JP7496504B2 - 温度測定システム - Google Patents
温度測定システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP7496504B2 JP7496504B2 JP2020088982A JP2020088982A JP7496504B2 JP 7496504 B2 JP7496504 B2 JP 7496504B2 JP 2020088982 A JP2020088982 A JP 2020088982A JP 2020088982 A JP2020088982 A JP 2020088982A JP 7496504 B2 JP7496504 B2 JP 7496504B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- temperature
- substrate
- measurement system
- types
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 title claims description 36
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 31
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 27
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 26
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 claims description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 8
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 8
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 7
- 230000031070 response to heat Effects 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 3
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 claims description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 2
- 238000002866 fluorescence resonance energy transfer Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 7
- 238000001327 Förster resonance energy transfer Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 229920000831 ionic polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl) methanesulfonate Chemical compound CS(=O)(=O)OC1=CC=C(O)C=C1 SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- YNXRTZDUPOFFKZ-UHFFFAOYSA-N [In].[Ag]=S Chemical compound [In].[Ag]=S YNXRTZDUPOFFKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 229920006318 anionic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006317 cationic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- LCUOIYYHNRBAFS-UHFFFAOYSA-N copper;sulfanylideneindium Chemical compound [Cu].[In]=S LCUOIYYHNRBAFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 description 1
- 229920000371 poly(diallyldimethylammonium chloride) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
前記センサ部に含まれる前記2種類以上の発光粒子を発光させる励起エネルギー源と、
前記センサ部からの発光を受光する受光部と、
を備える。
前記センサ部に含まれる前記2種類以上の発光粒子を発光させる励起エネルギー源と、
前記センサ部からの発光を受光する受光部と、
を備える。
図1は、実施の形態1に係る温度測定システム10の構成を示す概略図である。なお、図面において、便宜上、センサ部200の平面内の広がりを示す面内をX-Y平面とし、紙面右をX方向とし、鉛直上方をZ方向として示している。
図1において、実施の形態1に係る温度測定システムは10、励起エネルギー源100と、センサ部200と、発光受光素子300と、画像解析部400と、を備える。センサ部200は、熱に応答して膨張収縮する基板211と、基板211上に、面に沿って互いに離間して配置され、励起エネルギーにより発光する波長が異なる2種類以上の発光粒子213、214と、を含む。励起エネルギー源100によってセンサ部200に含まれる2種類の発光粒子213、214を発光させる。発光受光素子300によって、センサ部200からの発光を受光する。また、画像解析部400によって、受光した発光の波長分布に基づいて、基板211の温度変化を測定できる。
この温度測定システム10によれば、基板211上に配置された2種類以上の発光粒子213,214からの発光スペクトルの波長分布を検出することで、2種類以上の発光粒子213、214の粒子間距離の変化を検出でき、それによって基板211の温度変化を測定できる。
励起エネルギー源100は、センサ部200の発光粒子213、214を励起できる励起エネルギー源であれば、特に制限はされない。例えば、光エネルギー源を用いることができる。観察範囲内を一括で評価するためには、均一に励起エネルギーを供給する必要がある。
発光受光素子300は、発光粒子213、214の発光挙動変化を受光できる受光素子であれば、特に制限はされない。特に、観察範囲内を一括で評価できる、例えば、CCD、CMOS、イメージセンサなどを用いることができる。これらを用いることにより、観察範囲内の発光挙動を瞬時に分析することが可能である。
なお、励起エネルギー源として光エネルギー源を用いる場合は、発光受光素子300において検出感度を上げるため、波長カットフィルターを用い、励起エネルギー源100の波長の影響を抑制することが好ましい。
画像解析部400は、得られたイメージを色度、輝度により解析し、周囲との色度差、輝度差が得られる座標を算出できることが好ましい。画像解析部400では、受光した発光の波長分布に基づいて、センサ部200が設けられている基板の温度変化を測定する。具体的には、得られた発光の波長分布によって、2種類の発光粒子211、213の距離の変化が検出でき、微小領域での温度変化を測定することができる。温度変化測定の原理の詳細については、後述する。
センサ部200は、熱に応じて膨張収縮する基板211と、複数の発光粒子213、214と、スペーサ212と、保護層220と、から構成されている。
<基板>
基板211としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ABS樹脂のようなプラスチック材料を用いてもよい。また、基板211は、熱膨張係数が0.00001/K以上0.0001/K以下であることが好ましい。
発光粒子213、214は、励起エネルギーにより発光する波長が異なる2種類以上の発光粒子213、214と、を含む。
発光粒子213、214としては、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、テルル化カドミウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、テルル化亜鉛、硫化銅インジウム、硫化銀インジウム、リン化インジウムなどをコアとする半導体ナノ粒子、ハロゲン化セシウム鉛のようなペロブスカイト型半導体ナノ粒子、シリコン、カーボンなどをコアとする半導体ナノ粒子、メロシアニン、ペリレンなどの有機色素などを用いることができる。
2種類以上の発光粒子213、214は、基板211上に、面に沿って互いに離間して配置されている。
スペーサ212によって、2種類以上の発光粒子213、214を基板211の面に沿って互いに離間して配置することができる。具体的には、スペーサ212の中で2種類以上の発光粒子213、214を分散して配置してもよい。このスペーサ212の材料は、圧力により圧縮される、かつ、粒子からの発光を阻害しない材料であれば特に制限はされないが、採用する工法により一部制限される。例えば、LBL法ではポリアリルアミン、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロライドなどのカチオン性ポリマー、ポリアクリル酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、アニオン性のポリマーなどのイオン性のポリマーを使用することができ、スピンコーター法では、溶解する材料であれば特に制限はされないが、上述のイオン性ポリマー、シリコーン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、ポリビニルアルコール、ポリプロピレン、ポリアクリルアミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラートなどを使用することができる。
保護層220は、ハンドリングしやすい、かつ、粒子からの発光を阻害しない材料であれば特に制限はされないが、例えば、ポリエチレンテレフタラート、ポリアクリルアミド、ポリカーボネートなどを用いることができる。
発光する波長が異なる2種類以上の発光粒子として、一方の発光粒子(ドナー)の蛍光スペクトル(発光スペクトル)と、もう一方の発光粒子(アクセプター)の励起スペクトル(吸収スペクトル)との間に重なりがある場合を考える。この場合において、発光する波長が異なる二つの発光粒子が近接すると、励起エネルギーにより励起したドナーが発光する前に、その励起エネルギーがアクセプターを励起するという挙動が知られている。この挙動をフェルスター共鳴エネルギー移動(FRET)といい、2種類の発光粒子の発光スペクトルの波長分布の挙動は、2種類の発光粒子間の距離に依存する。特に、FRET効率をドナー励起数当たりのエネルギー移動数の割合とすると、FRET効率は、2種類の発光粒子間の距離の6乗に反比例する。
そこで、センサ部の面内の発光スペクトルの波長分布に基づいて、2種類の半導体ナノ粒子A、B間の距離の変化、つまり対象物の温度変化を算出できる。
なお、発光スペクトルの変化は、周辺温度によって影響を受けないため放射温度計では測定の難しい低温領域の温度測定が可能になる。
図2は、実施の形態2に係る温度測定システム10aの構成を示す概略図である。図2において、図1と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。
図2において、実施の形態2に係る温度測定システムは、励起エネルギー源100と、センサ部200と、発光受光素子300と、画像解析部400と、を備える。
本実施の形態2では、励起エネルギー源100、保護層220、発光受光素子300、画像解析部400は、本実施の形態1と同じ構成要素であるため、説明を省略する。
実施の形態2に係る温度測定システム10aは、実施の形態1に係る温度測定システムと対比すると、センサ部200に含まれる発光粒子213、214が、それぞれ層をなしていると共に、発光粒子213を含む層と、発光粒子214を含む層とが、基板211’の面内方向に沿って交互に配置されている点で相違する。
基材211’への加工法としては、例えば、リソグラフィ、エッチングやナノインプリントを使用することが出来る。加工のピッチとしては5nm以上10000nm以下であることが好ましく、さらに好ましくは、5nm以上1000nm以下である。
基板211’上に発光粒子213を含む層と発光粒子214を含む層とを順に積層させる方法としては、特に制限されないが、例えばスパッタリングやスピンコーター法等のような粒子を積層できる工法を用いることができる。
なお、この温度測定システム10aにおける温度変化の測定の原理としては、実施の形態1と同様であるため、説明を省略する。
100 励起エネルギー源
200 センサ部
211 基板
211’ 基板
212 スペーサ
213 発光粒子
214 発光粒子
220 保護層
300 発光受光素子
400 画像解析部
Claims (5)
- 熱に応答して膨張収縮する基板と、前記基板上に、面に沿って互いに離間して配置され、励起エネルギーにより発光する波長が異なる2種類以上の発光粒子と、を含むセンサ部と、
前記センサ部に含まれる前記2種類以上の発光粒子を発光させる励起エネルギー源と、
前記センサ部からの発光を受光する受光部と、
受光した前記発光の発光スペクトルに基づいて、前記基板の温度を測定する画像解析部と、
を備え、
前記画像解析部は、前記基板の膨張又は収縮による前記センサ部の基板上に配置された前記2種類の発光粒子間の距離の変化に応じたFRET効果による発光スペクトルの変化を測定し、前記基板の温度変化を測定すると共に、
レファレンスとなる型を測定し、あらかじめ別の測定方法で絶対温度を求めておき、前記基板による測定と前記レファレンスの測定との発光スペクトルの変化を測定することで元の温度に対する温度変化を測定し、元の温度に測定した温度変化を加算することで、前記基板の温度を測定する、温度測定システム。 - 前記2種類以上の発光粒子は、一方の種類の発光粒子の発光スペクトルと、他方の種類の発光粒子の励起スペクトルとが重なりを有する、請求項1に記載の温度測定システム。
- 前記2種類以上の発光粒子として、半導体ナノ粒子、有機色素のうち、少なくとも1種以上を用いる、請求項1又は2に記載の温度測定システム。
- 前記センサ部は、前記2種類以上の発光粒子を前記基板の面に沿って互いに離間して配置するスペーサを含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の温度測定システム。
- 前記励起エネルギーが、光エネルギーであることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の温度測定システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020088982A JP7496504B2 (ja) | 2020-05-21 | 2020-05-21 | 温度測定システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020088982A JP7496504B2 (ja) | 2020-05-21 | 2020-05-21 | 温度測定システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021183922A JP2021183922A (ja) | 2021-12-02 |
JP7496504B2 true JP7496504B2 (ja) | 2024-06-07 |
Family
ID=78767350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020088982A Active JP7496504B2 (ja) | 2020-05-21 | 2020-05-21 | 温度測定システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7496504B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050169348A1 (en) | 2002-06-06 | 2005-08-04 | Wei Chen | Nanoparticle thermometry and pressure sensors |
JP2006508205A (ja) | 2002-11-08 | 2006-03-09 | リーテック,エルエルシー | 感圧材料 |
JP2011130844A (ja) | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Olympus Corp | 血圧センサ、その製造方法及び血圧センサシステム |
JP2014071070A (ja) | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Shimadzu Corp | 温度モニター付き化学容器 |
JP2016191587A (ja) | 2015-03-31 | 2016-11-10 | シスメックス株式会社 | 温度判定方法、標的ペプチドの検出方法および温度判定試薬 |
-
2020
- 2020-05-21 JP JP2020088982A patent/JP7496504B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050169348A1 (en) | 2002-06-06 | 2005-08-04 | Wei Chen | Nanoparticle thermometry and pressure sensors |
JP2006508205A (ja) | 2002-11-08 | 2006-03-09 | リーテック,エルエルシー | 感圧材料 |
JP2011130844A (ja) | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Olympus Corp | 血圧センサ、その製造方法及び血圧センサシステム |
JP2014071070A (ja) | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Shimadzu Corp | 温度モニター付き化学容器 |
JP2016191587A (ja) | 2015-03-31 | 2016-11-10 | シスメックス株式会社 | 温度判定方法、標的ペプチドの検出方法および温度判定試薬 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021183922A (ja) | 2021-12-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Gorrotxategi et al. | Optical efficiency characterization of LED phosphors using a double integrating sphere system | |
TWI685907B (zh) | 用於沿著一製造程序線量測晶圓之輻射及溫度曝露之方法及系統 | |
KR102052227B1 (ko) | 적외선 변환 소자, 촬상 장치 및 촬상 방법 | |
Geyer et al. | Efficient luminescent down-shifting detectors based on colloidal quantum dots for dual-band detection applications | |
Park et al. | Ratiometric temperature imaging using environment-insensitive luminescence of Mn-doped core–shell nanocrystals | |
US7180065B2 (en) | Infra-red detector and method of making and using same | |
KR102155486B1 (ko) | 파장 중심 검출 기반 센서 장치 및 방법 | |
US10557969B2 (en) | Optical component, sensor and method for measuring an expansion and/or a temperature | |
US9389178B2 (en) | Analysis device, analysis method, optical element and electronic apparatus for analysis device and analysis method, and method of designing optical element | |
KR20100070718A (ko) | 표면전자공명 검출장치 및 검출방법 | |
US20200191663A1 (en) | Thermochromic sensing for nanocalorimetry | |
US20180113330A1 (en) | Spectrally programmable memristor | |
JP7442135B2 (ja) | 変位測定システム | |
Fang et al. | Colorimetric porous photonic bandgap sensors with integrated CMOS color detectors | |
JP7496504B2 (ja) | 温度測定システム | |
Lamprecht et al. | Integrated fluorescence sensor based on ring‐shaped organic photodiodes | |
KR101377655B1 (ko) | 적외선 이미지 센서의 발열 분포 측정장치 | |
Raad et al. | Thermoreflectance temperature measurements for optically emitting devices | |
US7709783B2 (en) | Biosensor using multiple light sources | |
JP4989366B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の設計方法 | |
WO2018101690A1 (ko) | 다중 내부 반사를 이용한 광학적 가스 센서 | |
WO2022219973A1 (ja) | 変位センサ、および変位センサを用いた変位測定システム | |
US9658165B2 (en) | Electronic field enhancement element, analysis device, and electronic apparatus | |
Krenn et al. | Waveguide-integrated SPR sensing on an all-organic platform | |
TWI616513B (zh) | 發光二極體晶片的溫度測量方法及使用的熱敏高分子材料 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230418 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240322 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240423 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240514 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7496504 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |