーハは、保持テーブルの上面（保持面）側がウェーハの凹部に挿入されるように、保持テーブル上に配置される。これにより、ウェーハの凹部の底面が保持テーブルによって保持される。 When a wafer having a recess is processed by a processing device such as a cutting device, the wafer is held by a holding table. For example, the wafer is placed on the holding table so that the top surface (holding surface) of the holding table is inserted into the recess of the wafer. This causes the bottom surface of the recess of the wafer to be held by the holding table.

このとき、ウェーハの外周部は保持テーブルの保持面の外側に配置され、保持面によって支持されない。そのため、ウェーハの保持テーブルへの固定が不十分になり、加工不良が生じやすくなる。例えば、切削ブレードでウェーハを切削する際、ウェーハの外周部で振動（ブレ）が生じ、ウェーハに欠け（チッピング）や割れが生じることがある。 At this time, the outer periphery of the wafer is positioned outside the holding surface of the holding table and is not supported by the holding surface. This results in the wafer not being properly fixed to the holding table, making processing defects more likely to occur. For example, when cutting the wafer with a cutting blade, vibrations (vibrations) occur at the outer periphery of the wafer, which can cause chipping or cracking of the wafer.

そこで、凹部を有するウェーハの保持には、円柱状のベース（基台）と、ベースの中央部から上方に突出する保持部とを備える保持テーブルが用いられることがある。この保持テーブルを用いると、保持部によってウェーハの凹部が支持されるとともに、ベースによってウェーハの外周部が支持される。その結果、ウェーハが保持テーブルに確実に固定され、加工不良が発生しにくくなる。 To hold wafers with recesses, a holding table with a cylindrical base and a holding part that protrudes upward from the center of the base is sometimes used. When this holding table is used, the recesses of the wafer are supported by the holding part, and the outer periphery of the wafer is supported by the base. As a result, the wafer is securely fixed to the holding table, making processing defects less likely to occur.

ただし、ウェーハの凹部の深さとチャックテーブルの保持部の突出量（高さ）とにずれがあると、ウェーハの凹部と外周部とが適切に支持されない。そのため、保持テーブルの保持部の突出量は、ウェーハの凹部の深さに合わせて厳密に調整する必要がある。しかしながら、凹部の深さはウェーハごとに異なるため、加工対象となるウェーハを変更する度に保持テーブルの保持部の突出量も変更する必要がある。これにより、保持テーブルの準備作業が煩雑になり、ウェーハの加工効率が低下する。 However, if there is a discrepancy between the depth of the wafer's recess and the protrusion (height) of the holding part of the chuck table, the recess and outer periphery of the wafer will not be properly supported. Therefore, the protrusion of the holding part of the holding table must be precisely adjusted to match the depth of the wafer's recess. However, because the depth of the recess differs for each wafer, the protrusion of the holding part of the holding table must also be changed every time the wafer to be processed is changed. This makes preparation of the holding table cumbersome and reduces the efficiency of wafer processing.

本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、凹部を備えるウェーハを簡易且つ確実に保持可能な保持テーブルの提供を目的とする。 The present invention was made in consideration of these problems, and aims to provide a holding table that can easily and reliably hold a wafer with a recess.

本発明の一態様によれば、凹部と、該凹部を囲繞する環状の外周部と、を有するウェーハを保持する保持テーブルであって、ベースと、該ベースの上面から突出し該ウェーハの該凹部に挿入される保持部と、を備え、該ベースは、該ウェーハの該外周部に対応する領域に設けられた環状の溝と、該溝の内部に設けられエネルギーの付与によって軟化状態から硬化状態又は硬化状態から軟化状態に変化する支持部材と、を備え、該ウェーハの該凹部を該保持部によって保持するとともに、該ウェーハの該外周部を硬化状態の該支持部材によって支持する保持テーブルが提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided a holding table for holding a wafer having a recess and an annular outer periphery surrounding the recess, the holding table comprising a base and a holding part protruding from the upper surface of the base and inserted into the recess of the wafer, the base comprising an annular groove provided in an area corresponding to the outer periphery of the wafer, and a support member provided inside the groove and changing from a softened state to a hardened state or from a hardened state to a softened state by the application of energy, the holding table holding the recess of the wafer by the holding part and supporting the outer periphery of the wafer by the support member in a hardened state.

なお、好ましくは、該支持部材は、固化した状態で加熱されると液状に変化する部材である。 Preferably, the support member is a material that changes to a liquid state when heated in a solidified state.

本発明の一態様に係る保持テーブルでは、ウェーハの外周部を支持する部材として、エネルギーの付与によって硬さが変化する支持部材が用いられる。そして、ウェーハの凹部の深さに応じて支持部材を変形させることにより、凹部の深さが異なる複数の種類のウェーハを支持することが可能になる。これにより、凹部を有するウェーハを簡易に保持可能な保持テーブルが実現される。 In one embodiment of the present invention, a holding table uses a support member whose hardness changes when energy is applied as a member for supporting the outer periphery of the wafer. By deforming the support member according to the depth of the recess in the wafer, it becomes possible to support multiple types of wafers with recesses of different depths. This realizes a holding table that can easily hold wafers with recesses.

また、本発明の一態様に係る保持テーブルでは、ウェーハの凹部が保持部によって保持されるとともに、ウェーハの外周部が支持部材によって支持される。これにより、ウェーハが保持テーブルによって確実に保持され、ウェーハの位置ずれ等が生じにくくなる。 In addition, in a holding table according to one aspect of the present invention, the recess of the wafer is held by the holding portion, and the outer periphery of the wafer is supported by the support member. This allows the wafer to be securely held by the holding table, making it less likely for the wafer to become misaligned.

切削装置を示す斜視図である。FIG. 図２（Ａ）はウェーハの表面側を示す斜視図であり、図２（Ｂ）はウェーハの裏面側を示す斜視図である。FIG. 2A is a perspective view showing the front side of the wafer, and FIG. 2B is a perspective view showing the back side of the wafer. 図３（Ａ）はフレームによって支持されたウェーハを示す斜視図であり、図３（Ｂ）はフレームによって支持されたウェーハを示す断面図である。FIG. 3A is a perspective view showing a wafer supported by a frame, and FIG. 3B is a cross-sectional view showing the wafer supported by the frame. 図４（Ａ）は保持テーブルを示す斜視図であり、図４（Ｂ）は保持テーブルの一部を示す拡大断面図である。FIG. 4A is a perspective view showing the holding table, and FIG. 4B is an enlarged cross-sectional view showing a part of the holding table. ウェーハを保持する保持テーブルを示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a holding table that holds a wafer. 保持テーブルによって保持されたウェーハの一部を示す拡大断面図である。4 is an enlarged cross-sectional view showing a part of the wafer held by the holding table. FIG.

以下、添付図面を参照して本発明の一態様に係る実施形態を説明する。まず、本実施形態に係る保持テーブルを搭載可能な加工装置の構成例について説明する。図１は、被加工物に切削加工を施す切削装置２を示す斜視図である。なお、図１において、Ｘ軸方向（加工送り方向、第１水平方向、前後方向）とＹ軸方向（割り出し送り方向、第２水平方向、左右方向）とは、互いに垂直な方向である。また、Ｚ軸方向（鉛直方向、上下方向、高さ方向）は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向と垂直な方向である。 An embodiment according to one aspect of the present invention will be described below with reference to the attached drawings. First, an example of the configuration of a processing device capable of mounting a holding table according to this embodiment will be described. FIG. 1 is a perspective view showing a cutting device 2 that performs cutting processing on a workpiece. In FIG. 1, the X-axis direction (processing feed direction, first horizontal direction, front-back direction) and the Y-axis direction (indexing feed direction, second horizontal direction, left-right direction) are mutually perpendicular. Also, the Z-axis direction (vertical direction, up-down direction, height direction) is perpendicular to the X-axis direction and the Y-axis direction.

切削装置２は、切削装置２を構成する各構成要素を支持又は収容する基台４を備える。基台４の前方側の角部には矩形状の開口４ａが設けられており、開口４ａの内側にはカセット載置台（カセットエレベーター）６が設けられている。カセット載置台６には昇降機構（不図示）が連結されており、昇降機構はカセット載置台６をＺ軸方向に沿って昇降させる。 The cutting device 2 includes a base 4 that supports or houses each of the components that make up the cutting device 2. A rectangular opening 4a is provided at the front corner of the base 4, and a cassette mounting table (cassette elevator) 6 is provided inside the opening 4a. An elevation mechanism (not shown) is connected to the cassette mounting table 6, and the elevation mechanism raises and lowers the cassette mounting table 6 along the Z-axis direction.

カセット載置台６の上面上には、切削装置２による加工の対象となる複数の被加工物を収容するカセット８が載置される。図１では、カセット８の輪郭を二点鎖線で示している。例えばカセット８には、円盤状のウェーハ１１が被加工物として収容される。 A cassette 8 is placed on the upper surface of the cassette mounting table 6, and contains multiple workpieces to be processed by the cutting device 2. In FIG. 1, the outline of the cassette 8 is shown by a two-dot chain line. For example, the cassette 8 contains disk-shaped wafers 11 as workpieces.

図２（Ａ）はウェーハ１１の表面側を示す斜視図であり、図２（Ｂ）はウェーハ１１の裏面側を示す斜視図である。例えばウェーハ１１は、シリコン等の半導体でなる円盤状の基板であり、互いに概ね平行な表面（第１面）１１ａ及び裏面（第２面）１１ｂを備える。 Figure 2 (A) is a perspective view showing the front side of the wafer 11, and Figure 2 (B) is a perspective view showing the back side of the wafer 11. For example, the wafer 11 is a disk-shaped substrate made of a semiconductor such as silicon, and has a front surface (first surface) 11a and a back surface (second surface) 11b that are generally parallel to each other.

ウェーハ１１は、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ライン（ストリート）１３によって、複数の矩形状の領域に区画されている。そして、分割予定ライン１３によって区画された複数の領域にはそれぞれ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）等のデバイス１５が形成されている。 The wafer 11 is divided into a number of rectangular regions by a number of planned division lines (streets) 13 arranged in a grid pattern so as to intersect with one another. Devices 15 such as ICs (Integrated Circuits), LSIs (Large Scale Integration), LEDs (Light Emitting Diodes), and MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) are formed in each of the multiple regions divided by the planned division lines 13.

ウェーハ１１は、複数のデバイス１５が形成された略円形のデバイス領域１７ａと、デバイス領域１７ａを囲繞する環状の外周余剰領域１７ｂとを、表面１１ａ側に備える。外周余剰領域１７ｂは、表面１１ａの外周縁を含む所定の幅（例えば２ｍｍ程度）の環状の領域に相当する。図２（Ａ）では、デバイス領域１７ａと外周余剰領域１７ｂとの境界を二点鎖線で示している。 The wafer 11 has a substantially circular device region 17a on the surface 11a side, in which multiple devices 15 are formed, and an annular peripheral surplus region 17b surrounding the device region 17a. The peripheral surplus region 17b corresponds to an annular region of a predetermined width (e.g., about 2 mm) that includes the outer periphery of the surface 11a. In FIG. 2(A), the boundary between the device region 17a and the peripheral surplus region 17b is indicated by a two-dot chain line.

なお、ウェーハ１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えばウェーハ１１は、シリコン以外の半導体（ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ等）、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等でなる基板であってもよい。また、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。 There are no limitations on the material, shape, structure, size, etc. of the wafer 11. For example, the wafer 11 may be a substrate made of a semiconductor other than silicon (GaAs, InP, GaN, SiC, etc.), glass, ceramics, resin, metal, etc. Furthermore, there are no limitations on the type, number, shape, structure, size, arrangement, etc. of the devices 15.

ウェーハ１１を分割予定ライン１３に沿って格子状に分割することにより、デバイス１５をそれぞれ備える複数のデバイスチップが製造される。また、ウェーハ１１に対して薄化処理を施した後にウェーハ１１を分割すると、薄型化されたデバイスチップが得られる。 By dividing the wafer 11 into a grid pattern along the planned division lines 13, multiple device chips, each of which includes a device 15, are manufactured. In addition, by dividing the wafer 11 after subjecting it to a thinning process, thinned device chips are obtained.

ウェーハ１１の薄化には、例えば研削装置が用いられる。研削装置は、ウェーハ１１を保持する保持テーブル（チャックテーブル）と、複数の研削砥石を備える研削ホイールが装着される研削ユニットとを備える。保持テーブルでウェーハ１１を保持し、保持テーブルと研削ホイールとをそれぞれ回転させながら研削砥石をウェーハ１１の裏面１１ｂ側に接触させることにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側が研削され、ウェーハ１１が薄化される。 For example, a grinding device is used to thin the wafer 11. The grinding device includes a holding table (chuck table) that holds the wafer 11, and a grinding unit to which a grinding wheel equipped with multiple grinding stones is attached. The wafer 11 is held by the holding table, and the grinding stones are brought into contact with the back surface 11b of the wafer 11 while both the holding table and the grinding wheel are rotated, thereby grinding the back surface 11b of the wafer 11 and thinning the wafer 11.

ここで、仮にウェーハ１１の裏面１１ｂ側の全体を研削すると、ウェーハ１１の全体が薄化されてウェーハ１１の剛性が低下し、その後のウェーハ１１の取り扱い（ウェーハ１１の搬送、加工、洗浄等）の際にウェーハ１１が破損しやすくなる。そのため、薄化処理（研削加工）はウェーハ１１の裏面１１ｂ側の中央部のみに施すことが好ましい。 If the entire back surface 11b side of the wafer 11 is ground, the entire wafer 11 will be thinned, the rigidity of the wafer 11 will decrease, and the wafer 11 will be more susceptible to damage during subsequent handling of the wafer 11 (transportation, processing, cleaning, etc.). For this reason, it is preferable to perform the thinning process (grinding) only on the center of the back surface 11b side of the wafer 11.

ウェーハ１１は中央部のみが薄化されると、図２（Ｂ）に示すように、ウェーハ１１の裏面１１ｂの中央部には円形の凹部１９が形成される。なお、凹部１９は、デバイス領域１７ａに対応する位置に設けられる。例えば、凹部１９の直径はデバイス領域１７ａの直径と概ね同一に設定され、凹部１９はデバイス領域１７ａと重なる位置に形成される。 When only the central portion of the wafer 11 is thinned, a circular recess 19 is formed in the central portion of the back surface 11b of the wafer 11, as shown in FIG. 2(B). The recess 19 is provided at a position corresponding to the device region 17a. For example, the diameter of the recess 19 is set to be approximately the same as the diameter of the device region 17a, and the recess 19 is formed at a position overlapping the device region 17a.

凹部１９は、ウェーハ１１の表面１１ａ及び裏面１１ｂと概ね平行な円形の底面１９ａと、底面１９ａと概ね垂直で裏面１１ｂ及び底面１９ａに接続された環状の側面（内壁）１９ｂとを備える。また、凹部１９の周囲には、薄化処理（研削加工）が施されていないウェーハ１１の外周部２１が残存しており、外周部２１は凹部１９を囲繞している。 The recess 19 has a circular bottom surface 19a that is generally parallel to the front surface 11a and back surface 11b of the wafer 11, and an annular side surface (inner wall) 19b that is generally perpendicular to the bottom surface 19a and connected to the back surface 11b and bottom surface 19a. In addition, the outer periphery 21 of the wafer 11 that has not been subjected to the thinning process (grinding process) remains around the recess 19, and the outer periphery 21 surrounds the recess 19.

上記のように、ウェーハ１１の中央部のみを薄化すると、ウェーハ１１の外周部２１が厚い状態に維持されてウェーハ１１の剛性の低下が抑えられるため、ウェーハ１１の破損が生じにくくなる。すなわち、薄化されていないウェーハ１１の外周部２１が、ウェーハ１１を補強する補強部（補強領域）として機能する。 As described above, when only the central portion of the wafer 11 is thinned, the outer peripheral portion 21 of the wafer 11 remains thick, suppressing a decrease in the rigidity of the wafer 11, making the wafer 11 less likely to be damaged. In other words, the outer peripheral portion 21 of the wafer 11 that is not thinned functions as a reinforcing portion (reinforcing region) that reinforces the wafer 11.

凹部１９が形成されたウェーハ１１は、切削装置２（図１参照）によって分割予定ライン１３に沿って切断され、複数のデバイスチップに分割される。そして、ウェーハ１１を切削装置２によって加工する際には、まず、ウェーハ１１を環状のフレームで支持する。 The wafer 11 with the recesses 19 formed therein is cut along the intended division lines 13 by a cutting device 2 (see FIG. 1) and divided into a number of device chips. When the wafer 11 is processed by the cutting device 2, the wafer 11 is first supported by an annular frame.

図３（Ａ）はフレーム２５によって支持されたウェーハ１１を示す斜視図であり、図３（Ｂ）はフレーム２５によって支持されたウェーハ１１を示す断面図である。ウェーハ１１の裏面１１ｂ側には、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側の全体を覆うことが可能な大きさのテープ２３が貼付される。例えば、ウェーハ１１よりも直径の大きい円形のテープ２３が、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を覆うように貼付される。 Figure 3 (A) is a perspective view showing the wafer 11 supported by a frame 25, and Figure 3 (B) is a cross-sectional view showing the wafer 11 supported by the frame 25. A tape 23 large enough to cover the entire back surface 11b of the wafer 11 is attached to the back surface 11b of the wafer 11. For example, a circular tape 23 with a diameter larger than the wafer 11 is attached so as to cover the back surface 11b of the wafer 11.

テープ２３としては、円形の基材と、基材上に設けられた粘着層（糊層）とを備える柔軟なフィルムを用いることができる。例えば、基材はポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタラート等の樹脂でなり、粘着層はエポキシ系、アクリル系、又はゴム系の接着剤等でなる。また、粘着層には、紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化性樹脂を用いることもできる。 The tape 23 may be a flexible film having a circular base material and an adhesive layer (glue layer) provided on the base material. For example, the base material may be made of a resin such as polyolefin, polyvinyl chloride, or polyethylene terephthalate, and the adhesive layer may be made of an epoxy-, acrylic-, or rubber-based adhesive. The adhesive layer may also be made of an ultraviolet-curable resin that hardens when exposed to ultraviolet light.

テープ２３は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側の輪郭に沿って貼付される。すなわち、テープ２３は図３（Ｂ）に示すように、凹部１９の底面１９ａ及び側面１９ｂと、外周部２１の裏面（下面）とに沿って貼付される。なお、図３（Ｂ）では、凹部１９の底面１９ａの外周部においてウェーハ１１とテープ２３との間に僅かな隙間が存在する例を示しているが、テープ２３は、底面１９ａ及び側面１９ｂの全域に密着するように貼付されてもよい。 The tape 23 is applied along the contour of the back surface 11b of the wafer 11. That is, as shown in FIG. 3(B), the tape 23 is applied along the bottom surface 19a and side surface 19b of the recess 19 and the back surface (lower surface) of the outer periphery 21. Note that FIG. 3(B) shows an example in which there is a small gap between the wafer 11 and the tape 23 at the outer periphery of the bottom surface 19a of the recess 19, but the tape 23 may be applied so as to be in close contact with the entire bottom surface 19a and side surface 19b.

テープ２３の外周部には、ＳＵＳ（ステンレス鋼）等の金属でなる環状のフレーム２５が貼付される。フレーム２５の中央部には、ウェーハ１１を収容可能な円形の開口２５ａが設けられている。そして、ウェーハ１１は、開口２５ａの内側で露出するテープ２３の中央部に貼付される。これにより、ウェーハ１１がテープ２３を介してフレーム２５によって支持される。そして、フレーム２５によって支持された状態のウェーハ１１が、カセット８（図１参照）に収容される。 A ring-shaped frame 25 made of a metal such as SUS (stainless steel) is attached to the outer periphery of the tape 23. A circular opening 25a capable of accommodating the wafer 11 is provided in the center of the frame 25. The wafer 11 is then affixed to the center of the tape 23 exposed inside the opening 25a. In this way, the wafer 11 is supported by the frame 25 via the tape 23. The wafer 11 supported by the frame 25 is then housed in the cassette 8 (see FIG. 1).

基台４の開口４ａの側方に位置する領域には、長手方向がＸ軸方向に沿う矩形状の開口４ｂが設けられている。開口４ｂの内側には、ボールねじ式の移動ユニット（移動機構）１０が設けられている。移動ユニット１０の上部は、蛇腹状の防塵防滴カバー１２及び板状の移動テーブル１４によって覆われている。 A rectangular opening 4b with its longitudinal direction along the X-axis direction is provided in an area located to the side of the opening 4a of the base 4. A ball screw type moving unit (moving mechanism) 10 is provided inside the opening 4b. The upper part of the moving unit 10 is covered by a bellows-shaped dust-proof and drip-proof cover 12 and a plate-shaped moving table 14.

移動テーブル１４上には、ウェーハ１１を保持する保持テーブル（チャックテーブル）１６が設けられている。保持テーブル１６の上面は、ウェーハ１１を保持する保持面１６ａを構成している。なお、保持テーブル１６の構成の詳細については後述する（図４（Ａ）参照）。また、保持テーブル１６の周囲には、ウェーハ１１を支持するフレーム２５を把持して固定する複数のクランプ１８が設けられている。 A holding table (chuck table) 16 that holds the wafer 11 is provided on the moving table 14. The upper surface of the holding table 16 constitutes a holding surface 16a that holds the wafer 11. Details of the configuration of the holding table 16 will be described later (see FIG. 4(A)). In addition, a number of clamps 18 that grip and fix a frame 25 that supports the wafer 11 are provided around the periphery of the holding table 16.

移動ユニット１０は、保持テーブル１６を移動テーブル１４とともにＸ軸方向に沿って移動させる。また、保持テーブル１６にはモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、回転駆動源は保持テーブル１６をＺ軸方向に概ね平行な回転軸の周りで回転させる。 The moving unit 10 moves the holding table 16 together with the moving table 14 along the X-axis direction. In addition, a rotational drive source (not shown) such as a motor is connected to the holding table 16, and the rotational drive source rotates the holding table 16 around a rotation axis that is roughly parallel to the Z-axis direction.

基台４の開口４ｂと隣接する領域には、支持構造２０が設けられている。支持構造２０の上部は、開口４ｂと重なるようにＹ軸方向に沿って配置されている。また、支持構造２０の上部の前面側には、ボールねじ式の移動ユニット（移動機構）２２が設けられている。 A support structure 20 is provided in the area adjacent to the opening 4b of the base 4. The upper part of the support structure 20 is arranged along the Y-axis direction so as to overlap with the opening 4b. In addition, a ball screw type moving unit (moving mechanism) 22 is provided on the front side of the upper part of the support structure 20.

移動ユニット２２は、支持構造２０の前面側に固定された一対のガイドレール２４を備える。一対のガイドレール２４は、Ｙ軸方向に沿って互いに平行に配置されている。また、一対のガイドレール２４には、平板状の移動プレート２６がガイドレール２４に沿ってＹ軸方向にスライド可能な状態で装着されている。 The moving unit 22 has a pair of guide rails 24 fixed to the front side of the support structure 20. The pair of guide rails 24 are arranged parallel to each other along the Y-axis direction. In addition, a flat moving plate 26 is attached to the pair of guide rails 24 in a state in which it can slide along the guide rails 24 in the Y-axis direction.

移動プレート２６の裏面側（後面側）には、ナット部（不図示）が設けられている。このナット部には、ガイドレール２４と概ね平行に配置されたボールねじ２８が螺合されている。また、ボールねじ２８の一端部にはパルスモータ（不図示）が連結されている。パルスモータによってボールねじ２８を回転させると、移動プレート２６がガイドレール２４に沿ってＹ軸方向に移動する。 A nut portion (not shown) is provided on the back side (rear side) of the moving plate 26. A ball screw 28 arranged generally parallel to the guide rail 24 is screwed into this nut portion. A pulse motor (not shown) is also connected to one end of the ball screw 28. When the ball screw 28 is rotated by the pulse motor, the moving plate 26 moves in the Y-axis direction along the guide rail 24.

移動プレート２６の表面側（前面側）には、Ｚ軸方向に沿って互いに平行に配置された一対のガイドレール３０が固定されている。また、一対のガイドレール３０には、平板状の移動プレート３２がガイドレール３０に沿ってＺ軸方向にスライド可能な状態で装着されている。 A pair of guide rails 30 are fixed to the surface side (front side) of the moving plate 26, and are arranged parallel to each other along the Z-axis direction. In addition, a flat moving plate 32 is attached to the pair of guide rails 30 in a state in which it can slide along the guide rails 30 in the Z-axis direction.

移動プレート３２の裏面側（後面側）には、ナット部（不図示）が設けられている。このナット部には、ガイドレール３０と概ね平行に配置されたボールねじ３４が螺合されている。また、ボールねじ３４の一端部には、パルスモータ３６が連結されている。パルスモータ３６によってボールねじ３４を回転させると、移動プレート３２がガイドレール３０に沿ってＺ軸方向に移動する。 A nut portion (not shown) is provided on the back side (rear side) of the moving plate 32. A ball screw 34 arranged generally parallel to the guide rail 30 is screwed into this nut portion. A pulse motor 36 is connected to one end of the ball screw 34. When the ball screw 34 is rotated by the pulse motor 36, the moving plate 32 moves in the Z-axis direction along the guide rail 30.

移動プレート３２の下部には、ウェーハ１１に切削加工を施す加工ユニット（切削ユニット）３８が固定されている。加工ユニット３８は筒状のハウジング４０を備えており、ハウジング４０にはＹ軸方向に沿って配置された円筒状のスピンドル（不図示）が収容されている。スピンドルの先端部（一端側）はハウジング４０の外部に露出し、スピンドルの基端部（他端側）にはスピンドルを回転させるモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されている。 A processing unit (cutting unit) 38 that performs cutting processing on the wafer 11 is fixed to the lower part of the moving plate 32. The processing unit 38 has a cylindrical housing 40, and the housing 40 contains a cylindrical spindle (not shown) arranged along the Y-axis direction. The tip (one end) of the spindle is exposed to the outside of the housing 40, and the base end (the other end) of the spindle is connected to a rotational drive source (not shown) such as a motor that rotates the spindle.

スピンドルの先端部には、環状の切削ブレード４２が装着される。切削ブレード４２は、ウェーハ１１に切り込んでウェーハ１１を切削する加工工具であり、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ：cubic Boron Nitride）等でなる砥粒をボンド材で固定することによって形成される。なお、砥粒及びボンド材の材質、砥粒の粒径等に制限はなく、ウェーハ１１の材質、切削加工の内容等に応じて適宜選択される。 An annular cutting blade 42 is attached to the tip of the spindle. The cutting blade 42 is a processing tool that cuts into the wafer 11 to cut it, and is formed by fixing abrasive grains made of diamond, cubic boron nitride (cBN), etc. with a bond material. There are no restrictions on the materials of the abrasive grains and bond material, or the grain size of the abrasive grains, and they are selected appropriately depending on the material of the wafer 11, the details of the cutting process, etc.

切削ブレード４２としては、例えばハブタイプの切削ブレード（ハブブレード）が用いられる。ハブブレードは、金属等でなる環状の基台と、基台の外周縁に沿って形成された環状の切刃とが一体となって構成される。ハブブレードの切刃としては、例えば、砥粒をニッケルめっき等のボンド材で固定することによって形成された電鋳砥石が用いられる。 As the cutting blade 42, for example, a hub-type cutting blade (hub blade) is used. The hub blade is composed of an annular base made of metal or the like, and an annular cutting edge formed along the outer periphery of the base. As the cutting edge of the hub blade, for example, an electroformed grinding wheel formed by fixing abrasive grains with a bonding material such as nickel plating is used.

一方、切削ブレード４２として、ワッシャータイプの切削ブレード（ワッシャーブレード）を用いることもできる。ワッシャーブレードは、砥粒を金属、セラミックス、樹脂等でなる結合材で固定することによって形成された環状の切刃である。 On the other hand, a washer-type cutting blade (washer blade) can also be used as the cutting blade 42. A washer blade is an annular cutting edge formed by fixing abrasive grains with a binder made of metal, ceramics, resin, etc.

加工ユニット３８に装着された切削ブレード４２は、移動ユニット２２によって移動する。これにより、切削ブレード４２のＹ軸方向における位置やウェーハ１１への切り込み深さが調整される。 The cutting blade 42 attached to the processing unit 38 is moved by the moving unit 22. This allows the position of the cutting blade 42 in the Y-axis direction and the cutting depth into the wafer 11 to be adjusted.

加工ユニット３８に隣接する位置には、保持テーブル１６によって保持されたウェーハ１１を撮像する撮像ユニット（カメラ）４４が設けられている。保持テーブル１６で保持されたウェーハ１１を撮像ユニット４４で撮像することによって取得された画像は、ウェーハ１１と加工ユニット３８との位置合わせ等に用いられる。 An imaging unit (camera) 44 that captures an image of the wafer 11 held by the holding table 16 is provided adjacent to the processing unit 38. The image captured by the imaging unit 44 of the wafer 11 held by the holding table 16 is used for aligning the wafer 11 with the processing unit 38, etc.

開口４ｂの開口４ａとは反対側の側方には、円筒状の洗浄空間（洗浄チャンバー）を画定する開口４ｃが設けられている。開口４ｃの内側には、ウェーハ１１を洗浄する洗浄ユニット４６が設けられている。洗浄ユニット４６は、ウェーハ１１を保持する保持テーブル（スピンナテーブル）４８を備える。保持テーブル４８には、保持テーブル４８をＺ軸方向と概ね平行な回転軸の周りで回転させるモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されている。また、保持テーブル４８の周囲には、ウェーハ１１を支持するフレーム２５を把持して固定する複数のクランプ５０が設けられている。 On the side of the opening 4b opposite the opening 4a, an opening 4c is provided that defines a cylindrical cleaning space (cleaning chamber). Inside the opening 4c, a cleaning unit 46 that cleans the wafer 11 is provided. The cleaning unit 46 includes a holding table (spinner table) 48 that holds the wafer 11. A rotation drive source (not shown), such as a motor, that rotates the holding table 48 around a rotation axis that is roughly parallel to the Z-axis direction is connected to the holding table 48. In addition, a plurality of clamps 50 that grip and fix the frame 25 that supports the wafer 11 are provided around the periphery of the holding table 48.

保持テーブル４８の上方には、保持テーブル４８によって保持されたウェーハ１１に向かって洗浄用の流体（例えば、水とエアーとが混合された混合流体）を供給するノズル５２が配置されている。ウェーハ１１を保持した保持テーブル４８を回転させながら、ノズル５２からウェーハ１１に向かって流体を供給することにより、ウェーハ１１が洗浄される。 A nozzle 52 is disposed above the holding table 48, which supplies a cleaning fluid (e.g., a mixed fluid of water and air) toward the wafer 11 held by the holding table 48. The wafer 11 is cleaned by supplying fluid from the nozzle 52 toward the wafer 11 while rotating the holding table 48 holding the wafer 11.

切削装置２によってウェーハ１１を加工する際は、まず、カセット８に収容されたウェーハ１１を搬送機構（不図示）によって保持テーブル１６に搬送し、ウェーハ１１を保持テーブル１６によって保持する。また、複数のクランプ１８によってフレーム２５を固定する。そして、ウェーハ１１に向かって純水等の液体（切削液）を供給しながら、加工ユニット３８に装着された切削ブレード４２を回転させてウェーハ１１に切り込ませる。これにより、ウェーハ１１が切削される。 When processing the wafer 11 using the cutting device 2, first, the wafer 11 stored in the cassette 8 is transported to the holding table 16 by a transport mechanism (not shown), and the wafer 11 is held by the holding table 16. The frame 25 is also fixed by a number of clamps 18. Then, while liquid (cutting fluid) such as pure water is supplied toward the wafer 11, the cutting blade 42 attached to the processing unit 38 is rotated to cut into the wafer 11. This causes the wafer 11 to be cut.

加工後のウェーハ１１は搬送機構（不図示）によって洗浄ユニット４６に搬送され、洗浄ユニット４６によって洗浄される。その後、ウェーハ１１は搬送機構（不図示）によって搬送され、カセット８に収容される。 After processing, the wafer 11 is transported by a transport mechanism (not shown) to the cleaning unit 46 and cleaned by the cleaning unit 46. The wafer 11 is then transported by a transport mechanism (not shown) and stored in the cassette 8.

次に、切削装置２に搭載された保持テーブル１６の構成例について説明する。図４（Ａ）は、保持テーブル１６を示す斜視図である。保持テーブル１６は、凹部１９（図２（Ｂ）及び図３（Ｂ）参照）を有するウェーハ１１を保持可能な保持テーブルである。 Next, an example of the configuration of the holding table 16 mounted on the cutting device 2 will be described. FIG. 4(A) is a perspective view showing the holding table 16. The holding table 16 is a holding table capable of holding a wafer 11 having a recess 19 (see FIG. 2(B) and FIG. 3(B)).

保持テーブル１６は、ガラス、セラミックス、金属、樹脂等でなる円盤状のベース（基台、枠体）６０を備える。ベース６０の中央部には、ベース６０の上面６０ａから上方に突出する円柱状の保持部６２が設けられている。なお、保持部６２は、ベース６０と一体化していてもよいし、ベース６０とは独立して形成された後にベース６０の上面６０ａ側に固定されてもよい。 The holding table 16 has a disk-shaped base (base, frame) 60 made of glass, ceramics, metal, resin, etc. A cylindrical holding portion 62 that protrudes upward from the upper surface 60a of the base 60 is provided in the center of the base 60. The holding portion 62 may be integrated with the base 60, or may be formed independently of the base 60 and then fixed to the upper surface 60a of the base 60.

保持部６２の上面６２ａ側の中央部には、円柱状の凹部（溝）６２ｂが設けられており、凹部６２ｂには円盤状の保持部材６４が嵌め込まれている。保持部材６４は、ポーラスセラミックス等の多孔質材料でなる部材であり、内部に保持部材６４の上面から下面に連通する空孔（吸引路）を含んでいる。 A cylindrical recess (groove) 62b is provided in the center of the upper surface 62a of the holding part 62, and a disk-shaped holding member 64 is fitted into the recess 62b. The holding member 64 is made of a porous material such as porous ceramics, and contains holes (suction paths) inside that connect the upper surface to the lower surface of the holding member 64.

保持部材６４は、ベース６０に設けられた流路６０ｂ（図５参照）、バルブ（不図示）等を介して、エジェクタ等の吸引源７０（図５参照）に接続されている。そして、保持部材６４の上面６４ａは、ウェーハ１１を吸引する円形の吸引面を構成している。また、保持部６２の上面６２ａと保持部材６４の上面６４ａとは、概ね同一平面上に配置され、保持テーブル１６の保持面１６ａを構成している。 The holding member 64 is connected to a suction source 70 (see FIG. 5), such as an ejector, via a flow path 60b (see FIG. 5) provided in the base 60, a valve (not shown), and the like. The upper surface 64a of the holding member 64 forms a circular suction surface that sucks the wafer 11. The upper surface 62a of the holding part 62 and the upper surface 64a of the holding member 64 are disposed on approximately the same plane, and form the holding surface 16a of the holding table 16.

ベース６０の上面６０ａ側のうち保持部６２の外側の領域には、環状の溝６６が設けられている。例えば溝６６は、保持部６２に隣接するように保持部６２の外周縁に沿って所定の幅で形成され、保持部６２を囲繞している。 A ring-shaped groove 66 is provided in the area of the upper surface 60a of the base 60 outside the holding portion 62. For example, the groove 66 is formed with a predetermined width along the outer periphery of the holding portion 62 so as to be adjacent to the holding portion 62, and surrounds the holding portion 62.

図４（Ｂ）は、保持テーブル１６の一部を示す拡大断面図である。溝６６は、ベース６０の半径方向内側に位置する環状の側面（内壁）６６ａと、ベース６０の半径方向外側に位置する環状の側面（内壁）６６ｂとを含む。例えば、側面６６ａは保持部６２の側面と概ね同一平面上に形成される。また、側面６６ｂは曲面状に形成される。具体的には、側面６６ｂは、溝６６の底からベース６０の上面６０ａに向かって徐々に傾斜が小さくなるように、上に凸型に形成されている。 Figure 4 (B) is an enlarged cross-sectional view showing a part of the holding table 16. The groove 66 includes an annular side surface (inner wall) 66a located on the radially inner side of the base 60, and an annular side surface (inner wall) 66b located on the radially outer side of the base 60. For example, the side surface 66a is formed on approximately the same plane as the side surface of the holding portion 62. In addition, the side surface 66b is formed in a curved shape. Specifically, the side surface 66b is formed in an upward convex shape so that the inclination gradually decreases from the bottom of the groove 66 toward the upper surface 60a of the base 60.

溝６６の内部には、ウェーハ１１の外周部２１（図５参照）を支持する支持部材６８が設けられている。支持部材６８は、エネルギーの付与によって硬さが変化する部材である。なお、支持部材６８の詳細については後述する。 A support member 68 is provided inside the groove 66 to support the outer periphery 21 (see FIG. 5) of the wafer 11. The support member 68 is a member whose hardness changes when energy is applied to it. Details of the support member 68 will be described later.

図５は、ウェーハ１１を保持する保持テーブル１６を示す断面図である。保持テーブル１６の保持部６２は、ウェーハ１１の凹部１９に挿入可能な大きさで形成されている。例えば、保持部６２の直径はウェーハ１１の凹部１９の直径未満に設定される。また、溝６６は、ウェーハ１１の外周部２１に対応する領域に設けられている。例えば、溝６６の外径（側面６６ｂの上端の直径）はウェーハ１１の直径以上に設定され、溝６６の幅はウェーハ１１の外周部２１の幅以上に設定される。また、溝６６の位置は、ウェーハ１１が保持テーブル１６の上方に配置された際に、ウェーハ１１の外周部２１と溝６６とが重なるように設定される。 Figure 5 is a cross-sectional view showing the holding table 16 that holds the wafer 11. The holding portion 62 of the holding table 16 is formed to a size that allows it to be inserted into the recess 19 of the wafer 11. For example, the diameter of the holding portion 62 is set to be less than the diameter of the recess 19 of the wafer 11. In addition, the groove 66 is provided in an area corresponding to the outer periphery 21 of the wafer 11. For example, the outer diameter of the groove 66 (the diameter of the upper end of the side surface 66b) is set to be greater than or equal to the diameter of the wafer 11, and the width of the groove 66 is set to be greater than or equal to the width of the outer periphery 21 of the wafer 11. In addition, the position of the groove 66 is set so that the outer periphery 21 of the wafer 11 and the groove 66 overlap when the wafer 11 is placed above the holding table 16.

ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が保持面１６ａと対向するように保持テーブル１６上に配置される。このときウェーハ１１は、保持部６２の上面６２ａ側が凹部１９に挿入されて嵌め込まれるように配置される。これにより、ウェーハ１１の凹部１９の底面１９ａが、テープ２３を介して保持面１６ａによって支持される。そして、保持部材６４の上面６４ａに吸引源７０の負圧を作用させると、ウェーハ１１の凹部１９の底面１９ａがテープ２３を介して保持部６２によって吸引保持される。 The wafer 11 is placed on the holding table 16 so that the back surface 11b faces the holding surface 16a. At this time, the wafer 11 is placed so that the top surface 62a of the holding part 62 is inserted and fitted into the recess 19. As a result, the bottom surface 19a of the recess 19 of the wafer 11 is supported by the holding surface 16a via the tape 23. Then, when negative pressure from the suction source 70 is applied to the top surface 64a of the holding member 64, the bottom surface 19a of the recess 19 of the wafer 11 is suction-held by the holding part 62 via the tape 23.

また、ウェーハ１１の外周部２１の下面側が、ベース６０に設けられた溝６６に挿入される。その結果、ウェーハ１１の外周部２１の下面側に貼付されたテープ２３が、溝６６に充填された支持部材６８と接触する。 The lower surface side of the outer periphery 21 of the wafer 11 is inserted into a groove 66 provided in the base 60. As a result, the tape 23 attached to the lower surface side of the outer periphery 21 of the wafer 11 comes into contact with the support member 68 filled in the groove 66.

図６は、保持テーブル１６によって保持されたウェーハ１１の一部を示す拡大断面図である。ここで、支持部材６８は、所定のエネルギーの付与によって硬化し、軟化状態（非硬化状態）から硬化状態に変化する部材である。 Figure 6 is an enlarged cross-sectional view showing a portion of the wafer 11 held by the holding table 16. Here, the support member 68 is a member that hardens when a predetermined amount of energy is applied thereto, and changes from a softened state (unhardened state) to a hardened state.

例えば支持部材６８は、エネルギーの付与前は流動性があり自由に変形可能な状態であり、所定のエネルギーが付与されると固化して形状が固定される物質によって構成される。具体的には、支持部材６８は、電磁波（可視光線、赤外線、紫外線、マイクロ波等）の照射によって硬化する物質でなる。 For example, the support member 68 is made of a material that is fluid and freely deformable before the application of energy, and that solidifies and fixes its shape when a predetermined amount of energy is applied. Specifically, the support member 68 is made of a material that hardens when exposed to electromagnetic waves (visible light, infrared light, ultraviolet light, microwaves, etc.).

例えば支持部材６８として、紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化性樹脂、可視光の照射によって硬化する可視光硬化性樹脂、加熱によって硬化する熱硬化性樹脂等を用いることができる。また、支持部材６８として、超音波の付与によって硬化する物質（ａｎｔｉ－Ｐｄ２Ｌ２等）を用いてもよい。 For example, an ultraviolet-curable resin that is cured by irradiation with ultraviolet rays, a visible-light-curable resin that is cured by irradiation with visible light, a thermosetting resin that is cured by heating, etc. may be used as the support member 68. In addition, a substance that is cured by application of ultrasonic waves (anti-Pd 2 L 2 , etc.) may also be used as the support member 68.

ウェーハ１１を保持テーブル１６上に配置する際、支持部材６８は、硬化していない状態（非硬化状態、軟化状態）、すなわち、外力の付与によって変形可能な状態に維持される。そして、ウェーハ１１の外周部２１が溝６６に挿入されると、ウェーハ１１の外周部２１の位置（高さ）に応じて支持部材６８が変形する。これにより、ウェーハ１１の外周部２１に貼付されているテープ２３が、支持部材６８に埋め込まれる。 When the wafer 11 is placed on the holding table 16, the support member 68 is maintained in an unhardened state (unhardened state, softened state), i.e., in a state in which it can be deformed by the application of an external force. Then, when the outer periphery 21 of the wafer 11 is inserted into the groove 66, the support member 68 deforms according to the position (height) of the outer periphery 21 of the wafer 11. As a result, the tape 23 attached to the outer periphery 21 of the wafer 11 becomes embedded in the support member 68.

なお、図６に示すように、ウェーハ１１が保持テーブル１６によって保持される際、テープ２３の一部は溝６６の側面６６ｂに接触する。そのため、側面６６ｂは曲面状に形成されていることが好ましい。これにより、テープ２３に局所的な力がかかることを防止でき、テープ２３の損傷が生じにくくなる。 As shown in FIG. 6, when the wafer 11 is held by the holding table 16, a part of the tape 23 comes into contact with the side surface 66b of the groove 66. Therefore, it is preferable that the side surface 66b is formed in a curved shape. This can prevent localized force from being applied to the tape 23, making the tape 23 less likely to be damaged.

次に、支持部材６８に所定のエネルギーを付与し、支持部材６８を硬化させる。例えば、保持テーブル１６の下方には支持部材６８に所定のエネルギーを付与するエネルギー付与ユニット７２が設けられている。そして、エネルギー付与ユニット７２によって支持部材６８にエネルギーを付与すると、支持部材６８が硬化し、テープ２３と接触した状態で固化する。 Next, a predetermined energy is applied to the support member 68, causing the support member 68 to harden. For example, an energy application unit 72 that applies a predetermined energy to the support member 68 is provided below the holding table 16. When energy is applied to the support member 68 by the energy application unit 72, the support member 68 hardens and solidifies in a state of contact with the tape 23.

エネルギー付与ユニット７２から支持部材６８に付与されるエネルギーの種類は、支持部材６８の性質に応じて設定される。例えば、支持部材６８が紫外線硬化性樹脂である場合には、エネルギー付与ユニット７２として紫外線を照射する光源（ランプ）が用いられ、エネルギー付与ユニット７２からベース６０を介して支持部材６８に紫外線が照射される。また、支持部材６８が可視光硬化性樹脂である場合には、エネルギー付与ユニット７２として可視光を照射する光源（ランプ）が用いられ、エネルギー付与ユニット７２からベース６０を介して支持部材６８に可視光が照射される。 The type of energy applied from the energy applying unit 72 to the support member 68 is set according to the properties of the support member 68. For example, if the support member 68 is made of ultraviolet curable resin, a light source (lamp) that irradiates ultraviolet light is used as the energy applying unit 72, and the ultraviolet light is applied from the energy applying unit 72 to the support member 68 via the base 60. Also, if the support member 68 is made of visible light curable resin, a light source (lamp) that irradiates visible light is used as the energy applying unit 72, and the visible light is applied from the energy applying unit 72 to the support member 68 via the base 60.

また、支持部材６８が熱硬化性樹脂である場合には、エネルギー付与ユニット７２として赤外線ランプ等のヒーターが用いられ、エネルギー付与ユニット７２によって支持部材６８が加熱される。また、支持部材６８が超音波の付与によって硬化する部材である場合には、エネルギー付与ユニット７２として超音波を発する超音波発振器が用いられ、エネルギー付与ユニット７２から支持部材６８に超音波が照射される。 When the support member 68 is a thermosetting resin, a heater such as an infrared lamp is used as the energy imparting unit 72, and the support member 68 is heated by the energy imparting unit 72. When the support member 68 is a member that hardens when subjected to ultrasonic waves, an ultrasonic oscillator that emits ultrasonic waves is used as the energy imparting unit 72, and ultrasonic waves are irradiated from the energy imparting unit 72 to the support member 68.

支持部材６８が固化すると、ウェーハ１１の外周部２１がテープ２３を介して支持部材６８によって下側から支持される。その結果、ウェーハ１１の凹部１９が保持部６２によって保持されるとともに、ウェーハ１１の外周部２１が硬化状態の支持部材６８によって支持される。これにより、ウェーハ１１の全体が保持テーブル１６に確実に固定される。 When the support member 68 solidifies, the outer periphery 21 of the wafer 11 is supported from below by the support member 68 via the tape 23. As a result, the recess 19 of the wafer 11 is held by the holding portion 62, and the outer periphery 21 of the wafer 11 is supported by the hardened support member 68. This ensures that the entire wafer 11 is securely fixed to the holding table 16.

なお、保持テーブル１６によって保持されるウェーハ１１の外周部２１の位置（高さ）は、ウェーハ１１の凹部１９の深さよって異なる。具体的には、ウェーハ１１の凹部１９が深いほど、凹部１９の底面１９ａがウェーハ１１の表面１１ａ側に位置付けられ、ウェーハ１１の裏面１１ｂ（外周部２１の下面）は下方に配置される。そのため、ウェーハ１１の外周部２１の下面と溝６６の底面との距離（高さの差）は、凹部１９の深さによって異なる。 The position (height) of the outer periphery 21 of the wafer 11 held by the holding table 16 differs depending on the depth of the recess 19 of the wafer 11. Specifically, the deeper the recess 19 of the wafer 11, the closer the bottom surface 19a of the recess 19 is to the front surface 11a of the wafer 11, and the lower the back surface 11b of the wafer 11 (the lower surface of the outer periphery 21). Therefore, the distance (height difference) between the lower surface of the outer periphery 21 of the wafer 11 and the bottom surface of the groove 66 differs depending on the depth of the recess 19.

ここで、上記のように支持部材６８を用いると、ウェーハ１１が保持テーブル１６上に配置された際、ウェーハ１１が平らな状態（撓んでいない状態）に維持されるように、非硬化状態の支持部材６８が凹部１９の深さに応じて変形する。その後、支持部材６８にエネルギーを付与すると、支持部材６８は凹部１９の深さに応じて変形した状態で硬化し、ウェーハ１１の外周部２１を支持する。 Here, when the support member 68 is used as described above, when the wafer 11 is placed on the holding table 16, the unhardened support member 68 deforms according to the depth of the recess 19 so that the wafer 11 is maintained in a flat state (unbent state). When energy is then applied to the support member 68, the support member 68 hardens in a state in which it has been deformed according to the depth of the recess 19, and supports the outer periphery 21 of the wafer 11.

すなわち、支持部材６８は、ウェーハ１１の凹部１９の深さに応じて厚さが可変である支持部材として機能する。そのため、保持テーブル１６は、凹部１９の深さが異なる複数の種類のウェーハ１１を保持できる。その結果、ウェーハ１１の凹部１９の深さに応じて保持部６２の高さ（突出量）を調整する作業が不要となり、凹部１９を有するウェーハ１１を簡易に保持できる。 In other words, the support member 68 functions as a support member whose thickness is variable according to the depth of the recess 19 of the wafer 11. Therefore, the holding table 16 can hold multiple types of wafers 11 with recesses 19 of different depths. As a result, it is not necessary to adjust the height (amount of protrusion) of the holding portion 62 according to the depth of the recess 19 of the wafer 11, and the wafer 11 having the recess 19 can be easily held.

保持テーブル１６によって保持されたウェーハ１１は、加工ユニット３８（図１参照）に装着された切削ブレード４２によって切削される。例えば、ウェーハ１１を切削ブレード４２で分割予定ライン１３（図２（Ａ）参照）に沿って分割することにより、デバイス１５をそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。 The wafer 11 held by the holding table 16 is cut by a cutting blade 42 attached to the processing unit 38 (see FIG. 1). For example, the wafer 11 is divided by the cutting blade 42 along the planned division lines 13 (see FIG. 2(A)), to obtain a plurality of device chips, each of which includes a device 15.

ウェーハ１１を分割する際は、まず、ウェーハ１１から環状の外周部２１を除去する。具体的には、切削ブレード４２がウェーハ１１の凹部１９の外周部の直上に配置されるように、保持テーブル１６及び切削ブレード４２の位置を調整する。次に、切削ブレード４２を回転させながら下降させ、切削ブレード４２をウェーハ１１の凹部１９の外周部に切り込ませる。このときの切削ブレード４２の下降量は、切削ブレード４２の下端がテープ２３に達するように設定される。 When dividing the wafer 11, first, the annular outer periphery 21 is removed from the wafer 11. Specifically, the positions of the holding table 16 and the cutting blade 42 are adjusted so that the cutting blade 42 is positioned directly above the outer periphery of the recess 19 of the wafer 11. Next, the cutting blade 42 is lowered while rotating, so that the cutting blade 42 cuts into the outer periphery of the recess 19 of the wafer 11. The amount of descent of the cutting blade 42 at this time is set so that the bottom end of the cutting blade 42 reaches the tape 23.

そして、切削ブレード４２がウェーハ１１に切り込んだ状態で、切削ブレード４２の回転を維持したまま保持テーブル１６を回転させる。これにより、ウェーハ１１が凹部１９の外周部に沿って環状に切削され、切断される。その結果、ウェーハ１１から環状の外周部２１が分離される。そして、ウェーハ１１から分離された外周部２１は、テープ２３から剥離され、除去される。 Then, with the cutting blade 42 cutting into the wafer 11, the holding table 16 is rotated while continuing to rotate the cutting blade 42. This causes the wafer 11 to be cut and cut into an annular shape along the outer periphery of the recess 19. As a result, the annular outer periphery 21 is separated from the wafer 11. The outer periphery 21 separated from the wafer 11 is then peeled off from the tape 23 and removed.

その後、外周部２１が除去されたウェーハ１１を分割予定ライン１３（図２（Ａ）参照）に沿って切削する。これにより、ウェーハ１１の薄化された中央部が複数のデバイスチップに分割され、薄型化されたデバイスチップが得られる。 Then, the wafer 11 from which the outer periphery 21 has been removed is cut along the intended division lines 13 (see FIG. 2(A)). As a result, the thinned central portion of the wafer 11 is divided into multiple device chips, and thinned device chips are obtained.

上記のように、ウェーハ１１を複数のデバイスチップに分割する前に予めウェーハ１１の外周部２１を除去しておくと、その後にウェーハ１１を分割予定ライン１３に沿って切削する際、切削ブレード４２がウェーハ１１の外周部２１に接触することを防止できる。これにより、ウェーハ１１の切削を円滑に実施できる。 As described above, if the outer peripheral portion 21 of the wafer 11 is removed before dividing the wafer 11 into a plurality of device chips, the cutting blade 42 can be prevented from coming into contact with the outer peripheral portion 21 of the wafer 11 when the wafer 11 is subsequently cut along the planned division lines 13. This allows the wafer 11 to be cut smoothly.

なお、支持部材６８は、所定の処理を施すことによって硬化状態（非軟化状態）から軟化状態に変化する、可逆性の部材であることが好ましい。この場合、加工後のウェーハ１１が保持テーブル１６上から搬送される際、又は搬送された後に、支持部材６８を軟化させて硬化前の状態に戻すことにより、支持部材６８を次のウェーハの支持に再利用できる。 The support member 68 is preferably a reversible member that changes from a hardened state (non-softened state) to a softened state by applying a specified process. In this case, when the processed wafer 11 is transported from the holding table 16 or after it has been transported, the support member 68 is softened and returned to its pre-hardened state, so that the support member 68 can be reused to support the next wafer.

上記の通り、本実施形態に係る保持テーブル１６では、ウェーハ１１の外周部２１を支持する部材として、エネルギーの付与によって硬さが変化する支持部材６８が用いられる。そして、ウェーハ１１の凹部１９の深さに応じて支持部材６８を変形させることにより、凹部１９の深さが異なる複数の種類のウェーハ１１を支持することが可能になる。これにより、凹部１９を有するウェーハ１１を簡易に保持可能な保持テーブル１６が実現される。 As described above, in the holding table 16 according to this embodiment, a support member 68 whose hardness changes with the application of energy is used as a member for supporting the outer periphery 21 of the wafer 11. By deforming the support member 68 according to the depth of the recess 19 of the wafer 11, it becomes possible to support multiple types of wafers 11 whose recesses 19 have different depths. This realizes a holding table 16 that can easily hold wafers 11 having recesses 19.

また、保持テーブル１６では、ウェーハ１１の凹部１９が保持部６２によって保持されるとともに、ウェーハ１１の外周部２１が支持部材６８によって支持される。これにより、ウェーハ１１が保持テーブル１６によって確実に保持され、ウェーハ１１の位置ずれ等が生じにくくなる。 In addition, on the holding table 16, the recess 19 of the wafer 11 is held by the holding portion 62, and the outer periphery 21 of the wafer 11 is supported by the support member 68. This ensures that the wafer 11 is held securely by the holding table 16, making it less likely that the wafer 11 will shift out of position.

なお、上記の実施形態では、支持部材６８がエネルギーの付与によって軟化状態（非硬化状態）から硬化状態に変化する部材である場合について説明した。ただし、支持部材６８は、エネルギーの付与によって硬化状態（非軟化状態）から軟化状態に変化する部材であってもよい。 In the above embodiment, the support member 68 is a member that changes from a softened state (non-hardened state) to a hardened state by the application of energy. However, the support member 68 may also be a member that changes from a hardened state (non-softened state) to a softened state by the application of energy.

この場合、ウェーハ１１を保持テーブル１６によって保持する際に、エネルギー付与ユニット７２によって硬化状態の支持部材６８を加熱して軟化させる。そして、ウェーハ１１の外周部２１に貼付されたテープ２３が支持部材６８に接触した状態で、支持部材６８の加熱を停止し、支持部材６８を冷却する。これにより、軟化状態の支持部材６８が硬化し、ウェーハ１１の外周部２１がテープ２３を介して支持部材６８によって支持される。 In this case, when the wafer 11 is held by the holding table 16, the hardened support member 68 is heated and softened by the energy application unit 72. Then, with the tape 23 attached to the outer periphery 21 of the wafer 11 in contact with the support member 68, the heating of the support member 68 is stopped and the support member 68 is cooled. As a result, the softened support member 68 hardens, and the outer periphery 21 of the wafer 11 is supported by the support member 68 via the tape 23.

例えば、支持部材６８として、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、アクリル、ポリアセタール、ポリテトラフルオロエチレン等の熱可塑性樹脂や、ろう（ワックス）を用いることができる。この場合、固化した状態の支持部材６８を加熱することにより、支持部材６８を液状に変化させることができる。また、液状の支持部材６８を冷却することにより、支持部材６８を固化させることができる。 For example, the support member 68 can be made of a thermoplastic resin such as polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polystyrene, acrylic, polyacetal, or polytetrafluoroethylene, or wax. In this case, the support member 68 in a solidified state can be heated to change the support member 68 into a liquid state. The support member 68 in a liquid state can be solidified by cooling the support member 68.

また、支持部材６８として、電圧の印加によって粘度が可逆的に変化する電気粘性流体（ＥＲ流体）を用いることもできる。例えば電気粘性流体は、シリコーンオイル等の絶縁油にアルミノシリケート等でなる粒子を分散させることによって生成される。 Also, an electrorheological fluid (ER fluid) whose viscosity changes reversibly when a voltage is applied can be used as the support member 68. For example, an electrorheological fluid is produced by dispersing particles made of aluminosilicate or the like in insulating oil such as silicone oil.

また、保持テーブル１６が搭載される装置に制限はない。例えば保持テーブル１６は、切削装置以外の加工装置（研削装置、研磨装置、レーザー加工装置等）や洗浄装置に搭載することもできる。 In addition, there are no limitations on the device on which the holding table 16 is mounted. For example, the holding table 16 can also be mounted on processing devices other than cutting devices (such as grinding devices, polishing devices, laser processing devices, etc.) or cleaning devices.

研削装置は、ウェーハ１１を研削する加工ユニット（研削ユニット）を備える。研削ユニットはスピンドルを備えており、スピンドルの先端部には複数の研削砥石を備える環状の研削ホイールが装着される。研削装置に設置された保持テーブル１６によってウェーハ１１を保持し、研削砥石を回転させながらウェーハ１１に接触させることにより、ウェーハ１１が研削される。 The grinding device includes a processing unit (grinding unit) that grinds the wafer 11. The grinding unit includes a spindle, and an annular grinding wheel with multiple grinding stones is attached to the tip of the spindle. The wafer 11 is held by a holding table 16 installed in the grinding device, and the wafer 11 is ground by rotating the grinding stones and bringing them into contact with the wafer 11.

研磨装置は、ウェーハ１１を研磨する加工ユニット（研磨ユニット）を備える。研磨ユニットはスピンドルを備えており、スピンドルの先端部には円盤状の研磨パッドが装着される。研磨装置に設置された保持テーブル１６によってウェーハ１１を保持し、研磨パッドを回転させながらウェーハ１１に接触させることにより、ウェーハ１１が研磨される。 The polishing apparatus is equipped with a processing unit (polishing unit) that polishes the wafer 11. The polishing unit has a spindle, and a disk-shaped polishing pad is attached to the tip of the spindle. The wafer 11 is held by a holding table 16 installed in the polishing apparatus, and the wafer 11 is polished by rotating the polishing pad and bringing it into contact with the wafer 11.

レーザー加工装置は、ウェーハ１１を加工するためのレーザービームを照射する加工ユニット（レーザー照射ユニット）を備える。例えばレーザー照射ユニットは、所定の波長のレーザーをパルス発振するレーザー発振器と、レーザー発振器から発振されたレーザーを集光させる集光器とを備える。レーザー加工装置に設置された保持テーブル１６によってウェーハ１１を保持し、レーザー照射ユニットからウェーハにレーザービームを照射することにより、ウェーハ１１にレーザー加工が施される。 The laser processing apparatus includes a processing unit (laser irradiation unit) that irradiates a laser beam to process the wafer 11. For example, the laser irradiation unit includes a laser oscillator that pulses a laser of a predetermined wavelength, and a condenser that focuses the laser oscillated from the laser oscillator. The wafer 11 is held by a holding table 16 installed in the laser processing apparatus, and the wafer 11 is laser processed by irradiating the wafer with a laser beam from the laser irradiation unit.

洗浄装置は、ウェーハ１１を洗浄するための流体（純水等）を供給するノズル等を備える。洗浄装置に設置された保持テーブル１６によってウェーハ１１を保持し、保持テーブル１６を回転させつつノズルからウェーハ１１に流体を供給することにより、ウェーハ１１が洗浄される。 The cleaning device is equipped with a nozzle and the like that supplies a fluid (such as pure water) for cleaning the wafer 11. The wafer 11 is held by a holding table 16 installed in the cleaning device, and the wafer 11 is cleaned by supplying fluid from the nozzle to the wafer 11 while rotating the holding table 16.

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。 In addition, the structures, methods, etc. relating to the above embodiments can be modified as appropriate without departing from the scope of the purpose of the present invention.

１１ ウェーハ
１１ａ 表面（第１面）
１１ｂ 裏面（第２面）
１３ 分割予定ライン（ストリート）
１５ デバイス
１７ａ デバイス領域
１７ｂ 外周余剰領域
１９ 凹部
１９ａ 底面
１９ｂ 側面（内壁）
２１ 外周部
２３ テープ
２５ フレーム
２５ａ 開口
２ 切削装置
４ 基台
４ａ，４ｂ，４ｃ 開口
６ カセット載置台（カセットエレベーター）
８ カセット
１０ 移動ユニット（移動機構）
１２ 防塵防滴カバー
１４ 移動テーブル
１６ 保持テーブル（チャックテーブル）
１６ａ 保持面
１８ クランプ
２０ 支持構造
２２ 移動ユニット（移動機構）
２４ ガイドレール
２６ 移動プレート
２８ ボールねじ
３０ ガイドレール
３２ 移動プレート
３４ ボールねじ
３６ パルスモータ
３８ 加工ユニット（切削ユニット）
４０ ハウジング
４２ 切削ブレード
４４ 撮像ユニット（カメラ）
４６ 洗浄ユニット
４８ 保持テーブル（スピンナテーブル）
５０ クランプ
５２ ノズル
６０ ベース（基台、枠体）
６０ａ 上面
６０ｂ 流路
６２ 保持部
６２ａ 上面
６２ｂ 凹部（溝）
６４ 保持部材
６４ａ 上面
６６ 溝
６６ａ，６６ｂ 側面（内壁）
６８ 支持部材
７０ 吸引源
７２ エネルギー付与ユニット 11 Wafer 11a Front surface (first surface)
11b Back side (second surface)
13. Planned division line (street)
15 Device 17a Device region 17b Surplus peripheral region 19 Recess 19a Bottom surface 19b Side surface (inner wall)
21 Outer periphery 23 Tape 25 Frame 25a Opening 2 Cutting device 4 Base 4a, 4b, 4c Opening 6 Cassette placement table (cassette elevator)
8 Cassette 10 Moving unit (moving mechanism)
12 dust-proof/water-proof cover 14 moving table 16 holding table (chuck table)
16a: holding surface 18: clamp 20: support structure 22: moving unit (moving mechanism)
24 Guide rail 26 Moving plate 28 Ball screw 30 Guide rail 32 Moving plate 34 Ball screw 36 Pulse motor 38 Processing unit (cutting unit)
40 Housing 42 Cutting blade 44 Imaging unit (camera)
46 Cleaning unit 48 Holding table (spinner table)
50 clamp 52 nozzle 60 base (base, frame)
60a Upper surface 60b Flow path 62 Holding portion 62a Upper surface 62b Recess (groove)
64 Holding member 64a Top surface 66 Groove 66a, 66b Side surface (inner wall)
68 Support member 70 Suction source 72 Energy application unit

Claims (2)

凹部と、該凹部を囲繞する環状の外周部と、を有するウェーハを保持する保持テーブルであって、
ベースと、該ベースの上面から突出し該ウェーハの該凹部に挿入される保持部と、を備え、
該ベースは、該ウェーハの該外周部に対応する領域に設けられた環状の溝と、該溝の内部に設けられエネルギーの付与によって軟化状態から硬化状態又は硬化状態から軟化状態に変化する支持部材と、を備え、
該ウェーハの該凹部を該保持部によって保持するとともに、該ウェーハの該外周部を硬化状態の該支持部材によって支持することを特徴とする保持テーブル。 A holding table for holding a wafer having a recess and an annular outer periphery surrounding the recess,
a base and a holding portion protruding from an upper surface of the base and inserted into the recess of the wafer;
the base includes an annular groove provided in a region corresponding to the outer periphery of the wafer, and a support member provided inside the groove and capable of changing from a softened state to a hardened state or from a hardened state to a softened state by application of energy;
a holding table for holding the recess of the wafer by the holding portion, and supporting the outer periphery of the wafer by the supporting member in a hardened state. 該支持部材は、固化した状態で加熱されると液状に変化する部材であることを特徴とする請求項１記載の保持テーブル。
 2. The holding table according to claim 1, wherein the support member is a member that changes into a liquid state when heated in a solidified state.
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